a
特点
3.0 GHz的小数N / 1.2 GHz的整数N
2.7 V至3.3 V电源供电
单独的V
P
可扩展的调谐电压为5 V
可编程双模预分频器
RF ： 4/5 ， 8/9
IF ： 8/9 ， 16/17 ， 32/33 ， 64/65
可编程电荷泵电流
3线串行接口
数字锁定检测
掉电模式
在分数N合成器可编程模数
权衡噪声与杂散性能
应用
基站对移动无线电设备（ GSM， PCS ，DCS，
CDMA，WCDMA ）
无线手机（ GSM ， PCS ， DCS ， CDMA ， WCDMA ）
无线局域网
通信测试设备
有线电视设备
双小数N /整数N
频率合成器
ADF4252
概述
该ADF4252是一款双小数N /整数N分频
合成器可被用来实现本机振荡器
（ LO ）中的上变频和下变频部分
无线接收机和发射机。两者的RF和IF同步
thesizers由低噪声数字PFD的（相频
检测器） ，精密电荷泵和可编程为参考
ENCE分。射频合成器具有 - 基于分数
内插器，允许可编程小数N分频。
中频合成器具有可编程整数N分频计数器。一
完整的PLL （锁相环） ，如果可以实现
合成器与外部环路滤波器和VCO （电压
年龄控制振荡器） 。
所有片内寄存器均通过简单的三线式接口
脸上。该设备具有一个电源，从操作
2.7 V至3.3 V ，可断电时不使用。
功能框图
V
DD
1
V
DD
2
V
DD
3
DV
DD
V
P
1
V
P
2
R
SET
ADF4252
参考
4位R
计数器
REF
IN
2
倍
相
频率
探测器
收费
泵
CP
RF
REF
OUT
LOCK
检测
RF
IN
A
RF
IN
B
MUXOUT
产量
MUX
N分数
射频分频器
CLK
数据
LE
24-BIT
数据
注册
整数n
IF分频器
IF
IN
B
IF
IN
A
2
倍
15位R
计数器
相
频率
探测器
收费
泵
CP
IF
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
A
GND
1
A
GND
2
D
GND
CP
GND
1
CP
GND
2
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
2003 ADI公司保留所有权利。
ADF4252–SPECIFICATIONS
参数
射频特性
RF输入频率（ RF
IN
A， RF
IN
B)
2
RF输入灵敏度
RF输入频率（ RF
IN
A， RF
IN
B)
2
RF鉴相器频率
允许预分频器输出频率
中频特性
IF输入频率（ IF
IN
A， IF
IN
B)
2
IF输入灵敏度
如果鉴相器频率
允许预分频器输出频率
基准特性
REF
IN
输入频率
REF
IN
输入灵敏度
REF
IN
输入电流
REF
IN
输入电容
电荷泵
RF I
CP
吸入/源
如果我
CP
吸入/源
高价值
低价值
高价值
低价值
1
(V
DD
1 = V
DD
2 = V
DD
3 = DV
DD
= 3 V
B版本
0.25/3.0
–10/0
0.1/3.0
30
375
50/1200
–10/0
55
150
250
0.5/V
DD
1
±
100
10
4.375
625
5
625
1
2
1.5/1.6
2
2
2
1.35
0.6
±
1
10
V
DD
– 0.4
0.4
2.7/3.3
V
DD
1
V
DD
1/5.5
13
10
4
1
–141
–90
–95
–103
单位
10％的DV
DD
＆ LT ; V
P
1, V
P
2 < 5.5 V ， GND = 0 V ，
R
SET
= 2.7 K， dBm的称为50 ，T
A
= T
民
给T
最大
除非另有说明）。
测试条件/评论
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
GHz的最小/最大
兆赫最大
兆赫最大
MHz的最小/最大
dBm的最小/最大
兆赫最大
兆赫最大
兆赫最大
V P-P最小/最大
A
最大
pF的最大
毫安（典型值）
A
典型值
毫安（典型值）
A
典型值
nA的典型值
％ （典型值）
TYP
％ （典型值）
％ （典型值）
％ （典型值）
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
V分钟
V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
毫安（典型值）
毫安（典型值）
毫安（典型值）
A
典型值
dBc的/赫兹（典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
输入电平= -8/0 dBm的最小/最大
通过设计保证
通过设计保证
对于f < 10兆赫，采用直流耦合方
波（ 0至V
DD
).
AC耦合。当直流耦合，使用
0到V
DD
MAX（ CMOS兼容） 。
见表5
见表IX
I
CP
三态泄漏电流
RF接收器和源电流匹配
R
SET
范围
IF接收器和源电流匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
INH
，输入高电压
V
INL
，输入低电压
I
INH
/I
INL
，输入电流
C
IN
输入电容
逻辑输出
V
OH
，输出电压高
V
OL
，输出低电压
电源
V
DD
1
,
V
DD
2, V
DD
3
DV
DD
V
P
1, V
P
2
I
DD3
掉电模式
RF噪声和杂散特性
本底噪声
带内相位噪声性能
4
最低的支线模式
低噪声和杂散模式
低噪声模式
杂散信号
0.5 V < V
CP
＆ LT ; V
P
– 0.5
见表5
0.5 V < V
CP
＆ LT ; V
P
– 0.5
V
CP
= V
P
/2
I
OH
- 0.2毫安
I
OL
- 0.2毫安
RF + IF
只有射频
但愿
最大16毫安
最大13毫安
最大5.5毫安
@ 20 MHz的PFD频率
@ VCO输出
RF
OUT
= 1.8 GHz时， PFD = 20 MHz的
RF
OUT
= 1.8 GHz时， PFD = 20 MHz的
RF
OUT
= 1.8 GHz时， PFD = 20 MHz的
见典型性能特性
笔记
1
工作温度范围（B版） ： -40∞C至+ 85∞C 。
2
使用方波的频率少大于f
民
.
3
RF = 1 GHz的RF PFD = 10 MHz时， MOD = 4095 ， IF = 500 MHz的IF PFD = 200 kHz时， REF = 10 MHz时， V
DD
= 3 V, V
P
1 = 5伏，而V
P
2 = 3 V.
4
带内相位噪声测量与EVAL- ADF4252EB2评估板和HP5500E相位噪声测试系统。频谱分析仪提供了
REF
IN
对于合成（F
REFOUT
= 10 MHz的@ 0 dBm的） 。 F
OUT
= 1.74千兆赫，女
REF
= 20 MHz时， N = 87 ，MOD = 100 ，信道间隔为200 kHz时， V
DD
= 3.3 V ，和V
P
= 5 V.
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本B
ADF4252
绝对最大额定值
1, 2
订购指南
模式
温度
范围
包
选项
*
V
DD
1, V
DD
2, V
DD
3 ， DV
DD
到GND
3
。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+4 V
REF
IN
中，Rf
IN
A， RF
IN
B至GND 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
V
P
1, V
P
2至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至5.8 V
V
P
1, V
P
2至V
DD
1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -3.3 V至3.5 V
数字I / O电压为GND 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
模拟量I / O电压为GND 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150∞C
CSP
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 122∞C / W
回流焊温度
气相（ 60秒以内） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 240∞C
IR回流焊接（ 20秒最大） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 240∞C
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
2
此设备是一个带有ESD额定值的高性能射频集成电路
的<2 kΩ的，并且它是ESD敏感。适当的预防措施应采取的处理
和组装。
3
GND = CP
GND
1, A
GND
1, D
GND
, A
GND
2 ，和CP
GND
2.
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
ADF4252BCP
ADF4252BCP-REEL
ADF4252BCP-REEL7
EVAL–ADF4252EB1
EVAL–ADF4252EB2
* CP
=芯片级封装
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
CP-24
CP-24
CP-24
引脚配置
V
P
1
V
DD
1
V
DD
3
V
DD
2
V
P
2
CP
IF
CP
RF
1
CP
GND
1 2
RF
IN
A 3
RF
IN
B 4
A
GND
1 5
MUXOUT 6
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
销1
指标
ADF4252
顶视图
（不按比例）
CP
GND
2
DV
DD
IF
IN
A
IF
IN
B
A
GND
2
R
SET
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能对设备产生ADF4252
受到高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议
以避免性能下降或功能丧失。
–4–
REF
IN
7
REF
OUT
8
D
GND
9
CLK 10
数据11
LE 12
版本B
ADF4252
引脚功能描述
助记符
CP
RF
CP
GND
1
RF
IN
A
RF
IN
B
A
GND
1
MUXOUT
REF
IN
REF
OUT
D
GND
CLK
数据
LE
R
SET
功能
RF电荷泵输出。这通常连接到驱动输入到外部VCO的环路滤波器。
RF电荷泵地面。
输入到RF预分频器。此小信号输入通常取自VCO。
互补输入到RF预分频器。
模拟地，射频合成器。
该多路输出允许使用的RF或IF锁定检测，缩放后的RF或IF ，或缩放参考频
在外部访问的昆西。
参考输入。这是一个CMOS输入用作为V的标称阈值
DD
/ 2和的等效输入阻抗
100 kΩ的。该输入可以被驱动从一个TTL或CMOS晶体振荡器。
参考输出。
数字地的分数内插。
串行时钟输入。此串行时钟用于时钟的串行数据到寄存器。该数据被锁存到
转移在CLK上升沿注册。这个输入是高阻抗CMOS输入。
串行数据输入。该串行数据首先被装载的MSB与三个LSB被控制位。该输入是一个
高阻抗CMOS输入。
负荷启用， CMOS输入。当LE变为高电平时，存储在移位寄存器中的数据被加载到所述一个
7锁存器，使用控制位被选中的锁存器。
在此引脚与地之间的电阻设置最小电荷泵的输出电流。关系
间
I
CP
和
R
SET
is
1.6875
R
SET
因此，与
R
SET
= 2.7 k,
I
CPmin
= 0.625毫安。
I
CPmin
=
A
GND
2
IF
IN
B
IF
IN
A
DV
DD
CP
GND
2
CP
IF
V
P
2
V
DD
2
V
DD
3
V
DD
1
V
P
1
地面为IF合成器。
互补输入到IF预分频器。
输入到IF预分频器。此小信号输入通常取自中频VCO 。
正电源的分数内插科。去耦电容到地平面应
被放置在尽可能靠近此引脚。 DV
DD
必须具有相同的电压为V
DD
1, V
DD
2 ，和V
DD
3.
IF电荷泵地面。
如果电荷泵输出。这通常连接到驱动输入到外部VCO的环路滤波器。
IF电荷泵电源。去耦电容到地平面应放置在尽可能靠近
此引脚。此电压应大于或等于V
DD
2.
正电源的中频部分。去耦电容到地平面应放在尽可能接近
可能该引脚。 V
DD
2具有值3伏
±
10%. V
DD
2必须具有相同的电压为V
DD
1, V
DD
3 ，和DV
DD
.
正电源的RF数字部分。去耦电容到地平面应放置在靠近
尽可能到该引脚。 V
DD
3具有值3伏
±
10%. V
DD
3 ，必须具有相同的电压为V
DD
1, V
DD
2 ，和DV
DD
.
正电源的射频模拟部分。去耦电容到地平面应放置在靠近
尽可能到该引脚。 V
DD
1具有值3伏
±
10%. V
DD
1必须具有相同的电压为V
DD
2, V
DD
3 ，和DV
DD
.
RF电荷泵电源。去耦电容到地平面应放置在尽可能靠近
此引脚。此电压应大于或等于V
DD
1.
版本B
–5–
QQ：2880707522 复制
