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高电压,小数N /
整数N分频PLL合成器
ADF4150HV
特点
小数N分频合成器和整数N分频合成器
高电压电荷泵: V
P
= 6 V至30 V
调整范围: 1.0 V至29 V(或± 1 V从V
P
电源轨)
射频带宽为3.0 GHz的
可编程分频的1 / -2 / -4 / -8 / -16输出
合成器电源: 3.0 V至3.6 V
4/5或8/9可编程双模前置分频器
可编程输出功率水平
可编程电荷泵电流
RF输出静音功能
3线串行接口
模拟和数字锁定检测
概述
ADF4150HV
是一个3.0 GHz的,小数N分频或整数N
频率合成器带有集成的高电压充电
泵。该合成器可以用来驱动外部宽带
和VCO直接,省去了运算放大器
以实现更高的调谐电压。这简化了设计,
降低了成本,同时提高相位噪声,相对于活性
滤波器拓扑结构,这往往会降低相位噪声相比
无源滤波器拓扑结构。
VCO的频率可以被1 ,2,4 ,8或16整除,以允许
用户生成的RF输出频率低至31.25兆赫。
对于要求隔离的应用中,RF输出级可以是
静音。静音功能既引脚和软件控制。
一个简单的三线接口控制所有片内寄存器。该
电荷泵从范围从6伏到一个电源供电
30伏,而器件的其余部分工作于3.0 V至3.6 V.
ADF4150HV
可以关断不使用的时候。
应用
无线基础设施
微波的点至点/点对多点无线电
VSAT收音机
测试设备
私人陆地移动无线电
功能框图
SDV
DD
AV
DD
DV
DD
V
P
R
SET
REF
IN
×2
10位R
计数器
÷2
分频器
LOCK
检测
多路复用器
MUXOUT
LD
CLK
数据
LE
数据寄存器
功能
LATCH
比较
高压
收费
BOOST
模式
CP
OUT
当前
环境
DIVIDE-BY-1/
-2/-4/-8/-16
价值
分数
价值
系数
价值
产量
舞台
RF
OUT
+
RF
OUT
PDB
RF
三阶
部分的
多路复用器
RF
输入
RF
IN
+
RF
IN
N计数器
CE
GND
CP
GND
SD
GND
图1 。
第0版
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责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
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一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.461.3113
2011 ADI公司保留所有权利。
09058-001
ADF4150HV
ADF4150HV
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... ............... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
时序特性................................................ ................ 5
绝对最大额定值............................................... ............. 6
晶体管数量................................................ ........................... 6
热阻................................................ ...................... 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能说明............................. 7
典型性能特征............................................. 9
电路说明................................................ ......................... 11
参考输入部分............................................... .............. 11
RF N分频器............................................... ................................ 11
相位频率检测器( PFD)和高电压
电荷泵................................................ .............................. 11
MUXOUT和锁定检测.............................................. ........ 12
输入移位寄存器............................................... .................... 12
节目模式................................................ .......................... 12
输出级................................................ ................................ 12
寄存器映射................................................ .................................. 13
寄存器0 ................................................ ..................................... 17
注册1 ................................................ ..................................... 17
注册2 ................................................ ..................................... 17
注册3 ................................................ ..................................... 19
注册4 ................................................ ..................................... 19
注册5 ................................................ ..................................... 19
寄存器的初始化序列............................................... 19
RF合成器-A样例...................................... 20
参考倍增和参考分频器............................. 20
12位可编程模数............................................. ... 20
虚假的优化和升压模式................................ 21
推动机制................................................ ....................... 21
支线一致性和分数杂散优化........... 21
第一阶段重新同步................................................ ............................... 22
应用信息................................................ .............. 23
超宽带PLL ................................................ .................... 23
微波PLL ................................................ ........................... 23
产生的高电压电源....................................... 24
接口的ADuC702x和ADSP- BF527 ............. 25
对于芯片级封装................. 25 PCB设计指南
输出匹配................................................ ........................ 26
外形尺寸................................................ ....................... 27
订购指南................................................ .......................... 27
修订历史
8月11日 - 修订版0 :初始版
第0版|第28 2
ADF4150HV
特定网络阳离子
AV
DD
DV
DD
= SDV
DD
= 3.3 V ± 10%; V
P
= 6.0 V至30 V ; GND = 0 V ;牛逼
A
= T
给T
最大
中,除非另有说明。工作温度
范围为-40 ° C至+ 85°C 。
表1中。
参数
REF
IN
特征
输入频率
10
10
0.7
典型值
最大
300
30
AV
DD
5.0
±60
单位
兆赫
兆赫
V P-P
pF
μA
测试条件/评论
对于f < 10兆赫,确保压摆率> 21 V / μs的
在启用参考倍增( DB25位
寄存器2被设置为1)
偏置AV
DD
/ 2;交流耦合确保AV
DD
/ 2 BIAS
输入灵敏度
输入电容
输入电流
RF输入特性
RF输入频率( RF
IN
)
预分频器输出频率
相位检测器
鉴相器频率
0.5
3.0
750
26
20
26
GHz的
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
对于较低的RF
IN
频率,确保转换
评分> 400 V / μs的
-10 ≤- RF输入功率≤ +5 dBm的
低噪声模式
低SPUR模式
整数N分频模式
高压电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
R
SET
范围
高价值与
SET
漏极和源极电流匹配
我绝对
CP
准确性
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
I
CP
泄漏
逻辑输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
INH
/I
INL
输入电容,C
IN
逻辑输出
输出高电压,V
OH
输出高电流,I
OH
输出低电压,V
OL
电源
AV
DD
DV
DD
, SDV
DD
V
P
I
P
DI
DD
+ AI
DD1
目前每个输出分频器
I
RFOUT2
低功耗睡眠模式
384
48
3.3
196
6
3
2.5
2.5
2.5
2.0
0.6
±1
15.0
DV
DD
0.4
500
0.4
3.0
AV
DD
6.0
1
50
624的
20
1
30
2.5
60
32
3.6
10
594
μA
μA
μA
μA
%
%
%
%
nA
V
V
μA
pF
V
μA
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
μA
R
SET
= 5.1 kΩ
R
SET
= 5.1 kΩ
R
SET
= 10 kΩ
R
SET
= 3.3 kΩ
1.0 V ≤ V
CP
≤ (V
P
1.0 V); V
P
= 6 V至30 V
1.0 V ≤ V
CP
≤ (V
P
1.0 V)
V
CP
= V
P
/2
V
CP
= V
P
/2
选择CMOS输出
I
OL
= 500 μA
设置V
P
供给至少1伏以上的
最大期望的调谐电压
V
P
= 30 V
各输出除以2消耗6毫安典型值
RF输出级是可编程
第0版|第28 3
ADF4150HV
参数
RF输出特性
输出频率使用RF输出
分频器
谐波含量(二)
谐波含量(三)
最小的射频输出功率
2
最大射频输出功率
2
输出功率变化与供应
输出功率的变化与温度的关系
信号电平射频静音启用
噪声特性
归一化带内相位噪声
地板( PN
SYNTH
)
3
归一化的1 / f噪声( PN
1_f
)
4
射频输出分频器底噪声
由于PFD频率杂散信号
31.25
19
20
13
10
4
5
±1
±1
37
213
203
113
108
155
70
85
典型值
最大
单位
兆赫
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
DBM
dB
dB
DBM
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的
dBc的
测试条件/评论
500 MHz的VCO输入和除以16个选定的
基本的VCO输出
分频VCO输出
基本的VCO输出
分频VCO输出
可编程的3 dB步长
可编程的3 dB步长
上拉电源的引脚18和引脚19多样
从3.0 V至3.6 V
从-40 ° C至+ 85°C
PDB
RF
引脚变为低电平; RF = 2 GHz的
低噪声模式
低SPUR模式
低噪声模式
低SPUR模式
测量10 MHz偏移
在RF
OUT
+ / RF
OUT
=销
在VCO输出
1
2
T
A
= 25°C ; AV
DD
DV
DD
= 3.3 V ;预分频器= 8/9 ; F
REFIN
= 100 MHz的; F
PFD
= 25 MHz的; F
RF
= 1.75千兆赫。
采用50 Ω电阻,以AV
DD
,到50Ω负载。
3
该图可以被用来计算相位噪声的任何应用程序。截至VCO的输出看出,计算的带内相位噪声性能,使用下面的公式:
PN
SYNTH
=
PN
合计
- 10日志(F
PFD
) - 20日志
N.
4
PLL的相位噪声是由闪烁(的1 / f )噪声加归一化的PLL噪声基底的。闪烁噪声被指定在10 kHz偏置和归一化到1千兆赫。该
式用于计算在一个RF频率的1 / f噪声的贡献(六
RF
)中,在一个频率偏置量(f )由下式给出
PN
=
PN
1_f
+10日志(10千赫/女) +20日志(六
RF
/ 1千兆赫) 。两
归一化相位噪声层和闪烁噪声建模
ADIsimPLL可以。
第0版|第28 4
ADF4150HV
时序特性
AV
DD
DV
DD
= SDV
DD
= 3.3 V ± 10%; V
P
= 6.0 V至30 V ; GND = 0 V ;牛逼
A
= T
给T
最大
中,除非另有说明。工作温度
范围为-40 ° C至+ 85°C 。
表2中。
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
极限
20
10
10
25
25
10
20
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
描述
LE建立时间
DATA到CLK建立时间
DATA到CLK保持时间
CLK高时间
CLK低时间
CLK到LE建立时间
LE脉冲宽度
时序图
t
4
CLK
t
5
t
2
数据
DB31 (MSB)
DB30
t
3
DB2
(控制位C3 )
DB1
(控制位C2 )
DB0 ( LSB )
(控制位C1 )
t
7
LE
t
1
LE
t
6
09058-002
图2.时序图
第0版|第28 5
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