【数据表特点7.0 GHz带宽2.7 V至3.3 V电源供电独立的电荷泵电源（VP）允许扩展的调谐电压】,IC型号ADF4107BCPZ-REEL,ADF4107BCPZ-REEL PDF资料,ADF4107BCPZ-REEL经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

特点

7.0 GHz带宽

2.7 V至3.3 V电源供电

独立的电荷泵电源（V

）允许扩展的调谐

电压3 V系统

可编程双模前置分频器

8/9, 16/17, 32/33, 64/65

可编程电荷泵电流

可编程反冲防回差脉冲宽度

3线串行接口

模拟和数字锁定检测

硬件和软件省电模式

PLL频率合成器

ADF4107

概述

ADF4107的频率合成器可以用于实现

在变频和下变频部分实现本地振荡器

的无线接收机和发射机。它包括一个低噪声

数字PFD （相位频率检测器），精密电荷泵，一个

可编程参考分频器，可编程A和B计数器，

和一个双模前置分频器（P / P + 1）。在A（ 6位）和B

（13位）计数器，在结合双模

预分频器（P / P + 1 ），实现N分频器（N = BP + A）。在

此外，14位参考分频器（R计数器）允许

可选择的楼盘

频率在PFD输入端。一个完整的PLL

（锁相环）可如合成器来实现

与外部环路滤波器和压控振荡器使用（电压控制

振荡器）。它的非常高的带宽意味着频率

倍增器可以在许多高频系统中被淘汰，

简化系统结构和降低成本。

应用

宽带无线接入

卫星系统

仪器仪表

无线局域网

基站无线电台

功能框图

CPGND

参考

14-BIT

v计数器

LATCH

CLK

数据

24位输入

功能

LATCH

A， B计数器

LATCH

13-BIT

B计数器

负载

预分频器

P/P + 1

负载

6-BIT

计数器

M3 M2 M1

OUT

LOCK

检测

当前

设置1

CPI3 CPI2 CPI1，判断

当前

设置2

CPI6 CPI5 CPI4

高Z

MUX

MUXOUT

相

频率

探测器

SET

REF

收费

泵

从

OUT

功能

LATCH

N = BP + A

ADF4107

03338-001

AGND

DGND

图1 。

Rev. D的

文档反馈

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

技术支援

www.analog.com

信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有

责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为

第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

商标和注册商标均为其各自所有者的财产。

ADF4107

特点................................................. ............................................. 1

应用................................................. ...................................... 1

概述................................................ ......................... 1

功能框图............................................... ............... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

时序特性................................................ ................ 4

绝对最大额定值............................................... ............. 5

ESD注意事项................................................ .................................. 5

引脚配置和功能描述........................... 6

典型性能特征............................................. 7

功能说明................................................ .................... 9

参考输入级............................................... .................... 9

RF输入级............................................... ................................ 9

预分频器（P / P + 1 ） .......................................... .............................. 9

A和B计数器.............................................. ........................... 9

v计数器................................................ ...................................... 9

数据表

鉴频鉴相器和充电泵.............................. 9

MUXOUT和锁定检测.............................................. ........ 10

输入移位寄存器............................................... ..................... 10

锁存摘要................................................ ........................... 11

引用计数器锁存地图.............................................. .... 12

AB计数器锁存地图.............................................. ............... 13

功能锁存地图............................................... .................... 14

初始化锁存地图............................................... ............. 15

功能锁存................................................ ............................ 16

初始化锁存................................................ ..................... 17

后的初始加电............................. 17器件编程

应用................................................. .................................... 18

本地振荡器的LMDS基站发射机............ 18

接口................................................. .................................. 19

对于芯片级封装PCB设计指南.................... 19

外形尺寸................................................ ....................... 20

订购指南................................................ .......................... 20

修订历史

3月13日 - 修订版。 C到Rev. D的

改变了RF

A到RF

b参数从± 320 mV至± 600 mV时，

表3 ................................................ ................................................ 5

更新的外形尺寸............................................... ........ 20

更改订购指南.............................................. ............ 20

11/12 -REV 。 B到C版

改变的EVAL- ADF411xEBZ1到EV- ADF411XSD1Z ............. 4

更改表3 .............................................. .............................. 5

更新的外形尺寸............................................... ........ 20

更改订购指南.............................................. ............ 20

9月11日 - 修订版。 A到版本B

变化归一化相位噪声层（ PNSYNTH ）参数，

表1 ................................................ ................................................ 3

加入归一化的1 / f噪声（ PN1_f ）参数和尾11 ，

表1 ................................................ ................................................ 3

改变的EVAL- ADF4107EB1到EVAL- ADF411xEBZ1 ............ 4

图4的变化和表4 ........................................... .......... 6

更新的外形尺寸............................................... ........ 20

更改订购指南.............................................. ............ 20

4月7日 - 修订版。 0到版本A

更新格式................................................ ..................通用

更改REFIN特性部分................................... 3

更改噪声特性部分...................................... 4

更改绝对最大额定值部分.......................... 5

图23 ..............................................变化........................ 12

更改订购指南.............................................. ............ 20

5月3日 - 修订版0 ：初始版

修订版D |第20页2

数据表

特定网络阳离子

ADF4107

= 3 V± 10 ％， AV

≤ V

≤ 5.5 V ， AGND = DGND = CPGND = 0 V ，R

SET

= 5.1 kΩ的， dBm的简称50 Ω ，T

= T

最大

给T

民

除非另有说明。

表1中。

参数

射频特性

RF输入频率（ RF

)

RF输入灵敏度

最大允许预分频器输出

频率

REF

特征

REF

输入频率

REF

输入灵敏度

REF

输入电容

REF

输入电流

相位检测器

鉴相器频率

电荷泵

吸入/源

高价值

低价值

绝对精度

SET

范围

三态泄漏

漏极和源极电流匹配

与V

与温度的关系

逻辑输入

，输入高电压

，输入低电压

INH

, I

INL

，输入电流

，输入电容

逻辑输出

，输出电压高

，输出低电压

电源

DD 8

（ AI

+ DI

)

掉电模式

（ AI

+ DI

)

噪声特性

归一化相位噪声层（ PN

SYNTH

)

归一化的1 / f噪声（ PN

1_f

)

B版本

1.0/7.0

–5/+5

300

B芯片

（典型值）

1.0/7.0

–5/+5

300

单位

GHz的最小/最大

dBm的最小/最大

兆赫最大

测试条件/评论

请参阅图18为输入电路

20/250

0.8/V

±100

104

20/250

0.8/V

±100

104

MHz的最小/最大

V P-P最小/最大

pF的最大

μA（最大值）

兆赫最大

对于f < 20兆赫，确保压摆率>50 V / μs的

偏置AV

ABP = 0,0 （ 2.9 ns的反冲脉冲宽度）

可编程;参见图25

有R

SET

= 5.1 k

有R

SET

= 5.1 k

见图25

0.5 V ≤ V

≤ V

0.5 V

0.5 V ≤ V

≤ V

0.5 V

= V

625

2.5

3.0 11

1.5

1.4

0.6

±1

1.4

0.4

100

0.4

2.7/3.3

/5.5

0.4

223

122

625

2.5

3.0 11

1.5

1.4

0.6

±1

1.4

0.4

100

0.4

2.7/3.3

/5.5

0.4

223

122

毫安（典型值）

μA （典型值）

％（典型值）

千欧（典型值）

nA的典型值

％（典型值）

V分钟

V最大

μA（最大值）

pF的最大

V分钟

μA（最大值）

V最大

V MIN / V最大

最大mA

μA （典型值）

dBc的/赫兹（典型值）

漏极开路输出选择; 1 kΩ上拉

电阻器1.8伏时

CMOS输出选择

= 500 A

≤ V

≤ 5.5 V

15毫安（典型值）

= 25°C

PLL环路带宽= 500 kHz时，在测

100 kHz偏置

10 kHz偏置;归一化到1 GHz

修订版D |第20页3

ADF4107

参数

相位噪声性能

900 MHz输出

6400 MHz输出

杂散信号

900 MHz输出

6400 MHz输出

数据表

B版本

90/92

65/70

70/75

B芯片

（典型值）

90/92

65/70

70/75

单位

dBc的/赫兹（典型值）

dBc的典型值

测试条件/评论

@ VCO输出

@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率

@ 1 kHz偏置和1 MHz PFD频率

@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD

频率

@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD

频率

@为1 MHz / 2 MHz和1 MHz的PFD频率

工作温度范围（B版）是-40 ° C至+ 85°C 。

在B芯片特定网络阳离子给出的典型值。

使用方波对于较低频率，最小下文所述。

这是CMOS计数器的最高工作频率。的分频器值的选择应确保RF输入进行分频，其频率

小于该值。

= 3 V.

交流耦合，确保AV

/ 2偏置。

通过设计保证。样品测试，以确保合规性。

= 25°C ; AV

= 3 V ; P = 32 ; RF

= 7.0千兆赫。

= 25°C ; AV

= 3.3 V ; R = 16383 ; A = 63 ; B = 891 ; P = 32 ; RF

= 7.0千兆赫。

该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出和相减20logN （其中N为N分频器值）

10日志（F

PFD

）。 PN

SYNTH

= PN

合计

- 20 LOGN -10 logF

PFD

该PLL相位噪声是由1 / F（闪烁）噪声加归PLL底噪声。式用于在RF频率，男计算1 / f噪声的贡献

和在频率偏移中，f ，由PN = PN定

1_f

+10日志（10千赫/女） +20日志（六

/ 1千兆赫）。无论是归一化相位噪声层和闪烁噪声建模

ADIsimPLL可以。

相位噪声的测量条件为

EV-ADF411xSD1Z

评估板和HP8562E频谱分析仪。频谱分析仪提供了REF

对于

合成器（F

REFOUT

= 10 MHz的@ 0 dBm的）。

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F

= 900 MHz的; N = 4500 ;环路带宽= 20 kHz的。

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F

= 6400 MHz的; N = 32000 ;环路带宽= 20 kHz的。

REFIN

= 10 MHz的; F

PFD

= 1 MHz的;偏移频率= 1千赫; F

= 6400 MHz的; N = 6400 ;环路带宽= 100 kHz的。

时序特性

= 3 V± 10 ％， AV

≤ V

≤ 5.5 V ， AGND = DGND = CPGND = 0 V ，R

SET

= 5.1 kΩ的， dBm的简称50 Ω ，T

= T

最大

给T

民

除非另有说明。

表2中。

参数

极限

（B版）

单位

ns（最小值）

测试条件/评论

数据时钟的建立时间

数据时钟保持时间

时钟高时间

时钟低电平持续时间

时钟到LE建立时间

LE脉冲宽度

通过设计保证，但未经生产测试。

工作温度范围（B版）是-40 ° C至+ 85°C 。

时钟

数据

DB23 （MSB）

DB22

DB2

DB1 （ CONTROL

BIT C2 ）

DB0 （ LSB ）

（控制位C1 ）

03338-002

图2.时序图

修订版D |第20页4

数据表

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明。

表3中。

参数

到GND

以DV

到GND

以AV

数字I / O电压为GND

模拟量I / O电压为GND

REF

中，Rf

A， RF

B到GND

A到RF

工作温度范围

工业（B版）

存储温度范围

最高结温

TSSOP θ

热阻抗

LFCSP θ

热阻抗

（桨焊接）

再溢流焊接

峰值温度

在峰值温度的时间

晶体管数量

CMOS

双极

ADF4107

注意，超出上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

只有等级;该器件在这些或任何功能操作

上述其他条件下的作战指示

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响

器件的可靠性。

这个装置是一个高性能的RF集成电路用

的<2千伏ESD额定值，它是ESD敏感。适当的预防措施

应采取的处理和装配。

等级

0.3 V至3.6 V

-0.3 V至+0.3 V

0.3 V至5.8 V

0.3 V到V

+ 0.3 V

0.3 V到V

+ 0.3 V

0.3 V到V

+ 0.3 V

± 600 mV的

-40 ° C至+ 85°C

-65 ° C至+ 125°C

150°C

112°C/W

30.4°C/W

ESD警告

260°C

40秒

6425

303

GND = AGND = DGND = 0V。

修订版D |第20页5