a
特点
I
DD
其中， 7.5毫安
带宽RF / IF ， 2.4千兆赫/ 1.0 GHz的
2.7 V至3.3 V电源供电
单独的V
P
可扩展的调谐电压
可编程双模预分频器
RF和IF ： 8/9 ， 16/17 ， 32/33 ， 64/65
可编程电荷泵电流
3线串行接口
模拟和数字锁定检测
快速锁定模式
掉电模式
20引脚TSSOP和20引脚MLF芯片级封装
应用
无线手机（ GSM ， PCS ， DCS ， CDMA ， WCDMA ）
基地台的无线电台（GSM， PCS ，DCS，
CDMA，WCDMA ）
无线局域网
有线电视调谐器（ CATV ）
通信测试设备
双路低功耗锁相环
频率合成器
ADF4212L
概述
该ADF4212L是一个双频率合成器，可用于
实现本机振荡器（LO）中的上变频和
下变频部分的无线接收机和发射机的。
它可以提供本振两个RF和IF部分。它CON组
低噪声数字PFD （相位频率检测器）的存在，请一
精密电荷泵，可编程参考分频器，亲
可编程A和B计数器以及双模预分频器
（P / P + 1） 。在A（ 6位）和B （ 12位）计数器，中联
用双模数预分频器（P / P + 1） ，实现N
分频器（ N = BP + A） 。此外， 14位参考计数器
（R计数器）允许在PFD可选择REFIN频率
输入。一个完整的PLL（锁相环）方案需要
如果mented的合成器被用来与外部环路滤波器和
的VCO （压控振荡器） 。
所有片内寄存器均通过简单的三线式接口
与1.8 V的兼容性。该器件具有一个电源工作
电源范围为2.6 V至3.3 V ，可以断电
在不使用时。
功能框图
V
DD
1
V
DD
2
V
P
1
V
P
2
R
SET
ADF4212L
12位IF
B- COUNTER
IF
IN
IF
预分频器
6位中频
A- COUNTER
IF阶段
频率
探测器
参考
收费
泵
如果目前的
环境
IF
LOCK
检测
IFCP3 IFCP2 IFCP1
CP
IF
REF
IN
振荡器
14位IF
R- COUNTER
时钟
数据
LE
22-BIT
数据
SDOUT
注册
14位RF
R- COUNTER
RF
LOCK
检测
产量
MUX
MUXOUT
RFCP3 RFCP2 RFCP1
参考
12位RF
B- COUNTER
RF
IN
RF
预分频器
6位射频
A- COUNTER
RF阶段
频率
探测器
收费
泵
CP
RF
参考
R
SET
FL
O
开关
FL
O
DGND
RF
AGND
RF
DGND
IF
AGND
IF
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2002年
1 V 2=
ADF4212L–SPECIFICATIONS
1
（V dBm的= referred2.7 V50to 3.3 V ; V 1 ，V 2 = V
AGND = DGND = 0 V ; T =至T ，除非另有说明;
to
.)
DD
DD
P
P
IF
IF
A
民
最大
DD
至5.5 V ; AGND
RF
= DGND
RF
=
参数
RF / IF特性
RF输入频率（ RF
IN
)
RF输入灵敏度
IF输入频率（ IF
IN
)
IF输入灵敏度
最大允许
预分频器输出频率
3
REFIN特性
REFIN输入频率
REFIN输入灵敏度
REFIN输入电容
REFIN输入电流
相位检测器
鉴相器频率
4
电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
绝对精度
R
SET
范围
I
CP
三态泄漏电流
漏极和源极电流匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
INH
，输入高电压
V
INL
，输入低电压
I
INH
/I
INL
，输入电流
C
IN
，输入电容
逻辑输出
V
OH
，输出电压高
V
OL
，输出低电压
电源
V
DD
1
V
DD
2
V
P
1, V
P
2
I
DD5
（RF和IF）的
只有射频
但愿
I
P
(I
P
1 + I
P
2)
低功耗睡眠模式
B版本
0.2/2.4
–10/0
100/1000
–10/0
200
10/150
–5
10
±
100
75
B芯片
2
（典型值）
0.2/2.4
–10/0
100/1000
–10/0
200
10/150
–5
10
±
100
75
单位
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
MHz的最小/最大
dBm的最小/最大
兆赫最大
测试条件/评论
对于操作所有低于f
民
，使用方波
V
DD
= 3 V
V
DD
= 3 V
参见图2为输入电路。
MHz的最小/最大
dBm的分
pF的最大
A
最大
兆赫最大
可编程：见表五。
有R
SET
= 2.7 k
有R
SET
= 2.7 k
0.5 V < V
CP
＆ LT ; V
P
- 0.5 2 ％ （典型值）
0.5 V < V
CP
＆ LT ; V
P
– 0.5
V
CP
= V
P
/2
交流耦合。当直流耦合，
0到V
DD
MAX（ CMOS兼容）
5
625
2
1.5/5.6
1
6
2
2
1.4
0.6
±
1
10
1.4
0.4
2.7/3.3
V
DD
1
V
DD
1/5.5
10
6
4
0.6
1
5
625
2
1.5/5.6
1
6
2
2
1.4
0.6
±
1
10
1.4
0.4
2.7/3.3
V
DD
1
V
DD
1/5.5
10
6
4
0.6
1
毫安（典型值）
A
典型值
％ （典型值）
kΩ的最小/最大
nA的最大
％ （典型值）
％ （典型值）
％ （典型值）
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
V分钟
V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
最大mA
最大mA
最大mA
毫安（典型值）
A
典型值
漏极开路1 kΩ的上拉至1.8 V
I
OL
= 500
A
7.5毫安典型
5.0毫安典型
2.5毫安典型
笔记
1
工作温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
在B芯片特定网络阳离子给出的典型值。
3
这是CMOS计数器的最高工作频率。的分频器值的选择应确保在RF输入分频为频率
小于该值。
4
通过设计保证。样品测试，以确保合规性。
5
T
A
= 25°C 。 RF = 1千兆赫。预分频比= 32/33 。 IF = 500兆赫。预分频比= 16/17 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
ADF4212L
特定网络阳离子
参数
噪声特性
RF相位噪声楼
3
相位噪声性能
4
IF： 540 MHz输出
5
IF： 900 MHz输出
6
RF ： 900 MHz输出
6
RF ： 1750 MHz输出
7
RF ：2400 MHz输出
8
杂散信号
IF： 540 MHz输出
5
IF： 900 MHz输出
6
RF ： 900 MHz输出
6
RF ： 1750 MHz输出
7
RF ：2400 MHz输出
8
1
(V
DD
1 = V
DD
2 = 2.7 V至3.3 V ; V
P
1, V
P
2 = V
DD
至5.5 V ; AGND
RF
= DGND
RF
= AGND
IF
= DGND
IF
= 0 V;
T
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明; dBm的简称50
B版本
–170
–162
–89
–87
–89
–84
–87
–88/–90
–90/–94
–90/–94
–80/–82
–80/–82
B芯片
2
–170
–162
–89
–87
–89
–84
–87
–88/–90
–90/–94
–90/–94
–80/–82
–80/–82
单位
dBc的/赫兹（典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
.)
测试条件/评论
@ 25 kHz的PFD频率
@ 200kHz的PFD频率
@ VCO输出
@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率
见注9
见注9
见注9
@ 1 kHz偏置和1 MHz PFD频率
@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率
见注9
见注9
见注9
@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率
笔记
1
工作温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C
2
在B芯片特定网络阳离子给出的典型值。
3
该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出和相减20logN （其中N为N分频器
值）。见TPC 14 。
4
相位噪声测量与EVAL - ADF4210 / 12 / 13EB评估板和HP8562E频谱分析仪。频谱分析仪提供
在REFIN的合成。 （F
REFOUT
= 10 MHz的@ 0 dBm的）
5
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F
IF
= 540 MHz的; N = 2700 ;环路B / W = 20千赫
6
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 900 MHz的; N = 4500 ;环路B / W = 20千赫
7
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 1750 MHz的; N = 8750 ;环路B / W = 20千赫
8
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 1 MHz的;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 2400 MHz的; N = 9800 ;环路B / W = 20千赫
9
在前面的行所列条件相同。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
时序特性
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
在极限
T
民
给T
最大
（B版）
10
10
25
25
10
20
(V
DD
1 = V
DD
2 = 2.6 V至3.3 V ; V
P
1, V
P
2 = V
DD
至5.5 V ; AGND
RF
= DGND
RF
= AGND
IF
= DGND
IF
= 0 V;
T
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明; dBm的简称50 ）。
单位
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
测试条件/评论
数据到时钟建立时间
数据时钟保持时间
时钟高时间
时钟低电平持续时间
时钟到LE建立时间
LE脉宽
通过设计保证，但未经生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
t
3
时钟
t
4
t
1
数据
DB20 （MSB）
t
2
DB19
DB2
DB1
（控制位C2 ）
DB0 （ LSB ）
（控制位C1 ）
t
6
LE
t
5
LE
图1.时序图
第0版
–3–
ADF4212L
绝对最大额定值
1, 2, 3
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
V
DD
1至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至3.6 V
V
DD
1至V
DD
2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+0.3 V
V
P
1, V
P
2至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至3.6 V
V
P
1, V
P
2至V
DD
1, V
DD
2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至3.6 V
数字I / O电压为GND 。 。 。 。 。 。 -0.3 V到DV
DD
+ 0.3 V
模拟量I / O电压为GND 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
REFIN ， RFIN ， IFIN至GND 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
TSSOP
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150.4∞C / W
CSP
JA
热阻抗（桨焊接） 。 。 。 122 ° C / W
CSP
JA
热阻抗（桨无焊接） 216 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的业务部门所列出的任何其他条件
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。
2
这个装置是用的ESD额定值的高性能射频集成电路
<2千伏，并且它是ESD敏感。适当的预防措施应采取的处理和
装配。
3
GND = AGND = DGND = 0 V
订购指南
模型
ADF4212LBRU
ADF4212LBCP
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
封装选项*
RU-20
CP-20
* RU
=超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）
CP =芯片级封装
联系工厂进行芯片的可用性。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
在ADF4212L具有专用ESD保护电路，永久性损害可能发生
设备受到高能静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
引脚配置
TSSOP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
LFCSP
V
DD
1
V
P
2
CP
IF
DGND
IF
IF
IN
AGND
IF
R
SET
LE
数据
CLK
V
P
1
CP
RF
DGND
RF
RF
IN
AGND
RF
FL
O
REF
IN
DGND
IF
MUXOUT
CP
RF
DGND
RF
RF
IN
AGND
RF
FL
O
V
P
1
V
DD
1
V
DD
2
1
2
3
4
5
20 19 18 17 16
V
DD
2
V
P
2
CP
IF
15
14
13
DGND
IF
IF
IN
AGND
IF
R
SET
LE
ADF4212L
CHIP SCALE
包
6
7
8
9
10
ADF4212L
顶视图
（不按比例）
16
15
14
13
12
11
12
11
REF
IN
–4–
MUXOUT
CLK
数据
DGND
IF
第0版
ADF4212L
引脚功能说明
助记符
CP
RF
DGND
RF
RF
IN
AGND
RF
FL
O
REF
IN
DGND
IF
MUXOUT
CLK
数据
LE
R
SET
描述
RF电荷泵输出。当启用时，这提供
±
I
CP
到外部射频环路滤波器，其又驱动
外部RF VCO 。
数字地引脚的RF数字电路
输入到RF预分频器。这个小信号输入时，通常采用交流耦合的射频VCO 。
接地引脚的RF模拟电路
RF / IF或可编程参考分频器， RF / IF快速锁定模式的复用输出。 CMOS输出。
参考输入。这是一个CMOS输入用作为V的标称阈值
DD
/ 2和100kΩ的等效输入电阻。
参见图2 ，此输入可从TTL或CMOS晶体振荡器来驱动，或者它可以是交流耦合的。
数字地引脚的中频数字，接口和控制电路
该多路输出允许使用的IF / RF锁定检测，在缩放RF ， IF缩放或缩放参考频率
在外部访问。
串行时钟输入。此串行时钟用于时钟的串行数据到寄存器。该数据被锁存到
在CLK的上升沿的24位移位寄存器。这个输入是高阻抗CMOS输入。
串行数据输入。串行数据首先被载入MSB与两个最低有效位是控制位。该输入是一个高
阻抗CMOS输入。
负荷启用， CMOS输入。当LE变为高电平时，存储在移位寄存器中的数据被加载到4中的一个
锁存器，使用控制比特被选择的锁存器。
在此引脚与地之间的电阻设置最大RF和IF电荷泵的输出电流。该
标称电压电势在R
SET
引脚为0.66 V.我之间的关系
CP
和R
SET
is
I
CP MAX
=
13.5
R
SET
AGND
IF
IF
IN
CP
IF
V
P
2
V
DD
2
V
DD
1
V
P
1
所以，与
R
SET
= 2.7 k,
I
CP MAX
= 5毫安两者的RF和IF电荷泵。
接地引脚为中频模拟电路
输入到IF预分频器。这个小信号输入时，通常采用交流耦合的IF VCO 。
输出从IF电荷泵。这通常连接到驱动输入到外部VCO的环路滤波器。
电源为IF电荷泵。这应该是大于或等于V
DD
2.在系统中V
DD
图2是3伏，
它可以被设置为5.5 V，并用来驱动VCO，具有一个调谐范围高达5.5V。
电源为IF ，数字和接口部分。去耦电容到接地平面应置于
尽可能靠近此引脚。 V
DD
2应具有的2.6 V和3.3 V. V值
DD
2必须具有相同的
势为V
DD
1.
电源的RF部分。去耦电容到地平面应放在尽可能接近到
该引脚。 V
DD
1应具有的2.6 V和3.3 V. V值
DD
1必须具有相同的电势为V
DD
2.
电源为RF电荷泵。这应该是大于或等于V
DD
1.在系统，其中V
DD
图1是3伏，
它可以被设置为5.5 V，并用来驱动VCO，具有一个调谐范围高达5.5V。
第0版
–5–
a
特点
I
DD
其中， 7.5毫安
带宽RF / IF ， 2.4千兆赫/ 1.0 GHz的
2.7 V至3.3 V电源供电
单独的V
P
可扩展的调谐电压
可编程双模预分频器
RF和IF ： 8/9 ， 16/17 ， 32/33 ， 64/65
可编程电荷泵电流
3线串行接口
模拟和数字锁定检测
快速锁定模式
掉电模式
20引脚TSSOP和20引脚MLF芯片级封装
应用
无线手机（ GSM ， PCS ， DCS ， CDMA ， WCDMA ）
基地台的无线电台（GSM， PCS ，DCS，
CDMA，WCDMA ）
无线局域网
有线电视调谐器（ CATV ）
通信测试设备
双路低功耗锁相环
频率合成器
ADF4212L
概述
该ADF4212L是一个双频率合成器，可用于
实现本机振荡器（LO）中的上变频和
下变频部分的无线接收机和发射机的。
它可以提供本振两个RF和IF部分。它CON组
低噪声数字PFD （相位频率检测器）的存在，请一
精密电荷泵，可编程参考分频器，亲
可编程A和B计数器以及双模预分频器
（P / P + 1） 。在A（ 6位）和B （ 12位）计数器，中联
用双模数预分频器（P / P + 1） ，实现N
分频器（ N = BP + A） 。此外， 14位参考计数器
（R计数器）允许在PFD可选择REFIN频率
输入。一个完整的PLL（锁相环）方案需要
如果mented的合成器被用来与外部环路滤波器和
的VCO （压控振荡器） 。
所有片内寄存器均通过简单的三线式接口
与1.8 V的兼容性。该器件具有一个电源工作
电源范围为2.6 V至3.3 V ，可以断电
在不使用时。
功能框图
V
DD
1
V
DD
2
V
P
1
V
P
2
R
SET
ADF4212L
12位IF
B- COUNTER
IF
IN
IF
预分频器
6位中频
A- COUNTER
IF阶段
频率
探测器
参考
收费
泵
如果目前的
环境
IF
LOCK
检测
IFCP3 IFCP2 IFCP1
CP
IF
REF
IN
振荡器
14位IF
R- COUNTER
时钟
数据
LE
22-BIT
数据
SDOUT
注册
14位RF
R- COUNTER
RF
LOCK
检测
产量
MUX
MUXOUT
RFCP3 RFCP2 RFCP1
参考
12位RF
B- COUNTER
RF
IN
RF
预分频器
6位射频
A- COUNTER
RF阶段
频率
探测器
收费
泵
CP
RF
参考
R
SET
FL
O
开关
FL
O
DGND
RF
AGND
RF
DGND
IF
AGND
IF
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2002年
1 V 2=
ADF4212L–SPECIFICATIONS
1
（V dBm的= referred2.7 V50to 3.3 V ; V 1 ，V 2 = V
AGND = DGND = 0 V ; T =至T ，除非另有说明;
to
.)
DD
DD
P
P
IF
IF
A
民
最大
DD
至5.5 V ; AGND
RF
= DGND
RF
=
参数
RF / IF特性
RF输入频率（ RF
IN
)
RF输入灵敏度
IF输入频率（ IF
IN
)
IF输入灵敏度
最大允许
预分频器输出频率
3
REFIN特性
REFIN输入频率
REFIN输入灵敏度
REFIN输入电容
REFIN输入电流
相位检测器
鉴相器频率
4
电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
绝对精度
R
SET
范围
I
CP
三态泄漏电流
漏极和源极电流匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
INH
，输入高电压
V
INL
，输入低电压
I
INH
/I
INL
，输入电流
C
IN
，输入电容
逻辑输出
V
OH
，输出电压高
V
OL
，输出低电压
电源
V
DD
1
V
DD
2
V
P
1, V
P
2
I
DD5
（RF和IF）的
只有射频
但愿
I
P
(I
P
1 + I
P
2)
低功耗睡眠模式
B版本
0.2/2.4
–10/0
100/1000
–10/0
200
10/150
–5
10
±
100
75
B芯片
2
（典型值）
0.2/2.4
–10/0
100/1000
–10/0
200
10/150
–5
10
±
100
75
单位
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
MHz的最小/最大
dBm的最小/最大
兆赫最大
测试条件/评论
对于操作所有低于f
民
，使用方波
V
DD
= 3 V
V
DD
= 3 V
参见图2为输入电路。
MHz的最小/最大
dBm的分
pF的最大
A
最大
兆赫最大
可编程：见表五。
有R
SET
= 2.7 k
有R
SET
= 2.7 k
0.5 V < V
CP
＆ LT ; V
P
- 0.5 2 ％ （典型值）
0.5 V < V
CP
＆ LT ; V
P
– 0.5
V
CP
= V
P
/2
交流耦合。当直流耦合，
0到V
DD
MAX（ CMOS兼容）
5
625
2
1.5/5.6
1
6
2
2
1.4
0.6
±
1
10
1.4
0.4
2.7/3.3
V
DD
1
V
DD
1/5.5
10
6
4
0.6
1
5
625
2
1.5/5.6
1
6
2
2
1.4
0.6
±
1
10
1.4
0.4
2.7/3.3
V
DD
1
V
DD
1/5.5
10
6
4
0.6
1
毫安（典型值）
A
典型值
％ （典型值）
kΩ的最小/最大
nA的最大
％ （典型值）
％ （典型值）
％ （典型值）
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
V分钟
V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
最大mA
最大mA
最大mA
毫安（典型值）
A
典型值
漏极开路1 kΩ的上拉至1.8 V
I
OL
= 500
A
7.5毫安典型
5.0毫安典型
2.5毫安典型
笔记
1
工作温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
在B芯片特定网络阳离子给出的典型值。
3
这是CMOS计数器的最高工作频率。的分频器值的选择应确保在RF输入分频为频率
小于该值。
4
通过设计保证。样品测试，以确保合规性。
5
T
A
= 25°C 。 RF = 1千兆赫。预分频比= 32/33 。 IF = 500兆赫。预分频比= 16/17 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
ADF4212L
特定网络阳离子
参数
噪声特性
RF相位噪声楼
3
相位噪声性能
4
IF： 540 MHz输出
5
IF： 900 MHz输出
6
RF ： 900 MHz输出
6
RF ： 1750 MHz输出
7
RF ：2400 MHz输出
8
杂散信号
IF： 540 MHz输出
5
IF： 900 MHz输出
6
RF ： 900 MHz输出
6
RF ： 1750 MHz输出
7
RF ：2400 MHz输出
8
1
(V
DD
1 = V
DD
2 = 2.7 V至3.3 V ; V
P
1, V
P
2 = V
DD
至5.5 V ; AGND
RF
= DGND
RF
= AGND
IF
= DGND
IF
= 0 V;
T
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明; dBm的简称50
B版本
–170
–162
–89
–87
–89
–84
–87
–88/–90
–90/–94
–90/–94
–80/–82
–80/–82
B芯片
2
–170
–162
–89
–87
–89
–84
–87
–88/–90
–90/–94
–90/–94
–80/–82
–80/–82
单位
dBc的/赫兹（典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
dBc的/赫兹（典型值）
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
dB典型值
.)
测试条件/评论
@ 25 kHz的PFD频率
@ 200kHz的PFD频率
@ VCO输出
@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率
见注9
见注9
见注9
@ 1 kHz偏置和1 MHz PFD频率
@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率
见注9
见注9
见注9
@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率
笔记
1
工作温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C
2
在B芯片特定网络阳离子给出的典型值。
3
该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出和相减20logN （其中N为N分频器
值）。见TPC 14 。
4
相位噪声测量与EVAL - ADF4210 / 12 / 13EB评估板和HP8562E频谱分析仪。频谱分析仪提供
在REFIN的合成。 （F
REFOUT
= 10 MHz的@ 0 dBm的）
5
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F
IF
= 540 MHz的; N = 2700 ;环路B / W = 20千赫
6
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 900 MHz的; N = 4500 ;环路B / W = 20千赫
7
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 1750 MHz的; N = 8750 ;环路B / W = 20千赫
8
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 1 MHz的;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 2400 MHz的; N = 9800 ;环路B / W = 20千赫
9
在前面的行所列条件相同。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
时序特性
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
在极限
T
民
给T
最大
（B版）
10
10
25
25
10
20
(V
DD
1 = V
DD
2 = 2.6 V至3.3 V ; V
P
1, V
P
2 = V
DD
至5.5 V ; AGND
RF
= DGND
RF
= AGND
IF
= DGND
IF
= 0 V;
T
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明; dBm的简称50 ）。
单位
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
测试条件/评论
数据到时钟建立时间
数据时钟保持时间
时钟高时间
时钟低电平持续时间
时钟到LE建立时间
LE脉宽
通过设计保证，但未经生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
t
3
时钟
t
4
t
1
数据
DB20 （MSB）
t
2
DB19
DB2
DB1
（控制位C2 ）
DB0 （ LSB ）
（控制位C1 ）
t
6
LE
t
5
LE
图1.时序图
第0版
–3–
ADF4212L
绝对最大额定值
1, 2, 3
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
V
DD
1至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至3.6 V
V
DD
1至V
DD
2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+0.3 V
V
P
1, V
P
2至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至3.6 V
V
P
1, V
P
2至V
DD
1, V
DD
2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至3.6 V
数字I / O电压为GND 。 。 。 。 。 。 -0.3 V到DV
DD
+ 0.3 V
模拟量I / O电压为GND 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
REFIN ， RFIN ， IFIN至GND 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
TSSOP
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150.4∞C / W
CSP
JA
热阻抗（桨焊接） 。 。 。 122 ° C / W
CSP
JA
热阻抗（桨无焊接） 216 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的业务部门所列出的任何其他条件
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。
2
这个装置是用的ESD额定值的高性能射频集成电路
<2千伏，并且它是ESD敏感。适当的预防措施应采取的处理和
装配。
3
GND = AGND = DGND = 0 V
订购指南
模型
ADF4212LBRU
ADF4212LBCP
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
封装选项*
RU-20
CP-20
* RU
=超薄紧缩小型封装（ TSSOP ）
CP =芯片级封装
联系工厂进行芯片的可用性。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
在ADF4212L具有专用ESD保护电路，永久性损害可能发生
设备受到高能静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
引脚配置
TSSOP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
LFCSP
V
DD
1
V
P
2
CP
IF
DGND
IF
IF
IN
AGND
IF
R
SET
LE
数据
CLK
V
P
1
CP
RF
DGND
RF
RF
IN
AGND
RF
FL
O
REF
IN
DGND
IF
MUXOUT
CP
RF
DGND
RF
RF
IN
AGND
RF
FL
O
V
P
1
V
DD
1
V
DD
2
1
2
3
4
5
20 19 18 17 16
V
DD
2
V
P
2
CP
IF
15
14
13
DGND
IF
IF
IN
AGND
IF
R
SET
LE
ADF4212L
CHIP SCALE
包
6
7
8
9
10
ADF4212L
顶视图
（不按比例）
16
15
14
13
12
11
12
11
REF
IN
–4–
MUXOUT
CLK
数据
DGND
IF
第0版
ADF4212L
引脚功能说明
助记符
CP
RF
DGND
RF
RF
IN
AGND
RF
FL
O
REF
IN
DGND
IF
MUXOUT
CLK
数据
LE
R
SET
描述
RF电荷泵输出。当启用时，这提供
±
I
CP
到外部射频环路滤波器，其又驱动
外部RF VCO 。
数字地引脚的RF数字电路
输入到RF预分频器。这个小信号输入时，通常采用交流耦合的射频VCO 。
接地引脚的RF模拟电路
RF / IF或可编程参考分频器， RF / IF快速锁定模式的复用输出。 CMOS输出。
参考输入。这是一个CMOS输入用作为V的标称阈值
DD
/ 2和100kΩ的等效输入电阻。
参见图2 ，此输入可从TTL或CMOS晶体振荡器来驱动，或者它可以是交流耦合的。
数字地引脚的中频数字，接口和控制电路
该多路输出允许使用的IF / RF锁定检测，在缩放RF ， IF缩放或缩放参考频率
在外部访问。
串行时钟输入。此串行时钟用于时钟的串行数据到寄存器。该数据被锁存到
在CLK的上升沿的24位移位寄存器。这个输入是高阻抗CMOS输入。
串行数据输入。串行数据首先被载入MSB与两个最低有效位是控制位。该输入是一个高
阻抗CMOS输入。
负荷启用， CMOS输入。当LE变为高电平时，存储在移位寄存器中的数据被加载到4中的一个
锁存器，使用控制比特被选择的锁存器。
在此引脚与地之间的电阻设置最大RF和IF电荷泵的输出电流。该
标称电压电势在R
SET
引脚为0.66 V.我之间的关系
CP
和R
SET
is
I
CP MAX
=
13.5
R
SET
AGND
IF
IF
IN
CP
IF
V
P
2
V
DD
2
V
DD
1
V
P
1
所以，与
R
SET
= 2.7 k,
I
CP MAX
= 5毫安两者的RF和IF电荷泵。
接地引脚为中频模拟电路
输入到IF预分频器。这个小信号输入时，通常采用交流耦合的IF VCO 。
输出从IF电荷泵。这通常连接到驱动输入到外部VCO的环路滤波器。
电源为IF电荷泵。这应该是大于或等于V
DD
2.在系统中V
DD
图2是3伏，
它可以被设置为5.5 V，并用来驱动VCO，具有一个调谐范围高达5.5V。
电源为IF ，数字和接口部分。去耦电容到接地平面应置于
尽可能靠近此引脚。 V
DD
2应具有的2.6 V和3.3 V. V值
DD
2必须具有相同的
势为V
DD
1.
电源的RF部分。去耦电容到地平面应放在尽可能接近到
该引脚。 V
DD
1应具有的2.6 V和3.3 V. V值
DD
1必须具有相同的电势为V
DD
2.
电源为RF电荷泵。这应该是大于或等于V
DD
1.在系统，其中V
DD
图1是3伏，
它可以被设置为5.5 V，并用来驱动VCO，具有一个调谐范围高达5.5V。
第0版
–5–
QQ：2881677436 复制
