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ADC1001 10位微处理器兼容A / D转换器
1999年6月
ADC1001
10位微处理器兼容A / D转换器
概述
该ADC1001是CMOS , 10位逐次逼近
A / D转换器。 20针ADC1001是带有引脚兼容
在ADC0801的8位A / D系列。 10位数据字被读入
2个8位字节,格式化第一左对齐和高字节。该
第二个字节的6至少显著位被设置为0,因为
是恰当的一个16位的字。
差分输入提供低频率的输入共
模抑制并允许抵销的模拟范围
转换器。此外,该基准电压输入可以调整
使转化的具有降低的模拟范围
10位分辨率。
特点
n
ADC1001是ADC0801系列8位引脚兼容
A / D转换器
n
兼容NSC800和8080微处理器衍生物 - 无
接口逻辑需要
n
轻松连接到6800微处理器衍生物
n
差分模拟电压输入
n
逻辑输入和输出满足MOS和TTL
电压等级规格
n
适用于2.5V ( LM336 ),基准电压源
n
片上时钟发生器
n
0V至5V的模拟输入电压范围5V单
供应
n
操作按比例或5 V
DC
, 2.5 V
DC
模拟大跨度调整基准电压源
n
0.3"标准宽度20引脚DIP封装
关键的特定连接的阳离子
n
决议
n
线性误差
n
转换时间
10位
±
1 LSB
200S
接线图
ADC1001
双列直插式封装
DS005675-11
顶视图
订购信息
温度
范围
订单号
包装外形
0 ° C至+ 70°C
ADC1001CCJ-1
J20A
-40 ° C至+ 85°C
ADC1001CCJ
J20A
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
1999美国国家半导体公司
DS005675
www.national.com
绝对最大额定值
(注1,2 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压(V
CC
) (注3)
逻辑控制输入
电压其他输入和输出
存储温度范围
在T封装散热
A
= 25C
6.5V
-0.3V至+ 18V
-0.3V到(V
CC
+0.3V)
-65 ° C至+ 150°C
875毫瓦
铅温度。 (焊接, 10秒)
ESD易感性(注10 )
300C
800V
(注1,2 )
T
≤T
A
≤T
最大
40C≤T
A
≤+85C
0C≤T
A
≤+70C
4.5 V
DC
6.3 V
DC
工作条件
温度范围
ADC1001CCJ
ADC1001CCJ-1
V范围
CC
转换器特性
转换器产品规格:
V
CC
= 5 V
DC
, V
REF
/2 = 2.500 V
DC
, T
≤T
A
≤T
最大
和f
CLK
= 410千赫,除非另有规定。
参数
线性误差
零误差
满量程误差
总梯形电阻(注9 )
模拟输入电压范围
DC共模误差
电源灵敏度
输入电阻在引脚9
(注4) V( + )或V ( - )
在模拟输入电压范围
V
CC
= 5 V
DC
±
5%以上
允许上传的V
IN
(+)和V
IN
()
电压范围(注4 )
2.2
GND0.05
4.8
V
CC
+0.05
条件
典型值
最大
单位
最低位
最低位
最低位
K
V
DC
最低位
最低位
±
1
±
2
±
2
±
±
1
8
18
AC电气特性
时序规格:
V
CC
= 5 V
DC
和T
A
= 25℃ ,除非另有规定。
符号
T
c
f
CLK
CR
t
W( WR )l
t
参数
转换时间
时钟频率
时钟占空比
在自由运行转换率
模式
宽度WR输入的(启动脉冲
宽)
访问时间(延迟从
RD下降边缘到输出
数据有效)
t
1H
, t
0H
三州
控制(延迟
从RD的上升沿
Hi-Z状态)
t
WI
, t
RI
t
1rs
C
IN
C
OUT
从下降沿延迟
WR和RD的重置INTR的
INTR到第一读建立时间
逻辑输入电容
控制输入
三态输出
电容(数据缓冲器)
5
7.5
pF
550
400
5
7.5
ns
pF
C
L
= 10 pF的,R
L
= 10k
(见TRI -STATE测试
电路)
300
450
ns
125
200
ns
C
L
= 100 pF的
170
300
ns
INTR绑WR与
CS = 0 V
DC
, f
CLK
= 410千赫
CS = 0 V
DC
(注6 )
条件
(注5 )
f
CLK
= 410千赫
(注8)
80
195
100
40
典型值
最大
90
220
1260
60
4600
150
单位
1/f
CLK
s
千赫
%
CONV /秒
ns
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2
DC电气特性
以下规格适用于V
CC
= 5 V
DC
和T
≤T
A
T
最大
除非另有规定ED 。
符号
参数
条件
典型值
最大
单位
V
DC
V
DC
A
DC
A
DC
控制输入
[注: CLK IN是施密特触发电路的输入端,因此分别指定]
V
IN
(1)
逻辑“1”输入电压
V
CC
= 5.25 V
DC
2.0
15
(除CLK IN)
V
IN
(0)
I
IN
(1)
I
IN
(0)
CLOCK IN
V
T
+
V
T
V
H
CLK正走向
阈值电压
CLK IN负向
阈值电压
CLK滞后
(V
T
+)(V
T
)
输出和INTR
V
OUT
(0)
V
OUT
(1)
I
OUT
I
来源
I
SINK
电源
I
CC
电源电流(包括
阶梯电流)
f
CLK
= 410千赫,
V
REF
/ 2 = NC ,T
A
= 25C
和CS = 1
2.5
5.0
mA
逻辑“0”输出电压
逻辑“1”输出电压
三态输出禁用
漏(所有数据缓冲器)
I
OUT
= 1.6毫安, V
CC
= 4.75 V
DC
I
O
= -360 μA ,V
CC
= 4.75 V
DC
I
O
= -10 μA ,V
CC
= 4.75 V
DC
V
OUT
= 0.4 V
DC
V
OUT
= 5 V
DC
V
OUT
短到GND ,T
A
= 25C
V
OUT
短到V
CC
, T
A
= 25C
4.5
9.0
0.4
2.4
4.5
0.1
0.1
6
16
100
3
V
DC
V
DC
V
DC
A
DC
A
DC
mA
DC
mA
DC
0.6
1.3
2.0
V
DC
1.5
1.8
2.1
V
DC
2.7
3.1
3.5
V
DC
逻辑“0”输入电压
(除CLK IN)
逻辑“1”的输入电流
(所有输入)
逻辑“0”输入电流
(所有输入)
V
IN
= 0 V
DC
1
0.005
V
IN
= 5 V
DC
0.005
1
V
CC
= 4.75 V
DC
0.8
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。操作时,直流和交流电气规格不适用
该设备超出规定的操作条件。
注2 :
所有电压都相对于到Gnd ,除非另有规定。独立的A GND点应始终连接到D GND。
注3 :
齐纳二极管的存在,在内部,从V
CC
到Gnd和具有7V的典型击穿电压
DC
.
注4 :
对于V
IN
()≥ V
IN
( + )数字输出代码将全部为零。两个片上二极管连接到每个模拟输入(见框图),将转发行为
对于模拟输入电压低于地面的一个二极管压降或一个二极管的压降大于在V
CC
供应量。要注意,在测试过程中低V
CC
水平( 4.5V ) ,高
电平模拟输入(5V)可引起该输入二极管导通 - 尤其是在升高的温度下,并导致对邻近满刻度模拟输入错误。该规范AL-
无论是二极管的低点50 mV的正向偏压。这意味着,只要在模拟V
IN
不超过50毫伏的电压,输出编码
是正确的。为了实现一种绝对的0 V
DC
到5伏
DC
因此,输入电压范围要求的4.950伏的最小电源电压
DC
随温度的变化,初始
宽容和加载。
注5 :
与异步起始脉冲,最多8个时钟周期,可能需要前内部时钟相位是正确的,开始转换过程。该
开始请求被内部锁存,看
科幻gure 3
.
注6 :
CS输入被假定为括弧中的WR选通输入,因此定时取决于WR脉冲的宽度。任意宽的脉冲宽度将举行
该转换器在复位模式和转换的开始点由低到WR脉冲的高电平的转换开始(见时序图) 。
注7 :
所有典型值是对于T
A
= 25C.
注8 :
精度保证在f
CLK
= 410千赫。在较高的时钟频率的精度可能会降低。
注9 :
在V
REF/2
销是一个两电阻分压器的中心点(每个电阻是2.4kΩ )从V连接
CC
到地面。总梯输入电阻的总和
这两个相等的电阻器。
注10 :
人体模型, 100pF的放电通过1.5 kΩ电阻。
3
www.national.com
典型性能特性
逻辑输入阈值
电压与电源电压
从延迟的下降沿
RD到输出数据有效
与负载电容
CLK IN施密特断路电平
与电源电压
DS005675-14
DS005675-15
DS005675-16
输出电流与
温度
DS005675-17
TRI- STATE测试电路和波形
t
1H
, C
L
= 10 pF的
DS005675-3
DS005675-4
t
r
= 20 ns的
t
0H
, C
L
= 10 pF的
DS005675-6
DS005675-5
t
r
= 20 ns的
www.national.com
4
TRI- STATE测试电路和波形
时序图
(续)
DS005675-7
输出使能和复位INTR
DS005675-8
*所有的定时是从50 %的电压点处测量。
5
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