【低电容，低电荷注入，±15 V/+12 ViCMOS工艺双通道SPST开关ADG1221/ADG12】,IC型号ADG1221BRMZ,ADG1221BRMZ PDF资料,ADG1221BRMZ经销商,ic,电子元器件-51电子网

低电容，低电荷注入，

±15 V/+12 V

iCMOS工艺

双通道SPST开关

ADG1221/ADG1222/ADG1223

特点

<0.5 pC的电荷注入在整个信号范围

关断电容： 2 pF的

关闭泄漏： 20 pA的

电源电压范围： 33 V

导通电阻： 120 Ω

在± 15 V ， 12 V完全指定

无V

提供所需

3 V逻辑兼容输入

轨到轨工作

10引脚MSOP封装

IN1

IN2

功能框图

ADG1221

IN1

IN2

ADG1222

ADG1223

IN1

IN2

06574-001

应用

自动测试设备

数据采集系统

电池供电系统

采样保持系统

音频信号路由

视频信号路由

通信系统

开关所对于逻辑0输入

图1 。

概述

该ADG1221 / ADG1222 / ADG1223均为单芯片，互为

含tary金属氧化物半导体（ CMOS）器件

设计上的四个独立可选开关

iCMOS工艺

（工业CMOS ）工艺。

iCMOS工艺

是一个模块化制造

工艺相结合高压CMOS和双极性技术。

它可以广泛的高性能开发

模拟IC ，能够33 V工作电压，在一个足迹，没有

上一代的高压器件已经能够实现。

与采用传统CMOS工艺的模拟IC ，

iCMOS工艺

组件可以承受高电源电压，同时提供

更高的性能，显着地降低了功耗，

并减小封装尺寸。

超低电容和极低的电荷注入

这些开关使它们的数据采集解决方案的理想选择

和采样保持应用中，低毛刺和快速

沉降是必需的。图2示出有最小

电荷注入在器件的整个信号范围内。

该ADG1221 / ADG1222 / ADG1223包含两个独立的

单刀/单掷（ SPST）开关。该ADG1221和

ADG1222的唯一不同在于，数字控制逻辑被反转。

该ADG1221开关接通为逻辑1了合

正确的控制输入，并且逻辑0是所必需的

ADG1222 。该ADG1223有一个开关，数字控制

逻辑类似于ADG1221的;逻辑反转上

其他开关。该ADG1223展品突破前先

开关动作在多路复用应用中使用。每

开关导电性能相同，在两个方向上时，和

具有延伸到所述电源的输入信号范围。在关

条件下，信号电平的电源被阻止。

0.5

0.4

0.3

电荷注入（ PC）

= 25C

= +15V

= –15V

0.2

0.1

–0.1

–0.2

–0.3

–0.4

–0.5

–15

–10

06574-041

= 12V

= 0V

= +5V

= –5V

–5

输入电压（ V）

图2.电荷注入与输入电压

REV 。一

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ADG1221/ADG1222/ADG1223

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

双电源................................................ ................................... 3

单电源................................................ ................................. 4

绝对最大额定值............................................... ............. 6

热阻................................................ ....................... 6

ESD注意事项................................................ ................................... 6

引脚配置和功能描述.............................. 7

术语................................................. ...................................... 8

典型性能特征.............................................. 9

测试电路................................................ ..................................... 13

外形尺寸................................................ ....................... 15

订购指南................................................ .......................... 15

修订历史

3月9日 - 修订版。 0到版本A

更改电源要求，我

，数字输入= 5 V

参数表1 .............................................. ............................... 4

更改吨

参数和电源要求，我

数码

输入= 5 V参数，表2 .......................................... ............ 5

2/07 -REV 。 0 ：初始版

版本A |第16页2

ADG1221/ADG1222/ADG1223

特定网络阳离子

双电源

= 15 V ± 10%, V

=发-15V ± 10％，GND = 0V ，除非另有说明。

表1中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

25°C

温度

-40 ° C至+ 85 ° C -40 ° C至+ 125°C

到V

单位

= +13.5 V, V

= –13.5 V,

= -10 V，I

= -1毫安（参见图23）

120

200

导通电阻匹配

通道之间， ΔR

2.5

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

±0.002

±0.1

流掉泄漏，我

（关闭）

±0.002

±0.1

渠道渗漏，我

, I

（上）

±0.01

±0.2

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

0.005

±0.1

数字输入电容，C

动态特性

2.5

±0.6

±1

2.0

0.8

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

= V

INL

或V

INH

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

= 300 Ω, C

= 35 pF的，V

= 10 V

（参见图26）

130

170

关闭

105

突破前先延时

（ ADG1223只），T

BBM

电荷注入，Q

INJ

关断隔离

0.1

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

= 300 Ω, C

= 35 pF的，V

= V

= 10 V

（参见图27）

210

240

纳秒（典型值）

ns（最大值）

= 300 Ω, C

= 35 pF的，V

= 10 V

（参见图26）

130

140

±0.6

±1

nA的典型值

nA的最大

= V

= ± 10 V （见图25 ）

±0.6

±1

nA的典型值

nA的最大

= ±10 V, V

= ± 10 V （参见图24 ）

= （典型值）

=最大

= +16.5 V, V

= –16.5 V

= ±10 V, V

= ± 10 V （参见图24 ）

= （典型值）

=最大

= -5 V / 0 V / + 5 V ;我

= -1毫安

240

270

= （典型值）

=最大

= -10 V，I

= -1毫安

测试条件/评论

= 0 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的（参见图28）

= 50 Ω, C

= 1 PF， F = 1兆赫

（参见图29）

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ADG1221/ADG1222/ADG1223

参数

通道到通道

相声

总谐波

失真+噪声， THD + N

-3 dB带宽

（关闭）

25°C

0.15

960

1.7

2.2

（关闭）

1.7

2.2

, C

（上）

电源要求

0.001

1.0

140

190

0.001

温度

-40 ° C至+ 85 ° C -40 ° C至+ 125°C

单位

dB典型值

％（典型值）

兆赫（典型值）

pF的典型值

pF的最大

测试条件/评论

= 50 Ω, C

= 1 PF， F = 1兆赫

（参见图30）

= 10 kΩ的， 5 V RMS ， F = 20 Hz至20 kHz

= 50 Ω, C

= 1 pF的（参见图31）

= 0 V ， F = 1兆赫

pF的典型值

pF的最大

= 0 V ， F = 1兆赫

pF的典型值

pF的最大

= +16.5 V, V

= –16.5 V

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

V最小/最大

数字输入= 0 V或V

数字输入= 5 V

数字输入= 0 V ， 5 V或V

1.0

±5/±16.5

GND = 0 V

通过设计保证，不受生产测试。

单电源

= 12 V ± 10%, V

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。

表2中。

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻，R

25°C

温度

-40 ° C至+ 85 ° C -40 ° C至+ 125°C

0 V至V

单位

= 10.8 V, V

= 0 V, V

= 0 V至10 V ，

= -1毫安（参见图23）

300

475

导通电阻匹配

通道之间， ΔR

4.5

= （典型值）

=最大

= （典型值）

567

625

= （典型值）

=最大

= 0 V至10 V，I

= -1毫安

测试条件/评论

导通电阻平坦度，R

平（ON）的

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

= 3 V / 6 V / 9 V，I

= -1毫安

= 13.2 V, V

= 0 V

= 1 V/10 V, V

= 10 V/1 V

（参见图24）

±0.002

±0.1

流掉泄漏，我

（关闭）

±0.002

±0.1

±0.6

±1

nA的典型值

nA的最大

= 1 V/10 V, V

= 10 V/1 V

（参见图24）

±0.6

±1

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nA的典型值

nA的最大

ADG1221/ADG1222/ADG1223

参数

渠道渗漏，我

, I

（上）

25°C

±0.01

±0.2

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

0.001

±0.1

数字输入电容，C

动态特性

温度

-40 ° C至+ 85 ° C -40 ° C至+ 125°C

单位

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

= V

INL

或V

INH

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

= 300 Ω, C

= 35 pF的，V

= 8 V

（参见图26）

190

250

关闭

120

150

突破前先延时

（ ADG1223只），T

BBM

电荷注入，Q

INJ

关断隔离

通道到通道的串扰

-3 dB带宽

（关闭）

0.2

550

2.1

2.6

（关闭）

2.1

2.6

, C

（上）

3.8

4.6

电源要求

0.001

1.0

140

测试条件/评论

= V

= 1伏或10伏（参见图25）

±0.6

±1

2.0

0.8

300

345

纳秒（典型值）

ns（最大值）

= 300 Ω, C

= 35 pF的，V

= 8 V

（参见图26）

190

225

纳秒（典型值）

ns（最大值）

= 300 Ω, C

= 35 pF的，V

= V

= 8 V

（参见图27）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

pF的最大

= 6 V ， F = 1兆赫

pF的典型值

pF的最大

= 6 V ， F = 1兆赫

pF的典型值

pF的最大

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

V最小/最大

= 13.2 V

数字输入= 0 V或V

数字输入= 5 V

= 0 V ， GND = 0 V

= 6 V ，R

= 0 Ω, C

= 1 nF的

（参见图28）

= 50 Ω, C

= 1 PF， F = 1兆赫

（参见图29）

= 50 Ω, C

= 1 PF， F = 1兆赫

（参见图30）

= 50 Ω, C

= 1 pF的（参见图31）

= 6 V ， F = 1兆赫

190

5/16.5

通过设计保证，不受生产测试。

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