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900 MHz的ISM频段

模拟RF前端

ADF9010

特点

840到960MHz ISM频带

接收基带模拟低通滤波和PGA

集成的射频发射升变频器

集成的整数N分频PLL和VCO

内置TX PA前置放大器

差分全平衡架构

3.3 V电源

低功耗模式： <1毫安掉电电流

可编程的Rx LPF截止

330千赫， 880千赫， 1.76 MHz和旁路

RX PGA增益设置：3 dB至24分贝3 dB步长

低噪音BiCMOS技术

48引脚， 7毫米×7 mm LFCSP封装

功能框图

ADF9010

直流偏移

更正

OVF

直流偏移

更正

MUXOUT

SET

收费

泵

24-BIT

输入移位

PLL

相

频率

探测器

计数器

N计数器

N = BP + A

预分频器

P/P + 1

CLK

数据

REF

EXT

应用

900 MHz的RFID阅读器

免执照频段900 MHz的应用

TUNE

计数器

÷4

OUT

QUADRATURE

分相器

DGND

AGND

图1 。

概述

该ADF9010是一款完全集成的RF调制器的Tx和Rx

模拟基带前端，工作在频率

范围从840到960MHz 。接收路径包括

一个完全差分I / Q基带的PGA ，低通滤波器，并

连接到的Rx ADC之前一般信号调节

基带转换。 3分贝接收LPF增益范围

至24分贝，可编程3 dB的步长。在Rx LPF功能

与330 kHz的截止频率四个可编程模式，

880 kHz和1.76兆赫，或过滤器就可以在必要时被旁路。

发射路径包括一个完全集成的差分的Tx

直接I / Q上变频器具有高线性PA驱动放大器。

将其转换为基带I / Q信号到RF载波的基于信号

与840兆赫和960兆赫。高线性发射

信号通路确保低输出失真。

完整的本地振荡器（LO）信号的产生，是集成

在芯片上，包括整数N分频合成器和VCO ，这

生成所需的I和Q信号为发送的I / Q上变频

锡永。 LO信号也可在输出来驱动

外部RF解调器。所有的片内寄存器控制

是通过简单的3线串行接口。该器件采用

包括电源从3.15 V至3.45 V和可供电

下不使用的时候。

第0版

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07373-001

ADF9010

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

功能框图............................................... ............... 1

概述................................................ ......................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

传输特性................................................ .............. 3

接收基带特性.............................................. 4

整数N分频PLL和VCO特性.................................. 5

写时序特性............................................... 6 .......

绝对最大额定值............................................... ............. 7

晶体管数量................................................ ........................... 7

ESD注意事项................................................ .................................. 7

引脚配置和功能说明............................. 8

典型性能特征........................................... 10

电路说明................................................ ......................... 12

接收部分................................................ .................................... 12

LO科................................................ ................................... 12

v计数器................................................ .................................... 12

A和B计数器.............................................. ......................... 12

TX科................................................ .................................... 14

接口................................................. .................................. 14

锁存结构................................................ ........................... 15

控制锁存................................................ .............................. 21

TX锁................................................ ....................................... 21

RX校准锁存............................................... ................... 21

LO锁存................................................ ...................................... 22

RX锁................................................ ....................................... 22

初始化................................................. ............................... 22

接口................................................. .................................. 22

应用信息................................................ .............. 23

解调器连接................................................ ......... 23

LO和Tx输出匹配............................................. ....... 24

PCB设计指南............................................... .............. 24

外形尺寸................................................ ....................... 25

订购指南................................................ .......................... 25

修订历史

8月8日 - 修订版0 ：初始版

第0版|第28 2

ADF9010

特定网络阳离子

传输特性

= 3.3 V± 5 ％， AGND = DGND = GND = 0 V ，T

= 25 ° C， dBm的是指50 Ω ，在1.4 V pp差分正弦波

正交于一个500毫伏的直流偏压，基带频率= 1MHz时，除非另有说明。

表1中。

参数

发射调制器特性

工作频率范围

输出功率

输出P1 dB的

载波馈通

边带抑制

输出IP3

本底噪声

发射基带特性

每个引脚的输入阻抗

每个引脚的输入电容

输入信号电平

共模输出电平

TX基带3 dB带宽

电源

数字I

RX基带

TX调制器

LO频率合成器和VCO

我总

掉电

RX V

逻辑输入（串行接口）

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流I

INH

INL

输入电容，C

逻辑输出（ MUXOUT ）

输出高电压，V

输出低电压，V

民

840

B版本

典型值

最大

960

单位

兆赫

DBM

dBc的

DBM

dBm / Hz计

千欧（典型值）

V P-P

兆赫

测试条件/评论

范围而无偿边带

抑制< -30 dBc的

= 1.4 V P-P差分

158

1.4

0.6

3.15

140

360

3.45

OUT

= -4 dBm的每个音， 10 MHz和12 MHz的

基带输入频率使用。

单端的频率高达2 MHz

在10MHz下

测得的差异在I或Q

μA

1.8 V逻辑兼容

最大增益设置

充满电，基带输入偏置0.5 V

选择+ 5 dBm的LO功率设置

410

1.4

0.4

±1

0.4

= 500 μA

工作温度范围为B版为-40 ° C至+ 85°C 。

第0版|第28 3

ADF9010

接收基带特性

= 3.3 V± 5 ％， AGND = DGND = GND = 0 V ，T

= 25 ° C， dBm的是指50 Ω ，在1.4 V pp差分正弦波

正交于一个500毫伏的直流偏压，基带频率= 1MHz时，除非另有说明。

表2中。

参数

接收基带PGA

最高电压增益

最低电压增益

增益控制范围

增益控制步骤

噪声谱密度（与输入）

接收基带滤波器

3dB截止频率（模式0 ）

增益平坦度

差分群时延

衰减模板

@ 330 kHz偏置

@ 500 kHz偏置

@ 1 MHz偏移

3dB截止频率（模式1 ）

增益平坦度

差分群时延

衰减模板

@ 880 kHz偏置

@ 2 MHz偏移

@ 4 MHz偏移

3dB截止频率（模式2 ）

增益平坦度

差分群时延

衰减模板

@ 1.76 MHz偏移

@ 4 MHz偏移

@ 8 MHz偏移

@ 16 MHz偏移

3dB截止频率（模式3 ）

增益平坦度

差分群时延

@ 2 MHz偏移

@ 4 MHz偏移

每个引脚的输入阻抗

@ 24分贝增益

@ 3分贝增益

每个引脚的输入电容

输入信号电平

共模输出电平

最大残留DC

民

B版本

典型值

最大

3.5

320

0.5

500

150

880

0.5

500

150

1.76

0.5

500

150

0.5

500

0.5

250

1.65

150

单位

纳伏/赫兹÷

千赫

μs

千赫

μs

兆赫

μs

兆赫

μs

kΩ

V P-P

测试条件/评论

可编程使用3位接口

在最大PGA增益

过滤器校准后

典型的从直流到90 kHz的

DC至360千赫

170 kHz至310 kHz的

过滤器校准后

DC到90千赫

DC至360千赫

170 kHz至310 kHz的

过滤器校准后

DC到90千赫

DC至360千赫

170 kHz至310 kHz的

过滤器校准后

DC到90千赫

DC至360千赫

在10MHz下

测得的差异在I或Q

对接收基带输出

基带增益0分贝 - 27分贝

工作温度范围为B版为-40 ° C至+ 85°C 。

第0版|第28 4

ADF9010

整数N分频PLL和VCO特性

表3中。

参数

VCOOPERATING频率

LO输出特性

VCO控制电压灵敏度

谐波含量（二）

谐波含量（三）

频推（开环）

频率牵引（开环）

锁定时间

输出功率

输出功率变化

噪声特性

VCO相位噪声性能

@ 100 kHz偏置

@ 1 MHz偏移

@ 10 MHz偏移

在带内相位噪声

3, 4

归一化带内相位噪声层

3, 4

寄生频率的输出信道间隔

相位检测器

鉴相器频率

最大允许预分频器输出频率

电荷泵

吸入/源

高价值

低价值

SET

范围

三态泄漏电流

漏极和源极电流匹配

与V

与温度的关系

PLL参考

参考时钟频率

参考时钟灵敏度

参考输入电容

REF

输入电流

民

3360

B版本

典型值

最大

3840

1.2

1000

-4至+5

±3

单位

兆赫

兆赫/ V

dBc的

兆赫/ V

μs

DBM

测量LO输出（ 900兆赫）

120

141

154

220

dBc的/赫兹

dBc的

测试条件/评论

测量LO输出（ 900兆赫）

3.6GHz的VCO频率（考虑到

除以4 ）

到2.00 VSWR负载。

10 kHz的环路带宽

LO输出相结合以1： 1的变压器;

可编程的3 dB步长

@ 1 kHz的从载波偏移

900 MHz偏移， 1 MHz的PFD频率250千赫

信道间隔;环路带宽= 7.5千赫

325

兆赫

有R

SET

= 4.7 kΩ

0.625

2.7

0.2

1.5

0.7

±100

104

PLL V

kΩ

兆赫

V P-P

μA

1.25 V ≤ V

≤ 2.5 V

1.25 V ≤ V

≤ 2.5 V

= 2.0 V

工作温度范围为B版为-40 ° C至+ 85°C 。

VCO的噪声测量的是开环的条件。

相位噪声测量与EVAL- ADF9010EBZ1评估板和Agilent E5052A频谱分析仪。频谱分析仪提供了REF

为

合成;偏移频率= 1千赫。

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 1000千赫; N = 3600 ;环路带宽= 25 kHz的。

通过设计保证。样品测试，以确保合规性。

这是CMOS计数器的最高工作频率。的分频器值的选择应确保RF输入进行分频，其频率

小于该值。

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