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a
双射频锁相环频率合成器
ADF4206/ADF4207/ADF4208
概述
特点
ADF4206 : 550兆赫/ 550兆赫
ADF4207 : 1.1千兆赫/ 1.1 GHz的
ADF4208 : 2.0千兆赫/ 1.1 GHz的
2.7 V至5.5 V电源供电
可选的电荷泵电源(VP )可扩展
调谐电压3 V系统
可选的电荷泵电流
片上振荡器电路
可选双模预分频器
RF2 : 32/33或64/65
RF1 : 32/33或64/65
3线串行接口
掉电模式
该ADF4206系列双频率合成器可以
用于实现在上变频的本地振荡器和
无线接收机和发射机的下变频部分。
每个合成器由低噪声数字PFD (一期
频率检测器) ,精密电荷泵,可编程
参考分频器,可编程A和B计数器以及一个双
预置分频器(P / P + 1) 。在A( 6位)和B ( 11位)
计数器,在与双模预分频器结合(P / P + 1) ,
实现N分频器(N = BP + A) 。另外, 14位
参考计数器(R计数器) ,允许可选择REFIN frequen-
资本投资者入境计划在PFD输入端。片上振荡器电路允许
的参考输入是来自于晶体振荡器。
一个完整的PLL(锁相环) ,如果能实现
所述合成器被用于与外部环路滤波器和压控振荡器
(压控振荡器) 。
应用
无线手机( GSM , PCS , DCS , CDMA , WCDMA )
基地台的无线电台(GSM, PCS ,DCS,
所有片内寄存器均通过简单的3线接口。
CDMA,WCDMA )
该器件具有从2.7 V的电源电压
无线局域网
至5.5 V和可以关断不使用的时候。
通信测试设备
有线电视设备
功能框图
V
DD
1
V
DD
2
V
P
1
V
P
2
N = BP + A
11位RF2
B- COUNTER
RF2
IN
A
RF2
IN
B
RF2
预分频器
6位RF2
A- COUNTER
ADF4206/ADF4207/ADF4208
比较
收费
RF2
LOCK
检测
CP
RF2
OSC
IN
OSC
OUT
振荡器
14位RF2
R- COUNTER
产量
MUX
SDOUT
14位RF1
R- COUNTER
RF1
LOCK
检测
MUXOUT
时钟
数据
LE
22-BIT
数据
注册
N = BP + A
11位的RF1
B- COUNTER
RF1
IN
A
RF1
IN
B
RF1
预分频器
6位RF1
A- COUNTER
比较
收费
CP
RF1
第0版
DGND
RF1
AGND
RF1
DGND
RF2
AGND
RF2
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
万维网网站: http://www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司, 2001
1=V =3
ADF4206/ADF4207/ADF4208–SPECIFICATIONS
( Votherwise2noted ,V dBm10 % , 5 V至10 % 。 )
V 1,V 2 V 1,V 2 6.0伏; AGND = DGND = AGND = DGND = 0 V ; T =到T ,除非
提到50
DD
DD
DD
DD
P
P
RF1
RF1
RF2
RF2
A
最大
1
参数
RF / IF特性( 3 V )
RF1输入频率( RF1
IN
)
ADF4206
ADF4207
ADF4208
RF输入灵敏度
IF输入频率( RF2
IN
)
ADF4206
ADF4207/ADF4208
IF输入灵敏度
最大允许预分频器输出
频率
3
射频特性( 5 V )
RF1输入频率( RF1
IN
)
ADF4206
ADF4207
ADF4208
RF输入灵敏度
IF输入频率( RF2
IN
)
ADF4206
ADF4207/ADF4208
IF输入灵敏度
最大允许预分频器输出
频率
3
REFIN特性
REFIN输入频率
REFIN输入灵敏度
4
REFIN输入电容
REFIN输入电流
相位检测器
鉴相器频率
5
电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
绝对精度
I
CP
三态泄漏电流
逻辑输入
V
INH
,输入高电压
V
INL
,输入低电压
I
INH
/I
INL
,输入电流
C
IN
,输入电容
逻辑输出
V
OH
,输出电压高
V
OL
,输出低电压
电源
V
DD
1
V
DD
2
V
P
I
DD
(I
DD
1 + I
DD
2)
6
ADF4206
ADF4207
ADF4208
I
DD
1
ADF4206
ADF4207
ADF4208
I
DD
2
ADF4206
ADF4207
ADF4208
I
P
(I
P
1 + I
P
2)
低功耗休眠模式
B版本
B芯片
2
单位
测试条件/评论
参见图2为输入电路。
使用方波的频率更低大于f
.
0.05/0.55
0.08/1.1
0.08/2.0
–15/+4
0.05/0.55
0.08/1.1
–15/+4
165
0.05/0.55
0.08/1.1
0.08/2.0
–15/+4
0.05/0.55
0.08/1.1
–15/+4
165
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
兆赫最大
使用方波的频率更低大于f
.
0.05/0.55
0.08/1.1
0.08/2.0
–10/+4
0.05/0.55
0.08/1.1
–10/+4
200
0.05/0.55
0.08/1.1
0.08/2.0
–10/+4
0.05/0.55
0.08/1.1
–10/+4
200
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
MHz的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
兆赫最大
5/40
–2
10
±
100
55
5/40
–2
10
±
100
55
MHz的最小/最大
dBm的分
pF的最大
A
最大
兆赫最大
对于f < 5MHz的使用方波0至V
DD
交流耦合。当直流耦合,
0到V
DD
MAX( CMOS兼容)
5
1.25
2.5
1
0.8
×
V
DD
0.2
×
V
DD
±
1
10
V
DD
– 0.4
0.4
2.7/5.5
V
DD
1
V
DD
1/6.0
14
16.5
21
8
9
14
7.5
8.5
9
1
0.5
5
1.25
2.5
1
0.8
×
V
DD
0.2
×
V
DD
±
1
10
V
DD
– 0.4
0.4
2.7/5.5
V
DD
1
V
DD
1/6.0
14
16.5
21
8
9
14
7.5
8.5
9
1
0.5
毫安(典型值)
毫安(典型值)
% (典型值)
nA的典型值
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
V分钟
V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
A
典型值
V
DD
1, V
DD
2
V
P
1, V
P
2
6.0 V
I
OH
= 500
A
I
OL
= 500
A
9.5毫安典型的V
DD
= 3 V ,T
A
= 25°C
11毫安典型的V
DD
= 3 V ,T
A
= 25°C
14毫安典型的V
DD
= 3 V ,T
A
= 25°C
5.5毫安典型的V
DD
= 3 V ,T
A
= 25°C
6毫安典型的V
DD
= 3 V ,T
A
= 25°C
9毫安典型的V
DD
= 3 V ,T
A
= 25°C
5毫安典型的V
DD
= 3 V ,T
A
= 25°C
5.5毫安典型的V
DD
= 3 V ,T
A
= 25°C
5.5毫安典型的V
DD
= 3 V ,T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
–2–
第0版
ADF4206/ADF4207/ADF4208
参数
噪声特性
相位噪声层( RF1 )
7
ADF4206
ADF4207
ADF4208
ADF4206
ADF4207
ADF4208
相位噪声性能
8
ADF4206 ( RF1 , RF2 )
ADF4207 ( RF1 , RF2 )
ADF4207 ( RF1 , RF2 )
9
ADF4208 ( RF1 )
ADF4208 ( RF1 )
ADF4208 ( RF1 )
10
ADF4208 ( RF2 )
杂散信号
RF1 , RF2 ( 20 kHz的环路B / W)
RF1 , RF2 ( 1 kHz的环路B / W)
B版本
B芯片
2
单位
测试条件/评论
–169
–171
–173
–160
–162
–164
–92
–90
–81
–85
–91
–66
–89
–80/–84
–65/–73
–169
–171
–173
–160
–162
–164
–92
–90
–81
–85
–91
–66
–89
–80/–84
–65/–73
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dB典型值
dB典型值
@ 25 kHz的PFD频率
@ 25 kHz的PFD频率
@ 25 kHz的PFD频率
@ 200kHz的PFD频率
@ 200kHz的PFD频率
@ 200kHz的PFD频率
@ VCO输出
@ 540 MHz输出, 200kHz的PFD处
@ 900 MHz输出, 200kHz的PFD处
@ 836兆赫, 30千赫在PFD
@ 1750 MHz输出, 200kHz的PFD处
@ 900 MHz输出, 200kHz的PFD处
@ 1750 MHz输出, 200kHz的PFD处
@ 900 MHz输出, 200kHz的PFD处
@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD
@ 10千赫/ 20千赫和10千赫的PFD
笔记
1
工作温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 85°C 。
2
在B芯片特定网络阳离子给出的典型值。
3
这是CMOS计数器的最高工作频率。的分频器值的选择应确保RF输入分频为频率为
超过此值以下。
4
V
DD
1 = V
DD
2 = 3 V ;对于V
DD
1 = V
DD
2 = 5 V ,采用CMOS兼容电平。
5
通过设计保证。样品测试,以确保合规性。
6
典型值适用于V
DD
= 3 V ; P = 32 ; RF1
IN
1/RF2
IN
2 ADF4206 = 540 MHz的; RF1
IN
1/RF2
IN
2 ADF4207 = 900 MHz的; RF1
IN
1/RF2
IN
2 ADF4208 = 900兆赫。
7
该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出中减去上20 logN (N为N分频器值)。
8
的相位噪声的测量是在一个1千赫兹,除非另有说明。相位噪声测量与EVAL - ADF4206 / ADF4207EB或EVAL- AD4208EB评价
董事会和HP8562E频谱分析仪。频谱分析仪提供了REFIN的合成(F
REFOUT
= 10 MHz的@ 0 dBm的) 。
9
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 30千赫;偏移频率= 300赫兹; F
射频/中频
= 836 MHz的; N = 27866 ;环路B / W = 3千赫。
10
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 10千赫;偏移频率= 200赫兹; F
RF
= 1750 MHz的; N = 175000 ;环的B / W = 1千赫。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
第0版
–3–
ADF4206/ADF4207/ADF4208
(V 1 = V 2 = 3 V 10%, 5 V
时序特性
AGND = DGND = 0 V ; T =
DD
DD
RF2
RF2
A
10%; V
DD
1, V
DD
2
V
P
1, V
P
2
6.0 V ; AGND
RF1
= DGND
RF1
=
.)
给T
最大
除非另有说明,否则dBm的称为50
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
在极限
T
给T
最大
(B版)
10
10
25
25
10
20
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
测试条件/评论
数据时钟的建立时间
数据时钟保持时间
时钟高时间
时钟低电平持续时间
时钟到LE建立时间
LE脉宽
笔记
通过设计保证,但未经生产测试。
改变特定网络阳离子恕不另行通知。
t
3
时钟
t
4
t
1
数据
DB21 (MSB)
DB20
t
2
DB2
DB1
(控制位C2 )
DB0 ( LSB )
(控制位C1 )
t
6
LE
t
5
LE
图1.时序图
绝对最大额定值
1, 2
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
V
DD
1至GND
3
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
V
DD
1至V
DD
2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+0.3 V
V
P
1, V
P
2至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
V
P
1, V
P
2至V
DD
1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+5.5 V
数字I / O电压为GND 。 。 。 。 。 。 -0.3 V到DV
DD
+ 0.3 V
模拟量I / O电压为GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
P
+ 0.3 V
OSC
IN
, OSC
OUT
, RF1
IN
( A,B ) ,
RF2
IN
( A,B)到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
RF
IN
A到RF
IN
B( RF1 , RF2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
320毫伏
工作温度范围
工业(B版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
TSSOP
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150.4∞C / W
CSP
θ
JA
(桨焊接) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 122 ° C / W
CSP
θ
JA
(桨无焊接) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 216 ° C / W
焊接温度,焊接
气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
笔记
1
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
2
这个装置是用的ESD额定值的高性能射频集成电路
< 2千伏,它是ESD敏感。适当的预防措施应采取的处理
和组装。
3
GND = AGND = DGND = 0V。
晶体管数量
11749 (CMOS)和522 (双极) 。
订购指南
模型
ADF4206BRU
ADF4207BRU
ADF4208BRU
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
超薄紧缩小型封装( TSSOP )
超薄紧缩小型封装( TSSOP )
超薄紧缩小型封装( TSSOP )
封装选项*
RU-16
RU-16
RU-20
*联系方式
该工厂的芯片的可用性。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
该ADF4206 / ADF4207 / ADF4208具有专用ESD保护电路,永久
破坏可能发生在经受高能量静电放电设备。因此,适当的
ESD预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
–4–
第0版
ADF4206/ADF4207/ADF4208
引脚功能描述
1
助记符
ADF4206/
ADF4207
ADF4208
V
DD
1
V
DD
1
功能
正电源为RF1科。 A 0.1
F
电容应连接之间
这个引脚和RF1接地引脚, DGND
RF1
. V
DD
1应介于2.7 V和值
5.5 V. V
DD
1必须具有相同的电势为V
DD
2.
电源为RF1电荷泵。这应该是大于或等于V
DD
.
输出从RF1电荷泵。这通常连接到一个环路滤波器,在
依次驱动的输入到一个外部的VCO 。
接地引脚为RF1数字电路。
输入RF1预分频器。这个低电平输入信号通常取自RF1 VCO。
互补输入到ADF4208的RF1预分频器。这一点应该去耦至
接地平面具有小的旁路电容。
接地引脚为RF1模拟电路。
振荡器输入。它有一个V
DD
/ 2阈值,并且可以从外部CMOS或TTL驱动
逻辑门。
振荡器输出。
该多路输出允许使用的IF / RF锁定检测,在缩放RF或缩放
在外部访问的参考频率。见表五。
串行时钟输入。此串行时钟用于时钟的串行数据到寄存器。该
数据被锁存到在CLK的上升沿的22位移位寄存器。该输入是一个高
阻抗CMOS输入。
串行数据输入。串行数据加载MSB网络首先用两个LSB被控制
位。这个输入是高阻抗CMOS输入。
负荷启用, CMOS输入。当LE变为高电平时,存储的数据在移位寄存器是
装载到四个锁存器中的一个,使用控制比特被选择的锁存器。
接地引脚RF2模拟电路。
互补输入到RF2预分频器。这一点应该去耦至地
面具有小的旁路电容。
输入RF2预分频器。这个低电平输入信号通常是交流耦合到所述
外部VCO 。
接地引脚RF2 ,数字化,接口和控制电路。
输出从RF2电荷泵。这通常连接到驱动环路滤波器
在输入到一个外部VCO 。
电源为RF2电荷泵。这应该是大于或等于V
DD
.
正电源为RF2 ,接口,和振荡器部分。 A 0.1
F
电容
应连接在此引脚和RF2接地针脚, DGND之间
RF2
. V
DD
2应
具有2.7 V至5.5 V V值
DD
2必须具有相同的电势为V
DD
1.
销刀豆网络gurations
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
V
P
1
CP
RF1
DGND
RF1
RF1
IN
OSC
IN
OSC
OUT
MUXOUT
CLK
数据
LE
V
P
1
CP
RF1
DGND
RF1
RF1
IN
A
RF
IN
B
AGND
RF1
OSC
IN
OSC
OUT
MUXOUT
CLK
12
13
14
15
16
17
18
19
20
RF2
IN
DGND
RF2
CP
RF2
V
P
2
V
DD
2
数据
LE
AGND
RF2
RF2
IN
B
RF2
IN
A
DGND
RF2
CP
RF2
V
P
2
V
DD
2
TSSOP
V
DD
1
1
V
P
1
2
CP
RF1 3
DGND
RF1 4
RF1
在5
16
V 2
DD
TSSOP
V
DD
1
1
V
P
1
2
CP
RF1 3
DGND
RF1 4
RF1
IN
A
5
RF1
IN
B
6
AGND
RF1 7
20
19
18
V
DD
2
V
P
2
CP
RF2
DGND
RF2
RF2
IN
A
RF2
IN
B
ADF4206/
ADF4207
15
V 2
P
14
CP
RF2
13
DGND
RF2
ADF4208
17
16
15
12
RF2
IN
顶视图
11
LE
OSC
在6
(不按比例)
10
数据
OSC
出7
MUXOUT
8
9
CLK
顶视图
14
AGND
RF2
(不按比例)
13
LE
OSC
在8
12
11
OSC
出9
MUXOUT
10
数据
CLK
第0版
–5–
a
双射频锁相环频率合成器
ADF4206/ADF4207/ADF4208
概述
特点
ADF4206 : 550兆赫/ 550兆赫
ADF4207 : 1.1千兆赫/ 1.1 GHz的
ADF4208 : 2.0千兆赫/ 1.1 GHz的
2.7 V至5.5 V电源供电
可选的电荷泵电源(VP )可扩展
调谐电压3 V系统
可选的电荷泵电流
片上振荡器电路
可选双模预分频器
RF2 : 32/33或64/65
RF1 : 32/33或64/65
3线串行接口
掉电模式
该ADF4206系列双频率合成器可以
用于实现在上变频的本地振荡器和
无线接收机和发射机的下变频部分。
每个合成器由低噪声数字PFD (一期
频率检测器) ,精密电荷泵,可编程
参考分频器,可编程A和B计数器以及一个双
预置分频器(P / P + 1) 。在A( 6位)和B ( 11位)
计数器,在与双模预分频器结合(P / P + 1) ,
实现N分频器(N = BP + A) 。另外, 14位
参考计数器(R计数器) ,允许可选择REFIN frequen-
资本投资者入境计划在PFD输入端。片上振荡器电路允许
的参考输入是来自于晶体振荡器。
一个完整的PLL(锁相环) ,如果能实现
所述合成器被用于与外部环路滤波器和压控振荡器
(压控振荡器) 。
应用
无线手机( GSM , PCS , DCS , CDMA , WCDMA )
基地台的无线电台(GSM, PCS ,DCS,
所有片内寄存器均通过简单的3线接口。
CDMA,WCDMA )
该器件具有从2.7 V的电源电压
无线局域网
至5.5 V和可以关断不使用的时候。
通信测试设备
有线电视设备
功能框图
V
DD
1
V
DD
2
V
P
1
V
P
2
N = BP + A
11位RF2
B- COUNTER
RF2
IN
A
RF2
IN
B
RF2
预分频器
6位RF2
A- COUNTER
ADF4206/ADF4207/ADF4208
比较
收费
RF2
LOCK
检测
CP
RF2
OSC
IN
OSC
OUT
振荡器
14位RF2
R- COUNTER
产量
MUX
SDOUT
14位RF1
R- COUNTER
RF1
LOCK
检测
MUXOUT
时钟
数据
LE
22-BIT
数据
注册
N = BP + A
11位的RF1
B- COUNTER
RF1
IN
A
RF1
IN
B
RF1
预分频器
6位RF1
A- COUNTER
比较
收费
CP
RF1
第0版
DGND
RF1
AGND
RF1
DGND
RF2
AGND
RF2
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
万维网网站: http://www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司, 2001
1=V =3
ADF4206/ADF4207/ADF4208–SPECIFICATIONS
( Votherwise2noted ,V dBm10 % , 5 V至10 % 。 )
V 1,V 2 V 1,V 2 6.0伏; AGND = DGND = AGND = DGND = 0 V ; T =到T ,除非
提到50
DD
DD
DD
DD
P
P
RF1
RF1
RF2
RF2
A
最大
1
参数
RF / IF特性( 3 V )
RF1输入频率( RF1
IN
)
ADF4206
ADF4207
ADF4208
RF输入灵敏度
IF输入频率( RF2
IN
)
ADF4206
ADF4207/ADF4208
IF输入灵敏度
最大允许预分频器输出
频率
3
射频特性( 5 V )
RF1输入频率( RF1
IN
)
ADF4206
ADF4207
ADF4208
RF输入灵敏度
IF输入频率( RF2
IN
)
ADF4206
ADF4207/ADF4208
IF输入灵敏度
最大允许预分频器输出
频率
3
REFIN特性
REFIN输入频率
REFIN输入灵敏度
4
REFIN输入电容
REFIN输入电流
相位检测器
鉴相器频率
5
电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
绝对精度
I
CP
三态泄漏电流
逻辑输入
V
INH
,输入高电压
V
INL
,输入低电压
I
INH
/I
INL
,输入电流
C
IN
,输入电容
逻辑输出
V
OH
,输出电压高
V
OL
,输出低电压
电源
V
DD
1
V
DD
2
V
P
I
DD
(I
DD
1 + I
DD
2)
6
ADF4206
ADF4207
ADF4208
I
DD
1
ADF4206
ADF4207
ADF4208
I
DD
2
ADF4206
ADF4207
ADF4208
I
P
(I
P
1 + I
P
2)
低功耗休眠模式
B版本
B芯片
2
单位
测试条件/评论
参见图2为输入电路。
使用方波的频率更低大于f
.
0.05/0.55
0.08/1.1
0.08/2.0
–15/+4
0.05/0.55
0.08/1.1
–15/+4
165
0.05/0.55
0.08/1.1
0.08/2.0
–15/+4
0.05/0.55
0.08/1.1
–15/+4
165
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
兆赫最大
使用方波的频率更低大于f
.
0.05/0.55
0.08/1.1
0.08/2.0
–10/+4
0.05/0.55
0.08/1.1
–10/+4
200
0.05/0.55
0.08/1.1
0.08/2.0
–10/+4
0.05/0.55
0.08/1.1
–10/+4
200
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
MHz的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
兆赫最大
5/40
–2
10
±
100
55
5/40
–2
10
±
100
55
MHz的最小/最大
dBm的分
pF的最大
A
最大
兆赫最大
对于f < 5MHz的使用方波0至V
DD
交流耦合。当直流耦合,
0到V
DD
MAX( CMOS兼容)
5
1.25
2.5
1
0.8
×
V
DD
0.2
×
V
DD
±
1
10
V
DD
– 0.4
0.4
2.7/5.5
V
DD
1
V
DD
1/6.0
14
16.5
21
8
9
14
7.5
8.5
9
1
0.5
5
1.25
2.5
1
0.8
×
V
DD
0.2
×
V
DD
±
1
10
V
DD
– 0.4
0.4
2.7/5.5
V
DD
1
V
DD
1/6.0
14
16.5
21
8
9
14
7.5
8.5
9
1
0.5
毫安(典型值)
毫安(典型值)
% (典型值)
nA的典型值
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
V分钟
V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
A
典型值
V
DD
1, V
DD
2
V
P
1, V
P
2
6.0 V
I
OH
= 500
A
I
OL
= 500
A
9.5毫安典型的V
DD
= 3 V ,T
A
= 25°C
11毫安典型的V
DD
= 3 V ,T
A
= 25°C
14毫安典型的V
DD
= 3 V ,T
A
= 25°C
5.5毫安典型的V
DD
= 3 V ,T
A
= 25°C
6毫安典型的V
DD
= 3 V ,T
A
= 25°C
9毫安典型的V
DD
= 3 V ,T
A
= 25°C
5毫安典型的V
DD
= 3 V ,T
A
= 25°C
5.5毫安典型的V
DD
= 3 V ,T
A
= 25°C
5.5毫安典型的V
DD
= 3 V ,T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
–2–
第0版
ADF4206/ADF4207/ADF4208
参数
噪声特性
相位噪声层( RF1 )
7
ADF4206
ADF4207
ADF4208
ADF4206
ADF4207
ADF4208
相位噪声性能
8
ADF4206 ( RF1 , RF2 )
ADF4207 ( RF1 , RF2 )
ADF4207 ( RF1 , RF2 )
9
ADF4208 ( RF1 )
ADF4208 ( RF1 )
ADF4208 ( RF1 )
10
ADF4208 ( RF2 )
杂散信号
RF1 , RF2 ( 20 kHz的环路B / W)
RF1 , RF2 ( 1 kHz的环路B / W)
B版本
B芯片
2
单位
测试条件/评论
–169
–171
–173
–160
–162
–164
–92
–90
–81
–85
–91
–66
–89
–80/–84
–65/–73
–169
–171
–173
–160
–162
–164
–92
–90
–81
–85
–91
–66
–89
–80/–84
–65/–73
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dB典型值
dB典型值
@ 25 kHz的PFD频率
@ 25 kHz的PFD频率
@ 25 kHz的PFD频率
@ 200kHz的PFD频率
@ 200kHz的PFD频率
@ 200kHz的PFD频率
@ VCO输出
@ 540 MHz输出, 200kHz的PFD处
@ 900 MHz输出, 200kHz的PFD处
@ 836兆赫, 30千赫在PFD
@ 1750 MHz输出, 200kHz的PFD处
@ 900 MHz输出, 200kHz的PFD处
@ 1750 MHz输出, 200kHz的PFD处
@ 900 MHz输出, 200kHz的PFD处
@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD
@ 10千赫/ 20千赫和10千赫的PFD
笔记
1
工作温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 85°C 。
2
在B芯片特定网络阳离子给出的典型值。
3
这是CMOS计数器的最高工作频率。的分频器值的选择应确保RF输入分频为频率为
超过此值以下。
4
V
DD
1 = V
DD
2 = 3 V ;对于V
DD
1 = V
DD
2 = 5 V ,采用CMOS兼容电平。
5
通过设计保证。样品测试,以确保合规性。
6
典型值适用于V
DD
= 3 V ; P = 32 ; RF1
IN
1/RF2
IN
2 ADF4206 = 540 MHz的; RF1
IN
1/RF2
IN
2 ADF4207 = 900 MHz的; RF1
IN
1/RF2
IN
2 ADF4208 = 900兆赫。
7
该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出中减去上20 logN (N为N分频器值)。
8
的相位噪声的测量是在一个1千赫兹,除非另有说明。相位噪声测量与EVAL - ADF4206 / ADF4207EB或EVAL- AD4208EB评价
董事会和HP8562E频谱分析仪。频谱分析仪提供了REFIN的合成(F
REFOUT
= 10 MHz的@ 0 dBm的) 。
9
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 30千赫;偏移频率= 300赫兹; F
射频/中频
= 836 MHz的; N = 27866 ;环路B / W = 3千赫。
10
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 10千赫;偏移频率= 200赫兹; F
RF
= 1750 MHz的; N = 175000 ;环的B / W = 1千赫。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
第0版
–3–
ADF4206/ADF4207/ADF4208
(V 1 = V 2 = 3 V 10%, 5 V
时序特性
AGND = DGND = 0 V ; T =
DD
DD
RF2
RF2
A
10%; V
DD
1, V
DD
2
V
P
1, V
P
2
6.0 V ; AGND
RF1
= DGND
RF1
=
.)
给T
最大
除非另有说明,否则dBm的称为50
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
在极限
T
给T
最大
(B版)
10
10
25
25
10
20
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
测试条件/评论
数据时钟的建立时间
数据时钟保持时间
时钟高时间
时钟低电平持续时间
时钟到LE建立时间
LE脉宽
笔记
通过设计保证,但未经生产测试。
改变特定网络阳离子恕不另行通知。
t
3
时钟
t
4
t
1
数据
DB21 (MSB)
DB20
t
2
DB2
DB1
(控制位C2 )
DB0 ( LSB )
(控制位C1 )
t
6
LE
t
5
LE
图1.时序图
绝对最大额定值
1, 2
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
V
DD
1至GND
3
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
V
DD
1至V
DD
2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+0.3 V
V
P
1, V
P
2至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
V
P
1, V
P
2至V
DD
1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+5.5 V
数字I / O电压为GND 。 。 。 。 。 。 -0.3 V到DV
DD
+ 0.3 V
模拟量I / O电压为GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
P
+ 0.3 V
OSC
IN
, OSC
OUT
, RF1
IN
( A,B ) ,
RF2
IN
( A,B)到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
RF
IN
A到RF
IN
B( RF1 , RF2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
320毫伏
工作温度范围
工业(B版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
TSSOP
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150.4∞C / W
CSP
θ
JA
(桨焊接) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 122 ° C / W
CSP
θ
JA
(桨无焊接) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 216 ° C / W
焊接温度,焊接
气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
笔记
1
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
2
这个装置是用的ESD额定值的高性能射频集成电路
< 2千伏,它是ESD敏感。适当的预防措施应采取的处理
和组装。
3
GND = AGND = DGND = 0V。
晶体管数量
11749 (CMOS)和522 (双极) 。
订购指南
模型
ADF4206BRU
ADF4207BRU
ADF4208BRU
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
超薄紧缩小型封装( TSSOP )
超薄紧缩小型封装( TSSOP )
超薄紧缩小型封装( TSSOP )
封装选项*
RU-16
RU-16
RU-20
*联系方式
该工厂的芯片的可用性。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
该ADF4206 / ADF4207 / ADF4208具有专用ESD保护电路,永久
破坏可能发生在经受高能量静电放电设备。因此,适当的
ESD预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
–4–
第0版
ADF4206/ADF4207/ADF4208
引脚功能描述
1
助记符
ADF4206/
ADF4207
ADF4208
V
DD
1
V
DD
1
功能
正电源为RF1科。 A 0.1
F
电容应连接之间
这个引脚和RF1接地引脚, DGND
RF1
. V
DD
1应介于2.7 V和值
5.5 V. V
DD
1必须具有相同的电势为V
DD
2.
电源为RF1电荷泵。这应该是大于或等于V
DD
.
输出从RF1电荷泵。这通常连接到一个环路滤波器,在
依次驱动的输入到一个外部的VCO 。
接地引脚为RF1数字电路。
输入RF1预分频器。这个低电平输入信号通常取自RF1 VCO。
互补输入到ADF4208的RF1预分频器。这一点应该去耦至
接地平面具有小的旁路电容。
接地引脚为RF1模拟电路。
振荡器输入。它有一个V
DD
/ 2阈值,并且可以从外部CMOS或TTL驱动
逻辑门。
振荡器输出。
该多路输出允许使用的IF / RF锁定检测,在缩放RF或缩放
在外部访问的参考频率。见表五。
串行时钟输入。此串行时钟用于时钟的串行数据到寄存器。该
数据被锁存到在CLK的上升沿的22位移位寄存器。该输入是一个高
阻抗CMOS输入。
串行数据输入。串行数据加载MSB网络首先用两个LSB被控制
位。这个输入是高阻抗CMOS输入。
负荷启用, CMOS输入。当LE变为高电平时,存储的数据在移位寄存器是
装载到四个锁存器中的一个,使用控制比特被选择的锁存器。
接地引脚RF2模拟电路。
互补输入到RF2预分频器。这一点应该去耦至地
面具有小的旁路电容。
输入RF2预分频器。这个低电平输入信号通常是交流耦合到所述
外部VCO 。
接地引脚RF2 ,数字化,接口和控制电路。
输出从RF2电荷泵。这通常连接到驱动环路滤波器
在输入到一个外部VCO 。
电源为RF2电荷泵。这应该是大于或等于V
DD
.
正电源为RF2 ,接口,和振荡器部分。 A 0.1
F
电容
应连接在此引脚和RF2接地针脚, DGND之间
RF2
. V
DD
2应
具有2.7 V至5.5 V V值
DD
2必须具有相同的电势为V
DD
1.
销刀豆网络gurations
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
V
P
1
CP
RF1
DGND
RF1
RF1
IN
OSC
IN
OSC
OUT
MUXOUT
CLK
数据
LE
V
P
1
CP
RF1
DGND
RF1
RF1
IN
A
RF
IN
B
AGND
RF1
OSC
IN
OSC
OUT
MUXOUT
CLK
12
13
14
15
16
17
18
19
20
RF2
IN
DGND
RF2
CP
RF2
V
P
2
V
DD
2
数据
LE
AGND
RF2
RF2
IN
B
RF2
IN
A
DGND
RF2
CP
RF2
V
P
2
V
DD
2
TSSOP
V
DD
1
1
V
P
1
2
CP
RF1 3
DGND
RF1 4
RF1
在5
16
V 2
DD
TSSOP
V
DD
1
1
V
P
1
2
CP
RF1 3
DGND
RF1 4
RF1
IN
A
5
RF1
IN
B
6
AGND
RF1 7
20
19
18
V
DD
2
V
P
2
CP
RF2
DGND
RF2
RF2
IN
A
RF2
IN
B
ADF4206/
ADF4207
15
V 2
P
14
CP
RF2
13
DGND
RF2
ADF4208
17
16
15
12
RF2
IN
顶视图
11
LE
OSC
在6
(不按比例)
10
数据
OSC
出7
MUXOUT
8
9
CLK
顶视图
14
AGND
RF2
(不按比例)
13
LE
OSC
在8
12
11
OSC
出9
MUXOUT
10
数据
CLK
第0版
–5–
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