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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第132页 > ADG1208YRZ-REEL7
低电容，4 / 8通道，
±15 V/+12 V
iCMOS工艺
多路复用器
ADG1208/ADG1209
特点
<1 pC的电荷注入在整个信号范围
1 pF的电容关闭
33 V电源电压范围
120 Ω电阻
在± 15 V / + 12 V完全指定
3 V逻辑兼容输入
轨到轨工作
先开后合式开关动作
采用16引脚TSSOP封装，采用4 mm× 4毫米LFCSP_VQ和
16引脚SOIC
典型功耗< 0.03 μW
S1
功能方框图
ADG1208
S1A
DA
S4A
D
S1B
DB
S8
1-OF-8
解码器
S4B
1-OF-4
解码器
05713-001
ADG1209
A0 A1 A2 EN
A0
A1
EN
应用
音频和视频路由
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
采样保持系统
通信系统
图1 。
概述
该ADG1208和ADG1209均为单芯片，
iCMOS
类似物
多路复用器包括8个单通道和四个差分
通道。该ADG1208开关的八分之一
输入到由3比特的二进制确定一个共同的输出
地址线A0 ，A1和A2中。该ADG1209开关的一个
4差分输入到作为公共差分输出
由2位二进制地址线A0和A1确定。一
EN输入两个设备上，用来使能或禁用器件。
禁用时，所有通道均关断。当打开时，每个
沟道导电性能相同，在两个方向上，并具有一个
延伸到所述电源的输入信号范围。
该
iCMOS工艺
（工业CMOS ）模块化制造
工艺结合高电压CMOS （互补金属
氧化物半导体）与双极性技术。它使
范围广泛的高性能模拟集成电路发展
可33 V工作电压的足迹，没有其他代
高电压部分已经能够实现。不像模拟IC
采用传统CMOS工艺，
iCMOS工艺
组件可以
承受高电源电压，同时还能提升
性能，大大降低了功耗，并
减小封装尺寸。
超低电容和极低的电荷注入
这些多路复用器使其成为数据采集的理想解决方案
和采样保持应用中，低毛刺和快速
沉降是必需的。图2示出有最小
电荷注入在器件的整个信号范围。
iCMOS工艺
施工也保证了超低的功耗，
因而非常适合于便携式和电池 - 零件
电动器械。
1.0
MUX （源极到漏极）
0.9 T
A
= 25°C
0.8
电荷注入（ PC）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
–15
–10
V
DD
= +5V
V
SS
= –5V
–5
0
V
S
(V)
5
10
15
05713-051
V
DD
= +15V
V
SS
= –15V
V
DD
= +12V
V
SS
= 0V
图2.源极到漏极电荷注入与源极电压
版本B
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ADG1208/ADG1209
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... .............. 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
双电源................................................ ................................... 3
单电源................................................ ................................. 5
绝对最大额定值............................................... ............. 7
ESD注意事项................................................ ................................... 7
引脚配置和功能描述............................ 8
典型性能特征........................................... 10
术语................................................. ................................... 14
测试电路................................................ ..................................... 15
外形尺寸................................................ ....................... 17
订购指南................................................ .......................... 18
修订历史
1月9日 - 修订版。 A到版本B
改变我
DD
参数表1 .............................................. 4 .....
改变我
DD
参数，表2 .............................................. 6 .....
4月7日 - 修订版。 0到版本A
增加了16引脚SOIC ............................................. .............通用
更改表1 .............................................. .............................. 3
更改表2 .............................................. .............................. 5
图10和图11的变化........................................... .. 10
更新的外形尺寸............................................... ........ 17
更改订购指南.............................................. ............ 18
4月6日 - 修订版0 ：初始版
版本B |第20页2
ADG1208/ADG1209
特定网络阳离子
双电源
V
DD
= +15 V ± 10%, V
SS
=发-15V ± 10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
1
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
导通电阻匹配通道间， ΔR
ON
导通电阻平坦度，R
平
（上）
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
ADG1208
ADG1209
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
ADG1208
ADG1209
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
2
过渡时间，t
过渡
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
BBM
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关） ADG1208
C
D
（关） ADG1209
+25C
-40 ° C至
+85C
-40 ° C至
+125C
V
SS
到V
DD
120
200
3.5
6
20
64
±0.003
±0.1
±0.003
±0.1
±0.1
±0.02
±0.2
±0.2
240
10
76
270
12
83
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
μA（最大值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
％ （典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的最大
pF的典型值
pF的最大
pF的典型值
pF的最大
测试条件/评论
V
S
= -10 V，I
S
= -1毫安，参见图29
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= 13.5 V
V
S
= -10 V，I
S
= -1毫安
V
S
= -5 V / 0 V / + 5 V，I
S
= -1毫安
V
D
= ±10 V, V
S
= -10 V ，见图30
V
S
= 1 V/10 V, V
D
= 10 V / 1 V ，见图30
±0.6
±0.6
±0.6
±0.6
±0.6
±1
±1
±1
±1
±1
2.0
0.8
V
S
= V
D
= ± 10 V ，见图31
±0.005
±0.1
2
80
130
75
95
83
100
25
0.4
85
85
0.15
550
1
1.5
6
7
3.5
4.5
V
IN
= V
INL
或V
INH
165
105
125
185
115
140
10
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ，见图32
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ，见图34
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ，见图34
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 10 V ，见图33
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 NF，见图35
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz时，见图36
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz时，见图38
R
L
= 10 kΩ的， 5 V RMS ， F = 20 Hz到20 kHz ，
见图39
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的，见图37
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
版本B |第20页3
ADG1208/ADG1209
参数
C
D
, C
S
（上） ADG1208
C
D
, C
S
（上） ADG1209
电源要求
I
DD
I
DD
I
SS
I
SS
V
DD
/V
SS
1
2
+25C
7
8
5
6
0.002
-40 ° C至
+85C
-40 ° C至
+125C
单位
pF的典型值
pF的最大
pF的典型值
pF的最大
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
V最小/最大
测试条件/评论
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 5 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 5 V
|V
DD
| = |V
SS
|
1.0
220
380
0.002
1.0
0.002
1.0
±5/±16.5
温度范围如下：Y版本： -40°C至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
版本B |第20页4
ADG1208/ADG1209
单电源
V
DD
= 12 V ± 10%, V
SS
= 0V ，GND = 0V ，除非另有说明。
1
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
导通电阻匹配通道间， ΔR
ON
导通电阻平坦度，R
平
（上）
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
ADG1208
ADG1209
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG1208
ADG1209
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
2
过渡时间，t
过渡
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
BBM
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关） ADG1208
C
D
（关） ADG1209
C
D
, C
S
（上） ADG1208
C
D
, C
S
（上） ADG1209
+25C
-40 ° C至
+85C
-40 ° C至
+125C
0到V
DD
300
475
5
16
60
±0.003
±0.1
±0.003
±0.1
±0.1
±0.02
±0.2
±0.2
567
26
625
27
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
V分钟
V最大
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
210
140
155
235
纳秒（典型值）
160
纳秒（典型值）
175
20
0.2
85
85
450
1.2
1.8
7.5
9
4.5
5.5
9
10.5
6
7.5
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的最大
pF的典型值
pF的最大
pF的典型值
pF的最大
pF的典型值
pF的最大
pF的典型值
pF的最大
V
IN
= V
INL
或V
INH
测试条件/评论
V
S
= 0 V至10 V，I
S
= -1毫安，参见图29
V
DD
= 10.8 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 0 V至10 V，I
S
= -1毫安
V
S
= 3 V / 6 V / 9 V，I
S
= -1毫安
V
DD
= 13.2 V
V
S
= 1 V/10 V, V
D
= 10 V / 1 V ，见图30
V
S
= 1 V/10 V, V
D
= 10 V / 1 V ，见图30
±0.6
±0.6
±0.6
±0.6
±0.6
±1
±1
±1
±1
±1
2.0
0.8
V
S
= V
D
= 1伏或10伏，参见图31
±0.001
±0.1
3
100
170
90
110
105
130
45
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ，见图32
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ，见图34
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 8 V ，见图34
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 8 V ，见图33
V
S
= 6 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 NF，见图35
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz时，见图36
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz时，见图38
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的，见图37
F = 1MHz时， V
S
= 6 V
F = 1MHz时， V
S
= 6 V
F = 1MHz时， V
S
= 6 V
F = 1MHz时， V
S
= 6 V
F = 1MHz时， V
S
= 6 V
F = 1MHz时， V
S
= 6 V
F = 1MHz时， V
S
= 6 V
F = 1MHz时， V
S
= 6 V
F = 1MHz时， V
S
= 6 V
F = 1MHz时， V
S
= 6 V
版本B |第20页5
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