【a特点ADF4216 ： 550兆赫/ 1.2 GHz的ADF4217 ： 550兆赫/ 2.0 G】,IC型号ADF4217,ADF4217 PDF资料,ADF4217经销商,ic,电子元器件-51电子网

a

特点

ADF4216 ： 550兆赫/ 1.2 GHz的

ADF4217 ： 550兆赫/ 2.0 GHz的

ADF4218 ： 550兆赫/ 2.5 GHz的

2.7 V至5.5 V电源供电

可选的电荷泵电流

可选双模预分频器

IF ： 8/9或16/17

RF ： 32/33或64/65

3线串行接口

掉电模式

双射频锁相环频率合成器

ADF4216/ADF4217/ADF4218

概述

应用

无线手机（ GSM ， PCS ， DCS ， CDMA ， WCDMA ）

基地台的无线电台（GSM， PCS ，DCS，

CDMA，WCDMA ）

无线局域网

通信测试设备

有线电视设备

该ADF4216 / ADF4217 / ADF4218是双频synthe-

大小测定器，可用于实现本地振荡器（LO ）的

无线的上变频和下变频部分

接收机和发射机。它们可以提供本振为

在RF和IF部分。它们由一个低噪声数字PFD的

（相位频率检测器），精密电荷泵，一个亲

可编程参考分频器，可编程A和B计数器，

和一个双模前置分频器（P / P + 1）。在A（ 6位）和B

（11位）计数器，在结合双模预分频器

（P / P + 1 ），实现N分频器（N = BP + A）。此外，

14位参考分频器（R计数器）允许选择

REFIN频率在PFD输入端。一个完整的PLL（相位

锁定环）可以被实现，如果合成是

与外部环路滤波器和压控振荡器（电压的转换使用

受控振荡器）。

所有片内寄存器均通过简单的3线接口。

该器件具有从2.7 V的电源电压

至5.5 V和可以关断不使用的时候。

功能框图

V

DD

1

V

DD

2

V

P

1

V

P

2

N = BP + A

11位IF

B- COUNTER

IF

IN

A

IF

IN

B

IF

预分频器

6位中频

A- COUNTER

ADF4216/ADF4217/ADF4218

相

比较

收费

泵

IF

LOCK

检测

CP

IF

REF

IN

振荡器

14位IF

R- COUNTER

产量

MUX

22-BIT

数据

注册

SDOUT

MUXOUT

时钟

数据

LE

14位IF

R- COUNTER

N = BP + A

11位射频

B- COUNTER

RF

IN

A

RF

IN

B

RF

预分频器

6位射频

A- COUNTER

RF

LOCK

检测

收费

泵

相

比较

CP

RF

DGND

RF

AGND

RF

DGND

IF

DGND

IF

AGND

IF

第0版

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可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

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ADI公司， 2000

(V 1 = V 2 =

ADF4216/ADF4217/ADF4218–SPECIFICATIONS

另有说明。） 3伏

V 1，V 2 V 1，V 2 6.0伏; AGND = DGND = AGND = DGND = 0 V ; T =到T ，除非

DD

P

RF

IF

A

民

最大

1

10%, 5 V

10%;

P

ARAMETER

RF / IF特性（ 3 V ）

RF输入频率（ RF

IN

)

ADF4216

ADF4217

ADF4218

IF输入频率（ IF

IN

)

RF输入灵敏度

IF输入灵敏度

最大允许

预分频器输出频率

3

RF / IF特性（ 5 V ）

RF输入频率（ RF

IN

)

ADF4216

ADF4217

ADF4218

IF输入频率（ IF

IN

)

RF输入灵敏度

IF输入灵敏度

最大允许

预分频器输出频率

3

REFIN特性

REFIN输入频率

REFIN输入灵敏度

4

REFIN输入电容

REFIN输入电流

相位检测器

鉴相器频率

5

电荷泵

I

CP

吸入/源

高价值

低价值

绝对精度

I

CP

三态泄漏电流

漏极和源极电流匹配

I

CP

与V

CP

I

CP

与温度的关系

逻辑输入

V

INH

，输入高电压

V

INL

，输入低电压

I

INH

/I

INL

，输入电流

C

IN

，输入电容

振荡器输入电流

逻辑输出

V

OH

，输出电压高

V

OL

，输出低电压

电源

V

DD

1

V

DD

2

V

P

B版本

B芯片

2

单位

测试条件/评论

参见图3为输入电路。

对于较低频率的操作（下面将

起码说明）使用的方波来源。

0.2/1.2

0.2/2.0

0.5/2.5

45/550

–15/+4

–10/+4

165

0.2/1.2

0.2/2.0

0.5/2.5

45/550

–15/+4

–10/+4

165

GHz的最小/最大

MHz的最小/最大

dBm的最小/最大

兆赫最大

0.2/1.2

0.2/2.0

0.5/2.5

25/550

–15/+4

–10/+4

200

5/40

0.5

10

±

100

40

0.2/1.2

0.2/2.0

0.5/2.5

25/550

–15/+4

–10/+4

200

5/40

0.5

10

±

100

40

GHz的最小/最大

MHz的最小/最大

dBm的最小/最大

兆赫最大

MHz的最小/最大

V P-P分

pF的最大

A

最大

兆赫最大

参见图3为输入电路。

对于较低频率的操作（下面将

起码说明）使用的方波来源。

对于f < 5兆赫，采用直流耦合方波

（ 0至V

DD

).

交流耦合。当直流耦合：

0到V

DD

MAX（ CMOS兼容）

4.5

1.125

1

10

0.8

×

V

DD

0.2

×

V

DD

±

1

10

±

100

V

DD

– 0.4

0.4

2.7/5.5

V

DD

1

V

DD

1/6.0

4.5

1.125

1

10

0.8

×

V

DD

0.2

×

V

DD

±

1

10

±

100

V

DD

– 0.4

0.4

2.7/5.5

V

DD

1

V

DD

1/6.0

毫安（典型值）

％（典型值）

nA的典型值

％（典型值）

％最大

％（典型值）

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

A

最大

V分钟

V最大

V MIN / V最大

0.5 V V

CP

V

CP

= V

P

/2

V

P

– 0.5 V

I

OH

= 500

A

I

OL

= 500

A

AV

DD

V

P

6.0 V

–2–

第0版

ADF4216/ADF4217/ADF4218

参数

电源供应器（续）

I

DD

（ RF + IF ）

6

ADF4216

ADF4217

ADF4218

I

DD

（ RF只）

ADF4216

ADF4217

ADF4218

I

DD

（如果只有）

ADF4216

ADF4217

ADF4218

I

P

(I

P

1 + I

P

2)

低功耗休眠模式

噪声特性

相位噪声层

7

相位噪声性能

8

ADF4216 ， ADF4217 ， ADF4218 （ IF）的

9

ADF4216 （ RF ）： 900 MHz输出

10

ADF4217 （ RF ）： 900 MHz输出

10

ADF4218 （ RF ）： 900 MHz输出

10

ADF4216 （ RF ）： 836 MHz输出

11

ADF4217 （ RF ）： 1750 MHz输出

12

ADF4217 （ RF ）： 1750 MHz输出

13

ADF4218 （ RF ）：1960 MHz输出

14

杂散信号

ADF4216 ADF4217 ， ADF4218 （ IF）的

9

ADF4216 （ RF ）： 900 MHz输出

10

ADF4217 （ RF ）： 900 MHz输出

10

ADF4218 （ RF ）： 900 MHz输出

10

ADF4216 （ RF ）： 836 MHz输出

11

ADF4217 （ RF ）： 1750 MHz输出

12

ADF4217 （ RF ）： 1750 MHz输出

13

ADF4218 （ RF ）：1960 MHz输出

14

B版本

B芯片

2

单位

测试条件/评论

见TPC 22和23 TPC

9.0毫安典型的V

DD

= 3 V和T

A

= 25°C

12毫安典型的V

DD

= 3 V和T

A

= 25°C

14毫安典型的V

DD

= 3 V和T

A

= 25°C

5.0毫安典型的V

DD

= 3 V和T

A

= 25°C

7.0毫安典型的V

DD

= 3 V和T

A

= 25°C

9.0毫安典型的V

DD

= 3 V和T

A

= 25°C

4.5毫安典型的V

DD

= 3 V和T

A

= 25°C

4.5毫安典型的V

DD

= 3 V和T

A

= 25°C

4.5毫安典型的V

DD

= 3 V和T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

0.5

A

典型

@ 25 kHz的PFD频率

@ 200kHz的PFD频率

@ VCO输出

@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率

@ 300 Hz的偏移和30kHz的PFD频率

@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率

@ 200 Hz的偏移和10kHz的PFD频率

@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率

@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率

@ 30千赫/ 60 kHz到30 kHz PFD频率

@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率

@ 10千赫/ 20 kHz和10 kHz的PFD频率

@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率

18

21

25

10

14

18

9

0.6

5

–171

–164

–91

–87

–88

–90

–78

–85

–66

–84

–97/–106

–98/–106

–91/–100

–80/–84

–88/–90

–65/–73

–80/–84

9

12

14

5

7

9

4.5

0.6

5

–171

–164

–91

–87

–88

–90

–78

–85

–66

–84

–97/–106

–98/–106

–91/–100

–80/–84

–88/–90

–65/–73

–80/–84

最大mA

A

最大

dBc的/赫兹（典型值）

dB典型值

笔记

1

工作温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。

2

在B芯片特定网络阳离子给出的典型值。

3

这是CMOS计数器的最高工作频率。的分频器值的选择应确保该IF / RF输入被分频为频率为

超过此值以下。

4

V

DD

1 = V

DD

2 = 3 V ;对于V

DD

1 = V

DD

2 = 5 V ，采用CMOS兼容电平。

5

通过设计保证。样品测试，以确保合规性。

6

P = 16 ; RF

IN

= 900 MHz的; IF

IN

= 540兆赫。

7

该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出中减去上20 logN （N为N分频器值）。

8

相位噪声测量与EVAL- ADF421XEB1评估板和HP8562E频谱分析仪。频谱分析仪提供了REFIN为

合成器（F

REFOUT

= 10 MHz的@ 0 dBm的）。

9

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F

IF

= 540 MHz的; N = 2700 ;环路B / W = 20千赫。

10

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F

RF

= 900 MHz的; N = 4500 ;环路B / W = 20千赫。

11

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 30千赫;偏移频率= 300赫兹; F

RF

= 836 MHz的; N = 27867 ;环路B / W = 3千赫。

12

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F

RF

= 1750 MHz的; N = 8750 ;环路B / W = 20千赫。

13

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 10千赫;偏移频率= 200赫兹; F

RF

= 1750 MHz的; N = 175000 ;环的B / W = 1千赫。

14

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F

RF

= 1960 MHz的; N = 9800 ;环路B / W = 20千赫。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

第0版

–3–

ADF4216/ADF4217/ADF4218

时序特性

参数

t

1

t

2

t

3

t

4

t

5

t

6

在极限

T

民

给T

最大

（B版）

10

25

10

20

(V

DD

1 = V

DD

2 = 3 V 10%, 5 V 10%; V

P

1, V

P

2 = V

DD

, 5 V

T

A

= T

民

给T

最大

除非另有说明）。

10％ ; AGND = DGND = 0 V ;

单位

ns（最小值）

测试条件/评论

数据时钟的建立时间

数据时钟保持时间

时钟高时间

时钟低电平持续时间

时钟到LE建立时间

LE脉宽

笔记

通过设计保证，但未经生产测试。

改变特定网络阳离子恕不另行通知。

t

3

时钟

t

4

t

1

数据

DB21 （MSB）

DB20

t

2

DB2

DB1

（控制位C2 ）

DB0 （ LSB ）

（控制位C1 ）

t

6

LE

t

5

图1.时序图

绝对最大额定值

1, 2

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

V

DD

1至GND

3

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

V

DD

1至V

DD

2 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+0.3 V

V

P

1, V

P

2至GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

V

P

1, V

P

2至V

DD

1 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+5.5 V

数字I / O电压为GND 。。。。。。 -0.3 V到DV

DD

+ 0.3 V

模拟量I / O电压为GND 。。。。。。。。。 0.3 V到V

P

+ 0.3 V

REF

IN

中，Rf

IN

A， RF

IN

B,

IF

IN

A， IF

IN

B至GND 。。。。。。。。。。。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

工作温度范围

工业（B版）。。。。。。。。。。。。。。。。 -40∞C至+ 85∞C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。 -65∞C至+ 150∞C

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。 150℃

TSSOP

θ

JA

热阻抗。。。。。。。。。。。。。 150.4∞C / W

焊接温度，焊接

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 220℃

笔记

1

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

2

这个装置是用的ESD额定值的高性能射频集成电路

< 2千伏，它是ESD敏感。适当的预防措施应采取的处理

和组装。

3

GND = AGND = DGND = 0V。

晶体管数量

11749 （CMOS）和522 （双极）。

订购指南

模型

ADF4216BRU

ADF4217BRU

ADF4218BRU

温度范围

-40 ° C至+ 85°C

包装说明

超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）

封装选项*

RU-20

*联系方式

该工厂的芯片的可用性。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然

该ADF4216 / ADF4217 / ADF4218具有专用ESD保护电路，永久

破坏可能发生在经受高能量静电放电设备。因此，适当的

ESD预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

–4–

第0版

ADF4216/ADF4217/ADF4218

引脚功能描述

引脚编号引脚

1

V

DD

1

功能

正电源的RF部分。去耦电容到模拟地平面应

放置在尽可能靠近此引脚。 V

DD

1应介于2.7 V和5.5 V V值

DD

1必须

具有相同的电势为V

DD

2.

电源为RF电荷泵。这应该是大于或等于V

DD

.

输出从RF电荷泵。如果启用此规定

±

I

CP

到外部环路滤波器，其在

又驱动外部VCO 。

接地引脚的RF数字电路。

输入到RF预分频器。这个低电平输入信号通常是交流耦合至所述外部VCO 。

互补输入到RF预分频器。这点应该去耦至地平面以小

旁路电容，通常为100 pF的。

接地引脚的RF模拟电路。

参考输入。这是一个CMOS输入用作为V的标称阈值

DD

/ 2和等效输入电阻

tance 100千欧的。该输入可以被驱动从一个TTL或CMOS晶体振荡器，或者它可以是交流耦合的。

接地引脚为数字IF （接口和控制电路）。

该多路输出允许使用的IF / RF锁定检测，在缩放RF或缩放参考频

在外部访问的昆西。见表五。

串行时钟输入。此串行时钟用于时钟的串行数据到寄存器。该数据被锁存

成22位的移位寄存器，在CLK的上升沿。这个输入是高阻抗CMOS输入。

串行数据输入。串行数据被加载的MSB音响首先用两个LSB被控制位。该输入是

高阻抗CMOS输入。

负荷启用， CMOS输入。当LE变为高电平时，存储在移位寄存器中的数据被加载到一个

四个锁存器，使用控制比特被选择的锁存器。

接地引脚为中频模拟电路。

互补输入到IF预分频器。这点应该去耦至地平面以小

旁路电容，通常为100 pF的。

输入到IF预分频器。这个低电平输入信号通常是交流耦合至所述外部VCO 。

接地引脚的中频数字，接口和控制电路。

输出从IF电荷泵。如果启用此规定

±

I

CP

外部环路滤波器，这又是

驱动外部VCO 。

电源为IF电荷泵。这应该是大于或等于V

DD

.

正电源为IF ，接口，和振荡器部分。去耦电容的模拟

地平面应放置在尽可能靠近此引脚。 V

DD

2应具有2.7 V的值

和5.5 V V

DD

2必须具有相同的电势为V

DD

1.

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

V

P

1

CP

RF

DGND

RF

IN

A

RF

IN

B

AGND

RF

REF

IN

DGND

IF

MUXOUT

CLK

数据

LE

AGND

IF

IN

B

IF

IN

A

DGND

IF

CP

IF

V

P

2

V

DD

2

引脚配置

V

DD

1

V

P

1

2

CP

RF

3

20

V

DD

2

19

V

P

2

18

CP

IF

DGND

RF 4

RF

IN

A

5

RF

IN

B

6

AGND

RF 7

REF

在8

DGND

IF

9

TSSOP

17

DGND

IF

16

IF

IN

A

15

ADF4216/

ADF4217/

ADF4218

IF

IN

B

14

AGND

IF

13

LE

12

数据

11

CLK

MUXOUT

10

第0版

–5–

a

特点

ADF4216 ： 550兆赫/ 1.2 GHz的

ADF4217 ： 550兆赫/ 2.0 GHz的

ADF4218 ： 550兆赫/ 2.5 GHz的

2.7 V至5.5 V电源供电

可选的电荷泵电流

可选双模预分频器

IF ： 8/9或16/17

RF ： 32/33或64/65

3线串行接口

掉电模式

双射频锁相环频率合成器

ADF4216/ADF4217/ADF4218

概述

应用

无线手机（ GSM ， PCS ， DCS ， CDMA ， WCDMA ）

基地台的无线电台（GSM， PCS ，DCS，

CDMA，WCDMA ）

无线局域网

通信测试设备

有线电视设备

该ADF4216 / ADF4217 / ADF4218是双频synthe-

大小测定器，可用于实现本地振荡器（LO ）的

无线的上变频和下变频部分

接收机和发射机。它们可以提供本振为

在RF和IF部分。它们由一个低噪声数字PFD的

（相位频率检测器），精密电荷泵，一个亲

可编程参考分频器，可编程A和B计数器，

和一个双模前置分频器（P / P + 1）。在A（ 6位）和B

（11位）计数器，在结合双模预分频器

（P / P + 1 ），实现N分频器（N = BP + A）。此外，

14位参考分频器（R计数器）允许选择

REFIN频率在PFD输入端。一个完整的PLL（相位

锁定环）可以被实现，如果合成是

与外部环路滤波器和压控振荡器（电压的转换使用

受控振荡器）。

所有片内寄存器均通过简单的3线接口。

该器件具有从2.7 V的电源电压

至5.5 V和可以关断不使用的时候。

功能框图

V

DD

1

V

DD

2

V

P

1

V

P

2

N = BP + A

11位IF

B- COUNTER

IF

IN

A

IF

IN

B

IF

预分频器

6位中频

A- COUNTER

ADF4216/ADF4217/ADF4218

相

比较

收费

泵

IF

LOCK

检测

CP

IF

REF

IN

振荡器

14位IF

R- COUNTER

产量

MUX

22-BIT

数据

注册

SDOUT

MUXOUT

时钟

数据

LE

14位IF

R- COUNTER

N = BP + A

11位射频

B- COUNTER

RF

IN

A

RF

IN

B

RF

预分频器

6位射频

A- COUNTER

RF

LOCK

检测

收费

泵

相

比较

CP

RF

DGND

RF

AGND

RF

DGND

IF

DGND

IF

AGND

IF

第0版

信息ADI公司提供的被认为是准确和

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ADI公司， 2000

(V 1 = V 2 =

ADF4216/ADF4217/ADF4218–SPECIFICATIONS

另有说明。） 3伏

V 1，V 2 V 1，V 2 6.0伏; AGND = DGND = AGND = DGND = 0 V ; T =到T ，除非

DD

P

RF

IF

A

民

最大

1

10%, 5 V

10%;

P

ARAMETER

RF / IF特性（ 3 V ）

RF输入频率（ RF

IN

)

ADF4216

ADF4217

ADF4218

IF输入频率（ IF

IN

)

RF输入灵敏度

IF输入灵敏度

最大允许

预分频器输出频率

3

RF / IF特性（ 5 V ）

RF输入频率（ RF

IN

)

ADF4216

ADF4217

ADF4218

IF输入频率（ IF

IN

)

RF输入灵敏度

IF输入灵敏度

最大允许

预分频器输出频率

3

REFIN特性

REFIN输入频率

REFIN输入灵敏度

4

REFIN输入电容

REFIN输入电流

相位检测器

鉴相器频率

5

电荷泵

I

CP

吸入/源

高价值

低价值

绝对精度

I

CP

三态泄漏电流

漏极和源极电流匹配

I

CP

与V

CP

I

CP

与温度的关系

逻辑输入

V

INH

，输入高电压

V

INL

，输入低电压

I

INH

/I

INL

，输入电流

C

IN

，输入电容

振荡器输入电流

逻辑输出

V

OH

，输出电压高

V

OL

，输出低电压

电源

V

DD

1

V

DD

2

V

P

B版本

B芯片

2

单位

测试条件/评论

参见图3为输入电路。

对于较低频率的操作（下面将

起码说明）使用的方波来源。

0.2/1.2

0.2/2.0

0.5/2.5

45/550

–15/+4

–10/+4

165

0.2/1.2

0.2/2.0

0.5/2.5

45/550

–15/+4

–10/+4

165

GHz的最小/最大

MHz的最小/最大

dBm的最小/最大

兆赫最大

0.2/1.2

0.2/2.0

0.5/2.5

25/550

–15/+4

–10/+4

200

5/40

0.5

10

±

100

40

0.2/1.2

0.2/2.0

0.5/2.5

25/550

–15/+4

–10/+4

200

5/40

0.5

10

±

100

40

GHz的最小/最大

MHz的最小/最大

dBm的最小/最大

兆赫最大

MHz的最小/最大

V P-P分

pF的最大

A

最大

兆赫最大

参见图3为输入电路。

对于较低频率的操作（下面将

起码说明）使用的方波来源。

对于f < 5兆赫，采用直流耦合方波

（ 0至V

DD

).

交流耦合。当直流耦合：

0到V

DD

MAX（ CMOS兼容）

4.5

1.125

1

10

0.8

×

V

DD

0.2

×

V

DD

±

1

10

±

100

V

DD

– 0.4

0.4

2.7/5.5

V

DD

1

V

DD

1/6.0

4.5

1.125

1

10

0.8

×

V

DD

0.2

×

V

DD

±

1

10

±

100

V

DD

– 0.4

0.4

2.7/5.5

V

DD

1

V

DD

1/6.0

毫安（典型值）

％（典型值）

nA的典型值

％（典型值）

％最大

％（典型值）

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

A

最大

V分钟

V最大

V MIN / V最大

0.5 V V

CP

V

CP

= V

P

/2

V

P

– 0.5 V

I

OH

= 500

A

I

OL

= 500

A

AV

DD

V

P

6.0 V

–2–

第0版

ADF4216/ADF4217/ADF4218

参数

电源供应器（续）

I

DD

（ RF + IF ）

6

ADF4216

ADF4217

ADF4218

I

DD

（ RF只）

ADF4216

ADF4217

ADF4218

I

DD

（如果只有）

ADF4216

ADF4217

ADF4218

I

P

(I

P

1 + I

P

2)

低功耗休眠模式

噪声特性

相位噪声层

7

相位噪声性能

8

ADF4216 ， ADF4217 ， ADF4218 （ IF）的

9

ADF4216 （ RF ）： 900 MHz输出

10

ADF4217 （ RF ）： 900 MHz输出

10

ADF4218 （ RF ）： 900 MHz输出

10

ADF4216 （ RF ）： 836 MHz输出

11

ADF4217 （ RF ）： 1750 MHz输出

12

ADF4217 （ RF ）： 1750 MHz输出

13

ADF4218 （ RF ）：1960 MHz输出

14

杂散信号

ADF4216 ADF4217 ， ADF4218 （ IF）的

9

ADF4216 （ RF ）： 900 MHz输出

10

ADF4217 （ RF ）： 900 MHz输出

10

ADF4218 （ RF ）： 900 MHz输出

10

ADF4216 （ RF ）： 836 MHz输出

11

ADF4217 （ RF ）： 1750 MHz输出

12

ADF4217 （ RF ）： 1750 MHz输出

13

ADF4218 （ RF ）：1960 MHz输出

14

B版本

B芯片

2

单位

测试条件/评论

见TPC 22和23 TPC

9.0毫安典型的V

DD

= 3 V和T

A

= 25°C

12毫安典型的V

DD

= 3 V和T

A

= 25°C

14毫安典型的V

DD

= 3 V和T

A

= 25°C

5.0毫安典型的V

DD

= 3 V和T

A

= 25°C

7.0毫安典型的V

DD

= 3 V和T

A

= 25°C

9.0毫安典型的V

DD

= 3 V和T

A

= 25°C

4.5毫安典型的V

DD

= 3 V和T

A

= 25°C

4.5毫安典型的V

DD

= 3 V和T

A

= 25°C

4.5毫安典型的V

DD

= 3 V和T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

0.5

A

典型

@ 25 kHz的PFD频率

@ 200kHz的PFD频率

@ VCO输出

@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率

@ 300 Hz的偏移和30kHz的PFD频率

@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率

@ 200 Hz的偏移和10kHz的PFD频率

@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率

@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率

@ 30千赫/ 60 kHz到30 kHz PFD频率

@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率

@ 10千赫/ 20 kHz和10 kHz的PFD频率

@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率

18

21

25

10

14

18

9

0.6

5

–171

–164

–91

–87

–88

–90

–78

–85

–66

–84

–97/–106

–98/–106

–91/–100

–80/–84

–88/–90

–65/–73

–80/–84

9

12

14

5

7

9

4.5

0.6

5

–171

–164

–91

–87

–88

–90

–78

–85

–66

–84

–97/–106

–98/–106

–91/–100

–80/–84

–88/–90

–65/–73

–80/–84

最大mA

A

最大

dBc的/赫兹（典型值）

dB典型值

笔记

1

工作温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。

2

在B芯片特定网络阳离子给出的典型值。

3

这是CMOS计数器的最高工作频率。的分频器值的选择应确保该IF / RF输入被分频为频率为

超过此值以下。

4

V

DD

1 = V

DD

2 = 3 V ;对于V

DD

1 = V

DD

2 = 5 V ，采用CMOS兼容电平。

5

通过设计保证。样品测试，以确保合规性。

6

P = 16 ; RF

IN

= 900 MHz的; IF

IN

= 540兆赫。

7

该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出中减去上20 logN （N为N分频器值）。

8

相位噪声测量与EVAL- ADF421XEB1评估板和HP8562E频谱分析仪。频谱分析仪提供了REFIN为

合成器（F

REFOUT

= 10 MHz的@ 0 dBm的）。

9

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F

IF

= 540 MHz的; N = 2700 ;环路B / W = 20千赫。

10

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F

RF

= 900 MHz的; N = 4500 ;环路B / W = 20千赫。

11

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 30千赫;偏移频率= 300赫兹; F

RF

= 836 MHz的; N = 27867 ;环路B / W = 3千赫。

12

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F

RF

= 1750 MHz的; N = 8750 ;环路B / W = 20千赫。

13

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 10千赫;偏移频率= 200赫兹; F

RF

= 1750 MHz的; N = 175000 ;环的B / W = 1千赫。

14

f

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F

RF

= 1960 MHz的; N = 9800 ;环路B / W = 20千赫。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

第0版

–3–

ADF4216/ADF4217/ADF4218

时序特性

参数

t

1

t

2

t

3

t

4

t

5

t

6

在极限

T

民

给T

最大

（B版）

10

25

10

20

(V

DD

1 = V

DD

2 = 3 V 10%, 5 V 10%; V

P

1, V

P

2 = V

DD

, 5 V

T

A

= T

民

给T

最大

除非另有说明）。

10％ ; AGND = DGND = 0 V ;

单位

ns（最小值）

测试条件/评论

数据时钟的建立时间

数据时钟保持时间

时钟高时间

时钟低电平持续时间

时钟到LE建立时间

LE脉宽

笔记

通过设计保证，但未经生产测试。

改变特定网络阳离子恕不另行通知。

t

3

时钟

t

4

t

1

数据

DB21 （MSB）

DB20

t

2

DB2

DB1

（控制位C2 ）

DB0 （ LSB ）

（控制位C1 ）

t

6

LE

t

5

图1.时序图

绝对最大额定值

1, 2

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

V

DD

1至GND

3

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

V

DD

1至V

DD

2 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+0.3 V

V

P

1, V

P

2至GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

V

P

1, V

P

2至V

DD

1 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+5.5 V

数字I / O电压为GND 。。。。。。 -0.3 V到DV

DD

+ 0.3 V

模拟量I / O电压为GND 。。。。。。。。。 0.3 V到V

P

+ 0.3 V

REF

IN

中，Rf

IN

A， RF

IN

B,

IF

IN

A， IF

IN

B至GND 。。。。。。。。。。。 0.3 V到V

DD

+ 0.3 V

工作温度范围

工业（B版）。。。。。。。。。。。。。。。。 -40∞C至+ 85∞C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。 -65∞C至+ 150∞C

最高结温。。。。。。。。。。。。。。。。 150℃

TSSOP

θ

JA

热阻抗。。。。。。。。。。。。。 150.4∞C / W

焊接温度，焊接

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 220℃

笔记

1

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

2

这个装置是用的ESD额定值的高性能射频集成电路

< 2千伏，它是ESD敏感。适当的预防措施应采取的处理

和组装。

3

GND = AGND = DGND = 0V。

晶体管数量

11749 （CMOS）和522 （双极）。

订购指南

模型

ADF4216BRU

ADF4217BRU

ADF4218BRU

温度范围

-40 ° C至+ 85°C

包装说明

超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）

封装选项*

RU-20

*联系方式

该工厂的芯片的可用性。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然

该ADF4216 / ADF4217 / ADF4218具有专用ESD保护电路，永久

破坏可能发生在经受高能量静电放电设备。因此，适当的

ESD预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

–4–

第0版

ADF4216/ADF4217/ADF4218

引脚功能描述

引脚编号引脚

1

V

DD

1

功能

正电源的RF部分。去耦电容到模拟地平面应

放置在尽可能靠近此引脚。 V

DD

1应介于2.7 V和5.5 V V值

DD

1必须

具有相同的电势为V

DD

2.

电源为RF电荷泵。这应该是大于或等于V

DD

.

输出从RF电荷泵。如果启用此规定

±

I

CP

到外部环路滤波器，其在

又驱动外部VCO 。

接地引脚的RF数字电路。

输入到RF预分频器。这个低电平输入信号通常是交流耦合至所述外部VCO 。

互补输入到RF预分频器。这点应该去耦至地平面以小

旁路电容，通常为100 pF的。

接地引脚的RF模拟电路。

参考输入。这是一个CMOS输入用作为V的标称阈值

DD

/ 2和等效输入电阻

tance 100千欧的。该输入可以被驱动从一个TTL或CMOS晶体振荡器，或者它可以是交流耦合的。

接地引脚为数字IF （接口和控制电路）。

该多路输出允许使用的IF / RF锁定检测，在缩放RF或缩放参考频

在外部访问的昆西。见表五。

串行时钟输入。此串行时钟用于时钟的串行数据到寄存器。该数据被锁存

成22位的移位寄存器，在CLK的上升沿。这个输入是高阻抗CMOS输入。

串行数据输入。串行数据被加载的MSB音响首先用两个LSB被控制位。该输入是

高阻抗CMOS输入。

负荷启用， CMOS输入。当LE变为高电平时，存储在移位寄存器中的数据被加载到一个

四个锁存器，使用控制比特被选择的锁存器。

接地引脚为中频模拟电路。

互补输入到IF预分频器。这点应该去耦至地平面以小

旁路电容，通常为100 pF的。

输入到IF预分频器。这个低电平输入信号通常是交流耦合至所述外部VCO 。

接地引脚的中频数字，接口和控制电路。

输出从IF电荷泵。如果启用此规定

±

I

CP

外部环路滤波器，这又是

驱动外部VCO 。

电源为IF电荷泵。这应该是大于或等于V

DD

.

正电源为IF ，接口，和振荡器部分。去耦电容的模拟

地平面应放置在尽可能靠近此引脚。 V

DD

2应具有2.7 V的值

和5.5 V V

DD

2必须具有相同的电势为V

DD

1.

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

V

P

1

CP

RF

DGND

RF

IN

A

RF

IN

B

AGND

RF

REF

IN

DGND

IF

MUXOUT

CLK

数据

LE

AGND

IF

IN

B

IF

IN

A

DGND

IF

CP

IF

V

P

2

V

DD

2

引脚配置

V

DD

1

V

P

1

2

CP

RF

3

20

V

DD

2

19

V

P

2

18

CP

IF

DGND

RF 4

RF

IN

A

5

RF

IN

B

6

AGND

RF 7

REF

在8

DGND

IF

9

TSSOP

17

DGND

IF

16

IF

IN

A

15

ADF4216/

ADF4217/

ADF4218

IF

IN

B

14

AGND

IF

13

LE

12

数据

11

CLK

MUXOUT

10

第0版

–5–