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数据表
特点
6.0 GHz带宽
2.7 V至3.3 V电源供电
独立的电荷泵电源(V
P
)允许扩展
调谐电压3 V系统
可编程双模前置分频器
8/9, 16/17, 32/33, 64/65
可编程电荷泵电流
可编程反冲防回差脉冲宽度
3线串行接口
模拟和数字锁定检测
硬件和软件省电模式
PLL频率合成器
ADF4106
概述
该ADF4106频率合成器可以用于实现
在上变频和下变频的本地振荡器
无线接收机和发射机的部分。它包括一个
低噪声,数字相位频率检测器(PFD ),精密
电荷泵,可编程参考分频器,可编程
计数器和B计数器以及双模预分频器(P / P + 1) 。
在A( 6位)计数器和B( 13位)计数器,中联
与双模预分频器(P / P + 1 ) ,实现N
分频器( N = BP + A) 。此外, 14位参考计数器
(R计数器)允许选择REF
IN
频率在PFD
输入。一个完整的锁相环( PLL)可实现
如果合成器与外部环路滤波器和电压
控制振荡器(VCO ) 。其非常高的带宽的手段
该倍频器可以在很多高被淘汰
高频系统,简化了系统结构和
降低了成本。
应用
宽带无线接入
卫星系统
仪器仪表
无线局域网
基站无线设备
AV
DD
DV
DD
功能框图
V
P
CPGND
参考
14-BIT
v计数器
14
v计数器
LATCH
CLK
数据
LE
24位输入
注册
功能
LATCH
A, B计数器
LATCH
13
13-BIT
B计数器
负载
预分频器
P/P + 1
负载
6-BIT
计数器
M3 M2 M1
SD
OUT
LOCK
检测
当前
设置1
CPI3 CPI2 CPI1,判断
当前
设置2
CPI6 CPI5 CPI4
高Z
19
AV
DD
MUX
MUXOUT
频率
探测器
R
SET
REF
IN
收费
CP
22
SD
OUT
功能
LATCH
N = BP + A
RF
IN
A
RF
IN
B
ADF4106
02720-001
6
CE
AGND
DGND
图1 。
英文内容
文档反馈
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
电话: 781.329.4700 2001-2012 ADI公司保留所有权利。
技术支援
www.analog.com
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
ADF4106
目录
规格................................................. .................................... 3
时序特性研究................................................ ............... 4
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能描述........................... 7
典型性能特征............................................. 8
概述................................................ ....................... 10
参考输入部分............................................... .............. 10
RF输入级............................................... .............................. 10
预分频器(P / P +1 ) .......................................... ............................. 10
A计数器和B计数器............................................. ............ 10
v计数器................................................ .................................... 10
数据表
相位频率检测器( PFD)和电荷泵............ 11
MUXOUT和锁定检测.............................................. ........ 11
输入移位寄存器............................................... ..................... 11
该功能锁存............................................... ..................... 17
初始化锁存............................................... .............. 18
应用................................................. .................................... 19
本地振荡器的LMDS基站发射机............ 19
接口................................................. .................................. 20
对于芯片级封装PCB设计指南.................... 20
外形尺寸................................................ ....................... 21
订购指南................................................ .......................... 22
修订历史
11/12 -REV 。 D钮英文内容
改变的EVAL- ADF4106EBZ1到
EV- ADF4106SD1Z ......通用
新增RF
IN
A到RF
IN
b参数,表3 .................................... 6
更新的外形尺寸............................................... ........ 21
更改订购指南.............................................. ............ 22
9月11日 - 修订版。 C到Rev. D的
变化归一化相位噪声层( PN
SYNTH
)参数,
表1 ................................................ ................................................ 4
加入归一化的1 / f噪声( PN
1_f
)参数和尾12 ,
表1 ................................................ ................................................ 4
更改订购指南.............................................. ............ 22
2月10日 - 修订版。 B到C版
图4的变化和表4 ........................................... .......... 6
图12 ..............................................变化.......................... 8
更新的外形尺寸............................................... ........ 20
更改订购指南.............................................. ............ 21
6月5日 - 修订版。 A到版本B
更新格式................................................ ..................通用
图1 ..............................................变化............................. 1
更改表1 .............................................. ............................... 3
更改表2 .............................................. ............................... 4
更改表3 .............................................. ............................... 5
改变图3和图4 ........................................... 6 .........
变化图6 .............................................. ............................. 7
图10 ..............................................变化........................... 7
删除TPC 13和TPC 14 ............................................ ................ 8
图15 ..............................................变化........................... 8
变化图20标题............................................. ......... 10
更新的外形尺寸............................................... ........ 20
更改订购指南.............................................. ............ 21
5月3日 - 修订版。 0到版本A
编辑规格............................................... ........................ 2
编辑TPC 11 .............................................. .................................... 7
更新的外形尺寸............................................... ........ 19
10月1日 - 修订版0 :初始的版本
修订版E |页24 2
数据表
特定网络阳离子
ADF4106
AV
DD
DV
DD
= 3 V± 10 % , AV
DD
≤ V
P
≤ 5.5 V , AGND = DGND = CPGND = 0 V ,R
SET
= 5.1 kΩ的, dBm的简称50 Ω ,T
A
= T
最大
给T
,
除非另有说明。
表1中。
参数
射频特性
RF输入频率( RF
IN
)
RF输入灵敏度
最大允许预分频器
输出频率
3
REF
IN
特征
REF
IN
输入频率
REF
IN
输入灵敏度
4
REF
IN
输入电容
REF
IN
输入电流
相位检测器
鉴相器频率
6
电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
绝对精度
R
SET
范围
I
CP
三态泄漏
漏极和源极电流匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
IH
,输入高电压
V
IL
,输入低电压
I
INH
, I
INL
,输入电流
C
IN
,输入电容
逻辑输出
V
OH
,输出电压高
V
OH
,输出电压高
I
OH
V
OL
,输出低电压
电源
AV
DD
DV
DD
V
P
I
DD7
( AI
DD
+ DI
DD
)
I
DD8
( AI
DD
+ DI
DD
)
I
DD9
( AI
DD
+ DI
DD
)
I
P
掉电模式
10
( AI
DD
+ DI
DD
)
B版本
1
0.5/6.0
–10/0
300
325
20/300
0.8/V
DD
10
±100
104
B芯片
2
(典型值)
0.5/6.0
–10/0
300
325
20/300
0.8/V
DD
10
±100
104
单位
GHz的最小/最大
dBm的最小/最大
兆赫最大
兆赫最大
MHz的最小/最大
V P-P最小/最大
pF的最大
μA(最大值)
兆赫最大
测试条件/评论
请参阅图18为输入电路
对于较低频率,确保
压摆率( SR ) > 320 V / μs的
P=8
P = 16
对于f < 20兆赫,确保SR > 50 V / μs的
偏置AV
DD
/ 2 (见注5
5
)
ABP = 0 , 0 ( 2.9 ns的反冲脉冲宽度)
可编程,见表9
有R
SET
= 5.1 kΩ
有R
SET
= 5.1 kΩ
见表9
1 nA的典型;牛逼
A
= 25°C
0.5 V ≤ V
CP
≤ V
P
0.5 V
0.5 V ≤ V
CP
≤ V
P
0.5 V
V
CP
= V
P
/2
5
625
2.5
3.0/11
2
2
1.5
2
1.4
0.6
±1
10
1.4
V
DD
0.4
100
0.4
2.7/3.3
AV
DD
AV
DD
/5.5
11
11.5
13
0.4
10
5
625
2.5
3.0/11
2
2
1.5
2
1.4
0.6
±1
10
1.4
V
DD
0.4
100
0.4
2.7/3.3
AV
DD
AV
DD
/5.5
9.0
9.5
10.5
0.4
10
毫安(典型值)
μA (典型值)
% (典型值)
千欧(典型值)
nA的最大
% (典型值)
% (典型值)
% (典型值)
V分钟
V最大
μA(最大值)
pF的最大
V分钟
V分钟
μA(最大值)
V最大
V MIN / V最大
V MIN / V最大
最大mA
最大mA
最大mA
最大mA
μA (典型值)
选择漏极开路输出, 1 kΩ上拉
电阻器1.8伏时
CMOS输出选择
I
OL
= 500 μA
AV
DD
≤ V
P
≤ 5.5V
9.0毫安(典型值)
9.5毫安(典型值)
10.5毫安(典型值)
T
A
= 25°C
修订版E |第24 3
ADF4106
参数
噪声特性
归一化相位噪声楼
( PN
SYNTH
)
11
归一化的1 / f噪声( PN
1_f
)
12
相位噪声性能
13
900兆赫
14
5800兆赫
15
5800兆赫
16
杂散信号
900兆赫
14
5800兆赫
15
5800兆赫
16
1
2
数据表
B版本
1
–223
122
–92.5
76.5
83.5
–90/–92
–65/–70
–70/–75
B芯片
2
(典型值)
–223
122
92.5
76.5
83.5
–90/–92
–65/–70
–70/–75
单位
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的/赫兹(典型值)
dBc的典型值
dBc的典型值
dBc的典型值
测试条件/评论
PLL环路B / W = 500千赫, 100千赫测量
OFFSET
10 kHz偏置;归一化到1 GHz
@ VCO输出
@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率
@ 1 kHz偏置和200kHz的PFD频率
@ 1 kHz偏置和1 MHz PFD频率
@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率
@ 200千赫/ 400 kHz和200 kHz的PFD频率
@为1 MHz / 2 MHz和1 MHz的PFD频率
工作温度范围(B版)是-40 ° C至+ 85°C 。
在B芯片特定网络阳离子给出的典型值。
3
这是CMOS计数器的最高工作频率。的分频器值的选择应确保RF输入进行分频,其频率
小于该值。
4
AV
DD
DV
DD
= 3 V.
5
AC耦合确保AV
DD
/ 2偏置。
6
通过设计保证。样品测试,以确保合规性。
7
T
A
= 25°C ; AV
DD
DV
DD
= 3 V ; P = 16 ; RF
IN
= 900兆赫。
8
T
A
= 25°C ; AV
DD
DV
DD
= 3 V ; P = 16 ; RF
IN
= 2.0千兆赫。
9
T
A
= 25°C ; AV
DD
DV
DD
= 3 V ; P = 32 ; RF
IN
= 6.0千兆赫。
10
T
A
= 25°C ; AV
DD
DV
DD
= 3.3 V ; R = 16383 ; A = 63 ; B = 891 ; P = 32 ; RF
IN
= 6.0千兆赫。
11
该合成器的相位噪声基底估计通过测量带内相位噪声的VCO的输出中减去20的日志N(其中N为N分频器
值)和图10的日志F
PFD
。 PN
SYNTH
= PN
合计
- 10日志F
PFD
- 20日志N.
12
该PLL相位噪声是由1 / F(闪烁)噪声加归PLL底噪声。式用于在RF频率,男计算1 / f噪声的贡献
RF
,
和在频率偏移中,f ,由PN = PN定
1_f
+10日志(10千赫/女) +20日志(六
RF
/ 1千兆赫) 。无论是归一化相位噪声层和闪烁噪声建模
ADIsimPLL可以。
13
相位噪声测量与EV- ADF4106SD1Z评估板和Agilent E4440A频谱分析仪。频谱分析仪提供了REFIN
合成器(F
REFOUT
= 10 MHz的@ 0 dBm的) 。
14
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 900 MHz的; N = 4500 ;环路B / W = 20千赫。
15
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 200千赫;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 5800 MHz的; N = 29000 ;环路B / W = 20千赫。
16
f
REFIN
= 10 MHz的; F
PFD
= 1 MHz的;偏移频率= 1千赫; F
RF
= 5800 MHz的; N = 5800 ;环路B / W = 100千赫。
时序特性研究
AV
DD
DV
DD
= 3 V± 10 % , AV
DD
≤ V
P
≤ 5.5 V , AGND = DGND = CPGND = 0 V ,R
SET
= 5.1 kΩ的, dBm的简称50 Ω ,T
A
= T
最大
给T
,
除非另有说明。
表2中。
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
1
极限
1
(B版)
10
10
25
25
10
20
单位
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
测试条件/评论
数据时钟的建立时间
数据时钟保持时间
时钟高时间
时钟低电平持续时间
时钟到LE建立时间
LE脉冲宽度
工作温度范围(B版)是-40 ° C至+ 85°C 。
修订版E |第24 4
数据表
t
3
时钟
ADF4106
t
4
t
1
数据
DB23 (MSB)
DB22
t
2
DB2
DB1 ( CONTROL
BIT C2 )
DB0 ( LSB )
(控制位C1 )
t
6
LE
t
5
LE
02720-002
图2.时序图
修订版E |第2页5
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