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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第615页 > ADG1313YRUZ-REEL7
± 15 V / 12 V四通道SPST开关
ADG1311/ADG1312/ADG1313
特点
33 V电源电压范围
在+12 V ,± 15 V
130 Ω电阻
无V
L
提供所需
3 V逻辑兼容输入
轨到轨工作
16引脚TSSOP和16引脚SOIC
典型功耗: <0.03 μW
IN1
D1
S2
IN2
IN2
D2
S3
IN3
D3
S4
IN4
IN4
D4
D4
IN3
D3
S4
IN4
D4
05676-001
功能框图
S1
IN1
D1
S2
IN2
D2
S3
IN3
D3
S4
S1
IN1
D1
S2
D2
S1
ADG1311
ADG1312
ADG1313
S3
应用
信号切换
电池供电系统
通信系统
音频/视频信号路由
开关所对于逻辑1输入
图1 。
概述
该ADG1311 / ADG1312 / ADG1313均为单芯片CMOS
包含四个独立可选的开关设备
设计上的CMOS工艺。
该ADG1311 / ADG1312 / ADG1313内置四个独立
单刀/单掷( SPST)开关。该ADG1311和
ADG1312的唯一不同在于,数字控制逻辑被反转。
该ADG1311开关接通与逻辑0了合
正确的控制输入端,而逻辑1是必需的ADG1312 。
该ADG1313有两个开关与同类数字控制逻辑
在ADG1311 ;的逻辑相反的其它两个开关。
该ADG1313展品先开后合式开关动作的
在多路复用应用中使用。
每个开关进行同样在两个方向开启时,
并具有延伸到电源的输入信号范围。在
断开条件下,信号电平的电源被阻止。
产品亮点
1.
2.
3.
3 V逻辑兼容数字输入: V
IH
= 2.0 V, V
IL
= 0.8 V.
无V
L
逻辑电源要求。
16引脚TSSOP和SOIC封装。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
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2005 ADI公司保留所有权利。
ADG1311/ADG1312/ADG1313
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
规格................................................. .................................... 3
双电源................................................ ................................... 3
单电源................................................ ................................. 4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ ................................... 5
引脚配置和功能描述.............................. 6
术语................................................. ...................................... 7
典型性能特征.............................................. 8
测试电路................................................ ..................................... 10
外形尺寸................................................ ....................... 12
订购指南................................................ .......................... 12
修订历史
10月5日 - 修订版0 :初始版
第0版|第12页2
ADG1311/ADG1312/ADG1313
特定网络阳离子
双电源
V
DD
= 15 V ± 10%, V
SS
=发-15V ± 10% ,GND = 0V ,除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道( ΔR
ON
)
导通电阻平坦度(R
平(ON)的
)
漏电流
源关闭泄漏,我
S
(关闭)
流掉泄漏,我
D
(关闭)
渠道渗漏,我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容,C
IN
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时,T
D
(仅ADG1313 )
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
I
DD
I
SS
I
SS
1
2
25°C
版本
1
-40 ° C至+ 105°C
V
DD
到V
SS
230
单位
V
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
nA的典型值
nA的典型值
nA的典型值
测试条件/评论
130
200
5
10
25
65
±10
±10
±10
V
S
= -10 V,I
S
= -1毫安;图10
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= 13.5 V
V
S
= -10 V,I
S
= -1毫安
V
S
= -5 V / 0 V / + 5 V ;我
S
= -1毫安
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
V
S
= ±10 V, V
D
=
10 V ;图11
V
S
= ±10V, V
D
=
10 V ;图11
V
S
= V
D
= ± 10 V ;图12
2.0
0.8
0.005
±0.1
2.5
105
125
40
50
25
2
80
90
600
5
5
10
0.001
1.0
220
320
0.001
1.0
0.001
1.0
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
pF的典型值
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA (典型值)
μA(最大值)
μA (典型值)
μA(最大值)
μA (典型值)
μA(最大值)
μA (典型值)
μA(最大值)
V
IN
= V
INL
或V
INH
180
60
10
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;图13
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;图13
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 10 V ;图14
V
S
= 0 V ,R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;图15
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;图16
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;图17
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;图18
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 5 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 5 V
温度范围Y的版本
40°C
至+ 105°C 。
通过设计保证,不受生产测试。
第0版|第12页3
ADG1311/ADG1312/ADG1313
单电源
V
DD
= 12 V ± 10%, V
SS
= 0V ,GND = 0V ,除非另有说明。
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻(R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道( ΔR
ON
)
导通电阻平坦度(R
平(ON)的
)
漏电流
源关闭泄漏,我
S
(关闭)
流掉泄漏,我
D
(关闭)
渠道渗漏,我
D
, I
S
(上)
数字输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容,C
IN
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时,T
D
(仅ADG1313 )
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S
(关闭)
C
D
(关闭)
C
D
, C
S
(上)
电源要求
I
DD
I
DD
1
2
25°C
版本
1
-40 ° C至+ 105°C
0 V至V
DD
520
单位
V
= (典型值)
=最大
= (典型值)
=最大
= (典型值)
nA的典型值
nA的典型值
nA的典型值
测试条件/评论
325
500
10
15
65
±10
±10
±10
V
S
= 0 V - 10 V,I
S
= -1毫安;图10
V
DD
= 10.8 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 0 V - 10 V,I
S
= -1毫安
V
S
= + 3V / + 6 V / + 9 V,I
S
= -1毫安
V
DD
= 13.2 V, V
SS
= 0 V
V
S
= +1 V/+10 V, V
D
= + 10V / + 1 V ;图11
V
S
= +1 V/+10 V, V
D
= + 10V / + 1 V图11
V
S
= V
D
= 1 V或+10 V ;图12
2.0
0.8
0.001
±0.1
3
120
155
45
65
50
2
80
90
500
5
5
10
0.001
1.0
220
320
V分钟
V最大
μA (典型值)
μA(最大值)
pF的典型值
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最大值)
纳秒(典型值)
ns(最小值)
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫(典型值)
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA (典型值)
μA(最大值)
μA (典型值)
μA(最大值)
V
IN
= V
INL
或V
INH
210
80
10
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;图13
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ;图13
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 8 V ;图14
V
S
= 6 V ,R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;图15
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;图16
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF, F = 1MHz的;图17
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;图18
V
DD
= 13.2 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 5 V
温度范围Y的版本
40°C
至+ 105°C 。
通过设计保证,不受生产测试。
第0版|第12页4
ADG1311/ADG1312/ADG1313
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃,除非另有说明。
表3中。
参数
V
DD
到V
SS
V
DD
到GND
V
SS
到GND
模拟输入
1
数字输入
1
峰值电流,S或D
连续电流元
道,S或D
工作温度范围
汽车
存储温度范围
结温
16引脚TSSOP封装, θ
JA
阻抗( 4层板)
16引脚SOIC , θ
JA
阻抗
回流焊峰值
温度,无铅
1
等级
35 V
0.3 V至+25 V
+0.3 V至-25 V
V
SS
- 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或
30毫安,以先到为准
GND - 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或
30毫安,以先到为准
百毫安(脉冲为1毫秒,
10 %占空比最大)
25毫安
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
表4. ADG1311 / ADG1312真值表
ADG1311 INx的
0
1
ADG1312 INx的
1
0
开关状态
On
关闭
表5. ADG1313真值表
-40 ° C至+ 105°C
-65 ° C至+ 150°C
150°C
112°C/W
77°C/W
260°C
ADG1313 INx的
0
1
开关1,4
关闭
On
开关2,3
On
关闭
过压IN ,S或D是由内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
ESD警告
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然这款产品的特点
专用ESD保护电路,永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此,适当的ESD防范措施建议,以避免性能
下降或功能丧失。
第0版|第12页5
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