低电容，低电荷注入，
±15 V/+12 V
iCMOS工艺
SPST采用SOT -23
ADG1201/ADG1202
特点
2.4 pF的电容关闭
<1 pC的电荷注入
低漏电; 0.6 nA（最大值） @ 85°C
120 Ω电阻
在± 15 V ， 12 V完全指定
无V
L
提供所需
3 V逻辑兼容输入
轨到轨工作
6引脚SOT- 23封装
S
功能框图
ADG1201
D
S
ADG1202
D
IN
IN
06576-001
开关所对于逻辑“ 1 ”输入
图1 。
应用
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
采样保持系统
音频信号路由
视频信号路由
通信系统
概述
该ADG1201 / ADG1202均为单芯片互补
含有金属氧化物半导体（ CMOS）器件
一个单刀单掷开关设计在
iCMOS
（工业CMOS ）
流程。
iCMOS工艺
是一个模块化的制造过程
结合高压CMOS和双极型技术。
它可以大范围高perform-发展
在足迹能33 V工作电压ANCE模拟IC
没有上一代的高压器件已
能实现的。与采用传统的模拟IC
CMOS工艺，
iCMOS工艺
组件可以承受高
同时还能提升性能的电源电压，
大大降低了功耗，并降低了
封装尺寸。
超低电容和电荷注入的这些
开关使其成为数据采集的理想解决方案
和采样保持应用中，低毛刺和快速
沉降是必需的。开关速度快加上
高信号带宽使部分适合于视频
信号切换。
iCMOS工艺
建设，确保超低功耗，
因而非常适合于便携式和电池 - 零件
电动器械。
该ADG1201 / ADG1202包含一个单刀/单掷
（ SPST ）开关。图1显示，与图1中，一个逻辑输入
该ADG1201的开关是闭合的，而ADG1202的是
开。每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并具有延伸到所述电源的输入信号范围。在
在OFF状态下，信号电平的电源被阻止。
产品亮点
1.
2.
3.
4.
5.
6.
超低电容。
<1 pC的电荷注入。
超低泄漏。
3 V逻辑兼容数字输入： V
IH
= 2.0 V, V
IL
= 0.8 V.
无V
L
逻辑电源要求。
SOT- 23封装。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113
2008 ADI公司保留所有权利。
ADG1201/ADG1202
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
产品亮点................................................ ........................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
双电源................................................ ................................... 3
单电源................................................ ................................. 4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ ................................... 5
引脚配置和功能描述.............................. 6
典型性能特征.............................................. 7
测试电路................................................ ..................................... 10
术语................................................. ................................... 12
外形尺寸................................................ ....................... 13
订购指南................................................ .......................... 13
修订历史
2月8日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第16页2
ADG1201/ADG1202
特定网络阳离子
双电源
V
DD
= 15 V ± 10%, V
SS
=发-15V ± 10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
表1中。
B版本
1
-40 ° C至
-40 ° C至
+85°C
+125°C
V
DD
到V
SS
120
200
20
60
±0.004
±0.1
±0.004
±0.1
±0.04
±0.15
240
72
270
79
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
2
t
ON
t
关闭
电荷注入
关断隔离
总谐波失真+噪声
-3 dB带宽
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
DD
I
SS
V
DD
/V
SS
1
2
25°C
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
pC的典型值
dB典型值
％ （典型值）
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的最大
pF的典型值
pF的最大
pF的典型值
pF的最大
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
V最小/最大
测试条件/评论
V
DD
= +13.5 V, V
SS
= 13.5 V
V
S
= -10 V，I
S
= -1毫安;参见图20
V
S
= -5 V ， 0 V和+5 V ;我
S
= -1毫安
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
V
S
= ±10 V, V
D
= ± 10 V ;参见图21
V
S
= ±10 V, V
D
= ± 10 V ;参见图21
V
S
= V
D
= ± 10 V ;参见图22
±0.6
±0.6
±0.6
±1
±1
±1
2.0
0.8
0.005
±0.1
2.5
140
170
90
105
0.8
80
0.15
660
2.4
3
2.8
3.3
4.7
5.6
0.001
1.0
60
95
0.001
1.0
± 5 ±16.5
V
IN
= V
INL
或V
INH
200
130
230
141
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的
V
S
= 10 V ;参见图26
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图27
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;参见图23
R
L
= 10 kΩ的， 5 V RMS ， F = 20 Hz至20 kHz
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图24
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
S
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= 16.5 V
数字输入= 0 V或V
DD
数字输入= 5 V
数字输入= 0 V ， 5 V或V
DD
GND = 0 V
温度范围为B版本
40°C
至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
第0版|第16页3
QQ：2880707522 复制
