【数据表特点射频带宽4GHz的2.7 V至3.3 V电源供电单独的VP可扩展的调谐电压可编程双模前置分】,IC型号ADF4154BCPZ-RL7,ADF4154BCPZ-RL7 PDF资料,ADF4154BCPZ-RL7经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

特点

射频带宽4GHz的

2.7 V至3.3 V电源供电

单独的V

可扩展的调谐电压

可编程双模前置分频器4/5 ， 8/9

可编程电荷泵电流

3线串行接口

数字锁定检测

掉电模式

销与兼容

ADF4110/ADF4111/

ADF4112 / ADF4113 ， ADF4106 ， ADF4153

在分数N合成器可编程模数

权衡噪声和杂散性能

快速锁定模式与内置的计时器

环路滤波器的设计可以利用ADIsimPLL

小数N分频合成器

ADF4154

概述

该ADF4154是一个小数N分频合成器，

实现了在向上转换和向下的本地振荡器

无线接收机和发射机的变频部分。它

由低噪声数字鉴相器的（PFD），

精密电荷泵和可编程参考分频器。

有一个Σ- Δ型小数插值器，能够实现可编程

小数N分频。该INT ， FRAC和MOD寄存器定义

一个总N分频器（ N = （ INT + （ FRAC / MOD）））。此外，

4位参考分频器（ R计数器）允许选择REF

频率在PFD输入端。一个完整的锁相环（ PLL ）

如果合成器与外部的可实施

环路滤波器和压控振荡器（VCO）。

该ADF4154的一个重要特点就是快速锁定模式采用了内置

在定时器。用户可以设定一个预定倒计时

时间值，使得锁相环保持在宽带宽模式下，

而不必从外部控制该时间用户。

所有片内寄存器均通过简单的3线接口。

该器件采用范围从2.7 V到电源

3.3V和可以关断不使用的时候。

应用

基站对移动无线电（ WiMAX和PHS，GSM ，PCS， DCS，

CDMA，风湿性多肌痛， W-CDMA中，超级3G）

无线手持设备（PMR ，GSM， PCS ，DCS， CDMA，WCDMA ）

有线电视设备

无线局域网

通信测试设备

功能框图

SDV

SET

ADF4154

4-BIT

v计数器

+相

频率

探测器

–

参考

REF

×2

倍

DGND

收费

泵

高Z

LOCK

检测

MUXOUT

产量

MUX

DIV

三阶

部分的

插

快速锁定

开关

当前

环境

RFCP3 RFCP2 RFCP1

N计数器

时钟

数据

24-BIT

数据

分数

REG

系数

REG

INTEGER REG

AGND

DGND

CPGND

图1 。

版本C

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责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为

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一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781.329.4700

www.analog.com

04833-001

ADF4154

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

概述................................................ ......................... 1

功能框图............................................... ............... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

时序特性................................................ ................ 4

绝对最大额定值............................................... ............. 5

ESD注意事项................................................ .................................. 5

引脚配置和引脚功能描述...................... 6

典型性能特征............................................. 7

电路说明................................................ ........................... 9

参考输入部分............................................... ................ 9

RF输入级............................................... ................................ 9

RF INT分频器............................................... .............................. 9

INT ， FRAC ， MOD和R的关系..................................... 9

R-计数器............................................... ....................................... 9

相位频率检测器（ PFD）和电荷泵.............. 9

MUXOUT和锁定检测.............................................. ........ 10

输入移位寄存器............................................... .................... 10

节目模式................................................ .......................... 10

寄存器................................................. .......................................... 11

数据表

寄存器定义................................................ ................... 16

R-分频寄存器， R1 ............................................ ................... 16

控制寄存器， R2 .............................................. ..................... 16

噪声和杂散注册， R3 ............................................ .......... 17

保留位................................................ ............................... 17

初始化序列................................................ .............. 18

RF合成器：一个成功范例........................................ 18

模................................................. ...................................... 18

参考倍增和参考分频器............................. 18

12位可编程模数............................................. ... 18

虚假的优化和快速锁定..................................... 18

快速锁定定时器和寄存器序列............................... 19

快速锁定：一个例子............................................. ................. 19

快速锁定：环路滤波器拓扑............................................ ... 19

推动机制................................................ ....................... 19

支线一致性................................................ ........................ 20

滤波器设计-的ADIsimPLL .............................................. ......... 20

接口................................................. .................................. 20

对于芯片级封装PCB设计指南.................... 21

外形尺寸................................................ ....................... 22

订购指南................................................ .......................... 22

修订历史

8月12日 - 修订版。 B到C版

图4 ..............................................变化............................ 6

更新的外形尺寸（改CP- 20-1 CP- 20-6 ） .... 22

更改订购指南.............................................. ............ 22

9月11日 - 修订版。 A到版本B

更改噪声特性参数................................ 3

更新的外形尺寸............................................... ........ 22

更改订购指南.............................................. ............ 22

12月6日 - 修订版。 0到版本A

更改功能............................................... ........................... 1

更改应用程序............................................... ................... 1

更改功能框图.......................................... 1

更改规格............................................... ................. 3

更改绝对最大额定值....................................... 5

更改典型性能特征条件.... 7

通过图7替换图5 ............................................ 7 ...

图13 ..............................................变化........................... 8

更改R分频器寄存器映射........................................... 13

更改控制寄存器映射............................................. ... 14

切换到REF

倍科................................................ 18

添加初始化顺序第........................................ 18

切换到12位可编程模数条................... 18

更改快速锁定定时器和寄存器序列部分........ 19

更改快速锁定：环路滤波器拓扑第................ 19

删除杂散信号部分.............................................. ..... 18

加入马刺机制第.............................................. .. 19

新增支线一致性组.............................................. ... 20

改变滤波器设计-的ADIsimPLL第.......................... 20

更改为接口部分.............................................. ........ 20

更新的外形尺寸............................................... ........ 22

更改订购指南.............................................. ............ 22

5月4日 - 修订版0 ：初始版

版本C |页24 2

数据表

特定网络阳离子

ADF4154

= SDV

= 2.7 V至3.3 V ; V

= AV

至5.5 V ; AGND = DGND = 0 V ;牛逼

= T

民

给T

最大

中，除非另有说明; dBm的

提到50 Ω 。工作温度为B版为-40 ° C至+ 80°C 。

表1中。

参数

射频特性（ 3 V ）

RF输入频率（ RF

)

基准特性

REF

输入频率

REF

输入灵敏度

REF

输入电容

REF

输入电流

相位检测器

鉴相器频率

电荷泵

吸入/源

高价值

低价值

绝对精度

SET

范围

三态泄漏电流

匹配

与V

与温度的关系

逻辑输入

INH

，输入高电压

INL

，输入低电压

INH

INL

，输入电流

，输入电容

逻辑输出

，输出电压高

，输出低电压

电源

， SDV

低功耗睡眠模式

噪声特性

归一化相位噪声楼

（ PN

SYNTH

)

归一化的1 / f噪声（ PN

1_f

)

相位噪声性能

1750 MHz输出

B版本

0.5/4.0

1.0/4.0

10/250

0.7/AV

±100

单位

GHz的最小/最大

MHz的最小/最大

V P-P最小/最大

pF的最大

μA（最大值）

兆赫最大

测试条件/评论

SEE

图15

为输入电路。

-8 dBm的/ 0 dBm的最大/最小值。对于较低的频率，确保压摆率> 400 V / μs的。

为-10 dBm / 0 dBm的最小/最大。

SEE

图14

对输入电路。

对于f < 10兆赫，采用直流耦合， CMOS兼容的方波，

压摆率> 25 V / μs的。

偏置AV

/2.

312.5

2.5

2.7/10

1.4

0.6

±1

1.4

0.4

2.7/3.3

/5.5

220

114

102

毫安（典型值）

μA （典型值）

％（典型值）

kΩ的最小/最大

nA的典型值

％（典型值）

V分钟

V最大

μA（最大值）

pF的最大

V分钟

V最大

V MIN / V最大

最大mA

μA （典型值）

dBc的/赫兹（典型值）

可编程的。看

表5

有R

SET

= 5.1 k.

有R

SET

= 5.1 k.

漏极和源极电流。

0.5 V < V

＆ LT ; V

0.5 V.

0.5 V < V

＆ LT ; V

0.5 V.

= V

/2.

开漏1 kΩ的上拉至1.8 V.

= 500 A.

20毫安典型。

PLL环路带宽= 500千赫。

测量在100 kHz偏置。

10 kHz偏置;归到1GHz 。

@ VCO输出。

@ 1 kHz偏置， 26 MHz的PFD频率。

采用方波为所有低于f频率

民

AC耦合确保AV

/ 2偏置。参见图14为一个典型的电路。

通过设计保证。样品测试，以确保合规性。

该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出中减去20的日志（N）（N为N分频器

值）和图10的日志（六

PFD

）。 PN

SYNTH

= PN

合计

- 10日志（F

PFD

） - 20的日志（N）。

该PLL相位噪声是由1 / F（闪烁）噪声加归PLL底噪声。式用于在RF频率，男计算1 / f噪声的贡献

和在频率偏移f由PN = PN定

1_f

+10日志（10千赫/女） +20日志（六

/ 1千兆赫）。无论是归一化相位噪声层和闪烁噪声建模中的ADIsimPLL 。

相位噪声测量与EVAL- ADF4154EB1和HP8562E频谱分析仪。

REFIN

= 26兆赫，女

PFD

= 26 MHz时，偏移频率= 1 kHz时， RF

OUT

= 1750兆赫，环B / W = 20 kHz时，最低的噪声模式。

版本C |第24 3

ADF4154

时序特性

数据表

= SDV

= 2.7 V至3.3 V ; V

= AV

至5.5 V ; AGND = DGND = 0 V ;牛逼

= T

民

给T

最大

中，除非另有说明; dBm的

提到50 Ω 。

表2中。

参数

在T限制

民

给T

最大

（B版）

单位

ns（最小值）

测试条件/评论

LE建立时间

数据时钟的建立时间

数据时钟保持时间

时钟高时间

时钟低电平持续时间

时钟到LE建立时间

LE脉冲宽度

通过设计保证，但未经生产测试。

时钟

数据

DB23 （MSB）

DB22

DB2

DB1

（控制位C2 ）

DB0 （ LSB ）

（控制位C1 ）

04833-026

图2.时序图

版本C |第24 4

数据表

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明。

表3中。

参数

1, 2, 3

到GND

到V

到GND

到V

数字I / O电压为GND

模拟量I / O电压为GND

REF

中，Rf

到GND

工作温度范围

工业（B版）

存储温度范围

最高结温

TSSOP θ

热阻抗

LFCSP θ

热阻抗

（桨焊接）

再溢流焊接

峰值温度

在峰值温度的时间

ADF4154

等级

-0.3 V至+4 V

-0.3 V至+0.3 V

0.3 V至5.8 V

0.3 V到V

+ 0.3 V

0.3 V到V

+ 0.3 V

0.3 V到V

+ 0.3 V

-40 ° C至+ 85°C

-65 ° C至+ 150°C

150°C

112°C/W

30.4°C/W

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件的业务部门上市

本规范是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

ESD警告

260°C

40秒

该装置是一种高性能的射频集成电路具有的ESD等级

<2千伏，并且它是ESD敏感。适当的预防措施时，应采取

搬运和组装设备。

GND = A

GND

= D

GND

= 0 V.

= AV

= SDV

版本C |第24个5