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ADC1175的8位, 20MHz的, 60mW的A / D转换器
2000年1月
ADC1175
8位, 20MHz的, 60mW的A / D转换器
概述
在ADC1175是一个低功率, 20 Msps的模 - 数转换
变频器是数字化信号, 8位,而功耗仅为60
毫瓦的功率(典型值) 。该ADC1175采用了独特的架构
即达到7.5有效位数。输出格式是直
二进制编码。
该器件的出色的直流和交流特性,以─
GETHER以其低功耗和+ 5V单电源供电
操作,使其非常适用于各种视频,图像和
通信应用,包括在便携使用
设备。此外, ADC1175是抗闭锁
和输出短路保护。顶部和底部
在ADC1175的参考阶梯可用于连接,
可用于范围宽广的输入的可能性。
该ADC1175是SOIC ( EIAJ )和TSSOP封装。这是DE-
签约工作在商用温度范围
-20°C到+ 75℃。
关键的特定连接的阳离子
n
决议
n
最大采样频率
n
THD
n
DNL
n
ENOB
n
保证无失码
n
微分相位
n
微分增益
n
耗电量
0.5度(典型值)
0.7 % (典型值)
为60mW (典型值)
(不包括参考电流)
8位
20 MSPS (分钟)
-55分贝(典型值)
0.75 LSB (最大值)
7.5位(典型值)
应用
n
n
n
n
n
n
n
n
n
视频数字化
数码相机
机顶盒
通讯
医学影像
个人电脑摄像头
数字电视
CCD成像
光电器件
特点
n
n
n
n
n
内部采样和保持功能
+ 5V单电源工作
内部参考偏置电阻器
工业标准引脚
三州
输出
订购信息
ADC1175CIJM
ADC1175CIJMX
ADC1175CIMTC
ADC1175CIMTCX
SOIC ( EIAJ )
SOIC ( EIAJ ) (磁带&卷轴)
TSSOP
TSSOP (磁带&卷轴)
引脚配置
ADC1175引脚配置
DS100092-1
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。 CN
2000美国国家半导体公司
DS100092
www.national.com
ADC1175
框图
DS100092-2
引脚说明和等效电路
符号
等效电路
描述
19
V
IN
模拟信号输入。转换范围为V
RB
to
V
RT
.
16
V
RTS
参考顶偏带内部上拉电阻。
总之这个引脚到V
RT
自偏置参考
阶梯。
17
V
RT
模拟输入是的高(顶)侧
ADC的参考阶梯。标称范围为1.0V
以AV
DD
。在V电压
RT
和V
RB
输入定义
V
IN
转换范围。绕过很好。参见第2.0节
了解更多信息。
模拟输入是的低(底)侧
ADC的参考阶梯。标称范围为0V
到4.0V 。在V电压
RT
和V
RB
输入定义
V
IN
转换范围。绕过很好。参见第2.0节
了解更多信息。
2
23
V
RB
www.national.com
ADC1175
引脚说明和等效电路
符号
等效电路
(续)
描述
22
V
苏格兰皇家银行
参考下偏差带内部上拉下来
电阻器。短到V
RB
自偏置参考
阶梯。
1
OE
CMOS / TTL兼容的数字输入,当低,
使ADC1175的数字输出。当
高时,输出处于高阻抗状态。
12
CLK
CMOS / TTL兼容的数字时钟输入。 V
IN
is
采样CLK输入的下降沿。
3通
10
D0-D7
转换数字数据输出引脚。 D0是最低位,
D7是MSB。有效数据是输出刚过
CLK输入的上升沿。这些引脚
通过将OE引脚为低电平使能。
11, 13
DV
DD
正数字电源引脚。连接到一个干净,安静
的+ 5V电压源。 AV
DD
和DV
DD
应该有
一个常见的来源和单独旁路
一个10μF的电容和一个0.1μF的陶瓷芯片
电容。请参见第3.0节以获取更多信息。
接地回路的数字电源。 AV
SS
DV
SS
应连接在一起靠近
ADC1175.
正模拟电源引脚。连接到一个干净的,
的+ 5V安静电压源。 AV
DD
和DV
DD
有一个共同的源和分别绕过
一个10μF的电容和一个0.1 μF陶瓷芯片
电容。请参见第3.0节以获取更多信息。
接地回路的模拟电源。 AV
SS
DV
SS
应连接在一起靠近
ADC1175包。
2, 24
DV
SS
14,
15, 18
AV
DD
20, 21
AV
SS
3
www.national.com
ADC1175
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
AV
DD
, DV
DD
任何引脚电压
V
RT
, V
RB
CLK , OE电压
数字输出电压
输入电流(注3)
包装输入电流
(注3)
在25 ° C封装耗散
6.5V
-0.3V至6.5V
AV
SS
以AV
DD
-0.05 ( AV
DD
+ 0.05V)
DV
SS
以DV
DD
ESD易感性(注5 )
人体模型
机器型号
焊接温度,红外线的10
秒。 (注6 )
储存温度
2000V
200V
300C
-65 ° C至+ 150°C
工作额定值
(注1,2 )
温度范围
AV
DD
, DV
DD
AV
DD
DV
DD
| aV型
SS
-dV
SS
|
V
RT
V
RB
V
IN
电压范围
20C
T
A
+75C
+ 4.75V至+ 5.25V
±
25mA
±
50mA
(注4 )
& LT ;
0.5V
0V至100毫伏
1.0V至V
DD
0V至4.0V
V
RB
到V
RT
转换器电气特性
以下规格适用于AV
DD
DV
DD
= +5.0V
DC
, OE = 0V ,V
RT
= +2.6V, V
RB
= 0.6V ,C
L
= 20 pF的,
f
CLK
= 20MHz的,在50 %的占空比。
黑体字限额适用于对于T
A
= T
给T
最大
;
所有其他限制牛逼
A
= 25 (注7,8)
符号
DC精度
INL
INL
DNL
DNL
E
OT
E
OB
积分非线性度
积分非线性度
差分非线性度
差分非线性度
失码
顶偏
底部偏移
f
in
=
f
CLK
f
in
=
f
CLK
4.43 MHz的正弦波,
= 17.7兆赫
4.43 MHz的正弦波,
= 17.7兆赫
24
+37
f
f
f
f
CLK
CLK
CLK
CLK
参数
条件
典型
(注9 )
范围
(注9 )
单位
= 20 MHz的
= 30 MHz的
= 20 MHz的
= 30 MHz的
±
0.5
±
1.0
±
0.35
±
1.0
±
1.3
±
0.75
0
LSB (最大值)
LSB (最大值)
LSB (最大值)
LSB (最大值)
(最大)
mV
mV
视频精度
DP
DG
差分相位误差
微分增益误差
0.5
0.4
%
模拟输入和参考特征
V
IN
输入范围
( CLK
低)
( CLK
HIGH )
2.0
4
pF
11
V
RB
V
RT
V(分钟)
V(最大值)
C
IN
V
IN
输入电容
V
IN
= 1.5V + 0.7Vrms
R
IN
BW
R
RT
R
REF
R
RB
R
IN
输入阻抗
模拟输入带宽
顶级参考电阻
参考梯
阻力
底部的参考电阻
V
RT
= V
RTS
, V
RB
= V
苏格兰皇家银行
V
RT
到V
RB
& GT ;
1
120
360
300
90
7
8
2.6
4.8
9.3
5.4
10.5
200
400
M
兆赫
Ω (分钟)
Ω (最大值)
MA(分钟)
毫安(最大)
MA(分钟)
毫安(最大)
V
I
REF
参考阶梯电流
V
RT
= V
RTS
,V
RB
= AV
SS
V
RT
参考前自偏压
电压
V
RT
连接到V
RTS
V
RB
连接到V
苏格兰皇家银行
www.national.com
4
ADC1175
转换器电气特性
(续)
以下规格适用于AV
DD
DV
DD
= +5.0V
DC
, OE = 0V ,V
RT
= +2.6V, V
RB
= 0.6V ,C
L
= 20 pF的,
f
CLK
= 20MHz的,在50 %的占空比。
黑体字限额适用于对于T
A
= T
给T
最大
;
所有其他限制牛逼
A
= 25 (注7,8)
符号
参数
条件
典型
(注9 )
范围
(注9 )
0.55
0.65
1.89
2.15
单位
模拟输入和参考特征
V
RB
参考下自偏压
电压
V
RT
连接到V
RTS
V
RB
连接到V
苏格兰皇家银行
V
RT
连接到V
RTS
,
V
RB
连接到V
苏格兰皇家银行
V
RT
连接到V
RTS
,
V
RB
连接到V
SS
0.6
2
2.3
2
1.0
2.8
V(分钟)
V(最大值)
μAmin
μAMAX
V
V(分钟)
V(最大值)
mA
mA
17
mA
V
RTS
-
V
苏格兰皇家银行
V
RT
-
V
RB
IA
DD
ID
DD
IAV
DD
+
IDV
DD
自偏置电压三角洲
参考电压三角洲
电源特性
模拟电源电流
数字电源电流
DV
DD
= AV
DD
= 5.25V
DV
DD
= AV
DD
= 5.25V
DV
DD
AV
DD
= 5.25V ,女
CLK
= 20 MHz的
DV
DD
AV
DD
= 5.25V ,女
CLK
= 30 MHz的
DV
DD
= AV
DD
= 5.25V , CLK低
(注10 )
DV
DD
= AV
DD
= 5.25V ,女
CLK
= 20 MHz的
DV
DD
= AV
DD
= 5.25V ,女
CLK
= 30 MHz的
DV
DD
= AV
DD
= +5.25V
DV
DD
= AV
DD
= +5.25V
V
IH
DV
DD
= AV
DD
= +5.25V
V
IL
= 0V ,DV
DD
= AV
DD
= +5.25V
9.5
2.5
12
13
9.6
60
65
3.0
1.0
5
5
5
DV
DD
= 4.75V, V
OH
= 2.4V
DV
DD
= 4.75V, V
OL
= 0.4V
DV
DD
= 5.25V
OE = DV
DD
, V
OL
= 0V或V
OH
DV
DD
1.1
1.6
85
mA
mW
mW
V(分钟)
V(最大值)
A
A
pF
MA(分钟)
毫安(最大)
A
总工作电流
耗电量
CLK , OE数字输入特性
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
C
IN
I
OH
I
OL
I
OZH
,
I
OZL
f
C1
f
C2
t
OD
逻辑高输入电压
逻辑低输入电压
逻辑高输入电流
逻辑低输入电流
逻辑输入电容
高电平输出电流
低电平输出电流
三州
漏电流
数字输出特性
±
20
AC电气特性
最大转化率
最小转换速率
输出延迟
Pipline延迟(延迟)
t
DS
t
AJ
t
OH
t
EN
t
DIS
ENOB
采样(光圈)延迟
孔径抖动
输出保持时间
OE低到DATA有效
OE高到高Z状态
CLK高到数据无效
加载中
图2
加载中
图2
f
IN
= 1.31兆赫,V
IN
= FS - 2 LSB
f
IN
= 4.43兆赫,V
IN
= FS - 2 LSB
f
IN
= 9.9兆赫,V
IN
= FS - 2 LSB
f
IN
= 4.43 MHz的,女
CLK
= 30 MHz的
f
IN
= 1.31兆赫,V
IN
= FS - 2 LSB
f
IN
= 4.43兆赫,V
IN
= FS - 2 LSB
f
IN
= 9.9兆赫,V
IN
= FS - 2 LSB
f
IN
= 4.43 MHz的,女
CLK
= 30 MHz的
CLK低到数据acquissition
CLK高到数据有效
30
1
19
2.5
3
30
10
11
15
7.5
7.3
7.2
6.5
47
46
45
40
7.0
20
兆赫(分钟)
兆赫
NS (最大值)
时钟
周期
ns
ps的均方根
ns
ns
ns
有效位数
位(分钟)
SINAD
信噪比&失真
43
分贝(分钟)
5
www.national.com
ADC1175的8位, 20MHz的, 60mW的A / D转换器
2003年3月
ADC1175
8位, 20MHz的, 60mW的A / D转换器
概述
在ADC1175是一个低功率, 20 Msps的模拟 - 数字
转换器的数字化信号, 8位,同时仅消耗
60毫瓦的功率(典型值) 。在ADC1175采用了独特的架构设计师用手工
tecture ,可实现7.5有效位数。输出格式是
直接二进制编码。
此装置的优良的DC和AC特性
其低功耗和+ 5V单一起
电源供电,使其非常适合于众多的视频,
成像和通信应用,包括在使用中
便携式设备。此外, ADC1175是耐
闩锁和输出短路保护。顶部
和ADC1175的参考梯子底部可
为连接,使大范围的输入的可能性。
该ADC1175是SOIC ( EIAJ )和TSSOP封装。这是
设计工作在商用温度范围
-20℃至+ 75℃。
特点
n
n
n
n
n
内部采样和保持功能
+ 5V单电源工作
内部参考偏置电阻器
工业标准引脚
三态输出
关键的特定连接的阳离子
j
决议
j
最大采样频率
j
THD
j
DNL
j
ENOB
j
保证无失码
j
微分相位
j
微分增益
j
耗电量
8位
20 MSPS (分钟)
-55分贝(典型值)
0.75 LSB (最大值)
7.5位(典型值)
0.5度(典型值)
0.4 % (典型值)
为60mW (典型值)
(不包括参考电流)
应用
n
n
n
n
n
n
n
n
n
视频数字化
数码相机
机顶盒
通讯
医学影像
个人电脑摄像头
数字电视
CCD成像
光电器件
引脚配置
ADC1175引脚配置
10009201
2003美国国家半导体公司
DS100092
www.national.com
ADC1175
订购信息
ADC1175CIJM
ADC1175CIJMX
ADC1175CIMTC
ADC1175CIMTCX
SOIC ( EIAJ )
SOIC ( EIAJ ) (磁带&卷轴)
TSSOP
TSSOP (磁带&卷轴)
框图
10009202
引脚说明和等效电路
符号
等效电路
描述
19
V
IN
模拟信号输入。转换范围为V
RB
到V
RT
.
16
V
RTS
参考顶偏带内部上拉电阻。
总之这个引脚到V
RT
自偏置参考阶梯。
www.national.com
2
ADC1175
引脚说明和等效电路
符号
等效电路
(续)
描述
模拟输入是的高(顶)侧
ADC的参考阶梯。标称范围为1.0V
以AV
DD
。在V电压
RT
和V
RB
输入定义
V
IN
转换范围。绕过很好。参见第2.0节
了解更多信息。
模拟输入是的低(底)侧
ADC的参考阶梯。标称范围为0V至
4.0V 。在V电压
RT
和V
RB
输入定义V
IN
转换范围。绕过很好。参见第2.0
更多的信息。
17
V
RT
23
V
RB
22
V
苏格兰皇家银行
参考下偏差带内部上拉下来
电阻器。短到V
RB
自偏置参考
阶梯。
1
OE
CMOS / TTL兼容的数字输入,当低,
使ADC1175的数字输出。当
高时,输出处于高阻抗状态。
12
CLK
CMOS / TTL兼容的数字时钟输入。 V
IN
is
采样CLK输入的下降沿。
3通
10
D0-D7
转换数字数据输出引脚。 D0是最低位,
D7是MSB。有效数据是输出刚过
CLK输入的上升沿。这些引脚启用
通过将OE引脚为低电平。
11, 13
DV
DD
正数字电源引脚。连接到一个干净,安静
的+ 5V电压源。 AV
DD
和DV
DD
应该有
一个常见的来源和单独旁路用
10μF电容和一个0.1μF的陶瓷芯片电容。
请参见第3.0节以获取更多信息。
3
www.national.com
ADC1175
引脚说明和等效电路
2, 24
符号
DV
SS
等效电路
(续)
描述
接地回路的数字电源。 AV
SS
DV
SS
应连接在一起靠近
ADC1175.
正模拟电源引脚。连接到一个干净的,
的+ 5V安静电压源。 AV
DD
和DV
DD
有一个共同的源和分别绕过
一个10μF的电容和一个0.1 μF陶瓷芯片
电容。请参见第3.0节以获取更多信息。
接地回路的模拟电源。 AV
SS
DV
SS
应连接在一起靠近
ADC1175包。
14, 15,
18
AV
DD
20, 21
AV
SS
www.national.com
4
ADC1175
绝对最大额定值
(注1 )
工作额定值
(注1,2 )
温度范围
AV
DD
, DV
DD
AV
DD
DV
DD
| aV型
SS
-dV
SS
|
V
RT
V
RB
V
RT
-V
RB
V
IN
电压范围
20C
T
A
+75C
+ 4.75V至+ 5.25V
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
AV
DD
, DV
DD
任何引脚电压
V
RT
, V
RB
CLK , OE电压
数字输出电压
输入电流(注3)
包装输入电流
(注3)
在25 ° C封装耗散
ESD易感性(注5 )
人体模型
机器型号
焊接温度,红外, 10
秒。 (注6 )
储存温度
2000V
200V
300C
-65 ° C至+ 150°C
6.5V
-0.3V至6.5V
AV
SS
以AV
DD
-0.5到( AV
DD
+ 0.5V)
DV
SS
以DV
DD
& LT ;
0.5V
0V至100毫伏
1.0V至V
DD
0V至4.0V
1V至2.8V
V
RB
到V
RT
±
25mA
±
50mA
(注4 )
转换器电气特性
以下规格适用于AV
DD
DV
DD
= +5.0V
DC
, OE = 0V ,V
RT
= +2.6V, V
RB
= 0.6V ,C
L
= 20 pF的,
f
CLK
= 20MHz的,在50 %的占空比。
黑体字限额适用于对于T
A
= T
给T
最大
;
所有其他限制牛逼
A
= 25 (注7,8)
符号
DC精度
INL
INL
DNL
DNL
E
OT
E
OB
积分非线性度
积分非线性度
差分非线性度
差分非线性度
失码
顶偏
底部偏移
f
in
= 4.43 MHz的正弦波,
f
CLK
= 17.7兆赫
f
in
= 4.43 MHz的正弦波,
f
CLK
= 17.7兆赫
24
+37
f
f
f
f
CLK
CLK
CLK
CLK
参数
条件
典型
(注9 )
范围
(注9 )
单位
= 20 MHz的
= 30 MHz的
= 20 MHz的
= 30 MHz的
±
0.5
±
1.0
±
0.35
±
1.0
±
1.3
±
0.75
0
LSB (最大值)
LSB (最大值)
LSB (最大值)
LSB (最大值)
(最大)
mV
mV
视频精度
DP
DG
差分相位误差
微分增益误差
0.5
0.4
%
模拟输入和参考特征
V
IN
C
IN
R
IN
BW
R
RT
R
REF
R
RB
输入范围
V
IN
输入电容
R
IN
输入阻抗
模拟输入带宽
顶级参考电阻
参考梯形电阻
底部的参考电阻
V
RT
=V
RTS
, V
RB
=V
苏格兰皇家银行
I
REF
参考阶梯电流
V
RT
=V
RTS
,V
RB
= AV
SS
8
V
RT
到V
RB
V
IN
= 1.5V + 0.7Vrms
( CLK为低电平)
( CLK高)
2.0
4
11
V
RB
V
RT
V(分钟)
V(最大值)
pF
M
兆赫
200
400
4.8
9.3
5.4
10.5
Ω (分钟)
Ω (最大值)
MA(分钟)
毫安(最大)
MA(分钟)
毫安(最大)
www.national.com
& GT ;
1
120
360
300
90
7
5
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