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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1203页 > ADC774SH
ADC774
微处理器兼容
模拟数字转换器
特点
q
提供完整的12位A / D转换器
参考时钟,以及8位, 12位或16位
位微处理器总线接口
q
备用源HI774 A / D
转换器: 8.5
的转化。时间,
为150ns总线访问时间
q
完全指定上进行操作
±
12V或
±
15V电源
q
无漏失码
温度:
0
°
C至+75
°
C: ADC774J ,K
–55
°
C至+ 125
°
C: ADC774SH , TH
性能。它配有一个自包含的+ 10V
参考内部时钟,用于微处理器的数字接口
处理器控制和三态输出。
参考电路,包含一个嵌入式齐纳二极管,是激光 -
修剪的最低温度系数。该
时钟振荡器电流控制优秀台站
相容性随温度。满量程和失调误差可能
从外部调整到零。内部调整电阻
提供了用于模拟输入信号的选择
0V至范围+ 10V , 0V至+ 20V ,
±5V,
±10V.
该转换器可以从外部编程为亲
韦迪8位或12位分辨率。转换时间为12
位在出厂时设置为8.5μs最大。
输出数据从并行格式可与TTL
兼容的三态输出缓冲器。输出数据是
编码标准二进制的单极性输入信号,
双极偏移二进制双极性输入信号。
在ADC774 ,在工业和军事用
温度范围,需要+ 5V电源电压
±12V
or
±15V.
它封装在一个28引脚塑料
DIP或密封侧面钎焊陶瓷DIP封装。
描述
该ADC774是一款12位逐次逼近
模拟 - 数字转换器,利用状态的最先进
CMOS和激光微调双极芯片定制设计
从闩锁和最佳交流自由per-
控制
输入
控制逻辑
状态
双极
OFFSET
20V范围
时钟
连续
近似
注册
10V范围
参考
输入
参考
产量
比较
12位D / A
变流器
10V
参考
三态缓冲器
并行
数据
产量
国际空港工业园邮寄地址:PO Box 11400
联系电话: ( 520 ) 746-1111 TWX : 910-952-1111 电缆: BBRCORP
1988的Burr-Brown公司
图森,亚利桑那州85734 街道地址: 6730 S.图森大道。 图森,亚利桑那州85706
电传: 066-6491 传真: ( 520 ) 889-1510 即时产品信息: ( 800 ) 548-6132
PDS-835E
美国印刷1992年3月
特定网络阳离子
电动
T
A
= + 25 ° C,V
CC
= + 12V或+ 15V ,V
EE
= -12V或-15V ,V
逻辑
= + 5V ,除非另有规定。
ADC774J , ADC774SH
参数
决议
输入
类似物
电压范围:单极
双极
阻抗: 0 + 10V ,
±5V
±10V,
0V至+ 20V
数字
( CE , CS ,R / C,A
O
, 12/8)
整个温度范围内
电压:逻辑1
逻辑0
当前
电容
传输特性
准确性
AT + 25°C
线性误差
单极性偏移误差(可调至零)
双极性失调误差(可调至零)
满量程校准误差
(1)
(可调至零)
无漏码分辨率(差异。线性)
固有的量化误差
T
给T
最大
线性误差: J,K等级
S,T成绩
满量程校准误差
如果没有初始调整
(1)
: J,K等级
S,T成绩
调整为零,在+ 25 ° C: J,K等级
S,T成绩
无漏码分辨率(差异。线性)
温度系数
(T
给T
最大
)
(3)
单极性偏移: J,K等级
S,T成绩
最大变化:所有等级
双极偏移:所有等级
最大变化: J,K等级
S,T成绩
满量程校准: J,K等级
S,T成绩
最大变化: J,K等级
S,T成绩
电源灵敏度
变化满刻度校准
+ 13.5V < V
CC
< + 16.5V或11.4V + V <
CC
< + 12.6V
-16.5V < V
EE
<-13.5V或-12.6V < V
EE
< -11.4V
+ 4.5V < V
逻辑
<+5.5V
转换时间
(4,5)
8位周期
12位周期
输出
数字
( DB11 - DB0 , STATUS )
(整个温度范围内)
输出代码:单极
双极
逻辑电平:逻辑0 (I
SINK
= 1.6毫安)
逻辑1(I
来源
= 500A)
漏,数据位只,高阻态
电容
5
7.5
典型值
最大
12
ADC774K , ADC774TH
典型值
最大
*
单位
3.75
7.5
0 10 0 20
±5, ±10
5
10
6.25
12.5
*
*
*
*
*
*
*
*
V
V
k
k
+2
–0.5
–5
0.1
5
+5.5
+0.8
+5
*
*
*
*
*
*
*
*
V
V
A
pF
±1
±2
±10
±0.25
11
±1/2
±1
±1
±0.47
±0.75
±0.22
±0.5
11
±10
±5
±2
±10
±2
±4
±45
±50
±9
±20
12
12
*
±1/2
*
±4
*
最低位
最低位
最低位
% FS的
(2)
最低位
最低位
最低位
% FS的
% FS的
% FS的
% FS的
PPM /°C的
PPM /°C的
最低位
PPM /°C的
最低位
最低位
PPM /°C的
PPM /°C的
最低位
最低位
±1/2
±3/4
±0.37
±0.5
±0.12
±0.25
±5
±2.5
±1
±5
±1
±2
±25
±25
±5
±10
±2
±2
±1/2
5.3
8.5
*
±1
±1
*
最低位
最低位
最低位
s
s
*
+2.4
–5
0.1
5
单极标准二进制( USB )
双极偏移二进制( BOB )
+0.4
*
+5
*
*
*
*
*
V
V
A
pF
ADC774
2
特定网络阳离子
电动
(续)
T
A
= + 25 ° C,V
CC
= + 12V或+ 15V ,V
EE
= -12V或-15V ,V
逻辑
= + 5V ,除非另有规定。
ADC774J , ADC774SH
参数
内部参考VOLRAGE
电压
源电流可供外部载荷
(6)
电源要求
电压: V
CC
V
EE
V
逻辑
电流:I
CC
I
EE
I
逻辑
功率耗散( ±15V电源)
温度范围
(环境:T已
, T
最大
)
产品规格: J,K等级
S,T成绩
存储
0
–55
–65
+75
+125
+150
*
*
*
*
*
*
°C
°C
°C
+11.4
–11.4
+4.5
3.5
15
9
325
+16.5
–16.5
+5.5
5
20
15
450
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
V
V
V
mA
mA
mA
mW
+9.9
2.0
+10
+10.1
*
*
*
*
V
mA
典型值
最大
ADC774K , ADC774TH
典型值
最大
单位
`
*相同规格ADC774JH , JP , SH 。
注: ( 1 )用固定的50Ω的电阻,从文献输出至REF IN 。这个参数也可调节到零在+ 25℃。 ( 2 )财政司司长在本规范表是指满量程范围。
也就是说,对于一个
±10V
输入范围FS意味着20V ;为0V至+ 10V的范围, FS是指10V 。期限满刻度为这些规范,而不是满量程时
要与其他供应商的规格表一致。 (3 )使用内部基准。 ( 4 )请参阅“控制ADC774 ”一节有关的详细信息
数字定时。 (5)哈里斯的HI- 774使用一个子区域/纠错技术,它允许一个先前采样保持器或多路复用器之前,开始转换
已入驻
±1/2LSB.
对于12位精度的转换,输入瞬态到ADC774必须稳定到小于
±1/2LSB
转换开始前。该ADC774
是在所有其他方面与HI- 774兼容。 ( 6 )外部载荷必须转换过程中保持不变。参考输出无需缓冲放大器,无论是
±12V
or
±15V
电源供应器。
引脚配置
顶视图
DIP
+ 5VDC电源(V
逻辑
)
12/8
CS
A
O
的R / C
CE
+V
CC
REF OUT
常见的模拟
在REF
V
EE
双极偏移
10V范围
20V范围
1
2
上电复位
28
27
一个半字节
状态
DB11 (MSB)
DB10
DB9
DB8
DB7
DB6
DB5
DB4
DB3
DB2
DB1
DB0 ( LSB )
数字通用
3
4
控制
逻辑
三态缓冲器和控制
26
25
24
23
6
7
8
9
10
11
12
13
14
5
10k
5
12-Bit
D / A
变流器
12位
10V
参考
逐次逼近寄存器
5
时钟
12位
四位B
22
21
20
19
四位
比较
18
17
16
15
本文提供的信息被认为是可靠的;但是, BURR -BROWN承担不准确或遗漏不承担任何责任。 BURR -BROWN承担
对于使用这些信息,所有此类信息的使用不承担任何责任应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更,
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 BURR -BROWN没有授权或保证
任何Burr-Brown产品用于生命支持设备和/或系统。
3
ADC774
绝对最大额定值
V
CC
数码通用............................................... .......... 0V至+ 16.5V
V
EE
数码通用............................................... ........... 0V至-16.5V
V
逻辑
数码通用................................................ .............. 0V至+ 7V
模拟常见的数码常见............................................. .......
±1V
控制输入( CE , CS ,A
O
, 12/8 ,R / C )
数码通用.............................................. - 0.5V至V
逻辑
+0.5V
模拟量输入(参考文献中,双极偏移, 10V
IN
)
以模拟共............................................... .......................
±16.5V
20V
IN
以模拟共............................................... ...................
±24V
REF OUT ................................................ ..........短不定常见,
瞬间短路到V
CC
最高结温............................................... ............. + 165℃
功耗................................................ ........................ 1000MW
焊接温度(焊接, 10秒) ........................................... ...... + 300℃
热阻,
θ
JA
:陶瓷................................................ 50 ° C / W
塑料................................................. 100 ° C / W
注意:这些器件对静电放电敏感。
适当I.C.处理程序应遵循。
老化筛选
老化筛选可用于塑料和陶瓷
包ADC774s 。老化时间是在160小时
温度(或时间和等效组合温
perature )所示:
塑料“ -bi ”模式: + 85°C
陶瓷“ -bi ”模式: + 125°C
各单位100 %电测试后老化的COM -
pleted 。如需订购老化,加上“ -bi ”的基本模型
数(例如ADC774KP -BI ) 。请查看订购信息
定价。
包装信息
模型
ADC774JP
ADC774KP
ADC774JH
ADC774KH
ADC774SH
ADC774TH
ADC774JP-BI
ADC774KP-BI
ADC774JH-BI
ADC774KH-BI
ADC774SH-BI
ADC774TH-BI
28引脚塑料DIP
28引脚塑料DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚塑料DIP
28引脚塑料DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
封装图
(1)
215
215
149
149
149
149
215
215
149
149
149
149
注: ( 1 )有关详细的图纸和维表,请参阅数据结束
片,或的Burr-Brown IC数据手册附录D 。
订购信息
温度
范围
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
线性
最大的错误
(T
给T
最大
)
±1LSB
±1/2LSB
±1LSB
±1/2LSB
±1LSB
±3/4LSB
模型
ADC774JP
ADC774KP
ADC774JH
ADC774KH
ADC774SH
ADC774TH
塑料DIP
塑料DIP
陶瓷DIP
陶瓷DIP
陶瓷DIP
陶瓷DIP
老化筛选选项
详见说明书。
模型
ADC774JP-BI
ADC774KP-BI
ADC774JH-BI
ADC774KH-BI
ADC774SH-BI
ADC774TH-BI
塑料DIP
塑料DIP
陶瓷DIP
陶瓷DIP
陶瓷DIP
陶瓷DIP
温度
范围
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
BURN -IN TEMP
( 160小时)
(1)
+85°C
+85°C
+125°C
+125°C
+125°C
+125°C
ADC774
4
控的ADC774
这是一个简化的数据表。对于规范的讨论
系统蒸发散,安装,校准参考ADC574A数据表
或为了PDS- 835 。
所述的Burr-Brown ADC774可容易地将最
微处理器系统和其它数字系统。该
微处理器可以完全控制的相互转换,或
该转换器可以工作在独立模式下,控制
只有通过了R / C输入。完全控制由选择的
8位或12位的转换周期,开始转换,并
读取输出数据时随时选择任何12位
全部一次,或8位后4位左对齐
格式。这五个控制输入( 12/8 , CS ,A
O
,R / C和CE)
都是TTL / CMOS兼容。 CON组功能
控制输入是在表I中的控制功能描述
真值表列于表II中。
阅读脚注5的电气规格表,如果
使用ADC774更换HI- 774 。
单机操作
对于独立运行,变频器的控制处于激活
由连接到的R / C单根控制线complished 。在这
CS模式和A
O
被连接到数字通用和CE
和12/8被连接到V
逻辑
(+ 5V) 。该输出数据
表示为12位字。在单机模式下使用
含专用输入端口,不系统
需要全总线接口功能。
转换是由R / ℃的高到低转换启动。
三态数据输出缓冲器被启用时, R / C为
高地位低下。因此,有两种可能的
的操作模式;转换可以启动或者
正或负的脉冲。在这两种情况下的R / C脉冲
必须保持低电平至少为50ns 。
的R / C
t
HRL
t
DS
STS
t
HDR
DB11–DB0
数据有效
高阻态
t
C
t
HS
数据有效
图1的R / C脉冲低输出启用CON-后
版本。
的R / C
t
HRH
t
DS
STS
t
DDR
DB11-高阻
DB0
t
HDR
数据有效
t
C
高阻态
图2的R / C脉冲高输出启用仅在
R / C为高。
称号
CE (引脚6 )
CS (引脚3 )
R / C(引脚5 )
德网络nition
芯片使能
(高电平有效)
芯片选择
(低电平有效)
读/转换
(“1” =读)
(“0” =转换)
字节地址
短周期
数据模式选择
(“1” = 12位)
(“0” = 8比特)
功能
必须为高电平(“1” )来完成启动转换或读取的数据输出。 0-1边缘可被用于启动
转换。
必须为低(“0” )来完成启动转换或读取的数据输出。 1-0边缘可被用于启动
的转化率。
必须为低( “0”)发起或者8位或12位的转换。 1-0边缘可被用于启动
转换。必须是高(“1” )来读取输出数据。 0-1边缘可被用于启动读操作。
在启动转换模式,
O
选择8位(A
O
=“1” )或12位(一
O
=“0” )转换模式。当阅读
在2个8位字节的输出数据,A
O
= “ 0 ”访问8个MSB (高字节)和A
O
= “ 1 ”访问4个LSB和
尾部的“ 0” (低字节) 。
当读取输出数据, 12/8 =“1”同时使所有的12个输出位。 12/8 =“0” ,可使
作为由A确定的最高位或最低有效位
O
线。
A
O
(引脚4 )
12/8 (引脚2 )
表一, ADC774控制线的功能。
CE
0
X
CS
X
1
0
0
的R / C
X
X
0
0
0
0
12/8
X
X
X
X
X
X
X
X
1
0
0
A
O
X
X
0
1
0
1
0
1
X
0
1
手术
启动12位转换
启动8位转换
启动12位转换
启动8位转换
启动12位转换
启动8位转换
启用12位输出
启用仅8个MSB
启用4个LSB加4
尾随零
符号参数
t
HRL
t
DS
t
HDR
t
HS
t
HRH
t
DDR
低R / C脉冲宽度
自R / C STS延迟
数据有效后的R / C低
STS延迟数据有效后
高R / C脉冲宽度
数据访问时间
50
200
25
150
150
150
375
典型值
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
表III 。单机模式时序。
1
1
1
表II 。控制输入真值表。
5
ADC774
ADC774
微处理器兼容
模拟数字转换器
特点
q
提供完整的12位A / D转换器
参考时钟,以及8位, 12位或16位
位微处理器总线接口
q
备用源HI774 A / D
转换器: 8.5
的转化。时间,
为150ns总线访问时间
q
完全指定上进行操作
±
12V或
±
15V电源
q
无漏失码
温度:
0
°
C至+75
°
C: ADC774J ,K
–55
°
C至+ 125
°
C: ADC774SH , TH
性能。它配有一个自包含的+ 10V
参考内部时钟,用于微处理器的数字接口
处理器控制和三态输出。
参考电路,包含一个嵌入式齐纳二极管,是激光 -
修剪的最低温度系数。该
时钟振荡器电流控制优秀台站
相容性随温度。满量程和失调误差可能
从外部调整到零。内部调整电阻
提供了用于模拟输入信号的选择
0V至范围+ 10V , 0V至+ 20V ,
±5V,
±10V.
该转换器可以从外部编程为亲
韦迪8位或12位分辨率。转换时间为12
位在出厂时设置为8.5μs最大。
输出数据从并行格式可与TTL
兼容的三态输出缓冲器。输出数据是
编码标准二进制的单极性输入信号,
双极偏移二进制双极性输入信号。
在ADC774 ,在工业和军事用
温度范围,需要+ 5V电源电压
±12V
or
±15V.
它封装在一个28引脚塑料
DIP或密封侧面钎焊陶瓷DIP封装。
描述
该ADC774是一款12位逐次逼近
模拟 - 数字转换器,利用状态的最先进
CMOS和激光微调双极芯片定制设计
从闩锁和最佳交流自由per-
控制
输入
控制逻辑
状态
双极
OFFSET
20V范围
时钟
连续
近似
注册
10V范围
参考
输入
参考
产量
比较
12位D / A
变流器
10V
参考
三态缓冲器
并行
数据
产量
国际空港工业园邮寄地址:PO Box 11400
联系电话: ( 520 ) 746-1111 TWX : 910-952-1111 电缆: BBRCORP
1988的Burr-Brown公司
图森,亚利桑那州85734 街道地址: 6730 S.图森大道。 图森,亚利桑那州85706
电传: 066-6491 传真: ( 520 ) 889-1510 即时产品信息: ( 800 ) 548-6132
PDS-835E
美国印刷1992年3月
特定网络阳离子
电动
T
A
= + 25 ° C,V
CC
= + 12V或+ 15V ,V
EE
= -12V或-15V ,V
逻辑
= + 5V ,除非另有规定。
ADC774J , ADC774SH
参数
决议
输入
类似物
电压范围:单极
双极
阻抗: 0 + 10V ,
±5V
±10V,
0V至+ 20V
数字
( CE , CS ,R / C,A
O
, 12/8)
整个温度范围内
电压:逻辑1
逻辑0
当前
电容
传输特性
准确性
AT + 25°C
线性误差
单极性偏移误差(可调至零)
双极性失调误差(可调至零)
满量程校准误差
(1)
(可调至零)
无漏码分辨率(差异。线性)
固有的量化误差
T
给T
最大
线性误差: J,K等级
S,T成绩
满量程校准误差
如果没有初始调整
(1)
: J,K等级
S,T成绩
调整为零,在+ 25 ° C: J,K等级
S,T成绩
无漏码分辨率(差异。线性)
温度系数
(T
给T
最大
)
(3)
单极性偏移: J,K等级
S,T成绩
最大变化:所有等级
双极偏移:所有等级
最大变化: J,K等级
S,T成绩
满量程校准: J,K等级
S,T成绩
最大变化: J,K等级
S,T成绩
电源灵敏度
变化满刻度校准
+ 13.5V < V
CC
< + 16.5V或11.4V + V <
CC
< + 12.6V
-16.5V < V
EE
<-13.5V或-12.6V < V
EE
< -11.4V
+ 4.5V < V
逻辑
<+5.5V
转换时间
(4,5)
8位周期
12位周期
输出
数字
( DB11 - DB0 , STATUS )
(整个温度范围内)
输出代码:单极
双极
逻辑电平:逻辑0 (I
SINK
= 1.6毫安)
逻辑1(I
来源
= 500A)
漏,数据位只,高阻态
电容
5
7.5
典型值
最大
12
ADC774K , ADC774TH
典型值
最大
*
单位
3.75
7.5
0 10 0 20
±5, ±10
5
10
6.25
12.5
*
*
*
*
*
*
*
*
V
V
k
k
+2
–0.5
–5
0.1
5
+5.5
+0.8
+5
*
*
*
*
*
*
*
*
V
V
A
pF
±1
±2
±10
±0.25
11
±1/2
±1
±1
±0.47
±0.75
±0.22
±0.5
11
±10
±5
±2
±10
±2
±4
±45
±50
±9
±20
12
12
*
±1/2
*
±4
*
最低位
最低位
最低位
% FS的
(2)
最低位
最低位
最低位
% FS的
% FS的
% FS的
% FS的
PPM /°C的
PPM /°C的
最低位
PPM /°C的
最低位
最低位
PPM /°C的
PPM /°C的
最低位
最低位
±1/2
±3/4
±0.37
±0.5
±0.12
±0.25
±5
±2.5
±1
±5
±1
±2
±25
±25
±5
±10
±2
±2
±1/2
5.3
8.5
*
±1
±1
*
最低位
最低位
最低位
s
s
*
+2.4
–5
0.1
5
单极标准二进制( USB )
双极偏移二进制( BOB )
+0.4
*
+5
*
*
*
*
*
V
V
A
pF
ADC774
2
特定网络阳离子
电动
(续)
T
A
= + 25 ° C,V
CC
= + 12V或+ 15V ,V
EE
= -12V或-15V ,V
逻辑
= + 5V ,除非另有规定。
ADC774J , ADC774SH
参数
内部参考VOLRAGE
电压
源电流可供外部载荷
(6)
电源要求
电压: V
CC
V
EE
V
逻辑
电流:I
CC
I
EE
I
逻辑
功率耗散( ±15V电源)
温度范围
(环境:T已
, T
最大
)
产品规格: J,K等级
S,T成绩
存储
0
–55
–65
+75
+125
+150
*
*
*
*
*
*
°C
°C
°C
+11.4
–11.4
+4.5
3.5
15
9
325
+16.5
–16.5
+5.5
5
20
15
450
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
V
V
V
mA
mA
mA
mW
+9.9
2.0
+10
+10.1
*
*
*
*
V
mA
典型值
最大
ADC774K , ADC774TH
典型值
最大
单位
`
*相同规格ADC774JH , JP , SH 。
注: ( 1 )用固定的50Ω的电阻,从文献输出至REF IN 。这个参数也可调节到零在+ 25℃。 ( 2 )财政司司长在本规范表是指满量程范围。
也就是说,对于一个
±10V
输入范围FS意味着20V ;为0V至+ 10V的范围, FS是指10V 。期限满刻度为这些规范,而不是满量程时
要与其他供应商的规格表一致。 (3 )使用内部基准。 ( 4 )请参阅“控制ADC774 ”一节有关的详细信息
数字定时。 (5)哈里斯的HI- 774使用一个子区域/纠错技术,它允许一个先前采样保持器或多路复用器之前,开始转换
已入驻
±1/2LSB.
对于12位精度的转换,输入瞬态到ADC774必须稳定到小于
±1/2LSB
转换开始前。该ADC774
是在所有其他方面与HI- 774兼容。 ( 6 )外部载荷必须转换过程中保持不变。参考输出无需缓冲放大器,无论是
±12V
or
±15V
电源供应器。
引脚配置
顶视图
DIP
+ 5VDC电源(V
逻辑
)
12/8
CS
A
O
的R / C
CE
+V
CC
REF OUT
常见的模拟
在REF
V
EE
双极偏移
10V范围
20V范围
1
2
上电复位
28
27
一个半字节
状态
DB11 (MSB)
DB10
DB9
DB8
DB7
DB6
DB5
DB4
DB3
DB2
DB1
DB0 ( LSB )
数字通用
3
4
控制
逻辑
三态缓冲器和控制
26
25
24
23
6
7
8
9
10
11
12
13
14
5
10k
5
12-Bit
D / A
变流器
12位
10V
参考
逐次逼近寄存器
5
时钟
12位
四位B
22
21
20
19
四位
比较
18
17
16
15
本文提供的信息被认为是可靠的;但是, BURR -BROWN承担不准确或遗漏不承担任何责任。 BURR -BROWN承担
对于使用这些信息,所有此类信息的使用不承担任何责任应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更,
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 BURR -BROWN没有授权或保证
任何Burr-Brown产品用于生命支持设备和/或系统。
3
ADC774
绝对最大额定值
V
CC
数码通用............................................... .......... 0V至+ 16.5V
V
EE
数码通用............................................... ........... 0V至-16.5V
V
逻辑
数码通用................................................ .............. 0V至+ 7V
模拟常见的数码常见............................................. .......
±1V
控制输入( CE , CS ,A
O
, 12/8 ,R / C )
数码通用.............................................. - 0.5V至V
逻辑
+0.5V
模拟量输入(参考文献中,双极偏移, 10V
IN
)
以模拟共............................................... .......................
±16.5V
20V
IN
以模拟共............................................... ...................
±24V
REF OUT ................................................ ..........短不定常见,
瞬间短路到V
CC
最高结温............................................... ............. + 165℃
功耗................................................ ........................ 1000MW
焊接温度(焊接, 10秒) ........................................... ...... + 300℃
热阻,
θ
JA
:陶瓷................................................ 50 ° C / W
塑料................................................. 100 ° C / W
注意:这些器件对静电放电敏感。
适当I.C.处理程序应遵循。
老化筛选
老化筛选可用于塑料和陶瓷
包ADC774s 。老化时间是在160小时
温度(或时间和等效组合温
perature )所示:
塑料“ -bi ”模式: + 85°C
陶瓷“ -bi ”模式: + 125°C
各单位100 %电测试后老化的COM -
pleted 。如需订购老化,加上“ -bi ”的基本模型
数(例如ADC774KP -BI ) 。请查看订购信息
定价。
包装信息
模型
ADC774JP
ADC774KP
ADC774JH
ADC774KH
ADC774SH
ADC774TH
ADC774JP-BI
ADC774KP-BI
ADC774JH-BI
ADC774KH-BI
ADC774SH-BI
ADC774TH-BI
28引脚塑料DIP
28引脚塑料DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚塑料DIP
28引脚塑料DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
28引脚陶瓷DIP
封装图
(1)
215
215
149
149
149
149
215
215
149
149
149
149
注: ( 1 )有关详细的图纸和维表,请参阅数据结束
片,或的Burr-Brown IC数据手册附录D 。
订购信息
温度
范围
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
线性
最大的错误
(T
给T
最大
)
±1LSB
±1/2LSB
±1LSB
±1/2LSB
±1LSB
±3/4LSB
模型
ADC774JP
ADC774KP
ADC774JH
ADC774KH
ADC774SH
ADC774TH
塑料DIP
塑料DIP
陶瓷DIP
陶瓷DIP
陶瓷DIP
陶瓷DIP
老化筛选选项
详见说明书。
模型
ADC774JP-BI
ADC774KP-BI
ADC774JH-BI
ADC774KH-BI
ADC774SH-BI
ADC774TH-BI
塑料DIP
塑料DIP
陶瓷DIP
陶瓷DIP
陶瓷DIP
陶瓷DIP
温度
范围
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
0 ° C至+ 75°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
BURN -IN TEMP
( 160小时)
(1)
+85°C
+85°C
+125°C
+125°C
+125°C
+125°C
ADC774
4
控的ADC774
这是一个简化的数据表。对于规范的讨论
系统蒸发散,安装,校准参考ADC574A数据表
或为了PDS- 835 。
所述的Burr-Brown ADC774可容易地将最
微处理器系统和其它数字系统。该
微处理器可以完全控制的相互转换,或
该转换器可以工作在独立模式下,控制
只有通过了R / C输入。完全控制由选择的
8位或12位的转换周期,开始转换,并
读取输出数据时随时选择任何12位
全部一次,或8位后4位左对齐
格式。这五个控制输入( 12/8 , CS ,A
O
,R / C和CE)
都是TTL / CMOS兼容。 CON组功能
控制输入是在表I中的控制功能描述
真值表列于表II中。
阅读脚注5的电气规格表,如果
使用ADC774更换HI- 774 。
单机操作
对于独立运行,变频器的控制处于激活
由连接到的R / C单根控制线complished 。在这
CS模式和A
O
被连接到数字通用和CE
和12/8被连接到V
逻辑
(+ 5V) 。该输出数据
表示为12位字。在单机模式下使用
含专用输入端口,不系统
需要全总线接口功能。
转换是由R / ℃的高到低转换启动。
三态数据输出缓冲器被启用时, R / C为
高地位低下。因此,有两种可能的
的操作模式;转换可以启动或者
正或负的脉冲。在这两种情况下的R / C脉冲
必须保持低电平至少为50ns 。
的R / C
t
HRL
t
DS
STS
t
HDR
DB11–DB0
数据有效
高阻态
t
C
t
HS
数据有效
图1的R / C脉冲低输出启用CON-后
版本。
的R / C
t
HRH
t
DS
STS
t
DDR
DB11-高阻
DB0
t
HDR
数据有效
t
C
高阻态
图2的R / C脉冲高输出启用仅在
R / C为高。
称号
CE (引脚6 )
CS (引脚3 )
R / C(引脚5 )
德网络nition
芯片使能
(高电平有效)
芯片选择
(低电平有效)
读/转换
(“1” =读)
(“0” =转换)
字节地址
短周期
数据模式选择
(“1” = 12位)
(“0” = 8比特)
功能
必须为高电平(“1” )来完成启动转换或读取的数据输出。 0-1边缘可被用于启动
转换。
必须为低(“0” )来完成启动转换或读取的数据输出。 1-0边缘可被用于启动
的转化率。
必须为低( “0”)发起或者8位或12位的转换。 1-0边缘可被用于启动
转换。必须是高(“1” )来读取输出数据。 0-1边缘可被用于启动读操作。
在启动转换模式,
O
选择8位(A
O
=“1” )或12位(一
O
=“0” )转换模式。当阅读
在2个8位字节的输出数据,A
O
= “ 0 ”访问8个MSB (高字节)和A
O
= “ 1 ”访问4个LSB和
尾部的“ 0” (低字节) 。
当读取输出数据, 12/8 =“1”同时使所有的12个输出位。 12/8 =“0” ,可使
作为由A确定的最高位或最低有效位
O
线。
A
O
(引脚4 )
12/8 (引脚2 )
表一, ADC774控制线的功能。
CE
0
X
CS
X
1
0
0
的R / C
X
X
0
0
0
0
12/8
X
X
X
X
X
X
X
X
1
0
0
A
O
X
X
0
1
0
1
0
1
X
0
1
手术
启动12位转换
启动8位转换
启动12位转换
启动8位转换
启动12位转换
启动8位转换
启用12位输出
启用仅8个MSB
启用4个LSB加4
尾随零
符号参数
t
HRL
t
DS
t
HDR
t
HS
t
HRH
t
DDR
低R / C脉冲宽度
自R / C STS延迟
数据有效后的R / C低
STS延迟数据有效后
高R / C脉冲宽度
数据访问时间
50
200
25
150
150
150
375
典型值
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
表III 。单机模式时序。
1
1
1
表II 。控制输入真值表。
5
ADC774
查看更多ADC774SHPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ADC774SH
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
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电话:13910052844(微信同步)
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