ADC10080 10位80 MSPS 3V , 78.6毫瓦的A / D转换器
2004年11月
ADC10080
10位, 80 MSPS , 3V , 78.6毫瓦的A / D转换器
概述
该ADC10080是一个单芯片CMOS模拟 - 数转换
换器能够将模拟输入信号转换成10位
数字字以每秒80兆次采样( MSPS ) 。这
转换器采用差分流水线架构,内置数字
纠错和一个片上采样和保持电路,以
提供完整的转化处理液,并以最小化
功耗,同时提供卓越的动态per-
性能。独特的采样保持电路产生一个全
400 MHz的功率带宽。运行于单个3.0V
电源,该器件仅消耗78.6毫瓦
80 MSPS ,包括参考电流。待机
功能可降低功耗仅为15毫瓦。
差分输入端提供满量程可选输入
2.0 V摆幅
P-P
, 1.5 V
P-P
, 1.0 V
P-P
与a的可能性
单端输入。充分利用差分输入的是中建议
谁料,以获得最佳的性能。内部+ 1.2V精密度
锡安带隙基准用于设置ADC的满量程
范围内,并且还允许用户提供一个缓冲为参考
转制电压为这些应用程序需要更高AC-
curacy 。输出数据格式是10位偏移二进制或2的
补充。
该器件采用28引脚TSSOP封装,
将工作在-40°C至工业级温度范围
+85C.
特点
n
单+ 3.0V操作
n
可选的2.0 V
P-P
, 1.5 V
P-P
,或1.0 V
P-P
满量程输入
摇摆
n
400 MHz的-3 dB的输入带宽
n
低功耗
n
待机模式
n
片上的参考和取样 - 保持放大器
n
偏移二进制或二进制补码数据格式
n
独立可调的输出驱动器供应
适应2.5V和3.3V逻辑系列
n
28引脚TSSOP封装
关键的特定连接的阳离子
n
n
n
n
n
n
n
n
n
决议
转化率
全功率带宽
DNL
SNR (F
IN
= 10兆赫)
SFDR (F
IN
= 10兆赫)
数据延迟
电源电压
功耗, 80兆赫
10位
80 MSPS
400兆赫
±
0.25 LSB (典型值)
59.5分贝(典型值)
-78.7分贝(典型值)
6个时钟周期
+3.0V
78.6毫瓦
应用
n
n
n
n
n
n
n
n
超声和影像
仪器仪表
基于蜂窝站/通信接收机
声纳/雷达
xDSL的
无线本地环路
数据采集系统
DSP前端
接线图
20048501
2004美国国家半导体公司
DS200485
www.national.com
ADC10080 10位80 MSPS 3V , 78.6毫瓦的A / D转换器
2004年11月
ADC10080
10位, 80 MSPS , 3V , 78.6毫瓦的A / D转换器
概述
该ADC10080是一个单芯片CMOS模拟 - 数转换
换器能够将模拟输入信号转换成10位
数字字以每秒80兆次采样( MSPS ) 。这
转换器采用差分流水线架构,内置数字
纠错和一个片上采样和保持电路,以
提供完整的转化处理液,并以最小化
功耗,同时提供卓越的动态per-
性能。独特的采样保持电路产生一个全
400 MHz的功率带宽。运行于单个3.0V
电源,该器件仅消耗78.6毫瓦
80 MSPS ,包括参考电流。待机
功能可降低功耗仅为15毫瓦。
差分输入端提供满量程可选输入
2.0 V摆幅
P-P
, 1.5 V
P-P
, 1.0 V
P-P
与a的可能性
单端输入。充分利用差分输入的是中建议
谁料,以获得最佳的性能。内部+ 1.2V精密度
锡安带隙基准用于设置ADC的满量程
范围内,并且还允许用户提供一个缓冲为参考
转制电压为这些应用程序需要更高AC-
curacy 。输出数据格式是10位偏移二进制或2的
补充。
该器件采用28引脚TSSOP封装,
将工作在-40°C至工业级温度范围
+85C.
特点
n
单+ 3.0V操作
n
可选的2.0 V
P-P
, 1.5 V
P-P
,或1.0 V
P-P
满量程输入
摇摆
n
400 MHz的-3 dB的输入带宽
n
低功耗
n
待机模式
n
片上的参考和取样 - 保持放大器
n
偏移二进制或二进制补码数据格式
n
独立可调的输出驱动器供应
适应2.5V和3.3V逻辑系列
n
28引脚TSSOP封装
关键的特定连接的阳离子
n
n
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n
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n
决议
转化率
全功率带宽
DNL
SNR (F
IN
= 10兆赫)
SFDR (F
IN
= 10兆赫)
数据延迟
电源电压
功耗, 80兆赫
10位
80 MSPS
400兆赫
±
0.25 LSB (典型值)
59.5分贝(典型值)
-78.7分贝(典型值)
6个时钟周期
+3.0V
78.6毫瓦
应用
n
n
n
n
n
n
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n
超声和影像
仪器仪表
基于蜂窝站/通信接收机
声纳/雷达
xDSL的
无线本地环路
数据采集系统
DSP前端
接线图
20048501
2004美国国家半导体公司
DS200485
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