【1 Ω导通电阻， ±15 V / + 12 V / ± 5 ViCMOS工艺SPST开关ADG140】,IC型号ADG1402BRMZ-REEL7,ADG1402BRMZ-REEL7 PDF资料,ADG1402BRMZ-REEL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

1 Ω导通电阻， ±15 V / + 12 V / ± 5 V

iCMOS工艺

SPST开关

ADG1401/ADG1402

特点

1 Ω导通电阻

0.2 Ω导通电阻平坦度

高达430 mA的连续电流

在+12 V ，± 15 V ， ± 5 V

无V

提供所需

3 V逻辑兼容输入

轨到轨工作

8引脚MSOP封装和8引脚3 mm ×2 mm LFCSP封装包

功能框图

ADG1401

开关所对于逻辑1输入

图1. ADG1401功能框图

应用

自动测试设备

数据采集系统

电池供电系统

采样保持系统

音频信号路由

视频信号路由

通信系统

继电器的替代品

ADG1402

开关所对于逻辑1输入

图2. ADG1402功能框图

概述

该ADG1401 / ADG1402包含一个单刀/单掷

（ SPST ）开关。图1显示，与图1中，一个逻辑输入

该ADG1401的开关是闭合的，而ADG1402的是

开。每个开关导电性能相同，在两个方向的时候

上，并具有延伸到所述电源的输入信号范围。在

在OFF状态下，信号电平的电源被阻止。

该

iCMOS

（工业CMOS ）模块化制造工艺

结合了高电压，互补金属氧化物半导体

（CMOS）和双极型技术。它使开发

范围广泛的高性能模拟集成电路可为33 V

在足迹的操作，没有其他代高电压

部分已经实现。与采用传统CMOS模拟IC

流程

iCMOS工艺

组件可以承受高电源电压

同时还能提升性能大大降低，

功率消耗，并且减小封装尺寸。

导通电阻曲线都非常平坦，在整个模拟输入

范围确保卓越的线性度和低失真的时候

切换音频信号。该

iCMOS工艺

结构确保

超低功耗，使得部分非常适合

便携式和电池供电的仪器。

产品亮点

1.3 Ω最大导通电阻为25 ℃。

最小的失真。

3 V逻辑兼容数字输入： V

INH

= 2.0 V, V

INL

= 0.8 V.

无V

逻辑电源要求。

8引脚MSOP封装和8引脚3 mm ×2 mm LFCSP封装包。

第0版

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传真： 781.461.3113

08486-002

08486-001

ADG1401/ADG1402

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

± 15 V双电源............................................. .......................... 3

+ 12V单电源............................................. ........................ 4

± 5 V双电源............................................. ............................ 5

连续电流每通道，S或D .................................. 6

绝对最大额定值............................................... ............. 7

热阻................................................ ....................... 7

ESD注意事项................................................ ................................... 7

引脚配置和功能描述.............................. 8

典型性能特征.............................................. 9

测试电路................................................ ..................................... 12

术语................................................. ................................... 14

外形尺寸................................................ ....................... 15

订购指南................................................ .......................... 15

修订历史

10月9日 - 修订版0 ：初始版

第0版|第16页2

ADG1401/ADG1402

特定网络阳离子

± 15 V双电源供电

= +15 V ± 10%, V

=发-15V ± 10％，GND = 0V ，除非另有说明。

表1中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

关闭

电荷注入

关断隔离

总谐波失真+噪声

-3 dB带宽

插入损耗

（关闭）

, C

（上）

电源要求

25°C

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

到V

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

pC的典型值

dB典型值

％（典型值）

兆赫（典型值）

dB典型值

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

V最小/最大

测试条件/评论

1.3

0.2

0.23

±0.05

±0.4

±0.05

±0.4

±0.2

±1

1.6

0.26

1.8

0.3

= -10 V，I

= -10毫安;参见图20

= +13.5 V, V

= 13.5 V

= ± 10 V ;我

= -10毫安

= +16.5 V, V

= 16.5 V

= ±10 V, V

= ± 10 V ;参见图21

= ±10 V, V

= ± 10 V ;参见图21

= V

= ± 10 V ;参见图22

±3

±150

2.0

0.8

0.002

±0.1

120

150

120

150

0.008

120

0.08

187

0.002

1.0

0.002

1.0

±4.5/±16.5

= V

GND

或V

185

175

215

200

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ;参见图23

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ;参见图23

= 0 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;参见图24

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图25

= 10 kΩ的， 5 V RMS ， F = 20 Hz到20 kHz ;

参见图27

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图26

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图26

F = 1MHz时， V

= 0 V

F = 1MHz时， V

= 0 V

F = 1MHz时， V

= 0 V

= +16.5 V, V

= 16.5 V

数字输入= 0 V或V

数字输入= 5 V

数字输入= 0 V ， 5 V或V

接地= 0 V

通过设计保证，不受生产测试。

第0版|第16页3

ADG1401/ADG1402

+ 12V单电源供电

= +12 V ± 10%, V

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。

表2中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

关闭

电荷注入

关断隔离

-3 dB带宽

插入损耗

（关闭）

, C

（上）

电源要求

25°C

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

0 V至V

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

dB典型值

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

V最小/最大

测试条件/评论

2.4

0.6

0.68

±0.05

±0.4

±0.05

±0.4

±0.2

±1

2.9

0.8

3.2

0.85

= 0 V至10 V，I

= -10毫安;参见图20

= 10.8 V, V

= 0 V

= 0 V至10 V，I

= -10毫安

= 13.2 V, V

= 0 V

= 1 V/10 V, V

= 10 V / 1 V ;参见图21

= 1 V/10 V, V

= 10 V / 1 V ;参见图21

= V

= 1伏或10伏;参见图22

±3

±150

2.0

0.8

0.002

±0.1

180

235

140

185

0.15

181

0.001

1.0

5/16.5

= V

GND

或V

295

215

335

260

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 8 V ;参见图23

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 8 V ;参见图23

= 6 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;参见图24

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图25

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图26

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图26

F = 1MHz时， V

= 6 V

F = 1MHz时， V

= 6 V

F = 1MHz时， V

= 6 V

= 13.2 V

数字输入= 0 V或V

数字输入= 5 V

接地= 0 V ，V

= 0 V

通过设计保证，不受生产测试。

第0版|第16页4

ADG1401/ADG1402

± 5 V双电源供电

= +5 V ± 10%, V

= -5V ± 10％，GND = 0V ，除非另有说明。

表3中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

关闭

电荷注入

关断隔离

总谐波失真+噪声

-3 dB带宽

插入损耗

（关闭）

, C

（上）

电源要求

25°C

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

0 V至V

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

测试条件/评论

2.3

2.7

0.65

0.72

±0.02

±0.4

±0.02

±0.4

±0.1

±1

3.3

0.85

3.7

0.9

= -4.5 V，I

= -10毫安;参见图20

= +4.5 V, V

= 4.5 V

= -4.5 V，I

= -10毫安

= +5.5 V, V

= 5.5 V

= ±4.5 V, V

4.5

V ;参见图21

= ±4.5 V, V

4.5

V ;参见图21

= V

= ± 4.5 V ;参见图22

±3

±150

2.0

0.8

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

pC的典型值

dB典型值

％（典型值）

兆赫（典型值）

dB典型值

pF的典型值

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

V最小/最大

0.002

±0.1

290

375

235

305

145

0.02

0.14

198

0.001

1.0

0.001

1.0

±4.5/±16.5

= V

GND

或V

460

365

520

405

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3 V ;参见图23

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 3 V ;参见图23

= 0 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;参见图24

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图25

= 10 kΩ的， 5 V P-P ， F = 20 Hz到20 kHz ;

参见图27

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图26

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图26

= 0 V ， F = 1兆赫

= +5.5 V, V

= 5.5 V

数字输入= 0 V或V

接地= 0 V

通过设计保证，不受生产测试。

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