【9.5 Ω RON±15 V/+12 V/±5 ViCMOS工艺串行控制八通道单刀单掷开关ADG14】,IC型号ADG1414BCPZ-REEL7,ADG1414BCPZ-REEL7 PDF资料,ADG1414BCPZ-REEL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

9.5 Ω R

±15 V/+12 V/±5 V

iCMOS工艺

串行控制八通道单刀单掷开关

ADG1414

特点

SPI接口

支持菊花链模式

9.5

导通电阻@ 25°C

1.6

导通电阻平坦度

在± 15 V完全指定，+ 12 V， ± 5 V

3 V逻辑兼容输入

轨到轨工作

24引脚TSSOP和24引脚的4 mm× 4 mm LFCSP封装

功能框图

ADG1414

输入移位

应用

自动测试设备

数据采集系统

电池供电系统

采样保持系统

音频信号路由

视频信号路由

通信系统

SDO

08497-001

SCLK DIN SYNC

RESET / V

图1 。

概述

该ADG1414是单片互补金属氧化物

含8独立地半导体（CMOS）器件

设计上的工业CMOS可选开关（ iCMOS ）

流程。

iCMOS工艺

是一个模块化的制造过程相结合

高压CMOS和双极性技术。

iCMOS工艺

组件

可以承受高电源电压，同时还能提升perfor-

曼斯，大大降低了功耗，并降低

封装尺寸。

该ADG1414是一组八进制的SPST （单刀单掷）

交换机通过一个3线串行接口控制。导通电阻是

交换机之间的紧密匹配是非常平坦的，在整个

信号范围。每个开关导电性能相同，在两个方向

tions和输入信号范围延伸到供应。

数据被写入到在8比特的格式，这些装置;每

比特对应于一个信道。

该ADG1414采用多功能三线式串行接口，

工作在高达50MHz的时钟速率工作，并具有兼容

标准SPI ， QSPI ， MICROWIRE 和DSP接口

标准。移位寄存器， SDO的输出，使

将菊花链方式连接这些部件的数量。

上电时，所有开关都处于断开状态，而

内部寄存器包含全零。

产品亮点

50MHz的串行接口。

9.5 Ω的电阻。

1.6 Ω导通电阻平坦度。

24引脚TSSOP和4mm × 4 mm LFCSP封装包。

第0版

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ADG1414

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

± 15 V双电源............................................. .......................... 3

12 V单电源.............................................. .......................... 4

± 5 V双电源............................................. ............................ 6

每通道连续电流.............................................. 7

时序特性................................................ ................ 8

绝对最大额定值............................................... ........... 10

热阻................................................ .................... 10

ESD注意事项................................................ ................................ 10

引脚配置和功能描述.......................... 11

典型性能特征........................................... 13

测试电路................................................ ..................................... 16

术语................................................. ................................... 18

工作原理............................................... ....................... 19

串行接口................................................ ............................ 19

输入移位寄存器............................................... ..................... 19

上电复位.............................................. ............................ 19

菊花链................................................ ........................... 19

外形尺寸................................................ ....................... 20

订购指南................................................ .......................... 20

修订历史

10月9日 - 修订版0 ：初始版

第0版|第20页2

ADG1414

特定网络阳离子

± 15 V双电源供电

= 15 V ± 10%, V

= 2.7 V至5.5 V ， GND = 0V ，除非另有说明。

表1中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

+25°C

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

到V

9.5

11.5

0.55

1.6

1.9

±0.05

±0.15

±0.05

±0.15

±0.1

±0.3

±1

±2

±4

2.0

0.8

±0.001

±0.1

数字输入电容，C

逻辑输出（ SDO ）

输出低电压，V

OL 1

高阻抗漏电流

高阻抗输出

电容

动态特性

关闭

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

总谐波失真（ THD + N）

-3 dB带宽

插入损耗

, C

（关闭）

, C

（上）

0.4

0.6

0.001

±1

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

测试条件/评论

= +13.5 V, V

= 13.5 V, V

= -10 V，I

-10毫安;参见图23

= +13.5 V, V

= 13.5 V, V

= -10 V，I

= 10毫安

= +13.5 V, V

= 13.5 V, V

= -10 V，I

= 10毫安

= +16.5 V, V

= 16.5 V

= ±10 V, V

10 V ;参见图24

= ±10 V, V

10 V ;参见图24

= V

= ± 10 V ;参见图25

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

1.5

2.15

1.7

2.3

= V

GND

或V

SINK

= 3毫安

SINK

= 6毫安

0.05

256

0.55

110

120

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

pC的典型值

dB典型值

％（典型值）

兆赫（典型值）

dB典型值

pF的典型值

= 100 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ;参见图30

= 100 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ;参见图30

= 0 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;参见图31

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图26

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图27

= 110 Ω ， 15 V P-P中，f = 20 Hz至20 kHz ;看

图29

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图28

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图28

F = 1 MHz的

第0版|第20页3

ADG1414

参数

电源要求

待用

活动@ 30兆赫

活动@ 50兆赫

+25°C

0.001

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

单位

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

毫安（典型值）

最大mA

毫安（典型值）

最大mA

μA （典型值）

μA（最大值）

V最小/最大

测试条件/评论

= +16.5 V, V

= 16.5 V

数字输入= 0 V或V

数字输入0 V和V之间的切换

数字输入= 0 V或V

0.3

0.26

0.3

0.42

0.5

0.001

±4.5/±16.5

0.55

0.35

通过设计保证，不受生产测试。

12 V单电源供电

= 12 V ± 10%, V

= 0 V, V

= 2.7 V至5.5 V ， GND = 0V ，除非另有说明。

表2中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

+25°C

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

0到V

21.5

0.55

1.2

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

±0.02

±0.15

±0.02

±0.15

±0.05

±0.3

±1

±2

28.5

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

= 10.8 V

= 1 V/10 V, V

= 10 V / 1 V ;看

图24

= 1 V/10 V, V

= 10 V / 1 V ;看

图24

= V

= 1伏或10伏;参见图25

测试条件/评论

= 10.8 V, V

= 0 V; V

= 0 V至10 V ，

= -10毫安;参见图23

= 10.8 V, V

= 0 V; V

= 0 V至10 V ，

= -10毫安

= 10.8 V, V

= 0 V; V

= 0 V至10 V ，

= -10毫安

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

1.6

1.8

6.9

7.3

流掉泄漏，我

（关闭）

±1

±2

±4

2.0

0.8

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

数字输入电容，C

±0.001

±0.1

= V

GND

或V

第0版|第20页4

ADG1414

参数

逻辑输出（ SDO ）

，输出低电压

高阻抗漏电流

高阻抗输出

电容

动态特性

关闭

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

-3 dB带宽

插入损耗

, C

（关闭）

, C

（上）

电源要求

待用

活动@ 30兆赫

+25°C

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

0.4

0.6

±1

单位

V最大

μA（最大值）

pF的典型值

测试条件/评论

SINK

= 3毫安

SINK

= 6毫安

145

185

240

1.15

0.001

220

240

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

dB典型值

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

毫安（典型值）

最大mA

毫安（典型值）

最大mA

μA （典型值）

μA（最大值）

V最小/最大

= 100 Ω, C

= 35 pF的

= 8 V ;参见图30

= 100 Ω, C

= 35 pF的

= 8 V ;参见图30

= 6 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;看

图31

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;

见图26

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;

参见图27

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图28

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;看

图28

F = 1 MHz的

= +13.2 V

数字输入= 0 V或V

数字输入0 V之间切换

和V

数字输入0V之间切换

和V

数字输入= 0 V或V

0.3

0.26

0.3

活动@ 50兆赫

0.42

0.5

0.35

0.55

±4.5/±16.5

0.001

通过设计保证，不受生产测试。

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