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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1544页 > ADF4153WYRUZ-RL7
数据表
特点
小数N分频合成器
ADF4153
概述
该ADF4153是一种分数N频率合成器
实现了变频的本地振荡器
和无线接收机的下变频部分和
发射器。它由低噪声数字鉴相的
频率检测器(PFD ) ,精密电荷泵,并
可编程参考分频器。有基于一个Σ- Δ
小数插值器,能够实现可编程小数N分
师。该INT , FRAC和MOD寄存器定义了一个
总N分频器(N = ( INT + ( FRAC / MOD) ) ) 。此外,
4位参考分频器(R计数器)允许选择
REFIN频率在PFD输入端。一个完整的相位
锁相环(PLL )可如合成器是被实现
与外部环路滤波器用于和一个电压控制
振荡器(VCO) 。
一个简单的三线接口控制所有片内寄存器。
该器件工作的电源电压范围为
2.7 V至3.3 V ,可断电时不使用。
射频带宽4GHz的
2.7 V至3.3 V电源供电
单独的V
P
可扩展的调谐电压
可版本: -40°C至+ 125°C
可编程模数小数
可编程电荷泵电流
3线串行接口
模拟和数字锁定检测
掉电模式
与ADF4110 / ADF4111 / ADF4112 / ADF4113引脚兼容
和ADF4106
一致的RF输出相位
环路滤波器的设计可以利用ADIsimPLL
通过汽车应用认证
应用
有线电视设备
基站对移动无线电系统(GSM ,PCS, DCS, WiMAX等
超级3G, CDMA,W- CDMA)的
无线手持设备(GSM, PCS ,DCS, CDMA,W- CDMA)的
无线局域网, PMR
通信测试设备
功能框图
AV
DD
DV
DD
V
P
SDV
DD
R
SET
ADF4153
REF
IN
×2
4-BIT
v计数器
+
V
DD
DGND
LOCK
检测
MUXOUT
产量
MUX
V
DD
R
DIV
N
DIV
N-二计数器
三阶
部分的
CLK
数据
LE
24-BIT
数据
注册
分数
REG
系数
REG
REG
当前
环境
RFCP3 RFCP2 RFCP1
RF
IN
A
RF
IN
B
频率
探测器
参考
收费
CP
高-Z
AGND
DGND
CPGND
图1 。
牧师F
文档反馈
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
电话: 781.329.4700 2003-2013 ADI公司保留所有权利。
技术支援
www.analog.com
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获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
03685-001
ADF4153
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... ............... 1
修订历史................................................ ............................... 3
规格................................................. .................................... 4
时序规格................................................ .................. 5
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能描述........................... 7
典型性能特征............................................. 8
电路说明................................................ ........................... 9
参考输入部分............................................... ................ 9
RF输入级............................................... ................................ 9
RF INT分频器............................................... .............................. 9
INT , FRAC , MOD和R的关系..................................... 9
RF v计数器............................................... ................................. 9
相位频率检测器( PFD)和电荷泵............ 10
MUXOUT和锁定检测.............................................. ........ 10
输入移位寄存器............................................... .................... 10
节目模式................................................ .......................... 10
N分频器寄存器R0 ............................................. .................. 16
数据表
R分频器寄存器, R1 ............................................. ................... 16
控制寄存器, R2 .............................................. ..................... 16
噪声和杂散注册, R3 ............................................ .......... 17
保留位................................................ ............................... 17
初始化序列................................................ .............. 18
RF合成器:一个成功范例........................................ 18
模................................................. ...................................... 18
参考倍增和参考分频器............................. 18
12位可编程模数............................................. ... 18
快速锁定与杂散优化...................................... 19
推动机制................................................ ....................... 19
支线一致性................................................ ........................ 20
第一阶段重新同步................................................ ............................... 20
滤波器设计-的ADIsimPLL .............................................. ......... 20
接口................................................. .................................. 20
对于芯片级封装PCB设计指南.................... 21
应用信息................................................ .............. 22
本地振荡器的GSM基站发射机........... 22
外形尺寸................................................ ....................... 23
订购指南................................................ .......................... 24
汽车产品................................................ ................. 24
修订版F |页24 2
数据表
修订历史
11/13 -REV 。 E至版本F
改变我
CP
漏/源参数,表1 .............................. 4
更改订购指南.............................................. ............. 24
7/12 -REV 。 D钮英文内容
更新的外形尺寸............................................... ......... 23
更改订购指南.............................................. ............. 24
8月10日 - 修订版。 C到Rev. D的
更改功能部分.............................................. .............. 1
更改噪声特性参数,如表1 .................. 5
图4 ..............................................变化............................. 7
更改订购指南.............................................. ............. 24
新增汽车产品部........................................... 24
10月8日 - 修订版。 B到C版
加上y版本(境) ............................................ .......... 1
更改订购指南.............................................. ............. 23
8月5日 - 修订版。 A到版本B
更改功能............................................... ........................... 1
更改应用程序............................................... .................... 1
更改规格............................................... .................. 3
更改绝对最大额定值........................................ 5
图7的变化图9 ........................................... ............ 7
删除图8至图10 ;重新编号,按顺序........... 8
删除的图11和图14;重新编号,按顺序...... 9
更改表9 .............................................. ............................ 13
ADF4153
添加初始化顺序第........................................ 17
更改快速锁定与杂散优化科........ 18
插入图16 ;重新编号,按顺序............................ 18
加入马刺机制第.............................................. ... 18
添加表11 ;重新编号,按顺序................................. 18
新增支线一致性组.............................................. .... 19
更改阶段重新同步.............................................节.... 19
插入图17 ;重新编号,按顺序............................ 19
删除虚假Signals-
预计他们将在那里出现第.............................. 20
图19 ..............................................变化........................ 20
图20 ..............................................变化........................ 21
添加应用部分............................................... ........... 21
变化图22标题............................................. .......... 22
更改订购指南.............................................. ............. 22
1月4日 - 修订版。 0到版本A
重编图和表......................................通用
更改规格............................................... .................. 3
更改引脚功能描述............................................ 7
更改RF掉电第........................................... 17
更改PCB设计指南芯片级
包款................................................ ............................... 21
更新的外形尺寸............................................... ......... 22
更新订购指南............................................... ................ 22
7月3日 - 修订版0 :初始版
修订版F |第24 3
ADF4153
特定网络阳离子
数据表
AV
DD
DV
DD
= SDV
DD
= 2.7 V至3.3 V ; V
P
= AV
DD
至5.5 V ; AGND = DGND = 0 V ;牛逼
A
= T
给T
最大
中,除非另有说明;
dBm的简称50 Ω 。
表1中。
参数
射频特性( 3 V )
RF输入频率( RF
IN
)
B版本
1
0.5/4.0
0.5/4.0
1.0/4.0
基准特性
REF
IN
输入频率
REF
IN
输入灵敏度
REF
IN
输入电容
REF
IN
输入电流
相位检测器
鉴相器频率
4
电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
绝对精度
R
SET
范围
I
CP
三态泄漏电流
匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
INH
,输入高电压
V
INL
,输入低电压
I
INH
/I
INL
,输入电流
C
IN
,输入电容
逻辑输出
V
OH
,输出电压高
V
OL
,输出低电压
电源
AV
DD
DV
DD
, SDV
DD
V
P
I
DD
低功耗睡眠模式
10/250
0.7/AV
DD
10
±100
32
版本
2
0.5/4.0
0.5/4.0
1.0/4.0
10/250
0.7/AV
DD
10
±100
32
单位
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
MHz的最小/最大
V P-P最小/最大
pF的最大
μA(最大值)
兆赫最大
可编程;见表9
有R
SET
= 5.1 kΩ
有R
SET
= 5.1 kΩ
漏极和源极电流
0.5 V < V
CP
& LT ; V
P
– 0.5
0.5 V < V
CP
& LT ; V
P
– 0.5
V
CP
= V
P
/2
测试条件/评论
参见图12,用于输入电路
B版本: -8 dBm的最小/ 0 dBm的最大
版本: -6.5 dBm的最小/ 0 dBm的最大
对于较低频率,保证摆率( SR), > 400V / μs的
为-10 dBm / 0 dBm的最小/最大
图11给出了输入电路
对于f < 10兆赫,采用直流耦合, CMOS兼容
方波;压摆率> 25 V / μs的
偏置AV
DD
/2
3
5
312.5
2.5
1.5/10
1
2
2
2
1.4
0.6
±1
10
1.4
0.4
2.7/3.3
AV
DD
AV
DD
/5.5
24
1
5
312.5
2.5
1.5/10
4.5
2
2
2
1.4
0.6
±1
10
1.4
0.4
2.7/3.3
AV
DD
AV
DD
/5.5
24
1
毫安(典型值)
μA (典型值)
% (典型值)
kΩ的最小/最大
nA的典型值
% (典型值)
% (典型值)
% (典型值)
V分钟
V最大
μA(最大值)
pF的最大
V分钟
V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
最大mA
μA (典型值)
漏极开路1 kΩ的上拉至1.8 V
I
OL
= 500 A
20毫安典型
修订版F |第24 4
数据表
参数
噪声特性
归一化相位噪声楼
( PN
SYNTH
)
5
归一化的1 / f噪声( PN
1_f
)
6
相位噪声性能
7
1750 MHz输出
8
1
2
ADF4153
B版本
1
220
114
102
版本
2
220
114
102
单位
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
测试条件/评论
PLL环路带宽= 500千赫
测得在10 kHz偏移,归一化到1 GHz
@ VCO输出
@ 5 kHz偏置, 25 MHz的PFD频率
工作温度为B版为-40 ° C至+ 85°C 。
工作温度Y的版本为-40 ° C至+ 125°C 。
3
AC耦合确保AV
DD
/ 2偏置。
4
通过设计保证。样品测试,以确保合规性。
5
该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出中减去20的日志(N) (N为N分频器
值)和图10的日志(六
PFD
) 。 PN
SYNTH
= PN
合计
- 10日志(F
PFD
) - 20的日志(N)。
6
该PLL相位噪声是由1 / F(闪烁)噪声加归PLL底噪声。式用于在RF频率,男计算1 / f噪声的贡献
RF
,
并在偏移的频率f ,通过PN = P给定
1_f
+10日志(10千赫/女) +20日志(六
RF
/ 1千兆赫) 。无论是归一化相位噪声层和闪烁噪声建模中的ADIsimPLL 。
7
相位噪声测量与EV- ADF4153SD1Z和Agilent E5500相位噪声的系统。
8
f
REFIN
= 100 MHz的; F
PFD
= 25 MHz的;偏移频率= 5千赫; RF
OUT
= 1750 MHz的; 70例;环路带宽= 20 kHz的;最低的噪声模式。
时序特定网络阳离子
AV
DD
DV
DD
= SDV
DD
= 2.7 V至3.3 V ; V
P
= AV
DD
至5.5 V ; AGND = DGND = 0 V ;牛逼
A
= T
给T
最大
中,除非另有说明;
dBm的简称50 Ω 。
表2中。
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
在T限制
给T
最大
(B版)
20
10
10
25
25
10
20
t
4
CLK
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
t
5
测试条件/评论
LE建立时间
DATA到CLK建立时间
DATA到CLK保持时间
CLK高时间
CLK低时间
CLK到LE建立时间
LE脉冲宽度
t
2
数据
DB23 (MSB)
DB22
t
3
DB2
DB1
(控制位C2 )
DB0 ( LSB )
(控制位C1 )
t
7
LE
t
1
LE
t
6
03685-026
图2.时序图
修订版F |第24 5
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