【4 Ω RON，4 / 8通道±15 V/+12 V/±5 ViCMOS工艺多路复用器ADG1408】,IC型号ADG1408YRUZ-REEL7,ADG1408YRUZ-REEL7 PDF资料,ADG1408YRUZ-REEL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

4 Ω R

，4 / 8通道

±15 V/+12 V/±5 V

iCMOS工艺

多路复用器

ADG1408/ADG1409

特点

4.7 Ω最大导通电阻@ 25°C

0.5 Ω导通电阻平坦度

高达190 mA的连续电流

在± 15 V / + 12 V / ± 5 V完全指定

3 V逻辑兼容输入

轨到轨工作

先开后合式开关动作

16引脚TSSOP和4mm × 4 mm LFCSP封装包

功能框图

ADG1408

S1A

S4A

S1B

1-OF-8

解码器

S4B

1-OF-4

解码器

04861-001

ADG1409

应用

继电器更换

音频和视频路由

自动测试设备

数据采集系统

温度测量系统

航空电子学

电池供电系统

通信系统

医疗设备

A0 A1 A2 EN

图1 。

概述

该ADG1408 / ADG1409均为单芯片

iCMOS

模拟multip-

词法分析器，包括8个单通道和四个差分

通道。该ADG1408开关的八分之一

输入到共同的输出，如由3位二进制判定

地址线A0 ，A1和A2中。该ADG1409开关的一个

4差分输入至公共差分输出，如

由2位二进制地址线A0和A1确定。一个EN

输入两个设备上，用于启用或禁用该设备。

禁用时，所有通道被关闭。

该

iCMOS工艺

（工业CMOS ）模块化制造工艺

结合了高电压CMOS （互补金属氧化物

半导体）与双极性技术。它使人员开发

广泛的能力的高性能模拟集成电路opment

33 V工作电压的足迹，没有其他新一代高

电压部分已经能够实现。与使用模拟IC

传统的CMOS工艺，

iCMOS工艺

组件可以忍受

同时还能提升性能高的电源电压，

大大降低了功耗，并减小封装尺寸。

导通电阻和对这些电阻平坦度的超低

开关使其成为数据采集和理想的解决方案

增益开关应用中的低失真是重要的。

iCMOS工艺

建设，确保超低功耗，

因而非常适合于便携式和电池 - 零件

电动器械。

产品亮点

4 Ω的电阻。

0.5 Ω导通电阻平坦度。

3 V逻辑兼容数字输入，V

= 2.0 V, V

= 0.8 V.

16引脚TSSOP和4mm × 4 mm LFCSP封装包。

表1.相关设备

产品型号

ADG1208/ADG1209

描述

低电容，低电荷注入，

和低泄漏4- / 8通道± 15 V

多路复用器

版本B

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第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

商标和注册商标均为其各自所有者的财产。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781.329.4700

www.analog.com

ADG1408/ADG1409

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

15 V双电源.............................................. ............................ 3

12 V单电源.............................................. .......................... 5

5 V双电源.............................................. .............................. 7

每个通道，S或D连续电流................................... 8

绝对最大额定值............................................... ............. 9

热阻................................................ ....................... 9

ESD注意事项................................................ ................................... 9

引脚配置和功能说明......................... 10

典型性能特征........................................... 12

术语................................................. ................................... 16

测试电路................................................ ..................................... 17

外形尺寸................................................ ....................... 19

订购指南................................................ .......................... 20

修订历史

3月9日 - 修订版。 A到版本B

改变我

参数（表2） ............................................. 4 ....

改变我

参数（表3） ............................................. 6 ....

8月8日 - 修订版。 0到版本A

更改功能............................................... ........................... 1

添加表5 ;重新编号，按顺序.................................... 8

更改表6 .............................................. .............................. 9

添加裸露焊盘符号图3 ................................... 10

添加裸露焊盘符号图5 ................................... 11

添加裸露焊盘的符号来外形尺寸............. 19

8月6日 - 修订版0 ：初始版

版本B |第20页2

ADG1408/ADG1409

特定网络阳离子

15 V双电源供电

= +15 V ± 10%, V

=发-15V ± 10％，GND = 0V ，除非另有说明。

表2中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

数字输入电容，C

动态特性

过渡时间，t

过渡

突破前先延时，T

BBM

（ EN ）

关闭

（ EN ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

总谐波失真， THD + N

-3 dB带宽

ADG1408

ADG1409

插入损耗

（关闭）

ADG1408

ADG1409

, C

（上）

ADG1408

ADG1409

+25°C

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

到V

4.7

0.2

0.78

0.5

0.72

±0.04

±0.2

±0.04

±0.45

±0.1

±1.5

5.7

0.85

0.77

6.7

1.1

0.92

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

pC的典型值

dB典型值

％（典型值）

测试条件/评论

= -10 V，I

= -10毫安;参见图26

= +13.5 V, V

= 13.5 V

= -10 V，I

= -10毫安

= -10 V，I

= -10毫安

= +16.5 V, V

= 16.5 V

= ±10 V, V

= 10 V ;参见图27

= ±10 V, V

= 10 V ;参见图27

= V

= ± 10 V ;参见图28

±0.6

±2

±3

±5

±30

2.0

0.8

±0.005

±0.1

140

170

100

120

100

120

0.025

= V

GND

或V

210

240

150

165

170

= 100 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ，见图29

= 100 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 10 V ;参见图30

= 100 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ;参见图31

= 100 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ;参见图31

= 0 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;参见图32

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;见图33

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图34

= 110 Ω ， 15 V P-P中，f = 20 Hz至20 kHz ;

见图36

= 50 Ω, C

= 5 pF的;见图35

115

0.24

135

版本B |第20页3

兆赫（典型值）

dB典型值

pF的典型值

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;见图35

F = 1 MHz的

ADG1408/ADG1409

参数

电源要求

+25°C

0.002

220

380

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

单位

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

V最小/最大

测试条件/评论

= +16.5 V, V

= 16.5 V

数字输入= 0 V或V

数字输入= 5 V

数字输入= 0 V ， 5 V或V

0.002

±4.5/±16.5

温度范围：Y版本： -40°C至+ 125°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

版本B |第20页4

ADG1408/ADG1409

12 V单电源供电

= 12 V ± 10%, V

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。

表3中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻匹配

通道之间（ ΔR

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

数字输入电容，C

动态特性

过渡时间，t

过渡

突破前先延时，T

BBM

（ EN ）

关闭

（ EN ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

-3 dB带宽

ADG1408

ADG1409

插入损耗

（关闭）

ADG1408

ADG1409

, C

（上）

ADG1408

ADG1409

+25°C

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

0到V

0.2

0.82

1.5

2.5

±0.04

±0.2

±0.04

±0.45

±0.06

±0.44

9.5

0.85

2.5

11.2

1.1

2.8

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

dB典型值

pF的典型值

测试条件/评论

= 0 V至10 V，I

= -10毫安;参见图26

= 10.8 V, V

= 0 V

= 0 V至10 V，I

= -10毫安

= 0 V至10 V，I

= -10毫安

= 13.2 V

= 1 V/10 V, V

= 10 V / 1 V ;参见图27

= 1 V/10 V, V

= 10 V / 1 V ;参见图27

= V

= 1伏或10伏;参见图28

±0.6

±1

±1.3

±5

±37

±32

2.0

0.8

±0.005

±0.1

200

260

160

210

115

145

0.5

165

200

120

= V

GND

或V

330

380

250

180

285

200

= 100 Ω, C

= 35 pF的

= 8 V ;参见图29

= 100 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 8 V ;参见图30

= 100 Ω, C

= 35 pF的

= 8 V ;参见图31

= 100 Ω, C

= 35 pF的

= 8 V ;参见图31

= 6 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;参见图32

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;见图33

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图34

= 50 Ω, C

= 5 pF的;见图35

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;见图35

F = 1 MHz的

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