【低电容，三/四路SPDT±15 V/+12 ViCMOS 开关ADG1233/ADG1234特点1.】,IC型号ADG1233YRUZ-REEL7,ADG1233YRUZ-REEL7 PDF资料,ADG1233YRUZ-REEL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

低电容，三/四路SPDT

±15 V/+12 V

CMOS 开关

ADG1233/ADG1234

特点

1.5 pF的电容关闭

0.5 pC的电荷注入

33 V电源电压范围

120 Ω电阻

在± 15 V / + 12 V完全指定

3 V逻辑兼容输入

轨到轨工作

先开后合式开关动作

16引脚TSSOP ， 20引脚TSSOP封装，并采用4 mm× 4 mm LFCSP封装

典型功耗（ <0.03 μW ）

功能方框图

ADG1233

S1A

S1B

S3B

S3A

S2B

S2A

逻辑

IN1 IN2 IN3 EN

开关所对于逻辑1输入

音频和视频路由

自动测试设备

数据采集系统

电池供电系统

采样保持系统

通信系统

图1 。

ADG1234

S1A

S1B

S4A

S4B

概述

该ADG1233和ADG1234均为单芯片

iCMOS工艺

类似物

开关包括三个独立可选的单刀，

双掷SPDT开关和4个可独立选择

单刀双掷开关，分别。

所有通道表现出先开后合式开关动作

防止短路瞬时切换频道时。

提供EN输入的ADG1233和ADG1234用于

启用或禁用该设备。禁用时，所有通道都

关闭。

该

iCMOS工艺

（工业CMOS ）模块化制造工艺

高电压互补金属氧化物相结合的半

导体（CMOS）和双极型技术。它使

范围广泛的高性能模拟集成电路发展

可33 V工作电压的足迹，没有其他代

高电压部分已经能够实现。不像模拟IC

采用传统CMOS工艺，

iCMOS工艺

组件可以

承受高电源电压，同时还能提升perfor-

曼斯，大大降低了功耗，并降低了

封装尺寸。

超低电容和电荷注入这些多路复用器

使他们的数据采集和采样和理想的解决方案

持应用中，低毛刺和快速建立时间是必需的。

REV 。一

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有

责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为

第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

商标和注册商标均为其各自所有者的财产。

S2B

S2A

逻辑

S3B

S3A

IN1 IN2 IN3 IN4 EN

开关所对于逻辑1输入

图2中。

快速开关速度与高信号带宽使

部分适合视频信号切换。

iCMOS工艺

施工

确保超低功耗，理想使得部分

适用于便携式和电池供电的仪器。

产品亮点

1. 1.5 pF的关断电容（ ± 15 V电源）。

2. 0.5 pC的电荷注入。

3. 3 V逻辑兼容数字输入，V

= 2.0 V, V

= 0.8 V.

4. 16引脚TSSOP ， 20引脚TSSOP和采用4 mm× 4 mm LFCSP封装。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781.329.4700

www.analog.com

传真： 781.461.3113

05743-038

05743-001

应用

ADG1233/ADG1234

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

概述................................................ ......................... 1

功能框图............................................... .............. 1

产品亮点................................................ ........................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

双电源................................................ ................................... 3

单电源................................................ ................................. 5

绝对最大额定值............................................... ............. 7

ESD注意事项................................................ ................................... 7

引脚配置和功能描述............................ 8

术语................................................. ...................................... 9

典型性能特征........................................... 10

测试电路................................................ ..................................... 13

外形尺寸................................................ ....................... 15

订购指南................................................ .......................... 16

修订历史

8月6日 - 修订版。 0到版本A

更新格式................................. 。 ...。............通用

更改表1 ................................................... 。 ...... 3

更改表2 ...................................................... 4 ....

图11的变化........................ .. ........................... 10

变化图12 ................................................... ..11

1月6日 - 修订版0 ：初始版

版本A |第16页2

ADG1233/ADG1234

特定网络阳离子

双电源

= +15 V ± 10%, V

=发-15V ± 10％，GND = 0V ，除非另有说明。

表1中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

流掉泄漏我

（关闭）

+25°C

版本

-40 ° C至+ 85 ° C -40 ° C至+ 125°C

到V

120

190

3.5

±0.02

±0.1

±0.02

±0.1

±0.02

±0.2

230

260

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

pC的典型值

dB典型值

％（典型值）

兆赫（典型值）

pF的典型值

pF的最大

pF的典型值

pF的最大

pF的典型值

pF的最大

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测试条件/评论

= -10 V，I

= -1毫安;参见图24

= +13.5 V, V

= 13.5 V

= -10 V，I

= -1毫安

= -5 V ， 0 V ，+ 5 V ;我

= -1毫安

= +16.5 V, V

= 16.5 V

= ±10 V, V

= ± 10 V ;参见图25

= 1 V/10 V, V

= 10 V/1 V;

见图25

= V

= ± 10 V ;参见图26

±0.6

±1

±0.6

±1

2.0

0.8

渠道渗漏我

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

过渡

BBM

（ EN ）

关闭

（ EN ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

总谐波失真， THD + N

-3 dB带宽

（关闭）

, C

（上）

±0.005

±0.1

110

130

120

140

0.5

0.14

900

1.5

1.7

1.6

1.8

3.5

= V

INL

或V

INH

150

170

195

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ;参见图27

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 10 V ;参见图28

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ;参见图29

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 10 V ;参见图29

= 0 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;

见图30

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;看

图31

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;

见图33

= 10 kΩ的， 5 V RMS ， F = 20 Hz至

20千赫;参见图34

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图32

F = 1兆赫; V

= 0 V

F = 1兆赫; V

= 0 V

F = 1兆赫; V

= 0 V

F = 1兆赫; V

= 0 V

F = 1兆赫; V

= 0 V

F = 1兆赫; V

= 0 V

ADG1233/ADG1234

参数

电源要求

+25°C

0.002

版本

-40 ° C至+ 85 ° C -40 ° C至+ 125°C

单位

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

V最小/最大

测试条件/评论

= +16.5 V, V

= 16.5 V

数字输入= 0 V或V

数字输入= 5 V

数字输入= 0 V或V

数字输入= 5 V

GND = 0 V

1.0

260

420

0.002

1.0

0.002

1.0

±5/±16.5

温度范围为Y版： -40°C至+ 125°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

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ADG1233/ADG1234

单电源

= 12 V ± 10%, V

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。

表2中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

+25°C

版本

-40 ° C至+ 85 ° C -40 ° C至+ 125°C

0到V

300

475

±0.02

±0.1

±0.02

±0.1

±0.02

±0.2

±0.6

±1

567

625

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

200

230

（ EN ）

关闭

（ EN ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

-3 dB带宽

（关闭）

, C

（上）

150

195

0.3

600

1.5

1.7

2.2

4.5

230

265

纳秒（典型值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

pF的最大

pF的典型值

pF的最大

pF的典型值

pF的最大

纳秒（典型值）

ns（最小值）

纳秒（典型值）

测试条件/评论

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

= 0 V至10 V，I

= -1毫安;

见图24

= 10.8 V, V

= 0 V

= 0 V至10 V，I

= -1毫安

= 3 V ， 6 V ， 9 V，I

= -1毫安

= 13.2 V

= 1 V/10 V, V

= 10 V/1 V;

见图25

= 1 V/10 V, V

= 10 V/1 V;

见图25

= V

= 1伏或10伏，参见图26

流掉泄漏我

（关闭）

±0.6

±1

2.0

0.8

渠道渗漏我

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

过渡

BBM

±0.001

±0.1

135

170

= V

INL

或V

INH

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 8 V ;参见图27

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= V

= 8 V ;参见图28

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 8 V ;参见图29

= 300 Ω, C

= 35 pF的

= 8 V ;参见图29

= 6 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的;看

图30

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;

参见图31

= 50 Ω, C

= 5 PF， F = 1MHz的;

见图33

= 50 Ω, C

= 5 pF的;参见图32

F = 1兆赫; V

= 6 V

F = 1兆赫; V

= 6 V

F = 1兆赫; V

= 6 V

F = 1兆赫; V

= 6 V

F = 1兆赫; V

= 6 V

F = 1兆赫; V

= 6 V

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