电能计量IC，集成
振荡器与正幂积累
ADE7768
特点
片上振荡器作为时钟源
精度高，支持50赫兹/ 60赫兹IEC62053-21
在500： 1的动态范围小于0.1 ％误差
频率提供正只平均有功功率
F1和F2输出
高频输出CF校准及耗材
瞬间，正唯一的真正动力
逻辑输出REVP指示潜在的接线错误或负
动力
直接驱动机电式计数器和双相
步进电机（ F1和F2）
专有ADC和DSP提供了高准确度
大的变化的环境条件和时间
片上电源监控
片蠕变保护（空载阈值）
片内基准电压2.45 V（ 20 PPM / ° C典型值）与
外部过载功能。
5 V单电源，低功耗（ 20 mW的典型值）
低成本的CMOS工艺
在ADE7768规格超越的准确性要求一
在IEC62053-21标准求。该
AN- 679应用
记
可以用作一个基础的IEC61036的说明
（相当于IEC62053-21 ）成本低，电度表
参考设计。
在ADE7768中使用的唯一模拟电路是在所述Σ - Δ
ADC和参考电压电路。所有其他的信号处理，如
乘法和滤波，是在数字域。
这种方法提供了优异的稳定性和准确度
时间和极端的环境条件。
在ADE7768提供正只平均有功功率
在低频输出， F1和F2的信息。这些
输出可以被用来直接驱动机电
柜台或接口与MCU。高频CF逻辑
输出，非常适合校准的目的，提供瞬时
正而已，真正的功率信息。
在ADE7768包括一个电源监视电路上
在V
DD
电源引脚。在ADE7768保持非活动状态，直到
在V电源电压
DD
达到约4五，如果电源
低于4伏， ADE7768也保持非活动状态和F1 ，
F2和CF输出在其非活动模式。
内相匹配电路确保电压和
目前的渠道是相匹配的，而HPF在
电流通道消除直流偏移。内部空载
阈值确保了ADE7768不表现蠕变
当没有负载的存在。当REVP为逻辑高电平时，
ADE7768不产生对F1，F2和CF任何脉冲
在ADE7768采用16引脚窄体SOIC封装。
概述
在ADE7768
1
是一款高精度电能计量IC 。
它是一个销还原版本ADE7755的，增强了
精确的振荡器电路作为时钟源的芯片。
在ADE7768省去了外部晶振成本或
谐振器，从而降低了内置有计的总成本
该IC 。所述芯片可以直接与分流电阻器。
1
美国专利5745323 ; 5760617 ; 5862069 ; 5872469 ;其他正在申请中。
功能框图
V
DD
1
AGND
6
DGND
13
ADE7768
动力
电源监视器
V2P
2
V2N
3
+
Σ-Δ
ADC
...110101...
倍增器
相
更正
V1N
4
V1P
5
+
Σ-Δ
ADC
...11011001...
Φ
HPF
数字 - 频率
变流器
05331-001
信号
处理
块
LPF
国内
振荡器
2.5V
参考
4kΩ
7
11
8
10
9
12
14
16
15
REF
IN / OUT
RCLKIN
SCF
S0
S1 REVP CF
F1
F2
图1 。
REV 。一
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ADE7768
目录
规格................................................. .................................... 3
时序特性................................................ ................ 4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
术语................................................. ..................................... 6
引脚配置和功能说明............................. 7
典型性能特征............................................. 8
功能说明................................................ .................. 10
工作原理............................................... ................... 10
模拟输入................................................ .............................. 11
电源监控............................................... ................ 12
内部振荡器（ OSC ） ............................................. ............. 14
传递函数................................................ ....................... 14
选择一个频率的电能表应用程序...... 15
无负载阈值.............................................. ...................... 16
消极的电力信息............................................... ...... 16
评估板和参考设计板..................... 16
外形尺寸................................................ ....................... 17
订购指南................................................ .......................... 17
修订历史
8月5日， SP0到版本A
版本A |第20页2
ADE7768
特定网络阳离子
V
DD
= 5 V± 5 ％ ， AGND = DGND = 0 V ，片内基准， RCLKIN = 6.2千欧， 0.5 ％， ± 50 PPM / ° C，T
民
给T
最大
= -40 ° C至+ 85°C ，
除非另有说明。
表1中。
参数
准确性
1
,
2
在海峡V1测量误差
价值
0.1
单位
％典型值读数
测试条件/评论
通道V2与满量程信号（ ± 165毫伏） ，
25℃以上的动态范围为500 1 ，
行频= 45 Hz至65 Hz的
相位误差
1
通道之间
V1的相位超前37 ° （ PF = 0.8容性）
V1的相位滞后60 ° （ PF = 0.5感性）
AC电源抑制
1
输出频率变化（ CF ）
直流电源抑制
1
输出频率变化（ CF ）
模拟输入
通道V1最大信号电平
通道V2最大信号电平
输入阻抗（ DC ）
带宽（-3 dB）的
ADC失调误差
1, 2
增益误差
1
振荡器频率（ OSC ）
振荡器频率容差
1
振荡器频率稳定度
1
参考输入
REF
IN / OUT
输入电压范围
输入电容
片内基准
引用错误
温度COEF网络cient
逻辑输入
3
SCF， S0，S1
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
IN
输入电容，C
IN
逻辑输出
3
F1和F2的
输出高电压，V
OH
输出低电压，V
OL
CF
输出高电压，V
OH
输出低电压，V
OL
频率输出错误
1, 2
（ CF）的
±0.1
±0.1
0.2
度（°）最大
度（°）最大
％典型值读数
S0 = S1 = 1 ， V 1 = 21.2 mV的有效值， V2 = 116.7 mV的有效值@
50赫兹，纹波V
DD
200 mV的有效值@ 100赫兹
S0 = S1 = 1 ， V 1 = 21.2 mV的有效值， V2 = 116.7 mV的有效值，
V
DD
= 5 V± 250 mV的
见模拟输入部分
V1P和V1N到AGND
V2P和V2N到AGND
OSC = 450千赫， RCLKIN = 6.2千欧， 0.5 ％， ± 50 PPM /°C的
OSC = 450千赫， RCLKIN = 6.2千欧， 0.5 ％， ± 50 PPM /°C的
参见术语和典型性能
特色部分
外部2.5 V基准电压， V1 = 21.2 mV的有效值，
V2 = 116.7 mV的有效值
RCLKIN = 6.2千欧， 0.5 ％， ± 50 PPM /°C的
±0.3
％典型值读数
±30
±165
320
7
±18
±4
450
±12
±30
2.65
2.25
10
±200
±20
毫伏最大
毫伏最大
kΩ的分
kHz的名义
毫伏最大
％ （典型值）的理想选择
kHz的名义
％典型值读数
PPM /°C的典型值
V最大
V分钟
pF的最大
毫伏最大
PPM /°C的典型值
2.45 V（标准）
2.45 V（标准）
2.45 V（标准）
2.4
0.8
±1
10
V分钟
V最大
μA（最大值）
pF的最大
V
DD
= 5 V ± 5%
V
DD
= 5 V ± 5%
通常情况下10 nA的，V
IN
= 0 V到V
DD
4.5
0.5
4
0.5
±10
V分钟
V最大
V分钟
V最大
％ （典型值）的理想选择
I
来源
= 10 mA时， V
DD
= 5 V，I
SINK
= 10 mA时， V
DD
= 5 V
I
来源
= 5毫安， V
DD
= 5 V，I
SINK
= 5毫安， V
DD
= 5 V
外部2.5 V基准电压， V1 = 21.2 mV的有效值，
V2 = 116.7 mV的有效值
版本A |第20页3
ADE7768
参数
电源
V
DD
I
DD
1
2
价值
4.75
5.25
5
单位
V分钟
V最大
最大mA
测试条件/评论
对于指定的性能
5 V – 5%
5 V + 5%
通常情况下4毫安
请参阅规格说明的术语部分。
看到典型性能特性部分的数字。
3
在最初发布的任何重新设计或工艺变更可能会影响该参数后的样品进行测试。
时序特性
V
DD
= 5 V± 5 ％ ， AGND = DGND = 0 V ，片内基准， RCLKIN = 6.2千欧， 0.5 ％， ± 50 PPM / ° C，T
民
给T
最大
= -40 ° C至+ 85°C ，
除非另有说明。在最初发布的任何重新设计或工艺变更可能会影响该参数后的样品进行测试。
参见图2 。
表2中。
参数
t
1 1
t
2
t
3
t
41, 2
t
5
t
6
1
2
特定网络阳离子
120
见表6
1/2 t
2
90
见表7
2
单位
ms
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ms
美国证券交易委员会
μs
测试条件/评论
F1和F2的脉冲宽度（逻辑低电平）
输出脉冲周期。见传递函数部分。
将F1和F2下降沿之间的时间。
CF脉冲宽度（逻辑高电平） 。
CF脉冲周期。见传递函数部分。
在F1和F2脉冲之间的最小时间。
F1，F2和CF的脉冲宽度不是固定的更高的输出频率。见频率输出部分。
在CF脉冲始终是35 μs的高频率模式。见频率输出部分和表7 。
t
1
F1
t
6
t
2
F2
t
3
t
4
t
5
05331-002
CF
图2.时序图的频率输出
版本A |第20页4
ADE7768
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
表3中。
参数
V
DD
到AGND
V
DD
至DGND
模拟输入电压至AGND ，
V1P ， V1N ， V2P和V2N
基准输入电压至AGND
数字输入电压至DGND
数字输出电压DGND
工作温度范围
存储温度范围
结温
16引脚塑封SOIC封装，功率耗散
θ
JA
热阻抗
1
套餐温度焊接
1
价值
-0.3 V至+7 V
-0.3 V至+7 V
-6 V至6 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
150°C
350毫瓦
124.9°C/W
请参阅J- STD- 20
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
等级只与所述设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
JEDEC 1S标准（ 2层）电路板的数据。
ESD警告
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然这款产品的特点
专用ESD保护电路，永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免降解性能
化或功能丧失。
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