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a
射频锁相环频率合成器
ADF4110/ADF4111/ADF4112/ADF4113
概述
特点
ADF4110 : 550 MHz的
ADF4111 : 1.2 GHz的
ADF4112 : 3.0 GHz的
ADF4113 : 4.0 GHz的
2.7 V至5.5 V电源供电
独立的电荷泵电源(V
P
)允许扩展
调谐电压3 V系统
可编程双模预分频器8/9 , 16/17 ,
32/33, 64/65
可编程电荷泵电流
可编程反冲防回差脉冲宽度
3线串行接口
模拟和数字锁定检测
硬件和软件省电模式
可以使用的ADF4110系列频率合成
落实上变频和下本地振荡器
无线接收机和发射机的变频部分。他们
包括一个低噪声数字PFD (相位频率检测器)中,
精密电荷泵,可编程参考分频器,
可编程A和B计数器以及双模预分频器
(P / P + 1) 。在A( 6位)和B ( 13位)计数器,中联
用双模数预分频器(P / P + 1) ,实现N
分频器( N = BP + A) 。此外, 14位参考计数器
(R计数器)允许在PFD可选择REFIN频率
输入。一个完整的PLL(锁相环)方案需要
如果mented的合成器与外部环路滤波器和
VCO (压控振荡器) 。
所有片内寄存器均通过简单的3线接口。
该器件的电源电压范围为2.7 V操作
5.5 V,并且可以关断不使用的时候。
应用
基地台的无线电台(GSM, PCS ,DCS,
CDMA,WCDMA )
无线手机( GSM , PCS , DCS , CDMA , WCDMA )
无线局域网
通信测试设备
有线电视设备
功能框图
AV
DD
DV
DD
V
P
CPGND
R
SET
参考
REF
IN
14-BIT
v计数器
14
v计数器
LATCH
频率
探测器
收费
CP
CLK
数据
LE
A, B计数器
LATCH
19
24-BIT
输入寄存器
22
功能
LATCH
LOCK
检测
当前
设置1
当前
设置2
SD
OUT
CPI3 CPI2 CPI1,判断CPI6 CPI5 CPI4
功能
LATCH
13
N = BP + A
高Z
AV
DD
MUX
13-BIT
B计数器
负载
负载
6-BIT
计数器
M3
M2
M1
MUXOUT
RF
IN
A
RF
IN
B
SD
OUT
预分频器
P/P +1
6
ADF4110/ADF4111
ADF4112/ADF4113
CE
AGND
DGND
第0版
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可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
万维网网站: http://www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司, 2000
ADF4110/ADF4111/ADF4112/ADF4113–SPECIFICATIONS
另有说明)
(AV = DV = 3伏的10% , 5伏的10% ; AV
V
6.0 V ; AGND = DGND = CPGND = 0 V ; R = 4.7 K表; T =到T ,除非
DD
DD
DD
P
SET
1
A
最大
参数
射频特性( 3 V )
RF输入频率
ADF4110
ADF4110
ADF4111
ADF4112
ADF4112
ADF4113
RF输入灵敏度
最大允许预分频器
输出频率
3
射频特性( 5 V )
RF输入频率
ADF4110
ADF4111
ADF4112
ADF4113
ADF4113
RF输入灵敏度
最大允许预分频器
输出频率
3
REFIN特性
REFIN输入频率
参考输入灵敏度
4
REFIN输入电容
REFIN输入电流
相位检测器
鉴相器频率
5
电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
绝对精度
R
SET
范围
I
CP
三态泄漏电流
漏极和源极电流匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
INH
,输入高电压
V
INL
,输入低电压
I
INH
/I
INL
,输入电流
C
IN
,输入电容
逻辑输出
V
OH
,输出电压高
V
OL
,输出低电压
电源
AV
DD
DV
DD
V
P
I
DD6
( AI
DD
+ DI
DD
)
ADF4110
ADF4111
ADF4112
ADF4113
I
P
低功耗睡眠模式
B版本
B芯片
2
单位
测试条件/评论
请参阅图25为输入电路。
使用方波为较低的频率。
45/550
25/550
0.045/1.2
0.2/3.0
0.1/3.0
0.2/3.7
–15/0
165
45/550
25/550
0.045/1.2
0.2/3.0
0.1/3.0
0.2/3.7
–15/0
165
MHz的最小/最大
MHz的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
兆赫最大
输入电平= -10 dBm的
输入电平= -10 dBm的
输入电平= -10 dBm的
使用方波为较低的频率。
25/550
0.025/1.4
0.1/3.0
0.2/3.7
0.2/4.0
–10/0
200
0/100
–5/0
10
±
100
55
25/550
0.025/1.4
0.1/3.0
0.2/3.7
0.2/4.0
–10/0
200
0/100
–5/0
10
±
100
55
MHz的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
兆赫最大
MHz的最小/最大
dBm的最小/最大
pF的最大
A
最大
兆赫最大
可编程:见表V
有R
SET
= 4.7 k
有R
SET
= 4.7 k
见表5
0.5 V
V
CP
V
P
– 0.5
0.5 V
V
CP
V
P
– 0.5
V
CP
= V
P
/2
输入电平= -5 dBm的
交流耦合。当直流耦合:
0到V
DD
MAX( CMOS兼容)
5
625
2.5
2.7/10
1
2
1.5
2
0.8
×
DV
DD
0.2
×
DV
DD
±
1
10
DV
DD
– 0.4
0.4
2.7/5.5
AV
DD
AV
DD
/6.0
5.5
5.5
7.5
11
0.5
1
5
625
2.5
2.7/10
1
2
1.5
2
0.8
×
DV
DD
0.2
×
DV
DD
±
1
10
DV
DD
– 0.4
0.4
2.7/5.5
AV
DD
AV
DD
/6.0
4.5
4.5
6.5
8.5
0.5
1
–2–
毫安(典型值)
A
典型值
% (典型值)
千欧(典型值)
nA的典型值
% (典型值)
% (典型值)
% (典型值)
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
V分钟
V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
A
典型值
I
OH
= 500
A
I
OL
= 500
A
AV
DD
V
P
6.0 V
参见图22和23
4.5毫安典型
4.5毫安典型
6.5毫安典型
8.5毫安典型
T
A
= 25°C
第0版
ADF4110/ADF4111/ADF4112/ADF4113
参数
噪声特性
ADF4113的相位噪声楼
7
相位噪声性能
8
ADF4110 : 540 MHz输出
9
ADF4111 : 900 MHz输出
10
ADF4112 : 900 MHz输出
10
ADF4113 : 900 MHz输出
10
ADF4111 : 836 MHz输出
11
ADF4112 : 1750 MHz输出
12
ADF4112 : 1750 MHz输出
13
ADF4112 :1960 MHz输出
14
ADF4113 :1960 MHz输出
14
ADF4113 : 3100 MHz输出
15
杂散信号
ADF4110 : 540 MHz输出
9
ADF4111 : 900 MHz输出
10
ADF4112 : 900 MHz输出
10
ADF4113 : 900 MHz输出
10
ADF4111 : 836 MHz输出
11
ADF4112 : 1750 MHz输出
12
ADF4112 : 1750 MHz输出
13
ADF4112 :1960 MHz输出
14
ADF4113 :1960 MHz输出
14
ADF4113 : 3100 MHz输出
15
笔记
工作温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 85°C 。
在B芯片特定网络阳离子给出的典型值。
3
这是CMOS计数器的最高工作频率。的分频器值的选择应确保在RF输入分频为频率
小于该值。
4
AV
DD
DV
DD
= 3 V ;为AV
DD
DV
DD
= 5 V ,采用CMOS兼容电平。
5
通过设计保证。
6
T
A
= 25°C ; AV
DD
DV
DD
= 3 V ; P = 16 ; SYNC = 0; DLY = 0; RF
IN
对于ADF4110 = 540 MHz的; RF
IN
对于ADF4111 , ADF4112 , ADF4113 = 900兆赫。
7
该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出中减去上20 logN (N为N分频器值)。
8
相位噪声测量与EVAL- ADF411XEB1评估板和HP8562E频谱分析仪。频谱分析仪提供了REFIN
合成器(F
REFOUT
= 10 MHz的@ 0 dBm的) 。 SYNC = 0; DLY = 0 (见表三)。
9
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 540 MHz的; N = 2700 ;环路B / W = 20千赫。
10
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 900 MHz的; N = 4500 ;环路B / W = 20千赫。
11
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 30千赫;偏移频率= 300赫兹; F
RF
= 836 MHz的; N = 27867 ;环路B / W = 3千赫。
12
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 1750 MHz的; N = 8750 ;环路B / W = 20千赫。
13
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 10千赫;偏移频率= 200赫兹; F
RF
= 1750 MHz的; N = 175000 ;环的B / W = 1千赫。
14
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 1960 MHz的; N = 9800 ;环路B / W = 20千赫。
15
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 1 MHz的;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 3100 MHz的; N = 3100 ;环路B / W = 20千赫。
2
1
B版本
–171
–164
–91
–87
–90
–91
–78
–86
–66
–84
–85
–86
–97/–106
–98/–110
–91/–100
–100/–110
–81/–84
–88/–90
–65/–73
–80/–84
–80/–84
–80/–82
B芯片
2
–171
–164
–91
–87
–90
–91
–78
–86
–66
–84
–85
–86
–97/–106
–98/–110
–91/–100
–100/–110
–81/–84
–88/–90
–65/–73
–80/–84
–80/–84
–82/–82
单位
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的典型值
dBc的典型值
dBc的典型值
dBc的典型值
dBc的典型值
dBc的典型值
dBc的典型值
dBc的典型值
dBc的典型值
dBc的典型值
测试条件/评论
@ 25 kHz的PFD频率
@ 200kHz的PFD频率
@ VCO输出
@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率
@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率
@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率
@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率
@ 300 Hz的偏移和30kHz的PFD频率
@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率
@ 200 Hz的偏移和10kHz的PFD频率
@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率
@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率
@ 1 kHz偏置和1 MHz PFD频率
@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率
@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率
@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率
@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率
@ 30千赫/ 60 kHz到30 kHz PFD频率
@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率
@ 10千赫/ 20 kHz和10 kHz的PFD频率
@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率
@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率
@为1 MHz / 2 MHz和1 MHz的PFD频率
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
时序特性
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
10
10
25
25
10
20
1
( AV
DD
DV
DD
= 3 V
的10% , 5伏的10% ; AV
DD
V
P
6.0 V ; AGND = DGND = CPGND = 0 V ;
R
SET
= 4.7 K表;牛逼
A
= T
给T
最大
除非另有说明)
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
测试条件/评论
数据时钟的建立时间
数据时钟保持时间
时钟高时间
时钟低电平持续时间
时钟到LE建立时间
LE脉宽
在T限制
给T
最大
(B版)
笔记
1
通过设计保证,但未经生产测试。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
第0版
–3–
ADF4110/ADF4111/ADF4112/ADF4113
t
3
时钟
t
4
t
1
数据
DB20 (MSB)
DB19
t
2
DB2
DB1
(控制位C2 )
DB0 ( LSB )
(控制位C1 )
t
6
LE
t
5
LE
图1.时序图
绝对最大额定值
1, 2
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
AV
DD
到GND
3
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
AV
DD
以DV
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+0.3 V
V
P
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+7 V
V
P
以AV
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至+5.5 V
数字I / O电压为GND 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
模拟量I / O电压为GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
P
+ 0.3 V
REF
IN
中,Rf
IN
A, RF
IN
B至GND 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
工作温度范围
工业(B版) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40∞C至+ 85∞C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
TSSOP
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150.4∞C / W
CSP
θ
JA
热阻抗(桨焊接) 。 。 。 122 ° C / W
CSP
θ
JA
热阻抗
(桨无焊接) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 216 ° C / W
焊接温度,焊接
气相(60秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 215℃
红外( 15秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
笔记
1
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
2
这个装置是用的ESD额定值的高性能射频集成电路
< 2千伏,它是ESD敏感。适当的预防措施应采取的处理
和组装。
3
GND = AGND = DGND = 0V。
晶体管数量
6425 (CMOS)和303 (双极) 。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易accumu-
后期对人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
ADF4110 / ADF4111 / ADF4112 / ADF4113具有专用ESD保护电路,永久
破坏可能发生在经受高能量静电放电设备。因此,适当的ESD
预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
订购指南
模型
ADF4110BRU
ADF4110BCP
ADF4111BRU
ADF4111BCP
ADF4112BRU
ADF4112BCP
ADF4113BRU
ADF4113BCP
ADF4113BCHIPS
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
超薄紧缩小型封装( TSSOP )
芯片级封装( CSP )
超薄紧缩小型封装( TSSOP )
芯片级封装( CSP )
超薄紧缩小型封装( TSSOP )
芯片级封装( CSP )
超薄紧缩小型封装( TSSOP )
芯片级封装( CSP )
骰子
封装选项*
RU-16
CP-20
RU-16
CP-20
RU-16
CP-20
RU-16
CP-20
骰子
*联系方式
该工厂的芯片的可用性。
–4–
第0版
ADF4110/ADF4111/ADF4112/ADF4113
引脚功能描述
PIN号
1
助记符
R
SET
功能
在此引脚与CPGND之间的电阻设置最大电荷泵的输出电流。该
标称电压电势在R
SET
引脚为0.56 V.我之间的关系
CP
和R
SET
is
I
CP
最大
=
23.5
R
SET
2
3
4
5
6
7
8
CP
CPGND
AGND
RF
IN
B
RF
IN
A
AV
DD
REF
IN
9
10
11
12
13
14
15
16
DGND
CE
CLK
数据
LE
MUXOUT
DV
DD
V
P
所以,与
R
SET
= 4.7 k,
I
cpMax则
= 5毫安。
电荷泵的输出。如果启用此规定
±I
CP
到外部环路滤波器,其又驱动
外部VCO 。
电荷泵地面。这是用于电荷泵的接地返回路径。
模拟地。这是预分频器的接地回路。
互补输入到RF预分频器。这点应该去耦至地平面以
一个小的旁路电容,通常为100 pF的。参见图25 。
输入到RF预分频器。这个小信号输入通常是交流耦合的VCO 。
模拟电源。这个范围可以从2.7 V至5.5 V.去耦电容到模拟地
飞机应放置在尽可能靠近此引脚。 AV
DD
必须是相同的值DV的
DD
.
参考输入。这是一个CMOS输入用作为V的标称阈值
DD
/ 2和等效输入电阻
tance 100千欧的。参见图24这样的输入可以从TTL或CMOS晶体振荡器来驱动或
它可以是交流耦合的。
数字地。
芯片使能。逻辑低该引脚关断器件并将电荷泵输出到三
状态模式。服用引脚为高电平将启动该设备根据掉电位F2的状态。
串行时钟输入。此串行时钟用于时钟的串行数据到寄存器。该数据被锁存到
在CLK的上升沿的24位移位寄存器。这个输入是高阻抗CMOS输入。
串行数据输入。串行数据被加载的MSB音响首先用两个LSB被控制位。这
输入是高阻抗CMOS输入。
负荷启用, CMOS输入。当LE变为高电平时,存储在移位寄存器中的数据被加载到一个
四个锁存器,使用控制比特被选择的锁存器。
该多路输出允许使用的锁定检测,经缩放的RF或缩放后的参考频率
在外部访问。
数字电源。这个范围可以从2.7 V至5.5 V.去耦电容到数字地面
飞机应放置在尽可能靠近此引脚。 DV
DD
必须是相同的值的AV
DD
.
电荷泵电源。这应该是大于或等于V
DD
。在系统中,其中V
DD
为3 V ,
它可以被设置为6 V和用来驱动VCO,具有多达6 V的调谐范围
销刀豆网络gurations
TSSOP
R
设置1
CP
2
CPGND
3
AGND
4
RF
IN
B
5
16
V
P
芯片级封装
17 DV
DD
DGND 9
19 R
SET
16 DV
DD
15 MUXOUT
14 LE
13 DATA
12 CLK
11 CE
20 CP
ADF4110
ADF4111
ADF4112
ADF4113
15
DV
DD
14
MUXOUT
13
LE
CPGND
AGND
AGND
RF
IN
B
RF
IN
A
1
2
3
4
5
顶视图
12
数据
(不按比例)
11
CLK
RF
IN
A
6
AV
DD 7
REF
在8
10
CE
9
ADF4110
ADF4111
ADF4112
ADF4113
顶视图
(不按比例)
第0版
–5–
DGND 10
AV
DD
6
AV
DD
7
REF
IN
8
DGND
18 V
P
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