ADC1610S125
一个16位ADC 125 MSPS
CMOS或DDR LVDS数字输出
版本01 - 2009年5月28日
目标数据表
1.概述
该ADC1610S是单通道16位模拟数字转换器（ ADC ），用于优化
高动态性能和低功耗的125 Msps的采样速率。
流水线架构和输出误差校正保证ADC1610S准确
够在整个工作范围内，保证零丢失代码。从供给
采用3 V单源，它可以处理输出逻辑电平从1.8 V至3.3 V的CMOS模式，
因为一个单独的数字输出电源。它支持低压差分
信令（ LVDS ）双倍数据速率（ DDR）输出标准。集成串行
外围接口（SPI） ，用户可以容易地CON组fi gure在ADC 。该设备还
包括一个可编程增益放大器器具有灵活的输入电压范围。具有优良的
动态性能从基带中，以170兆赫以上的输入频率，将
ADC1610S非常适合于通信，成像和医疗应用。
2.特点
I
I
I
I
I
I
SNR ， 73分贝
SFDR ， 90 dBc的
采样率， 125 MSPS
16位流水线ADC内核
采用3 V单电源
灵活的输入电压范围： 1 V 2 V
（ P-P ）与6分贝可编程网络NE增益
I
CMOS或DDR LVDS数字输出
I
INL
±4
LSB ， DNL
±0.95
LSB （典型值）
I
I
I
I
I
I
输入带宽， 600 MHz的
功耗570毫瓦
SPI接口
占空比稳定器
快速外的范围（ OTR ）检测
偏移二进制， 2的补码，灰色
CODE
I
掉电模式和休眠模式
I
HVQFN40包
3.应用
I
无线和有线宽带通信
I
频谱分析
I
便携式仪表
I
超声设备
I
成像系统
恩智浦半导体
ADC1610S125
一个16位ADC 125 MSPS
4.订购信息
表1中。
订购信息
f
s
（ Msps的）包
名字
ADC1610S125HN / C1 125
描述
VERSION
SOT618-1
HVQFN40塑料的热增强型非常薄四方扁平的封装;没有
导致; 40终端;身体6
×
6
×
0.85 mm
类型编号
5.框图
SCLK / DFS
SDIO / ODS
ADC1610S
错误
校正和
数字
处理
PGA
SPI接口
OTR
CMOS ：
DAV
or
LVDS / DDR ：
DAVP
DAVM
CMOS ：
D15到D0
or
LVDS / DDR ：
D15P ， D15M
到D0P ， D0M
INP
T / H
输入
舞台
INM
ADC内核
16-BIT
流水线
产量
DRIVERS
时钟输入
STAGE和占空比
周期控制
系统
参考和
动力
管理
CS
PWD / OE
VCM
VREF
SENSE
AGND
CLKM
CLKP
VDDO
REFB
VDDA
REFT
005aaa104
图1.框图
ADC1610S125_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
目标数据表
版本01 - 2009年5月28日
2 33
恩智浦半导体
ADC1610S125
一个16位ADC 125 MSPS
6.管脚信息
6.1钢钉
36 SCLK / DFS
37 SDIO / DCS
31 D0_D1_M
30 D2_D3_P
29 D2_D3_M
28 D4_D5_P
27 D4_D5_M
26 D6_D7_P
25 D6_D7_M
24 D8_D9_P
23 D8_D9_M
22 D10_D11_P
21 D10_D11_M
VDDA 11
CLKP 12
CLKM 13
12月14日
PWD / OE 15
OTR 16
D14_D15_M 17
D14_D15_P 18
D12_D13_M 19
D12_D13_P 20
005aaa106
36 SCLK / DFS
37 SDIO / DCS
39 SENSE
33 VDDO
40 VREF
35 DAV
32 D0
31 D1
1号航站楼
索引区
REFB
REFT
AGND
VCM
VDDA
AGND
INM
INP
AGND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
34北卡罗来纳州
38 CS
1号航站楼
索引区
REFB
30 D2
29 D3
28 D4
27 D5
26 D6
25 D7
24 D8
23 D9
22 D10
21 D11
REFT
AGND
VCM
VDDA
AGND
INM
INP
AGND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
ADC1610S
HVQFN40
ADC1610S
HVQFN40
VDDA 10
VDDA 10
VDDA 11
CLKP 12
CLKM 13
12月14日
PWD / OE 15
OTR 16
D15 17
D14 18
D13 19
D12 20
005aaa105
透明的顶视图
透明的顶视图
图2 。
引脚CON组fi guration与CMOS数字输出
选
图3 。
引脚CON组fi guration与LVDS / DDR数码
选择输出
6.2引脚说明
表2中。
符号
REFB
REFT
AGND
VCM
VDDA
AGND
INM
INP
AGND
VDDA
VDDA
CLKP
CLKM
DEC
PWD / OE
OTR
ADC1610S125_1
引脚说明（ CMOS数字输出）
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TYPE
[1]
O
O
G
O
P
G
I
I
G
P
P
I
I
O
I
O
描述
底部参考
顶级参考
模拟地
共模输出电压
模拟电源
模拟地
互补的模拟输入
模拟量输入
模拟地
模拟电源
模拟电源
时钟输入
互补时钟输入
稳压器去耦节点
掉电，高电平有效;输出使能，低电平有效
OUT -OF -RANGE
NXP B.V. 2009保留所有权利。
目标数据表
版本01 - 2009年5月28日
32 D0_D1_P
39 SENSE
34 DAVM
33 VDDO
35 DAVP
40 VREF
38 CS
3 33
恩智浦半导体
ADC1610S125
一个16位ADC 125 MSPS
引脚说明（ CMOS数字输出）
针
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
TYPE
[1]
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
P
-
O
I
I / O
I
I
I / O
描述
数据输出15位（MSB）
数据输出14位
数据输出13位
数据输出12位
数据输出11位
数据输出位10
数据输出位9
数据输出8位
数据输出位7
数据输出位6
数据输出位5
数据输出位4
数据输出位3
数据输出位2
数据输出位1
数据输出位0 （ LSB ）
输出电源
没有连接
数据的有效输出时钟
SPI时钟/数据格式选择
SPI数据IO /输出数据标准
SPI片选
参考编程引脚
参考电压输入/输出
表2中。
符号
D15
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
VDDO
北卡罗来纳州
DAV
SCLK / DFS
SDIO / ODS
CS
SENSE
VREF
[1]
P：电源; G：地面; I：输入; ○：输出; I / O：输入/输出。
表3中。
符号
引脚说明（ LVDS / DDR ）数字输出）
针
[1]
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
TYPE
[2]
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
描述
差分输出数据D14和D15复用，补
差分输出数据D14和D15复用，真正的
差分输出数据D12和D13复用，补
差分输出数据D12和D13复用，真正的
差分输出数据D10和D11multiplexed ，补
差分输出数据D10和D11复用的，真
差分输出数据D8和D9复用，补
差分输出数据D8和D9复用，真正的
差分输出数据D6和D7复用，补体
差分输出数据D6和D7复用的，真
差分输出数据D4和D5复用，补体
差分输出数据D4和D5复用的，真
差分输出数据D2和D3的复用时，补
差分输出数据D2和D3的复用的，真
差分输出数据D0和D1多路复用，补体
NXP B.V. 2009保留所有权利。
D14_D15_M
D14_D15_P
D12_D13_M
D12_D13_P
D10_D11_M
D10_D11_P
D8_D9_M
D8_D9_P
D6_D7_M
D6_D7_P
D4_D5_M
D4_D5_P
D2_D3_M
D2_D3_P
D0_D1_M
ADC1610S125_1
目标数据表
版本01 - 2009年5月28日
4 33
恩智浦半导体
ADC1610S125
一个16位ADC 125 MSPS
引脚说明
- 续
（ LVDS / DDR ）数字输出）
针
[1]
32
34
35
TYPE
[2]
O
O
O
描述
差分输出数据D0和D1复用的，真
数据有效输出时钟，补体
数据有效输出时钟，真
表3中。
符号
D0_D1_P
DAVM
DAVP
[1]
[2]
引脚1 16和引脚36至40都是相同的CMOS和LVDS DDR输出（参见
表2）
P：电源; G：地面; I：输入; ○：输出; I / O：输入/输出。
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DDA
V
DDO
V
CC
T
英镑
T
AMB
T
j
参数
模拟电源电压
输出电源电压
电源电压差
储存温度
环境温度
结温
V
DDA
V
DDO
条件
民
<tbd>
<tbd>
<tbd>
55
40
-
最大
<tbd>
<tbd>
<tbd>
+125
+85
<tbd>
单位
V
V
V
°C
°C
°C
8.热特性
表5 。
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -C ）
[1]
热特性
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻到外壳
条件
[1]
[1]
典型值
<tbd>
<tbd>
单位
K / W
K / W
符合JEDEC测试板，在自由的空气。
ADC1610S125_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
目标数据表
版本01 - 2009年5月28日
5 33
ADC1610S系列
一个16位ADC ; 65 MSPS， 80 MSPS， 105 Msps的或125 MSPS ;
CMOS或DDR LVDS数字输出
版本02 - 2010年4月12日
目标数据表
1.概述
该ADC1610S是一个单信道的16位模拟 - 数字转换器（ADC ），用于优化
高动态性能和低功耗，采样速率高达125 MSPS 。
流水线架构和输出误差校正保证ADC1610S准确
够在整个工作范围内，保证零丢失代码。从供给
采用3 V单源，它可以处理输出逻辑电平从1.8 V至3.3 V的CMOS模式，
因为一个单独的数字输出电源。它支持低压差分
信令（ LVDS ）双倍数据速率（ DDR）输出标准。集成串行
外围接口（SPI） ，用户可以很容易地配置ADC 。该设备还
包括一个SPI可编程的满量程，允许灵活的输入电压范围
1 V 2 V（峰 - 峰值） 。凭借出色的动力性能在基带
170 MHz或更高的输入频率，将ADC1610S非常适合在通信中使用，
成像和医疗应用。
2.特点和好处科幻TS
信噪比72.5 dBFS的; SFDR ， 88 dBc的
采样速率高达125 MSPS
16位流水线ADC内核
2个时钟输入分频器的抖动
贡献
采用3 V单电源
灵活的输入电压范围： 1 V 2 V
（峰 - 峰值） 。
CMOS或DDR LVDS数字输出
掉电模式和休眠模式
输入带宽， 600 MHz的
功耗430毫瓦，在80 MSPS
串行外设接口（SPI ）
占空比稳定器
快超出范围（ OTR ）检测
INL
±1
LSB ， DNL
±0.5
最低位
偏移二进制，二进制补码，灰色
CODE
HVQFN40包
3.应用
无线和有线宽带
通讯
频谱分析
超声设备
便携式仪表
成像系统
软件定义无线电
恩智浦半导体
ADC1610S系列
ADC1610S系列; CMOS或DDR LVDS数字输出
4.订购信息
表1中。
订购信息
f
s
（ Msps的）包
名字
ADC1610S125HN / C1 125
ADC1610S105HN / C1 105
ADC1610S080HN / C1 80
ADC1610S065HN / C1 65
描述
VERSION
SOT618-6
SOT618-6
SOT618-6
SOT618-6
HVQFN40塑料的热增强型非常薄四方扁平封装;没有
导致; 40终端;身体6
×
6
×
0.85 mm
HVQFN40塑料的热增强型非常薄四方扁平封装;没有
导致; 40终端;身体6
×
6
×
0.85 mm
HVQFN40塑料的热增强型非常薄四方扁平封装;没有
导致; 40终端;身体6
×
6
×
0.85 mm
HVQFN40塑料的热增强型非常薄四方扁平封装;没有
导致; 40终端;身体6
×
6
×
0.85 mm
类型编号
5.框图
SDIO / ODS
SCLK / DFS
CS
ADC1610S
错误
校正和
数字
处理
SPI接口
OTR
CMOS ：
D15到D0
or
LVDS / DDR ：
D15_M到D0_M
D15_P到D0_P
CMOS ：
DAV
or
LVDS / DDR ：
DAVP
DAVM
INP
T / H
输入
舞台
INM
ADC内核
16-BIT
流水线
产量
DRIVERS
产量
DRIVERS
时钟输入
STAGE和占空比
周期控制
系统
参考和
动力
管理
PWD
OE
CLKP
CLKM
VCM
SENSE
REFT
VREF
REFB
005aaa156
图1.框图
ADC1610S_SER_2
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目标数据表
版本02 - 2010年4月12日
2 38
恩智浦半导体
ADC1610S系列
ADC1610S系列; CMOS或DDR LVDS数字输出
6.管脚信息
6.1钢钉
36 SCLK / DFS
37 SDIO / DCS
31 D0_D1_M
30 D2_D3_P
29 D2_D3_M
28 D4_D5_P
27 D4_D5_M
26 D6_D7_P
25 D6_D7_M
24 D8_D9_P
23 D8_D9_M
22 D10_D11_P
21 D10_D11_M
VDDA 11
CLKP 12
CLKM 13
12月14日
PWD / OE 15
OTR 16
D14_D15_M 17
D14_D15_P 18
D12_D13_M 19
D12_D13_P 20
005aaa106
36 SCLK / DFS
37 SDIO / DCS
39 SENSE
33 VDDO
40 VREF
32 D0
31 D1
1号航站楼
索引区
REFB
REFT
AGND
VCM
VDDA
AGND
INM
INP
AGND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
34 DAV
35北卡罗来纳州
38 CS
1号航站楼
索引区
REFB
30 D2
29 D3
28 D4
27 D5
26 D6
25 D7
24 D8
23 D9
22 D10
21 D11
REFT
AGND
VCM
VDDA
AGND
INM
INP
AGND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
ADC1610S
HVQFN40
ADC1610S
HVQFN40
VDDA 10
VDDA 10
VDDA 11
CLKP 12
CLKM 13
12月14日
PWD / OE 15
OTR 16
D15 17
D14 18
D13 19
D12 20
005aaa105
透明的顶视图
透明的顶视图
图2 。
与CMOS数字输出引脚配置
选
图3 。
与LVDS / DDR数字引脚配置
选择输出
6.2引脚说明
表2中。
符号
REFB
REFT
AGND
VCM
VDDA
AGND
INM
INP
AGND
VDDA
VDDA
CLKP
CLKM
DEC
PWD / OE
OTR
ADC1610S_SER_2
引脚说明（ CMOS数字输出）
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TYPE
[1]
O
O
G
O
P
G
I
I
G
P
P
I
I
O
I
O
描述
底部参考
顶级参考
模拟地
共模输出电压
模拟电源
模拟地
互补的模拟输入
模拟量输入
模拟地
模拟电源
模拟电源
时钟输入
互补时钟输入
稳压器去耦节点
关闭电源，高电平有效;输出使能，低电平有效
超出范围
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目标数据表
版本02 - 2010年4月12日
32 D0_D1_P
39 SENSE
34 DAVM
33 VDDO
35 DAVP
40 VREF
38 CS
3 38
恩智浦半导体
ADC1610S系列
ADC1610S系列; CMOS或DDR LVDS数字输出
引脚说明（ CMOS数字输出）
针
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
TYPE
[1]
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
P
O
-
I
I / O
I
I
I / O
描述
数据输出15位（MSB）
数据输出14位
数据输出13位
数据输出12位
数据输出11位
数据输出位10
数据输出位9
数据输出8位
数据输出位7
数据输出位6
数据输出位5
数据输出位4
数据输出位3
数据输出位2
数据输出位1
数据输出位0 （ LSB ）
输出电源
数据的有效输出时钟
没有连接
SPI时钟/数据格式选择
SPI数据IO /输出数据标准
SPI片选
参考编程引脚
参考电压输入/输出
表2中。
符号
D15
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
VDDO
DAV
北卡罗来纳州
SCLK / DFS
SDIO / ODS
CS
SENSE
VREF
[1]
P：电源; G：地面; I：输入; ○：输出; I / O：输入/输出。
ADC1610S_SER_2
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目标数据表
版本02 - 2010年4月12日
4 38
恩智浦半导体
ADC1610S系列
ADC1610S系列; CMOS或DDR LVDS数字输出
引脚说明（ LVDS / DDR ）数字输出）
针
[1]
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
34
35
TYPE
[2]
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
描述
差分输出数据D14和D15复用，补
差分输出数据D14和D15复用，真正的
差分输出数据D12和D13复用，补
差分输出数据D12和D13复用，真正的
差分输出数据D10和D11multiplexed ，补
差分输出数据D10和D11复用的，真
差分输出数据D8和D9复用，补
差分输出数据D8和D9复用，真正的
差分输出数据D6和D7复用，补体
差分输出数据D6和D7复用的，真
差分输出数据D4和D5复用，补体
差分输出数据D4和D5复用的，真
差分输出数据D2和D3的复用时，补
差分输出数据D2和D3的复用的，真
差分输出数据D0和D1多路复用，补体
差分输出数据D0和D1复用的，真
数据有效输出时钟，补体
数据有效输出时钟，真
表3中。
符号
D14_D15_M
D14_D15_P
D12_D13_M
D12_D13_P
D10_D11_M
D10_D11_P
D8_D9_M
D8_D9_P
D6_D7_M
D6_D7_P
D4_D5_M
D4_D5_P
D2_D3_M
D2_D3_P
D0_D1_M
D0_D1_P
DAVM
DAVP
[1]
[2]
引脚1 16和引脚36至40都是相同的CMOS和LVDS DDR输出（参见
表2）
P：电源; G：地面; I：输入; ○：输出; I / O：输入/输出。
7.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
O
参数
输出电压
条件
销D15至D0 ;
销D15P到D0P ;
销D15M到D0M
民
0.4
最大
+3.9
单位
V
V
DDA
V
DDO
T
英镑
T
AMB
T
j
模拟电源电压
输出电源电压
储存温度
环境温度
结温
0.4
0.4
55
40
-
+3.9
+3.9
+125
+85
125
V
V
°C
°C
°C
8.热特性
表5 。
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -C ）
[1]
热特性
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻到外壳
条件
[1]
[1]
典型值
22.5
11.7
单位
K / W
K / W
为六层值板在静止空气中以最小的25热通孔。
ADC1610S_SER_2
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目标数据表
版本02 - 2010年4月12日
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