低电容，16位和8通道
±15 V/+12 V
iCMOS工艺
多路复用器
ADG1206/ADG1207
特点
<1 pC的电荷注入在整个信号范围
1.5 pF的电容关闭
33 V电源电压范围
120 Ω电阻
在± 15 V / + 12 V完全指定
3 V逻辑兼容输入
轨到轨工作
先开后合式开关动作
28引脚TSSOP和32引脚，5个10mm×5mm的LFCSP_VQ
S1
功能方框图
ADG1206
S1A
DA
S8A
D
S1B
DB
S16
1-OF-16
解码器
S8B
1-OF-8
解码器
06119-001
ADG1207
应用
音频和视频路由
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
采样保持系统
通信系统
A0 A1 A2 A3 EN
A0 A1 A2 EN
图1 。
概述
该ADG1206和ADG1207均为单芯片
iCMOS工艺
类似物
多路复用器包含16个单通道和8
差分通道。该ADG1206开关1
的16输入到一个共同的输出，如由4-确定
位二进制地址线A0，A1 ， A2和A3 。该ADG1207
开关的8路差分输入之一到一个共同的
差分输出，这是由3位二进制地址确定
线A0 ，A1和A2中。提供EN输入，这两种设备上使用
启用或禁用该设备。禁用时，所有通道都
关闭。当打开时，每个通道的导电性能相同的
两个方向上，并具有延伸到所述的输入信号范围
耗材。
该
iCMOS工艺
（工业CMOS ）模块化制造
工艺结合高电压CMOS （互补金属
氧化物半导体）与双极性技术。它使
范围广泛的高性能模拟集成电路发展
可33 V工作电压的足迹，没有其他代
高电压部分已经能够实现。不像模拟IC
采用传统CMOS工艺，
iCMOS工艺
组件可以
承受高电源电压，同时还能提升perfor-
曼斯，大大降低了功耗，并降低了
封装尺寸。
超低电容和极低的电荷注入
这些多路复用器使其成为理想的数据解决方案
采集和采样 - 保持应用低毛刺
和快速建立是必需的。图2示出有
最低电荷注入过的整个信号范围
装置。
iCMOS工艺
结构也保证超低功耗
耗散，使得部件非常适合便携式和
电池供电的仪器。
1.0
MUX （源极到漏极）
0.9 T
A
= 25°C
0.8
电荷注入（ PC）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
–15
–10
V
DD
= +5V
V
SS
= –5V
–5
0
V
S
(V)
5
10
15
06119-002
V
DD
= +15V
V
SS
= –15V
V
DD
= +12V
V
SS
= 0V
图2.源极到漏极电荷注入与源极电压
第0版
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ADG1206/ADG1207
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... .............. 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
双电源................................................ ................................... 3
单电源................................................ ................................. 5
绝对最大额定值............................................... ............. 7
ESD注意事项................................................ ................................... 7
引脚配置和功能描述............................ 8
典型性能特征........................................... 12
术语................................................. ................................... 16
测试电路................................................ ..................................... 17
外形尺寸................................................ ....................... 19
订购指南................................................ .......................... 19
修订历史
7月6日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第20页2
ADG1206/ADG1207
特定网络阳离子
双电源
V
DD
= +15 V ± 10%, V
SS
=发-15V ± 10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
1
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
导通电阻之间的匹配
渠道， ΔR
ON
导通电阻平坦度，R
平
（上）
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
2
过渡时间，t
过渡
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
BBM
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
总谐波失真+噪声
-3 dB带宽ADG1206
-3 dB带宽ADG1207
C
S
（关闭）
C
D
（关） ADG1206
C
D
（关） ADG1207
+25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
V
SS
到V
DD
120
200
3.5
6
20
64
±0.03
±0.2
±0.05
±0.2
±0.08
±0.2
±0.6
±0.6
±0.6
±1
±2
±2
2.0
0.8
±0.005
±0.1
2
80
130
75
95
85
100
20
0.5
85
85
0.15
280
490
1.5
2
11
12
7
9
240
270
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
％ （典型值）
兆赫（典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的最大
pF的典型值
pF的最大
pF的典型值
pF的最大
测试条件/评论
V
S
= -10 V，I
S
= -1毫安;参见图28
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= 13.5 V
V
S
= -10 V，I
S
= -1毫安
10
76
12
83
V
S
= -5 V ， 0 V ，+ 5 V ;我
S
= -1毫安
V
D
= ±10 V, V
S
=
10 V ;参见图29
V
S
= 1 V, 10 V; V
D
= 10 V ， 1 V ;参见图29
V
S
= V
D
= ± 10 V ;参见图30
V
IN
= V
INL
或V
INH
165
105
125
185
115
140
10
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;参见图31
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;见图33
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;见图33
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
= 10 V ;参见图32
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图34
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;见图35
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;见图37
R
L
= 10 kΩ的， 5 V RMS ， F = 20 Hz到20 kHz ;
见图38
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;见图36
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;见图36
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
第0版|第20页3
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