【数据表特点1 pF的电容关闭2.6 pF的电容上<1 pC的电荷注入33 V电源电压范围120】,IC型号ADG1212YCPZ-500RL7,ADG1212YCPZ-500RL7 PDF资料,ADG1212YCPZ-500RL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

特点

1 pF的电容关闭

2.6 pF的电容上

<1 pC的电荷注入

33 V电源电压范围

120 Ω电阻

在± 15 V ， 12 V完全指定

无V

提供所需

3 V逻辑兼容输入

轨到轨工作

16引脚TSSOP和16引脚LFCSP封装

典型功耗： <0.03 μW

低电容，低电荷注入，

±15 V/+12 V

iCMOS工艺

四通道SPST开关

ADG1211/ADG1212/ADG1213

功能框图

IN1

IN2

IN3

IN4

IN3

IN4

04778-001

IN1

IN2

IN3

IN1

ADG1211

ADG1212

ADG1213

开关所对于逻辑1输入

应用

自动测试设备

数据采集系统

电池供电系统

采样保持系统

音频信号路由

视频信号路由

通信系统

图1 。

iCMOS工艺

建设，确保超低功耗，

因而非常适合于便携式和电池 - 零件

电动器械。

该ADG1211 / ADG1212 / ADG1213内置四个独立

单刀/单掷（ SPST）开关。该ADG1211和

ADG1212的唯一不同在于，数字控制逻辑被反转。

该ADG1211开关接通与逻辑0的

合适的控制输入端，而逻辑1时所需要的

ADG1212 。该ADG1213有两个开关，数字控制

逻辑类似于ADG1211的;逻辑反转上

其他两个开关。该ADG1213展品打破，直至─

尽在多路应用的开关动作。

每个开关进行同样在两个方向开启时，

并具有延伸到电源的输入信号范围。在

断开条件下，信号电平的电源被阻止。

概述

该ADG1211 / ADG1212 / ADG1213均为单芯片互为

含tary金属氧化物半导体（ CMOS）器件

设计上的四个独立可选开关

iCMOS

（工业CMOS ）工艺。

iCMOS工艺

是一个模块化制造

工艺相结合高压CMOS和双极性技术。

它可以广泛的高性能开发

在足迹能33 V工作电压模拟集成电路的无

上一代的高压器件已经能够实现。

与采用传统CMOS工艺的模拟IC ，

iCMOS工艺

组件可以承受高电源电压，同时提供

更高的性能，显着地降低了功耗，

并减小封装尺寸。

超低电容和电荷注入这些开关的

使他们的数据采集和采样和理想的解决方案

持应用中，低毛刺和快速建立时间是必需的。

快速开关速度与高信号带宽化妆

适合视频信号切换部分。

产品亮点

超低电容。

<1 pC的电荷注入。

3 V逻辑兼容数字输入： V

= 2.0 V, V

= 0.8 V.

无V

逻辑电源要求。

超低功耗： <0.03 μW 。

16引脚TSSOP封装和3mm × 3 mm LFCSP封装包。

版本B

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有

责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为

第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

商标和注册商标均为其各自所有者的财产。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781.329.4700

www.analog.com

ADG1211/ADG1212/ADG1213

规格................................................. .................................... 3

双电源................................................ ................................... 3

单电源................................................ ................................. 5

绝对最大额定值............................................... ............. 6

ESD注意事项................................................ .................................. 6

引脚配置和功能描述........................... 7

数据表

术语................................................. ...................................... 8

典型性能特征.............................................. 9

测试电路................................................ ..................................... 12

外形尺寸................................................ ....................... 14

订购指南................................................ .......................... 15

修订历史

8月12日 - 修订版。 A到版本B

更改表1 .............................................. .............................. 3

更改表2 .............................................. .............................. 5

更改为表6 .............................................. ............................... 7

更新的外形尺寸............................................... ........ 14

更改订购指南.............................................. ............ 15

2月9日 - 修订版。 0到版本A

更改电源要求，我

，数字输入= 5 V

参数表1 .............................................. ............................... 4

更改电源要求，我

，数字输入= 5 V

参数，表2 .............................................. ............................... 5

7月5日 - 修订版0 ：初始版

版本B |第16页2

数据表

特定网络阳离子

双电源

= 15 V ± 10%, V

=发-15V ± 10％，GND = 0V ，除非另有说明。

表1中。

版本

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

到V

120

190

2.5

±0.02

±0.1

±0.02

±0.1

±0.02

±0.1

±0.6

±1

2.0

0.8

0.005

±0.1

数字输入电容，C

动态特性

关闭

突破前先延时，T

（仅ADG1213 ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

总谐波失真+噪声

-3 dB带宽

（关闭）

, C

（上）

2.5

110

130

115

0.3

0.15

1000

0.9

1.1

1.2

2.6

230

260

ADG1211/ADG1212/ADG1213

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

25°C

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

％（典型值）

兆赫（典型值）

pF的典型值

pF的最大

pF的典型值

pF的最大

pF的典型值

pF的最大

测试条件/评论

= -10 V，I

= -1毫安;参见图20

= +13.5 V, V

= 13.5 V

= -10 V，I

= -1毫安

= -5 V / 0 V / + 5 V ;我

= -1毫安

= +16.5 V, V

= 16.5 V

= ±10 V, V

10 V ;参见图21

= ±10 V, V

10 V ;参见图21

= V

= ± 10 V ;参见图22

= V

INL

或V

INH

160

130

195

150

= 300 , C

= 35 pF的

= 10 V ;参见图23

= 300 , C

= 35 pF的

= 10 V ;参见图23

= 300 , C

= 35 pF的

= V

= 10 V ;参见图24

= 0 V ，R

= 0 , C

= 1 nF的;参见图25

= 50 , C

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图26

= 50 , C

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图27

= 10 kΩ的， 5 V RMS ， F = 20 Hz至20 kHz

= 50 , C

= 5 pF的;参见图28

= 0 V ， F = 1兆赫

版本B |第16页3

ADG1211/ADG1212/ADG1213

参数

电源要求

VDD / VSS

数据表

版本

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

单位

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

V最小/最大

测试条件/评论

= +16.5 V, V

= 16.5 V

数字输入= 0 V或V

数字输入= 5 V

数字输入= 0 V或V

数字输入= 5 V

25°C

0.001

1.0

220

380

0.001

1.0

0.001

1.0

±4.5/±16.5

温度范围Y的版本

40°C

至+ 125°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

版本B |第16页4

数据表

单电源

= 12 V ± 10%, V

= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。

表2中。

版本

-40 ° C至

+85°C

-40 ° C至

+125°C

0 V至V

300

475

4.5

±0.02

±0.1

±0.02

±0.1

±0.02

±0.1

567

625

ADG1211/ADG1212/ADG1213

参数

模拟开关

模拟信号范围

导通电阻（R

)

导通电阻之间的匹配

通道（ ΔR

)

导通电阻平坦度（R

平（ON）的

)

漏电流

源关闭泄漏，我

（关闭）

流掉泄漏，我

（关闭）

渠道渗漏，我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INL

还是我

INH

数字输入电容，C

动态特性

关闭

突破前先延时，T

（仅ADG1213 ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

-3 dB带宽

（关闭）

, C

（上）

电源要求

VDD

25°C

单位

= （典型值）

=最大

= （典型值）

=最大

= （典型值）

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

μA （典型值）

μA（最大值）

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最小值）

pC的典型值

dB典型值

兆赫（典型值）

pF的典型值

pF的最大

pF的典型值

pF的最大

pF的典型值

pF的最大

μA （典型值）

μA（最大值）

μA （典型值）

μA（最大值）

V最小/最大

测试条件/评论

= 0 V至10 V，I

= -1毫安;参见图20

= 10.8 V, V

= 0 V

= 0 V至10 V，I

= -1毫安

= 3 V / 6 V / 9 V，I

= -1毫安

= 13.2 V, V

= 0 V

= 1 V/10 V, V

= 10 V / 1 V ;参见图21

= 1 V/10 V, V

= 10 V / 1 V ;参见图21

= V

= 1伏或10伏;参见图22

±0.6

±1

2.0

0.8

0.001

±0.1

130

170

120

900

1.2

1.4

1.3

1.5

3.2

3.9

0.001

1.0

220

1.0

5/165

= V

INL

或V

INH

210

145

240

180

= 300 , C

= 35 pF的

= 8 V ;参见图23

= 300 , C

= 35 pF的

= 8 V ;参见图23

= 300 , C

= 35 pF的

= V

= 8 V ;参见图24

= 6 V ，R

= 0 , C

= 1 nF的;参见图25

= 50 , C

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图26

= 50 , C

= 5 PF， F = 1MHz的;参见图27

= 50 , C

= 5 pF的;参见图28

= 6 V ， F = 1兆赫

= 13.2 V

数字输入= 0 V或V

数字输入= 5 V

= 0 V ， GND = 0 V

温度范围Y的版本

40°C

至+ 125°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

版本B |第16页5