ADC0820的8位高速微处理器兼容A / D转换器，带有采样/保持功能
1999年6月
ADC0820
8位高速微处理器兼容A / D转换器
采样/保持功能
概述
通过使用一个半闪速转换技术中，将8位
ADC0820 CMOS A / D提供了1.5微秒的转换时间，
功耗仅为75 mW的功率。半闪光技术
包括32个比较器，一个多数显著4位模数转换器和
一个至少显著4位ADC。
输入到ADC0820被跟踪并保持在输入
采样电路省去了外部
取样与保持信号用在低于100毫伏/ μs的移动。
为了易于接口的微处理器，所述ADC0820具有
被设计为显示为一个存储器位置或I / O端口
而不需要外部接口逻辑。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
8位
2.5微秒最大（ RD模式）
n
n
n
n
n
n
内置跟踪和保持功能
无失码
无需外部时钟
单电源 - 5 V
DC
轻松连接到所有的微处理器，或操作
单机
锁存三态
产量
逻辑输入和输出满足MOS和T
2
L
电压等级规格
操作按比例或与任何参考价值
等于或小于V
CC
0V至5V的模拟输入电压范围5V单
供应
没有零和满量程调整要求
溢出输出可级联
0.3"标准宽度20引脚DIP
20针成型的芯片载体包
20引脚小外形封装
20引脚紧缩小型封装（ SSOP ）
关键的特定连接的阳离子
n
决议
n
转换时间
n
低功耗
n
总不可调整
错误
1.5微秒最大（ WR - RD模式）
75毫瓦最大
±
1
2
LSB和
±
1 LSB
连接和功能图
双列直插式，小外形
和SSOP封装
模压片式载体
包
DS005501-1
DS005501-33
顶视图
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
1999美国国家半导体公司
DS005501
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绝对最大额定值
（注1,2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
CC
)
逻辑控制输入
电压其他输入和输出
存储温度范围
在T封装散热
A
= 25C
在任何引脚输入电流（注5 ）
包输入电流（注5 ）
ESD Susceptability （注9 ）
铅温度。 （焊接， 10秒）
双列直插式封装（塑料）
10V
-0.2V到V
CC
+0.2V
-0.2V到V
CC
+0.2V
-65 ° C至+ 150°C
875毫瓦
1毫安
4毫安
1200V
260C
双列直插式封装（陶瓷）
表面贴装封装
气相（ 60秒）
红外（15秒）。
300C
215C
220C
工作额定值
（注1,2 ）
T
民
≤T
A
≤T
最大
40C≤T
A
≤+85C
40C≤T
A
≤+85C
0C≤T
A
≤70C
0C≤T
A
≤70C
0C≤T
A
≤70C
4.5V至8V
温度范围
ADC0820CCJ
ADC0820CIWM
ADC0820BCN ， ADC0820CCN
ADC0820BCV
ADC0820BCWM ， ADC0820CCWM
V
CC
范围
转换器特性
以下规格适用于RD模式（引脚7 = 0 ） ，V
CC
= 5V, V
REF
（ + ） = 5V和V
REF
（ - ） = GND ，除非另有试样
田间。
黑体字限额适用于从T
民
给T
最大
;所有其他限制牛逼
A
= T
j
= 25C.
参数
条件
ADC0820CCJ
典型值
（注6 ）
决议
总不可调整
错误
（注3）
最小参考
阻力
最大参考值
阻力
最大V
REF
(+)
输入电压
最小V
REF
()
输入电压
最小V
REF
(+)
输入电压
最大V
REF
()
输入电压
最大V
IN
输入
电压
最小V
IN
输入
电压
最大模拟
输入漏
当前
电源
灵敏度
CS = V
CC
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
V
CC
= 5V
±
5%
3
3
0.3
0.3
3
3
A
A
最低位
GND0.1
GND0.1
GND0.1
V
V
CC
+0.1
V
CC
+0.1
V
CC
+0.1
V
V
REF
(+)
V
REF
(+)
V
REF
(+)
V
V
REF
()
V
REF
()
V
REF
()
V
GND
GND
GND
V
V
CC
V
CC
V
CC
V
2.3
6
2.3
5.3
6
k
ADC0820BCN ， BCWM
ADC0820CCJ
ADC0820CCN ， CCWM ， CIWM ，
ADC0820CCMSA
2.3
1.00
2.3
经过测试
极限
（注7 ）
8
设计
极限
（注8）
ADC0820BCN ， ADC0820CCN
ADC0820BCV ， ADC0820BCWM
ADC0820CCWM ， ADC0820CIWM
典型值
（注6 ）
经过测试
极限
（注7 ）
8
设计
极限
（注8）
8
位
最低位
最低位
最低位
最低位
k
极限
单位
±
1
2
±
1
±
1
±
1
1.2
±
1
2
±
1
±
1
±
1/16
±
1
4
±
1/16
±
1
4
±
1
4
3
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DC电气特性
以下规格适用于V
CC
= 5V ，除非另有规定ED 。
黑体字限额适用于从T
民
给T
最大
;所有其他
牛逼的限制
A
= T
J
= 25C.
参数
条件
ADC0820CCJ
典型值
（注6 ）
V
IN(1)
，逻辑“1”的
输入电压
V
IN(0)
，逻辑“0”的
输入电压
I
IN(1)
，逻辑“1”的
输入电流
I
IN(0)
，逻辑“0”的
输入电流
V
OUT(1)
，逻辑“1”的
输出电压
V
IN(1)
= 5V ; WR
V
IN(1)
= 5V ;模式
V
IN(0)
= 0V ; CS ， RD ， WR ，
模式
V
CC
= 4.75V ，我
OUT
= 360 A;
DB0 - DB7 ，氧氟沙星， INT
V
CC
= 4.75V ，我
OUT
= 10 A;
DB0 - DB7 ，氧氟沙星， INT
V
OUT(0)
，逻辑“0”的
输出电压
I
OUT
，三态
输出电流
I
来源
，输出
源出电流
I
SINK
，输出灌
当前
I
CC
，电源电流
V
CC
= 4.75V ，我
OUT
= 1.6毫安;
DB0 - DB7 ，氧氟沙星， INT ， RDY
V
OUT
= 5V ; DB0 - DB7 ， RDY
V
OUT
= 0V ; DB0 - DB7 ， RDY
V
OUT
= 0V ; DB0 - DB7 ，氧氟沙星
INT
V
OUT
= 5V ; DB0 - DB7 ，氧氟沙星，
INT ， RDY
CS = WR = RD = 0
7.5
15
7.5
13
15
mA
0.1
0.1
12
9
14
3
3
6
4.0
7
0.1
0.1
12
9
14
0.3
0.3
7.2
5.3
8.4
3
3
6
4.0
7
A
A
mA
mA
mA
0.4
0.34
0.4
V
4.5
4.6
4.5
V
2.4
2.8
2.4
V
V
CC
= 4.75V
V
CC
= 5.25V
CS ， WR ， RD
模式
CS ， WR ， RD
模式
V
IN(1)
= 5V ; CS ， RD
0.005
0.1
50
0.005
经过测试
极限
（注7 ）
2.0
3.5
0.8
1.5
1
3
200
1
0.005
0.1
50
0.005
0.3
170
设计
极限
（注8）
ADC0820BCN ， ADC0820CCN
ADC0820BCV ， ADC0820BCWM
ADC0820CCWM ， ADC0820CIWM
典型值
（注6 ）
经过测试
极限
（注7 ）
2.0
3.5
0.8
1.5
设计
极限
（注8）
2.0
3.5
0.8
1.5
1
3
200
1
V
V
V
V
A
A
A
A
极限
单位
AC电气特性
以下规格适用于V
CC
= 5V ，T
r
= t
f
= 20纳秒，V
REF
(+) = 5V, V
REF
（ - ） = 0V和T
A
= 25°C除非另有试样
田间。
典型值
参数
t
CRD
，转换时间为RD
模式
t
ACC0
，访问时间（延迟从
RD下降边缘到输出
有效）
t
CWR -RD
，转换时间
WR ， RD模式
t
WR
，写时间
t
RD
，读取时间
民
最大
民
引脚7 = V
CC
; t
WR
= 600纳秒，
t
RD
= 600纳秒;
图3,4
引脚7 = V
CC
;
图3,4
（注4 ）请参阅图表
引脚7 = V
CC
;
图3,4
（注4 ）请参阅图表
引脚7 = V
CC
, t
RD
＆ LT ;
t
I
;
科幻gure 3
C
L
= 15 pF的
C
L
= 100 pF的
50
600
600
1.52
s
ns
s
ns
条件
引脚7 = 0 ，
图2
引脚7 = 0 ，
图2
（注6 ）
1.6
t
CRD
+20
经过测试
极限
（注7 ）
设计
极限
（注8）
2.5
t
CRD
+50
s
ns
单位
t
ACC1
，访问时间（延迟从
RD下降边缘到输出
有效）
190
210
280
320
ns
ns
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4
AC电气特性
（续）
以下规格适用于V
CC
= 5V ，T
r
= t
f
= 20纳秒，V
REF
(+) = 5V, V
REF
（ - ） = 0V和T
A
= 25°C除非另有试样
田间。
典型值
参数
t
ACC2
，访问时间（延迟从
RD下降边缘到输出
有效）
t
ACC3
，访问时间（延迟从
RDY的上升沿输出
有效）
t
I
，内部比较时
t
1H
, t
0H
，三态控制
（延迟从RD的上升沿
Hi-Z状态）
t
INTL
，延迟从瑞星的边缘
WR为INT下降沿
t
INTH
，延迟从瑞星的边缘
RD为INT的上升沿
t
INTHWR
，延迟从瑞星的边缘
WR为INT的上升沿
t
RDY
，延迟从CS到RDY
t
ID
，延迟从INT到输出有效
t
RI
，延迟从研发到INT
t
P
从转换的结束，延迟
到下一次转换
压摆率，跟踪
C
VIN
，模拟输入电容
C
OUT
，逻辑输出电容
C
IN
，逻辑输入电容
引脚7 = V
CC
, C
L
= 50 pF的
t
RD
＆ GT ;
t
I
;
图4
t
RD
＆ LT ;
t
I
;
科幻gure 3
t
RD
+200
125
175
50
20
200
t
I
t
RD
+290
225
270
100
50
290
500
0.1
45
5
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V / μs的
pF
pF
pF
条件
引脚7 = V
CC
, t
RD
＆ GT ;
t
I
;
图4
C
L
= 15 pF的
C
L
= 100 pF的
R
上拉
= 1K和C
L
= 15 pF的
（注6 ）
经过测试
极限
（注7 ）
70
90
30
设计
极限
（注8）
120
150
ns
ns
ns
单位
引脚7 = V
CC
;
图4,5
C
L
= 50 pF的
R
L
= 1K ，C
L
= 10 pF的
800
100
1300
200
ns
ns
图2，图3，图4
C
L
= 50 PFC
图5中，
C
L
= 50 pF的
图2中，
C
L
= 50 pF的，引脚7 = 0
图5
引脚7 = V
CC
, t
RD
＆ LT ;
t
I
科幻gure 3
图2，图3 ，图4， 5
（注4 ）请参阅图表
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。操作时，直流和交流电气规格不适用
该设备超出规定的操作条件。
注2 ：
所有电压都相对于GND的测定，除非另有规定。
注3 ：
总非调整误差包括偏移，满量程和线性误差。
注4 ：
如果T的精度可能会降低
WR
或T
RD
大于指定的最小值短。见准确性VS吨
WR
和精度VS吨
RD
图。
注5 ：
当输入电压（V
IN
）在任何引脚超过电源轨（V
IN
＆ LT ;
V
或V
IN
＆ GT ;
V
+
）电流在该销的绝对值应限于
为1 mA或更小。 4毫安包的输入电流限制引脚可超过该电源的边界以1毫安的电流限制到4的数。
注6 ：
标准被定在25℃，代表最可能的参数指标。
注7 ：
测试的范围，保证国家的AOQL （平均出厂质量水平） 。
注8 ：
设计极限是保证，但不是100 ％测试。这些限制不用于计算呼出的质量水平。
注9 ：
人体模型， 100pF的discharaged通过1.5 kΩ电阻。
5
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