ADC08B200 8位， 200 MSPS A / D转换器，具有捕捉缓冲器
2008年6月
ADC08B200
8位， 200 MSPS A / D转换器，具有捕捉缓冲器
概述
该ADC08B200是一个高速模拟 - 数字转换器
（ ADC ），具有集成的捕获缓冲区。 8位， 200 MSPS
A / D转换的核心是基于经过验证的ADC08200集成
采样和保持，并进行了优化，低功耗。
该器件包含高达可选尺寸捕获缓冲区
1024个字节，其允许输入信号的快速捕获用
慢读出速率。片上时钟PLL电路提供
片上时钟速率倍增的选项，以提供高
高速采样时钟。
该ADC08B200耐闩锁状态，输出为
短路保护。的ADC08B200的顶部和底部
参考梯子可用于连接，可实现一
宽范围的输入的可能性。数字输出为TTL /
CMOS与一个单独的输出电源引脚兼容
支持与2.7V至3.3V逻辑接口。数字输入
并且输出为低电压TTL / CMOS兼容，
输出数据格式为标准二进制。
该ADC08B200提供48引脚塑料封装
（ TQFP ） ，规定工作在扩展工业temper-
ATURE范围为-40 ° C至+ 105°C 。评估板
可用来协助ADC08B200的容易评估。
特点
■
■
■
■
■
■
■
单端输入
可选的捕获缓冲区大小
PLL时钟乘法
参考梯子顶部和底部访问
线性功率缩放与采样率
FPGA培训模式
省电功能
关键的特定连接的阳离子
■
■
■
■
■
■
（ PLL旁路）
决议
最大采样频率
DNL
ENOB （F
IN
= 49兆赫）
总谐波失真（F
IN
= 49兆赫）
耗电量
—
工作， 50 MHz输入
—
掉电
8位
200 MSPS （分钟）
± 0.4 LSB （典型值）
7.2位（典型值）
-53 dBc的（典型值）
2毫瓦/ Msps的（典型值）
2.15毫瓦（典型值）
应用
■
激光测距
■
雷达
■
脉冲Capturings
引脚配置
20214701
2007美国国家半导体公司
202147
www.national.com
ADC08B200
PIN号
13
符号
PD
等效电路
描述
芯片掉电输入。当该引脚为高电平时，整个芯片
在掉电模式。在捕获缓冲区中的任何数据
丢失和输出管脚认为是输出的最后一个字节。
ADC掉电输入。当该引脚为高电平时， ADC是
断电。捕获缓冲区是积极的数据
在它可以同步输出。
CMOS / TTL兼容的数字时钟输入。当PLL被
绕过，在这个引脚上的时钟信号的ADC采样
时钟和V
IN
被采样，此时钟输入的上升沿。
当PLL被使能，在此输入的信号是
基准时钟，它被乘以以提供更高
频率的采样时钟。
缓冲器读时钟输入。当捕捉缓冲器被启用，
这个输入信号被用来从内部读出的数据
缓冲区。数据输出和缓冲器空标志（ EF ）
与该时钟的上升沿转换。
写使能输入。高水平此输入会导致一个字节
的数据被写入到捕捉缓冲区与兴起
每个采样时钟。
读使能输入。高水平此输入会导致一个字节
的数据被从捕捉缓冲区读取每个的上升
RCLK输入。这引起了任志强的输入应该是
同步的与RCLK输入和应该不高
而文输入为高。
器件复位输入。高水平此输入复位所有控制
逻辑芯片上。
输出使能输入。高水平此输入使
输出缓冲器。在此输入的低电平将数字数据
输出引脚置为高阻状态。
41
PDADC
46
CLK
19
RCLK
17
文
20
任
22
RESET
37
OE
14
OEDGE / TEN
输出边沿选择或测试模式使能输入。如果该输入
高，具有的上升沿的数据输出转换
DRDY输出。如果这个输入端为低电平时，数据输出过渡
与DRDY输出的下降沿。强制潜在
V的
A
/ 2 ，在此输入使能测试模式。
18
WENSYNC
文同步输出。在温控制输入
与内部采样时钟片上同步，并
在此输出提供。
数据就绪输出。这与过渡信号转变
的数字数据的输出和表示所述输出数据
已准备就绪。
数字数据的数字输出。 D0是最低位，D7是MSB。
缓冲区满标志。该输出为高电平时捕获缓冲区
已满。
缓冲器空标志。该输出为高电平时捕获
缓冲器是空的。
31
26通29
和
33通36
16
15
DRDY
D0–D7
FF
EF
3
www.national.com
ADC08B200
绝对最大额定值
（注1,2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
A
, V
P
, V
D
, V
DR
)
驱动器电源电压（V
DR
)
对任何输入或输出引脚电压
参考电压（V
RT
, V
RB
)
输入电流，输出数据
输入电流的所有其他引脚（注3 ）
包输入电流（注3）
在T功耗
A
= 25°C
ESD易感性（注5 ）
人体模型
机器型号
带电器件模型
焊接温度，红外，
10秒（注6）
储存温度
-0.3V至3.8V
-0.3V到V
A
+0.3V
-0.3V到V
A
GND到V
A
= 1毫安
± 25毫安
-50毫安
见（注4 ）
2500V
200V
1000V
235°C
-65 ° C至+ 150°C
工作额定值
工作温度范围
（注1,2 ）
40°C
≤
T
A
≤
+105°C
+ 3.0V至+ 3.6V
+ 2.7V至（V
A
+ 0.3V)
V
A
+ 0.3V
1至210 MHz的
15至105兆赫
2 - 210兆赫
35 ％至65％的
0V至300毫伏
0.5V至（V
A
0.3V)
0V至（Ⅴ
RT
0.5V)
0.5V至2.3V
V
RB
到V
RT
电源电压（V
A
)
驱动器电源电压（V
DR
)
最大电源电压
V
D
, V
P
CLK频率
PLL旁路
使用PLL
RCLK频率（注12 ）
RCLK占空比
地面差| GND - DR GND |
上基准电压（V
RT
)
较低的基准电压（V
RB
)
参考三角洲（V
RT
V
RB
)
V
IN
电压范围
封装热阻
包
48引脚TQFP
θ
JA
76 ° C / W
转换器电气特性
以下规格适用于V
A
= V
D
= V
P
= V
DR
= +3.3V
DC
, V
RT
= +1.9V, V
RB
= 0.3V ，C
L
= 10 pF的，女
CLK
= 200兆赫，在50 ％
占空比， OEDGE / TEN = 1，缓冲液和PLL旁路。
黑体字限额适用于对于T
J
= T
民
给T
最大
：所有其他限制牛逼
J
= 25°C
（注7,8）
符号
DC精度
INL
DNL
积分非线性
微分非线性
失码
FSE
V
关闭
满量程误差
零刻度偏移误差
39
55
±0.55
±0.40
±1.3
±0.9
0
80
0
70
V
RB
V
RT
LSB （最大值）
LSB （最大值）
（最大）
毫伏（分钟）
毫伏（最大）
毫伏（最大）
V（分钟）
V（最大值）
pF
pF
M
兆赫
V
A
0.5
V
RT
0.5
0
0.5
2.3
145
200
V（最大值）
V（分钟）
V（最大值）
V（分钟）
V（分钟）
V（最大值）
Ω （分钟）
Ω （最大值）
参数
条件
典型
（注9 ）
范围
（注9 ）
单位
（限量）
模拟输入和参考特征
V
IN
C
IN
R
IN
FPBW
V
RT
V
RB
输入电压
V
IN
输入电容
模拟输入阻抗
全功率带宽
顶部参考电压
底部的参考电压
V
IN
= 0.75V 0.5 Vrms的
（ CLK为低电平）
（ CLK高）
1.6
3
4
>1
500
1.9
0.3
1.6
V
RT
到V
RB
160
V
RT
- V
RB
参考电压三角洲
R
REF
参考梯形电阻
5
www.national.com
ADC08B200 / ADC08B200Q 8位， 200 MSPS A / D转换器，具有捕捉缓冲器
2000年7月24日
ADC08B200 / ADC08B200Q
8位， 200 MSPS A / D转换器，具有捕捉缓冲器
概述
该ADC08B200是一个高速模拟 - 数字转换器
（ ADC ），具有集成的捕获缓冲区。 8位， 200 MSPS
A / D转换的核心是基于经过验证的ADC08200集成
采样和保持，并进行了优化，低功耗。
该器件包含高达可选尺寸捕获缓冲区
1024个字节，其允许输入信号的快速捕获用
慢读出速率。片上时钟PLL电路提供
片上时钟速率倍增的选项，以提供高
高速采样时钟。
该ADC08B200耐闩锁状态，输出为
短路保护。的ADC08B200的顶部和底部
参考梯子可用于连接，可实现一
宽范围的输入的可能性。数字输出为TTL /
CMOS与一个单独的输出电源引脚兼容
支持与2.7V至3.3V逻辑接口。数字输入
并且输出为低电压TTL / CMOS兼容，
输出数据格式为标准二进制。
在ADC08B200Q运行在一个汽车级流程，并
AEC - Q100 2级合格。
该ADC08B200提供48引脚塑料封装
（ TQFP ） ，规定工作在扩展工业temper-
ATURE范围为-40 ° C至+ 105°C 。评估板
可用来协助ADC08B200的容易评估。
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
单端输入
可选的捕获缓冲区大小
PLL时钟乘法
参考梯子顶部和底部访问
线性功率缩放与采样率
FPGA培训模式
AEC - Q100 2级合格
省电功能
关键的特定连接的阳离子
■
■
■
■
■
■
（ PLL旁路）
决议
最大采样频率
DNL
ENOB （F
IN
= 49兆赫）
总谐波失真（F
IN
= 49兆赫）
耗电量
—
工作， 50 MHz输入
—
掉电
8位
200 MSPS （分钟）
± 0.4 LSB （典型值）
7.2位（典型值）
-53 dBc的（典型值）
2毫瓦/ Msps的（典型值）
2.15毫瓦（典型值）
应用
■
激光测距
■
雷达
■
脉冲捕捉
引脚配置
20214701
2009美国国家半导体公司
202147
www.national.com
ADC08B200 / ADC08B200Q
PIN号
13
符号
PD
等效电路
描述
芯片掉电输入。当该引脚为高电平时，整个芯片
在掉电模式。在捕获缓冲区中的任何数据
丢失和输出管脚认为是输出的最后一个字节。
ADC掉电输入。当该引脚为高电平时， ADC是
断电。捕获缓冲区是积极的数据
在它可以同步输出。
CMOS / TTL兼容的数字时钟输入。当PLL被
绕过，在这个引脚上的时钟信号的ADC采样
时钟和V
IN
被采样，此时钟输入的上升沿。
当PLL被使能，在此输入的信号是
基准时钟，它被乘以以提供更高
频率的采样时钟。
缓冲器读时钟输入。当捕捉缓冲器被启用，
这个输入信号被用来从内部读出的数据
缓冲区。数据输出和缓冲器空标志（ EF ）
与该时钟的上升沿转换。
写使能输入。高水平此输入会导致一个字节
的数据被写入到捕捉缓冲区与兴起
每个采样时钟。
读使能输入。高水平此输入会导致一个字节
的数据被从捕捉缓冲区读取每个的上升
RCLK输入。这引起了任志强的输入应该是
同步的与RCLK输入和应该不高
而文输入为高。
器件复位输入。高水平此输入复位所有控制
逻辑芯片上。
输出使能输入。高水平此输入使
输出缓冲器。在此输入的低电平将数字数据
输出引脚置为高阻状态。
41
PDADC
46
CLK
19
RCLK
17
文
20
任
22
RESET
37
OE
14
OEDGE / TEN
输出边沿选择或测试模式使能输入。如果该输入
高，具有的上升沿的数据输出转换
DRDY输出。如果这个输入端为低电平时，数据输出过渡
与DRDY输出的下降沿。强制潜在
V的
A
/ 2 ，在此输入使能测试模式。
18
WENSYNC
文同步输出。在温控制输入
与内部采样时钟片上同步，并
在此输出提供。
数据就绪输出。这与过渡信号转变
的数字数据的输出和表示所述输出数据
已准备就绪。
数字数据的数字输出。 D0是最低位，D7是MSB。
缓冲区满标志。该输出为高电平时捕获缓冲区
已满。
缓冲器空标志。该输出为高电平时捕获
缓冲器是空的。
31
26通29
和
33通36
16
15
DRDY
D0–D7
FF
EF
3
www.national.com
ADC08B200 / ADC08B200Q
绝对最大额定值
（注1,2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
A
, V
P
, V
D
, V
DR
)
驱动器电源电压（V
DR
)
对任何输入或输出引脚电压
参考电压（V
RT
, V
RB
)
输入电流，输出数据
输入电流的所有其他引脚（注3 ）
包输入电流（注3）
在T功耗
A
= 25°C
ESD易感性（注5 ）
人体模型
机器型号
带电器件模型
焊接温度，红外，
10秒（注6）
储存温度
-0.3V至3.8V
-0.3V到V
A
+0.3V
-0.3V到V
A
GND到V
A
= 1毫安
± 25毫安
-50毫安
见（注4 ）
2500V
200V
1000V
235°C
-65 ° C至+ 150°C
工作额定值
工作温度范围
（注1,2 ）
40°C
≤
T
A
≤
+105°C
+ 3.0V至+ 3.6V
+ 2.7V至（V
A
+ 0.3V)
V
A
+ 0.3V
1至210 MHz的
15至105兆赫
2 - 210兆赫
35 ％至65％的
0V至300毫伏
0.5V至（V
A
0.3V)
0V至（Ⅴ
RT
0.5V)
0.5V至2.3V
V
RB
到V
RT
电源电压（V
A
)
驱动器电源电压（V
DR
)
最大电源电压
V
D
, V
P
CLK频率
PLL旁路
使用PLL
RCLK频率（注12 ）
RCLK占空比
地面差| GND - DR GND |
上基准电压（V
RT
)
较低的基准电压（V
RB
)
参考三角洲（V
RT
V
RB
)
V
IN
电压范围
封装热阻
包
48引脚TQFP
θ
JA
76 ° C / W
转换器电气特性
以下规格适用于V
A
= V
D
= V
P
= V
DR
= +3.3V
DC
, V
RT
= +1.9V, V
RB
= 0.3V ，C
L
= 10 pF的，女
CLK
= 200兆赫，在50 ％
占空比， OEDGE / TEN = 1，缓冲液和PLL旁路。
黑体字限额适用于对于T
J
= T
民
给T
最大
：所有其他限制牛逼
J
= 25°C
（注7,8）
符号
DC精度
INL
DNL
积分非线性
微分非线性
失码
FSE
V
关闭
满量程误差
零刻度偏移误差
39
55
±0.55
±0.40
±1.3
±0.9
0
80
0
70
V
RB
V
RT
LSB （最大值）
LSB （最大值）
（最大）
毫伏（分钟）
毫伏（最大）
毫伏（最大）
V（分钟）
V（最大值）
pF
pF
M
兆赫
V
A
0.5
V
RT
0.5
0
0.5
2.3
145
200
V（最大值）
V（分钟）
V（最大值）
V（分钟）
V（分钟）
V（最大值）
Ω （分钟）
Ω （最大值）
参数
条件
典型
（注9 ）
范围
（注9 ）
单位
（限量）
模拟输入和参考特征
V
IN
C
IN
R
IN
FPBW
V
RT
V
RB
输入电压
V
IN
输入电容
模拟输入阻抗
全功率带宽
顶部参考电压
底部的参考电压
V
IN
= 0.75V 0.5 Vrms的
（ CLK为低电平）
（ CLK高）
1.6
3
4
>1
500
1.9
0.3
1.6
V
RT
到V
RB
160
V
RT
- V
RB
参考电压三角洲
R
REF
参考梯形电阻
5
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