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小数N分频合成器
ADF4154
特点
射频带宽500 MHz至4GHz的
2.7 V至3.3 V电源供电
单独的V
P
可扩展的调谐电压
可编程双模前置分频器4/5 , 8/9
可编程电荷泵电流
3线串行接口
数字锁定检测
掉电模式
引脚兼容的ADF4110 / ADF4111 /
ADF4112 / ADF4113 , ADF4106和ADF4153
在分数N合成器可编程模数
权衡噪声与杂散性能
快速锁定模式与内置的计时器
概述
该ADF4154是一个小数N分频合成器,
实现了在向上转换和向下的本地振荡器
无线接收机和发射机的变频部分。它
由低噪声数字鉴相器的(PFD),
精密电荷泵和可编程参考分频器。
有一个Σ- Δ型小数插值器,能够编程
梅布尔小数N分频。该INT , FRAC和MOD寄存器
TER值构成一个总N分频器( N = ( INT + ( FRAC / MOD) ) ) 。
此外, 4位参考分频器(R计数器)允许
可选择的楼盘
IN
频率在PFD输入端。一个完整的
锁相环(PLL),可以如在合成器来实现
用于与外部环路滤波器和压控
振荡器(VCO) 。
该ADF4154的一个重要特点就是快速锁定模式采用了内置
在定时器。用户可以设定一个预定倒计时
时间值,以使PLL将保持在宽带宽模式下,
而不必从外部控制该时间。
所有片内寄存器均通过简单的3线接口。
该器件采用范围从2.7 V到电源
3.3伏,并且可以关断不使用的时候。
AV
DD
DV
DD
V
P
SDV
DD
R
SET
应用
有线电视设备
基站对移动无线电设备( GSM, PCS ,DCS,
CDMA,WCDMA )
无线手机( GSM , PCS , DCS , CDMA , WCDMA )
无线局域网
通信测试设备
功能框图
参考
4-BIT
v计数器
+
REF
IN
×2
V
DD
DGND
频率
探测器
收费
CP
高Z
LOCK
检测
MUXOUT
产量
MUX
V
DD
R
DIV
N
DIV
三阶
部分的
分数
REG
系数
REG
快速锁定
开关
当前
环境
RFCP3 RFCP2 RFCP1
N计数器
RF
IN
A
RF
IN
B
时钟
数据
LE
24-BIT
数据
注册
INTEGER REG
P = 4/5或8/9
B = 9位; A = 3 BITS
AGND
DGND
CPGND
图1 。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是,没有责任承担由Analog Devices供其使用,也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利,可能导致其使用的。
规格如有变更,恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
www.analog.com
联系电话: 781.329.4700
传真: 781.326.8703
2004 ADI公司保留所有权利。
04833-0-001
ADF4154
ADF4154
目录
规格................................................. .................................... 3
时序特性................................................ ..................... 4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和引脚功能描述...................... 6
典型性能特征............................................. 7
电路说明................................................ ........................... 9
参考输入部分............................................... ................ 9
RF输入级............................................... ................................ 9
RF INT分频器............................................... .............................. 9
INT , FRAC , MOD和R的关系...................................... 9
RF v计数器............................................... ................................. 9
相位频率检测器( PFD)和电荷泵.............. 9
MUXOUT和锁定检测.............................................. ........ 10
输入移位寄存器............................................... .................... 10
节目模式................................................ .......................... 10
寄存器................................................. .......................................... 11
寄存器定义................................................ ..................... 15
R-分频寄存器, R1 ............................................ ................... 15
控制寄存器, R2 .............................................. ..................... 15
噪声和杂散注册, R3 ............................................ .......... 16
保留位................................................ ............................... 16
RF合成器:一个成功范例........................................ 16
模................................................. ...................................... 17
参考倍增和参考分频器............................. 17
12位可编程模数............................................. ... 17
虚假的优化和快速锁定...................................... 17
快速锁定定时器和寄存器序列............................... 17
快速锁定:一个成功范例........................................... ...... 18
快速锁定:环路滤波器拓扑........................................... ... 18
杂散信号................................................ .......................... 18
滤波器设计-的ADIsimPLL .............................................. ......... 18
接口................................................. .................................. 18
对于芯片级封装PCB设计指南.................... 19
外形尺寸................................................ ....................... 20
订购指南................................................ .......................... 20
第0版|第20页2
ADF4154
特定网络阳离子
表1. AV
DD
DV
DD
= SDV
DD
= 2.7 V至3.3 V ; V
P
= AV
DD
至5.5 V ; AGND = DGND = 0 V ;牛逼
A
= T
给T
最大
中,除非另有
注意; dBm的简称50 Ω 。工作温度为B版为-40 ° C至+ 80°C 。
参数
射频特性( 3 V )
RF输入频率( RF
IN
)
1
基准特性
REF
IN
输入频率
1
REF
IN
输入灵敏度
B版本
0.5/4.0
1.0/4.0
10/250
0.7/AV
DD
0至AV
DD
10
±100
32
单位
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
MHz的最小/最大
V P-P
最小/最大
V最大
pF的最大
μA(最大值)
兆赫最大
测试条件/评论
SEE
图18
对输入电路。
-8 dBm的/ 0 dBm的最大/最小值。对于较低的频率,确保压摆率> 396 V / μs的。
为-10 dBm / 0 dBm的最小/最大。
参见图17为输入电路。
对于f < 10兆赫,采用直流耦合, CMOS兼容的方波,转换速率>
21 V / μs的。
AC耦合。
CMOS兼容。
REF
IN
输入电容
REF
IN
输入电流
相位检测器
鉴相器频率
2
电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
绝对精度
R
SET
范围
I
CP
三态泄漏电流
匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
INH
,输入高电压
V
INL
,输入低电压
I
INH
/I
INL
,输入电流
C
IN
,输入电容
逻辑输出
V
OH
,输出电压高
V
OL
,输出低电压
电源
AV
DD
DV
DD
, SDV
DD
V
P
I
DD3
低功耗睡眠模式
噪声特性
优异的相位噪声图
4
ADF4154的相位噪声楼
5
相位噪声性能
6
1750 MHz输出
7
5
312.5
2.5
1.5/10
1
2
2
2
1.4
0.6
±1
10
1.4
0.4
2.7/3.3
AV
DD
AV
DD
/5.5
24
1
213
143
139
102
毫安(典型值)
μA (典型值)
% (典型值)
kΩ的最小/最大
nA的典型值
% (典型值)
% (典型值)
% (典型值)
V分钟
V最大
μA(最大值)
pF的最大
V分钟
V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
最大mA
μA (典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
可编程的。见表5 。
有R
SET
= 5.1 k.
有R
SET
= 5.1 k.
漏极和源极电流。
0.5 V < V
CP
& LT ; V
P
– 0.5.
0.5 V < V
CP
& LT ; V
P
– 0.5.
V
CP
= V
P
/2.
开漏1 kΩ的上拉至1.8 V.
I
OL
= 500 A.
20毫安典型。
@ 10 MHz的PFD频率。
@ 26 MHz的PFD频率。
@ VCO输出。
@ 1 kHz偏置, 26 MHz的PFD频率。
1
2
采用方波为所有低于f频率
.
通过设计保证。样品测试,以确保合规性。
3
AC耦合确保AV
DD
/ 2偏置。请参阅图17为典型电路。
4
该图可以被用来计算相位噪声的任何应用程序。用公式-213 + 10log (F
PFD
)+ 20logN计算的带内相位噪声性能,如可见
在VCO的输出。给出的值是最低的噪声模式。
5
该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出和相减20logN (其中N为N分频器值)。
给出的值是最低的噪声模式。
6
相位噪声测量与EVAL- ADF4154EB1评估板和HP8562E频谱分析仪。
7
f
REFIN
= 26 MHz的; F
PFD
= 26 MHz的;偏移频率= 1千赫; RF
OUT
= 1750 MHz的;环路B / W = 20千赫;最低的噪声模式。
第0版|第20页3
ADF4154
时序特性
表2. AV
DD
DV
DD
= SDV
DD
= 2.7 V至3.3 V ; V
P
= AV
DD
至5.5 V ; AGND = DGND = 0 V ;牛逼
A
= T
给T
最大
中,除非另有
注意; dBm的简称50 Ω 。
参数
1
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
在T限制
给T
最大
(B版)
20
10
10
25
25
10
20
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
测试条件/评论
LE建立时间
数据时钟的建立时间
数据时钟保持时间
时钟高时间
时钟低电平持续时间
时钟到LE建立时间
LE脉冲宽度
1
通过设计保证,但未经生产测试。
t
4
时钟
t
5
t
2
数据
DB23 (MSB)
DB22
t
3
DB2
DB1
(控制位C2 )
DB0 ( LSB )
(控制位C1 )
t
7
LE
t
1
LE
t
6
04833-0-026
图2.时序图
第0版|第20页4
ADF4154
绝对最大额定值
表3.绝对最大额定值。
1, 2, 3
T
A
= 25 ° C,除非
另有说明。
参数
V
DD
到GND
V
DD
到V
DD
V
P
到GND
V
P
到V
DD
数字I / O电压为GND
模拟量I / O电压为GND
REF
IN
中,Rf
IN
到GND
工作温度范围
工业(B版)
存储温度范围
最高结温
TSSOP θ
JA
热阻抗
LFCSP θ
JA
热阻抗
(桨焊接)
LFCSP θ
JA
热阻抗
(桨没有焊接)
焊接温度,焊接
气相(60秒)
红外线
等级
-0.3 V至+4 V
-0.3 V至+0.3 V
0.3 V至5.8 V
0.3 V至5.8 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
150°C
150.4°C/W
122°C/W
216°C/W
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件的业务部门上市
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
1
这个装置是用的ESD额定值的高性能射频集成电路
< 2千伏,并且它是ESD敏感。适当的预防措施应采取
处理和组装。
2
GND = A
GND
= D
GND
= 0 V.
3
V
DD
= AV
DD
DV
DD
= SDV
DD
.
215°C
220°C
ESD警告
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然这款产品的特点
专用ESD保护电路,永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此,适当的ESD防范措施建议,以避免性能
下降或功能丧失。
第0版|第20页5
小数N分频合成器
ADF4154
特点
射频带宽500 MHz至4GHz的
2.7 V至3.3 V电源供电
单独的V
P
可扩展的调谐电压
可编程双模前置分频器4/5 , 8/9
可编程电荷泵电流
3线串行接口
数字锁定检测
掉电模式
引脚兼容的ADF4110 / ADF4111 /
ADF4112 / ADF4113 , ADF4106和ADF4153
在分数N合成器可编程模数
权衡噪声与杂散性能
快速锁定模式与内置的计时器
概述
该ADF4154是一个小数N分频合成器,
实现了在向上转换和向下的本地振荡器
无线接收机和发射机的变频部分。它
由低噪声数字鉴相器的(PFD),
精密电荷泵和可编程参考分频器。
有一个Σ- Δ型小数插值器,能够编程
梅布尔小数N分频。该INT , FRAC和MOD寄存器
TER值构成一个总N分频器( N = ( INT + ( FRAC / MOD) ) ) 。
此外, 4位参考分频器(R计数器)允许
可选择的楼盘
IN
频率在PFD输入端。一个完整的
锁相环(PLL),可以如在合成器来实现
用于与外部环路滤波器和压控
振荡器(VCO) 。
该ADF4154的一个重要特点就是快速锁定模式采用了内置
在定时器。用户可以设定一个预定倒计时
时间值,以使PLL将保持在宽带宽模式下,
而不必从外部控制该时间。
所有片内寄存器均通过简单的3线接口。
该器件采用范围从2.7 V到电源
3.3伏,并且可以关断不使用的时候。
AV
DD
DV
DD
V
P
SDV
DD
R
SET
应用
有线电视设备
基站对移动无线电设备( GSM, PCS ,DCS,
CDMA,WCDMA )
无线手机( GSM , PCS , DCS , CDMA , WCDMA )
无线局域网
通信测试设备
功能框图
参考
4-BIT
v计数器
+
REF
IN
×2
V
DD
DGND
频率
探测器
收费
CP
高Z
LOCK
检测
MUXOUT
产量
MUX
V
DD
R
DIV
N
DIV
三阶
部分的
分数
REG
系数
REG
快速锁定
开关
当前
环境
RFCP3 RFCP2 RFCP1
N计数器
RF
IN
A
RF
IN
B
时钟
数据
LE
24-BIT
数据
注册
INTEGER REG
P = 4/5或8/9
B = 9位; A = 3 BITS
AGND
DGND
CPGND
图1 。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是,没有责任承担由Analog Devices供其使用,也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利,可能导致其使用的。
规格如有变更,恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
www.analog.com
联系电话: 781.329.4700
传真: 781.326.8703
2004 ADI公司保留所有权利。
04833-0-001
ADF4154
ADF4154
目录
规格................................................. .................................... 3
时序特性................................................ ..................... 4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和引脚功能描述...................... 6
典型性能特征............................................. 7
电路说明................................................ ........................... 9
参考输入部分............................................... ................ 9
RF输入级............................................... ................................ 9
RF INT分频器............................................... .............................. 9
INT , FRAC , MOD和R的关系...................................... 9
RF v计数器............................................... ................................. 9
相位频率检测器( PFD)和电荷泵.............. 9
MUXOUT和锁定检测.............................................. ........ 10
输入移位寄存器............................................... .................... 10
节目模式................................................ .......................... 10
寄存器................................................. .......................................... 11
寄存器定义................................................ ..................... 15
R-分频寄存器, R1 ............................................ ................... 15
控制寄存器, R2 .............................................. ..................... 15
噪声和杂散注册, R3 ............................................ .......... 16
保留位................................................ ............................... 16
RF合成器:一个成功范例........................................ 16
模................................................. ...................................... 17
参考倍增和参考分频器............................. 17
12位可编程模数............................................. ... 17
虚假的优化和快速锁定...................................... 17
快速锁定定时器和寄存器序列............................... 17
快速锁定:一个成功范例........................................... ...... 18
快速锁定:环路滤波器拓扑........................................... ... 18
杂散信号................................................ .......................... 18
滤波器设计-的ADIsimPLL .............................................. ......... 18
接口................................................. .................................. 18
对于芯片级封装PCB设计指南.................... 19
外形尺寸................................................ ....................... 20
订购指南................................................ .......................... 20
第0版|第20页2
ADF4154
特定网络阳离子
表1. AV
DD
DV
DD
= SDV
DD
= 2.7 V至3.3 V ; V
P
= AV
DD
至5.5 V ; AGND = DGND = 0 V ;牛逼
A
= T
给T
最大
中,除非另有
注意; dBm的简称50 Ω 。工作温度为B版为-40 ° C至+ 80°C 。
参数
射频特性( 3 V )
RF输入频率( RF
IN
)
1
基准特性
REF
IN
输入频率
1
REF
IN
输入灵敏度
B版本
0.5/4.0
1.0/4.0
10/250
0.7/AV
DD
0至AV
DD
10
±100
32
单位
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
MHz的最小/最大
V P-P
最小/最大
V最大
pF的最大
μA(最大值)
兆赫最大
测试条件/评论
SEE
图18
对输入电路。
-8 dBm的/ 0 dBm的最大/最小值。对于较低的频率,确保压摆率> 396 V / μs的。
为-10 dBm / 0 dBm的最小/最大。
参见图17为输入电路。
对于f < 10兆赫,采用直流耦合, CMOS兼容的方波,转换速率>
21 V / μs的。
AC耦合。
CMOS兼容。
REF
IN
输入电容
REF
IN
输入电流
相位检测器
鉴相器频率
2
电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
绝对精度
R
SET
范围
I
CP
三态泄漏电流
匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
INH
,输入高电压
V
INL
,输入低电压
I
INH
/I
INL
,输入电流
C
IN
,输入电容
逻辑输出
V
OH
,输出电压高
V
OL
,输出低电压
电源
AV
DD
DV
DD
, SDV
DD
V
P
I
DD3
低功耗睡眠模式
噪声特性
优异的相位噪声图
4
ADF4154的相位噪声楼
5
相位噪声性能
6
1750 MHz输出
7
5
312.5
2.5
1.5/10
1
2
2
2
1.4
0.6
±1
10
1.4
0.4
2.7/3.3
AV
DD
AV
DD
/5.5
24
1
213
143
139
102
毫安(典型值)
μA (典型值)
% (典型值)
kΩ的最小/最大
nA的典型值
% (典型值)
% (典型值)
% (典型值)
V分钟
V最大
μA(最大值)
pF的最大
V分钟
V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
最大mA
μA (典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
可编程的。见表5 。
有R
SET
= 5.1 k.
有R
SET
= 5.1 k.
漏极和源极电流。
0.5 V < V
CP
& LT ; V
P
– 0.5.
0.5 V < V
CP
& LT ; V
P
– 0.5.
V
CP
= V
P
/2.
开漏1 kΩ的上拉至1.8 V.
I
OL
= 500 A.
20毫安典型。
@ 10 MHz的PFD频率。
@ 26 MHz的PFD频率。
@ VCO输出。
@ 1 kHz偏置, 26 MHz的PFD频率。
1
2
采用方波为所有低于f频率
.
通过设计保证。样品测试,以确保合规性。
3
AC耦合确保AV
DD
/ 2偏置。请参阅图17为典型电路。
4
该图可以被用来计算相位噪声的任何应用程序。用公式-213 + 10log (F
PFD
)+ 20logN计算的带内相位噪声性能,如可见
在VCO的输出。给出的值是最低的噪声模式。
5
该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出和相减20logN (其中N为N分频器值)。
给出的值是最低的噪声模式。
6
相位噪声测量与EVAL- ADF4154EB1评估板和HP8562E频谱分析仪。
7
f
REFIN
= 26 MHz的; F
PFD
= 26 MHz的;偏移频率= 1千赫; RF
OUT
= 1750 MHz的;环路B / W = 20千赫;最低的噪声模式。
第0版|第20页3
ADF4154
时序特性
表2. AV
DD
DV
DD
= SDV
DD
= 2.7 V至3.3 V ; V
P
= AV
DD
至5.5 V ; AGND = DGND = 0 V ;牛逼
A
= T
给T
最大
中,除非另有
注意; dBm的简称50 Ω 。
参数
1
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
在T限制
给T
最大
(B版)
20
10
10
25
25
10
20
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
测试条件/评论
LE建立时间
数据时钟的建立时间
数据时钟保持时间
时钟高时间
时钟低电平持续时间
时钟到LE建立时间
LE脉冲宽度
1
通过设计保证,但未经生产测试。
t
4
时钟
t
5
t
2
数据
DB23 (MSB)
DB22
t
3
DB2
DB1
(控制位C2 )
DB0 ( LSB )
(控制位C1 )
t
7
LE
t
1
LE
t
6
04833-0-026
图2.时序图
第0版|第20页4
ADF4154
绝对最大额定值
表3.绝对最大额定值。
1, 2, 3
T
A
= 25 ° C,除非
另有说明。
参数
V
DD
到GND
V
DD
到V
DD
V
P
到GND
V
P
到V
DD
数字I / O电压为GND
模拟量I / O电压为GND
REF
IN
中,Rf
IN
到GND
工作温度范围
工业(B版)
存储温度范围
最高结温
TSSOP θ
JA
热阻抗
LFCSP θ
JA
热阻抗
(桨焊接)
LFCSP θ
JA
热阻抗
(桨没有焊接)
焊接温度,焊接
气相(60秒)
红外线
等级
-0.3 V至+4 V
-0.3 V至+0.3 V
0.3 V至5.8 V
0.3 V至5.8 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
150°C
150.4°C/W
122°C/W
216°C/W
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件的业务部门上市
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
1
这个装置是用的ESD额定值的高性能射频集成电路
< 2千伏,并且它是ESD敏感。适当的预防措施应采取
处理和组装。
2
GND = A
GND
= D
GND
= 0 V.
3
V
DD
= AV
DD
DV
DD
= SDV
DD
.
215°C
220°C
ESD警告
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然这款产品的特点
专用ESD保护电路,永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此,适当的ESD防范措施建议,以避免性能
下降或功能丧失。
第0版|第20页5
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