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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1542页 > ADF4217L
a
特点
我总
DD
: 7.1毫安
带宽/ RF 3.0 GHz的
ADF4217L / ADF4218L , IF 1.1 GHz的
ADF4219L , IF 1.0 GHz的
2.6 V至3.3 V电源供电
1.8 V逻辑兼容
单独的V
P
可扩展的调谐电压
可选双模预分频器
可选的电荷泵电流
电荷泵电流的1 %匹配
3线串行接口
掉电模式
应用
无线手机( GSM , PCS , DCS , CDMA , WCDMA )
基地台的无线电台(GSM, PCS ,DCS, WCDMA)的
无线局域网
通信测试设备
有线电视调谐器( CATV )
双路低功耗
频率合成器
ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L
概述
该ADF4217L / ADF4218L / ADF4219L是低功耗双
可用于实现本地频率合成器
在上变频振荡器和下变频部分
的无线接收机和发射机。它们可以提供本振
对于两者的RF和IF部分。它们包括一个低噪声
数字PFD (相位频率检测器) ,精密电荷泵,
可编程参考分频器,可编程A和B计数器,
和一个双模前置分频器(P / P + 1) 。 A和B计数器,
与双模数预分频器结合(P / P + 1) ,
实现N分频器(N = BP + A) 。另外, 14位
参考计数器(R计数器)允许可选择REFIN频
quencies在PFD输入端。一个完整的PLL(锁相环
环)可如合成器使用与实施
外部环路滤波器和压控振荡器(压控振荡器) 。
所有片内寄存器均通过简单的三线式接口
与1.8 V的兼容性。该器件的电源电压工作
范围从2.6 V至3.3 V ,可断电时
未在使用。
功能框图
ADF4219L ONLY
NC
V
DD
1
V
DD
2
V
P
1
V
P
2
N = BP + A
11 (13 )比特的IF
B计数器
IF
IN
A
IF
IN
B
ADF4217L
ADF4218L
REF
IN
IF
预分频器
图6( 5 )比特的IF
计数器
IF
LOCK
检测
14 ( 15 )位IF
v计数器
时钟
数据
LE
22-BIT
数据
SDOUT
注册
14 ( 15 )位RF
v计数器
RF
LOCK
检测
比较
ADF4217L/
ADF4218L/
ADF4219L
收费
CP
IF
卜FF器
产量
MUX
MUXOUT
N = BP + A
11 (13 )比特的射频
B计数器
RF
IN
A
RF
IN
B
RF
预分频器
图6( 5 )比特的射频
计数器
比较
收费
CP
RF
IN( )功能请参见ADF4219L
NC =无连接
DGND
RF
AGND
RF
DGND
IF
AGND
IF
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司, 2002年
ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L–SPECIFICATIONS
1
(V
DD
1 = V
DD
2 = 2.6 V至3.3 V ; V
P
1, V
P
2 = V
DD
至5.5 V ; AGND = DGND = 0 V ;牛逼
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
BChips
2
(典型值)
参数
射频特性
RF输入频率( RF
IN
)
ADF4217L , ADF4218L
ADF4217L , ADF4218L
ADF4219L
RF输入灵敏度
ADF4217L , ADF4218L
ADF4219L
IF输入频率( IF
IN
)
ADF4217L/ADF4218L
ADF4219L P = 16/17
ADF4219L P = 8/9
IF输入灵敏度
最大允许预分频器
输出频率
3
REFIN特性
参考输入频率
参考输入灵敏度
REFIN输入电容
REFIN输入电流
相位检测器
鉴相器频率
4
电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
绝对精度
I
CP
三态泄漏电流
漏极和源极电流匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
INH
,输入高电压
V
INL
,输入低电压
I
INH
/I
INL
,输入电流
C
IN
,输入电容
参考输入电流
逻辑输出
V
OH
,输出电压高
V
OL
,输出低电压
电源
V
DD
1
V
DD
2
V
P
1, V
P
2
I
DD
( RF + IF )
5
( RF只)
5
(如果只有)
5
I
P
(I
P
1 + I
P
2)
低功耗睡眠模式
B版本
1
单位
测试条件/评论
使用矩形波动作
低于最低频率规格。
0.1/3.0
0.1/2.5
0.8/2.2
–15/0
–20/0
0.045/1.1
0.045/1.0
0.045/0.55
–15/0
188
10/110
0.5
10
±
100
56
0.1/3.0
0.1/2.5
0.8/2.2
–15/0
–20/0
0.045/1.1
0.045/1.0
0.045/0.55
–15/0
188
10/110
0.5
10
±
100
56
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
dBm的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
兆赫最大
MHz的最小/最大
V P-P分
pF的最大
mA
最大
兆赫最大
对于f < 10兆赫,采用直流耦合
方波, ( 0至V
DD
).
交流耦合。当直流耦合:
0到V
DD
马克斯。
( CMOS兼容)
-15 dBm的最小输入信号
-10 dBm的最小输入信号
-10 dBm的最小输入信号
-10 dBm的最小输入信号
-15 dBm的最小输入信号
-20 dBm的最小输入信号
4
1
1
1
6
5
2
1.4
0.6
±
1
10
±
100
V
DD
– 0.4
0.4
2.6/3.3
V
DD
1
V
DD
1/5.5 V
10
7
5
0.6
1
4
1
1
1
6
5
2
1.4
0.6
±
1
10
±
100
V
DD
– 0.4
0.4
2.6/3.3
V
DD
1
V
DD
1/5.5 V
10
7
5
0.6
1
毫安(典型值)
毫安(典型值)
% (典型值)
nA的典型值
%最大
%最大
% (典型值)
V分钟
V最大
mA
最大
pF的最大
mA
最大
V分钟
V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
最大mA
mA
mA
毫安(典型值)
mA
典型值
0.5 V < V
CP
& LT ; V
P
- 0.5 ,1% ,典型值
0.5 V < V
CP
& LT ; V
P
- 0.5 , 0.1%的典型值
V
CP
= V
P
/2
I
OH
= 1毫安
I
OL
= 1毫安
7.1毫安典型
4.7毫安典型
3.4毫安典型
T
A
= 25∞C
–2–
版本B
ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L
参数
噪声特性
6
RF相位噪声楼
7
中频相位噪声楼
7
相位噪声性能
8
RF
9
RF
10
IF
11
IF
12
杂散信号
RF
9
RF
10
IF
11
IF
12
B版本
1
–171
–163
–167
–159
–75
–90
–77
–86
–78/–85
–80/–84
–79/–86
–80/–84
BChips
2
(典型值)
–171
–163
–167
–159
–75
–90
–77
–86
–78/–85
–80/–84
–79/–86
–80/–84
单位
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的典型值
dBc的典型值
dBc的典型值
dBc的典型值
测试条件/评论
@ 30 kHz的PFD频率
@ 200kHz的PFD频率
@ 30 kHz的PFD频率
@ 200kHz的PFD频率
@ VCO输出
1.95 GHz的输出; 30 kHz的PFD
900 MHz输出; 200kHz的PFD
900 MHz输出; 30 kHz的PFD
900 MHz输出; 200kHz的PFD
测量在f的偏移
PFD
/2f
PFD
笔记
1
工作温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 85°C 。
2
该BChip规范给出的典型值。
3
这是CMOS计数器的最高工作频率。的分频器值的选择应确保在RF输入分频为频率
小于该值。
4
通过设计保证。样品测试,以确保合规性。
5
这包括有关我
P
.
6
V
DD
= 3 V ; P = 16/32 ; IF
IN
/ RF
IN
对于ADF4218L , ADF4219L = 540兆赫/ 900兆赫。
7
该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出和相减20logN (其中N为N分频器值)。
8
相位噪声测量与EVAL- ADF421xEB1评估板和HP8562E频谱分析仪。频谱分析仪提供了REFIN
该合成器。 (F
REFOUT
= 10 MHz的@ 0 dBm的)
9
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 30千赫;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 1.95千兆赫; N = 65000 ;环路B / W = 3千赫
10
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 900 MHz的; N = 4500 ;环路B / W = 20千赫
11
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 30千赫;偏移频率= 1千赫; F
IF
= 900 MHz的; N = 30000 ;环路B / W = 3千赫
12
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F
IF
= 900 MHz的; N = 4500 ;环路B / W = 20千赫
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
时序特性
在极限
T
给T
最大
(B版)
10
10
25
25
10
50
(V
DD
1 = V
DD
2 = 3 V 10%, 5 V 10%; V
DD
1, V
DD
2
V
P
1,
V
P
2
6.0 V ; AGND
RF1
= DGND
RF1
= AGND
RF2
= DGND
RF2
= 0 V ;牛逼
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
测试条件/评论
数据时钟的建立时间
数据时钟保持时间
时钟高时间
时钟低电平持续时间
时钟到LE建立时间
LE脉宽
通过设计保证,但未经生产测试。
t
3
时钟
t
4
t
1
数据
DB21 (MSB)
DB20
t
2
DB2
DB1
(控制位C2 )
DB0 ( LSB )
(控制位C1 )
t
6
LE
t
5
LE
图1.时序图
版本B
–3–
ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L
绝对最大额定值
1, 2
(
T
A
= 25 ℃,除非另有说明。 )
V
DD
1至GND
3
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至3.6 V
V
DD
1至V
DD
2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+0.3 V
V
P
1, V
P
2至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至5.8 V
V
P
1, V
P
2至V
DD
1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+5.5 V
数字I / O电压为GND 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
模拟量I / O电压为GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
P
+ 0.3 V
REF
IN
, RF1
IN
( A,B ) , IF
IN
(A , B)
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
RFINA到RFINB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
320毫伏
工作温度范围
工业(B版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
TSSOP
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150.4∞C / W
CSP
JA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 112∞C / W
焊接温度,焊接
TSSOP ,气相( 60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215∞C
TSSOP ,红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220∞C
CSP,气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 240∞C
CSP,红外( 20秒)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 240∞C
笔记
1
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的业务部门所列出的任何其他条件
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
2
这个装置是用的ESD额定值的高性能射频集成电路
< 2千伏,并且是ESD敏感。适当的预防措施应采取的处理和
装配。
3
GND = AGND = DGND = 0 V
订购指南
模型
ADF4217L/ADF4218L/ADF4219LBRU
ADF4217L/ADF4218L/ADF4219LBCC
*联系方式
该工厂的芯片的可用性。
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
描述
超薄紧缩小型封装( TSSOP )
芯片级封装CASON ( CSP )
选项
*
RU-20
CC-24
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积
对人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然ADF4217L /
ADF4218L / ADF4219L具有专用ESD保护电路,可能会导致永久性损坏
在遇到高能量静电放电设备。因此,适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
–4–
版本B
ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L
销刀豆网络gurations
TSSOP
V
DD
1
V
P
1
CP
RF
DGND
RF
RF
IN
A
RF
IN
B
AGND
RF
REF
IN
DGND
IF
MUXOUT
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
TSSOP
V
DD
2
V
P
2
CP
IF
DGND
IF
IF
IN
A
IF
IN
B
AGND
IF
LE
数据
CLK
V
DD
1
V
P
1
CP
RF
DGND
RF
RF
IN
A
RF
IN
B
AGND
RF
REF
IN
DGND
IF
MUXOUT
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
V
DD
2
V
P
2
CP
IF
DGND
IF
IF
IN
AGND
IF
NC
LE
数据
CLK
ADF4217L/
ADF4218L
16
15
14
13
12
11
ADF4219L
16
15
14
13
12
11
NC =无连接
CHIP SCALE
V
DD
1
V
DD
2
V
P
2
CHIP SCALE
V
DD
1
V
DD
2
23
24
23
22
21
20
19
NC
V
P
1
CP
RF
DGND
RF
RF
IN
A
RF
IN
B
AGND
RF
REF
IN
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
NC
CP
IF
DGND
IF
IF
IN
A
IF
IN
B
AGND
IF
LE
数据
NC
NC
V
P
1
CP
RF
DGND
RF
RF
IN
A
RF
IN
B
AGND
RF
REF
IN
NC
24
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
P
2
22
21
20
19
18
NC
CP
IF
DGND
IF
IF
IN
AGND
IF
NC
LE
数据
NC
ADF4217L/
ADF4218L
18
17
16
15
14
13
ADF4219L
17
16
15
14
13
11
12
MUXOUT
DGND
IF
MUXOUT
DGND
IF
CLK
NC = NO CONNECT INTERNAL
NC = NO CONNECT INTERNAL
版本B
–5–
CLK
a
特点
我总
DD
: 7.1毫安
带宽/ RF 3.0 GHz的
ADF4217L / ADF4218L , IF 1.1 GHz的
ADF4219L , IF 1.0 GHz的
2.6 V至3.3 V电源供电
1.8 V逻辑兼容
单独的V
P
可扩展的调谐电压
可选双模预分频器
可选的电荷泵电流
电荷泵电流的1 %匹配
3线串行接口
掉电模式
应用
无线手机( GSM , PCS , DCS , CDMA , WCDMA )
基地台的无线电台(GSM, PCS ,DCS, WCDMA)的
无线局域网
通信测试设备
有线电视调谐器( CATV )
双路低功耗
频率合成器
ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L
概述
该ADF4217L / ADF4218L / ADF4219L是低功耗双
可用于实现本地频率合成器
在上变频振荡器和下变频部分
的无线接收机和发射机。它们可以提供本振
对于两者的RF和IF部分。它们包括一个低噪声
数字PFD (相位频率检测器) ,精密电荷泵,一个
可编程参考分频器,可编程A和B计数器,
和一个双模预分频器(P / P + 1) 。 A和B计数器,
与双模数预分频器结合(P / P + 1) ,
实现N分频器(N = BP + A) 。另外, 14位
参考计数器(R计数器)允许可选择REFIN频
quencies在PFD输入端。一个完整的PLL(锁相环
环)可如合成器使用与实施
外部环路滤波器和压控振荡器(压控振荡器) 。
所有片内寄存器均通过简单的三线式接口
与1.8 V的兼容性。该器件的电源电压工作
范围从2.6 V至3.3 V ,可断电时
未在使用。
功能框图
ADF4219L ONLY
NC
V
DD
1
V
DD
2
V
P
1
V
P
2
N = BP + A
11 (13 )比特的IF
B计数器
IF
IN
A
IF
IN
B
ADF4217L
ADF4218L
REF
IN
IF
预分频器
图6( 5 )比特的IF
计数器
IF
LOCK
检测
14 ( 15 )位IF
v计数器
时钟
数据
LE
22-BIT
数据
SDOUT
注册
14 ( 15 )位RF
v计数器
RF
LOCK
检测
比较
ADF4217L/
ADF4218L/
ADF4219L
收费
CP
IF
卜FF器
产量
MUX
MUXOUT
N = BP + A
11 (13 )比特的射频
B计数器
RF
IN
A
RF
IN
B
RF
预分频器
图6( 5 )比特的射频
计数器
比较
收费
CP
RF
IN( )功能请参见ADF4219L
NC =无连接
DGND
RF
AGND
RF
DGND
IF
AGND
IF
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标是其各自公司的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
2003 ADI公司保留所有权利。
ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L–SPECIFICATIONS
1
(V
DD
1 = V
DD
2 = 2.6 V至3.3 V ; V
P
1, V
P
2 = V
DD
至5.5 V ; AGND = DGND = 0 V ;牛逼
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
BChips
2
(典型值)
参数
射频特性
RF输入频率( RF
IN
)
ADF4217L , ADF4218L
ADF4217L , ADF4218L
ADF4219L
RF输入灵敏度
ADF4217L , ADF4218L
ADF4219L
IF输入频率( IF
IN
)
ADF4217L/ADF4218L
ADF4219L P = 16/17
ADF4219L P = 8/9
IF输入灵敏度
最大允许预分频器
输出频率
3
REFIN特性
参考输入频率
参考输入灵敏度
REFIN输入电容
REFIN输入电流
相位检测器
鉴相器频率
4
电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
绝对精度
I
CP
三态泄漏电流
漏极和源极电流匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
INH
,输入高电压
V
INL
,输入低电压
I
INH
/I
INL
,输入电流
C
IN
,输入电容
参考输入电流
逻辑输出
V
OH
,输出电压高
V
OL
,输出低电压
电源
V
DD
1
V
DD
2
V
P
1, V
P
2
I
DD
( RF + IF )
5
( RF只)
5
(如果只有)
5
I
P
(I
P
1 + I
P
2)
低功耗睡眠模式
B版本
1
单位
测试条件/评论
使用矩形波动作
低于最低频率规格。
0.15/3.0
0.15/2.5
0.8/2.2
–15/0
–20/0
0.045/1.1
0.045/1.0
0.045/0.55
–15/0
188
10/110
0.5
10
±
100
56
0.15/3.0
0.15/2.5
0.8/2.2
–15/0
–20/0
0.045/1.1
0.045/1.0
0.045/0.55
–15/0
188
10/110
0.5
10
±
100
56
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
dBm的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
兆赫最大
MHz的最小/最大
V P-P分
pF的最大
A
最大
兆赫最大
对于f < 10兆赫,采用直流耦合
方波, ( 0至V
DD
).
交流耦合。当直流耦合,
0到V
DD
马克斯。
( CMOS兼容)
-15 dBm的最小输入信号
-10 dBm的最小输入信号
-10 dBm的最小输入信号
-10 dBm的最小输入信号
-15 dBm的最小输入信号
-20 dBm的最小输入信号
4
1
1
1
6
5
2
1.4
0.6
±
1
10
±
100
V
DD
– 0.4
0.4
2.6/3.3
V
DD
1
V
DD
1/5.5 V
10
7
5
0.6
1
4
1
1
1
6
5
2
1.4
0.6
±
1
10
±
100
V
DD
– 0.4
0.4
2.6/3.3
V
DD
1
V
DD
1/5.5 V
10
7
5
0.6
1
毫安(典型值)
毫安(典型值)
% (典型值)
nA的典型值
%最大
%最大
% (典型值)
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
A
最大
V分钟
V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
最大mA
mA
mA
毫安(典型值)
A
典型值
0.5 V < V
CP
& LT ; V
P
- 0.5 ,1% ,典型值
0.5 V < V
CP
& LT ; V
P
- 0.5 , 0.1%的典型值
V
CP
= V
P
/2
I
OH
= 1毫安
I
OL
= 1毫安
7.1毫安(典型值)
4.7毫安(典型值)
3.4毫安(典型值)
T
A
= 25°C
–2–
版本C
ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L
参数
噪声特性
6
RF相位噪声楼
7
中频相位噪声楼
7
相位噪声性能
8
RF
9
RF
10
IF
11
IF
12
杂散信号
RF
9
RF
10
IF
11
IF
12
B版本
1
–171
–163
–167
–159
–75
–90
–77
–86
–78/–85
–80/–84
–79/–86
–80/–84
BChips
2
(典型值)
–171
–163
–167
–159
–75
–90
–77
–86
–78/–85
–80/–84
–79/–86
–80/–84
单位
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的典型值
dBc的典型值
dBc的典型值
dBc的典型值
测试条件/评论
@ 30 kHz的PFD频率
@ 200kHz的PFD频率
@ 30 kHz的PFD频率
@ 200kHz的PFD频率
@ VCO输出
1.95 GHz的输出; 30 kHz的PFD
900 MHz输出; 200kHz的PFD
900 MHz输出; 30 kHz的PFD
900 MHz输出; 200kHz的PFD
测量在f的偏移
PFD
/2f
PFD
笔记
1
工作温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 85°C 。
2
该BChip规范给出的典型值。
3
这是CMOS计数器的最高工作频率。的分频器值的选择应确保在RF输入分频为频率
小于该值。
4
通过设计保证。样品测试,以确保合规性。
5
这包括有关我
P
.
6
V
DD
= 3 V ; P = 16/32 ; IF
IN
/ RF
IN
对于ADF4218L , ADF4219L = 540兆赫/ 900兆赫。
7
该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出和相减20logN (其中N为N分频器值)。
8
相位噪声测量与EVAL- ADF421xEB1评估板和HP8562E频谱分析仪。频谱分析仪提供了REFIN
该合成器。 (F
REFOUT
= 10 MHz的@ 0 dBm的。 )
9
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 30千赫;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 1.95千兆赫; N = 65000 ;环路B / W = 3千赫
10
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 900 MHz的; N = 4500 ;环路B / W = 20千赫
11
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 30千赫;偏移频率= 1千赫; F
IF
= 900 MHz的; N = 30000 ;环路B / W = 3千赫
12
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F
IF
= 900 MHz的; N = 4500 ;环路B / W = 20千赫
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
时序特性
在极限
T
给T
最大
(B版)
10
10
25
25
10
50
(V
DD
1 = V
DD
2 = 3 V 10%, 5 V 10%; V
DD
1, V
DD
2
V
P
1,
V
P
2
6.0 V ; AGND
RF1
= DGND
RF1
= AGND
RF2
= DGND
RF2
= 0 V ;牛逼
A
= T
给T
最大
除非另有说明)。
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
测试条件/评论
数据时钟的建立时间
数据时钟保持时间
时钟高时间
时钟低电平持续时间
时钟到LE建立时间
LE脉宽
通过设计保证,但未经生产测试。
t
3
时钟
t
4
t
1
数据
DB21 (MSB)
DB20
t
2
DB2
DB1
(控制位C2 )
DB0 ( LSB )
(控制位C1 )
t
6
LE
t
5
LE
图1.时序图
版本C
–3–
ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L
绝对最大额定值
1, 2
(
T
A
= 25 ℃,除非另有说明。 )
V
DD
1至GND
3
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至3.6 V
V
DD
1至V
DD
2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+0.3 V
V
P
1, V
P
2至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至5.8 V
V
P
1, V
P
2至V
DD
1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+5.5 V
数字I / O电压为GND 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
模拟量I / O电压为GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
P
+ 0.3 V
REF
IN
, RF1
IN
( A,B ) , IF
IN
(A , B)
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
RF
IN
A到RF
IN
B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
320毫伏
工作温度范围
工业(B版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
TSSOP
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150.4∞C / W
LGA
JA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 112∞C / W
焊接温度,焊接
TSSOP ,气相( 60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215∞C
TSSOP ,红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220∞C
LGA ,气相( 60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 240℃
LGA ,红外( 20秒)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 240℃
笔记
1
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的业务部门所列出的任何其他条件
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
2
这个装置是用的ESD额定值的高性能射频集成电路
< 2千伏,是ESD敏感。适当的预防措施应采取的处理和
装配。
3
GND = AGND = DGND = 0V。
订购指南
模型
ADF4217L/ADF4218L/ADF4219LBRU
ADF4217L/ADF4218L/ADF4219LBCC
*联系方式
该工厂的芯片的可用性。
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
描述
超薄紧缩小型封装( TSSOP )
芯片阵列CASON ( LGA )
选项
*
RU-20
CC-24
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积
对人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然ADF4217L /
ADF4218L / ADF4219L配备专用ESD保护电路,永久性的损害可能发生
设备受到高能静电放电。因此,适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
–4–
版本C
ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L
销刀豆网络gurations
TSSOP
V
DD
1
V
P
1
CP
RF
DGND
RF
RF
IN
A
RF
IN
B
AGND
RF
REF
IN
DGND
IF
MUXOUT
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
TSSOP
V
DD
2
V
P
2
CP
IF
DGND
IF
IF
INA
IF
INB
AGND
IF
LE
数据
CLK
V
DD
1
V
P
1
CP
RF
DGND
RF
RF
IN
A
RF
IN
B
AGND
RF
REF
IN
DGND
IF
MUXOUT
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
V
DD
2
V
P
2
CP
IF
DGND
IF
IF
IN
AGND
IF
NC
LE
数据
CLK
ADF4217L/
ADF4218L
16
15
14
13
12
11
ADF4219L
16
15
14
13
12
11
CHIP SCALE
CHIP SCALE
V
DD
1
V
DD
2
23
V
DD
1
V
DD
2
V
P
2
24
24
23
22
21
20
19
NC
V
P
1
CP
RF
DGND
RF
RF
IN
A
RF
IN
B
AGND
RF
REF
IN
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
NC
CP
IF
DGND
IF
IF
IN
A
IF
IN
B
AGND
IF
LE
数据
NC
NC
V
P
1
CP
RF
DGND
RF
RF
IN
A
RF
IN
B
AGND
RF
REF
IN
NC
V
P
2
22
21
20
19
18
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
NC
CP
IF
DGND
IF
IF
IN
AGND
IF
NC
LE
数据
NC
ADF4217L/
ADF4218L
18
17
16
15
14
13
ADF4219L
17
16
15
14
13
MUXOUT
DGND
IF
MUXOUT
DGND
IF
CLK
NC = NO CONNECT INTERNAL
NC = NO CONNECT INTERNAL
版本C
–5–
CLK
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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