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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第106页 > ADG1419BRMZ
2.1 Ω导通电阻， ±15 V / + 12 V / ± 5 V
iCMOS工艺
SPDT开关
ADG1419
特点
2.1 Ω导通电阻
0.5 Ω最大导通电阻平坦度为25℃
最大390 mA连续电流
在+12 V ，± 15 V ， ± 5 V
无V
L
提供所需
3 V逻辑兼容输入
轨到轨工作
8引脚MSOP封装和8引脚3 mm ×2 mm LFCSP封装包
功能框图
ADG1419 LFCSP
SA
D
SB
解码器
EN
IN
开关所对于逻辑0输入。
图1. 8引脚LFCSP封装功能框图
应用
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
继电器的替代品
采样保持系统
音频信号路由
视频信号路由
通信系统
ADG1419 MSOP
SA
D
SB
IN
开关所对于逻辑0输入。
图2. 8引脚MSOP功能框图
概述
该ADG1419是一款单芯片
iCMOS
器件包含一个
单刀/双掷（ SPDT ）开关。提供EN输入上
LFCSP封装用于启用或禁用该设备。当
禁用时，所有通道被关闭。
该
iCMOS工艺
（工业CMOS ）模块化制造工艺
结合了高电压，互补金属氧化物半导体
（CMOS）和双极型技术。它使开发
范围广泛的高性能模拟集成电路可为33 V
在足迹的操作，没有其他代高电压
部分已经实现。与采用传统CMOS模拟IC
流程
iCMOS工艺
组件可以承受高电源电压
同时还能提升性能大大降低，
功耗，并减小封装尺寸。
导通电阻曲线都非常平坦，在整个模拟输入
范围确保卓越的线性度和低失真的时候
切换音频信号。该
iCMOS工艺
结构确保
超低功耗，使得部分非常适合
便携式和电池供电的仪器。
每个开关进行同样在两个方向开启时，
并具有延伸到电源的输入信号范围。在
断开条件下，信号电平的电源被阻止。该
ADG1419展品突破前先使用的开关动作
在多路复用器应用。
产品亮点
1.
2.
3.
4.
5.
2.4 Ω最大导通电阻为25 ℃。
最小的失真。
3 V逻辑兼容数字输入： V
INH
= 2.0 V, V
INL
= 0.8 V.
无V
L
逻辑电源要求。
8引脚MSOP封装和8引脚3 mm ×2 mm LFCSP封装包。
第0版
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一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
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www.analog.com
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2009 ADI公司保留所有权利。
08485-002
08485-001
ADG1419
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
± 15 V双电源............................................. .......................... 3
+ 12V单电源............................................. ........................ 4
± 5 V双电源............................................. ............................ 5
连续电流每通道，S或D ................................. 6
绝对最大额定值............................................... ............. 7
热阻................................................ ....................... 7
ESD注意事项................................................ ................................... 7
引脚配置和功能描述.............................. 8
典型性能特征.............................................. 9
测试电路................................................ ..................................... 12
术语................................................. ................................... 14
外形尺寸................................................ ....................... 15
订购指南................................................ .......................... 15
修订历史
10月9日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第16页2
ADG1419
特定网络阳离子
± 15 V双电源供电
V
DD
= +15 V ± 10%, V
SS
=发-15V ± 10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
导通电阻匹配通道间， ΔR
ON
导通电阻平坦度，R
平（ON）的
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
过渡时间，t
过渡
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声
-3 dB带宽
插入损耗
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
V
DD
到V
SS
2.1
2.4
0.05
0.2
0.4
0.5
±0.1
±0.5
±0.2
±0.6
±0.2
±1
2.8
0.25
0.6
3.2
0.3
0.65
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
％ （典型值）
兆赫（典型值）
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
V
S
= -10 V，I
S
= -10毫安;参见图22
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= 13.5 V
V
S
= -10 V，I
S
= -10毫安
V
S
= -10 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
V
S
= ±10 V, V
S
= ± 10 V ;参见图23
V
S
= ±10 V, V
S
= ± 10 V ;参见图23
V
S
= V
D
= ± 10 V ;参见图24
±2
±3
±3
±75
±100
±100
2.0
0.8
0.005
±0.1
4
130
155
85
110
115
140
15
16
64
64
0.016
135
0.16
19
44
114
V
IN
= V
GND
或V
DD
190
125
160
220
140
180
8
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;参见图25
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;参见图27
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;参见图27
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 10 V ;参见图26
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;
见图28
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图29
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图30
R
L
= 10 kΩ的， 5 V RMS ， F = 20 Hz到20 kHz ;
参见图32
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图31
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
参见图31
F = 1兆赫; V
S
= 0 V
F = 1兆赫; V
S
= 0 V
F = 1兆赫; V
S
= 0 V
第0版|第16页3
ADG1419
参数
电源要求
I
DD
I
DD
， 8引脚MSOP
I
DD
， 8引脚LFCSP
I
SS
V
DD
/V
SS
1
25°C
0.002
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
单位
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
V最小/最大
测试条件/评论
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 5 V
数字输入= 5 V
数字输入= 0 V ， 5 V或V
DD
接地= 0 V
1.0
58
95
120
190
0.002
1.0
±4.5/±16.5
通过设计保证，不受生产测试。
+ 12V单电源供电
V
DD
= 12 V ± 10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
导通电阻匹配通道间， ΔR
ON
导通电阻平坦度，R
平（ON）的
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
过渡时间，t
过渡
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
D
电荷注入
关断隔离
25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
0 V至V
DD
4
4.6
0.08
0.25
1.2
1.5
±0.1
±0.5
±0.2
±0.6
±0.2
±1
5.5
0.3
1.75
6.2
0.35
1.9
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
测试条件/评论
V
S
= 0 V至10 V，I
S
= -10毫安;参见图22
V
DD
= +10.8 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 0 V至10 V，I
S
= -10毫安
V
S
= 0 V至10 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= +13.2 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 1 V/10 V, V
D
= 10 V / 1 V ;参见图23
V
S
= 1 V/10 V, V
D
= 10 V / 1 V ;参见图23
V
S
= V
D
= 1伏或10伏;参见图24
±2
±3
±3
±75
±100
±100
2.0
0.8
0.005
±0.1
4
200
255
145
190
130
170
55
13
60
V
IN
= V
GND
或V
DD
265
220
205
370
245
220
33
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;参见图25
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;参见图27
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;参见图27
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 8 V ;参见图26
V
S
= 6 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图28
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图29
第0版|第16页4
ADG1419
参数
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
插入损耗
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
DD
， 8引脚MSOP
I
DD
， 8引脚LFCSP
V
DD
1
25°C
60
95
0.3
32
72
123
0.001
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
单位
dB典型值
兆赫（典型值）
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
V最小/最大
测试条件/评论
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
见图30
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图31
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;参见图31
F = 1兆赫; V
S
= 6 V
F = 1兆赫; V
S
= 6 V
F = 1兆赫; V
S
= 6 V
V
DD
= 13.2 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 5 V
数字输入= 5 V
接地= 0 V ，V
SS
= 0 V
1.0
58
95
120
190
5/16.5
通过设计保证，不受生产测试。
± 5 V双电源供电
V
DD
= +5 V ± 10%, V
SS
= -5V ± 10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
表3中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
导通电阻匹配通道间， ΔR
ON
导通电阻平坦度，R
平（ON）的
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
V
DD
到V
SS
4.5
5.2
0.1
0.3
1.3
1.6
±0.1
±0.5
±0.1
±0.6
±0.1
±1
±2
±3
±3
±75
±100
±100
2.0
0.8
0.001
±0.1
4
6.2
0.35
1.85
7
0.4
2
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
测试条件/评论
V
S
= -4.5V ，我
S
= -10毫安;参见图22
V
DD
= +4.5 V, V
SS
= 4.5 V
V
S
= -4.5V ，我
S
= -10毫安
V
S
= -4.5 V，I
S
= -10毫安
V
DD
= +5.5 V, V
SS
= 5.5 V
V
S
= ±4.5 V, V
D
=
4.5
V ;参见图23
V
S
= ±4.5 V, V
D
=
4.5
V ;参见图23
V
S
= V
D
= ± 4.5 V ;参见图24
V
IN
= V
GND
或V
DD
第0版|第16页5
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AM27S37APC
AS7C33512NTF18A-85TQIN
ALD12F48N-
AM29F400BB-50EC0
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    ADG1419BRMZ
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