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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1287页 > AD9002TD/883B
a
特点
150 MSPS编码速率
低输入电容: 17 pF的
低功耗: 750毫瓦
-5.2 V单电源
MIL -STD- 883可提供标准版本
应用
雷达系统
数字示波器/ ATE设备
激光/雷达告警接收机
数字广播
电子对抗( ECM , ECCM , ESM )
通信/信号情报
高速8位
单片机A / D转换器
AD9002
功能框图
溢流
抑制
ANALOG IN
R
+V
REF
R
255
256
AD9002
溢流
8位(MSB)
D
E
C
O
D
I
N
G
L
O
G
I
C
第7位
第6位
第5位
R
128
R/2
REF
MID
R/2
127
L
A
T
C
H
4位
第3位
R
概述
2
第2位
第1位( LSB )
的AD9002是8位,高速,模拟 - 数字转换器。
该AD9002是在制造一种先进的双极性的过程,
允许工作在采样率超过150兆采样/
第二个。在功能上, AD9002是由256个并行
比较器级,其输出经解码用于驱动电致化学发光
兼容输出锁存器。
一个非常宽的大信号模拟输入带宽
160兆赫,是由于一个创新的设计比较,很
密切关注设备布局的考虑。宽输入
在AD9002的带宽允许非常准确采集
高速脉冲输入,无需外部跟踪和保持。
比较器的输出解码方案最大限度地减少假码,
这是高速的线性度是至关重要的。
该AD9002提供外部滞环控制引脚
可以用来优化比较器的灵敏度,进一步im-
证明性能。此外, AD9002的低功耗
750 mW的功耗使得它可用在整个扩展
温度范围。该AD9002还集成了一个溢出
R
–V
REF
ENCODE
ENCODE
GND
迟滞
–V
S
1
位来表示超量程输入。这种溢出输出可
与溢出抑制销禁用。
该AD9002是两个档次提供,一个是0.5 LSB线性
earity和一个0.75 LSB的线性度。两个版本都提供
在工业级, -25 ° C至+ 85°C ,封装在一个28引脚
DIP和28引线JLCC 。军用温度范围
设备, -55 ° C至+ 125°C ,采用陶瓷DIP提供
LCC封装,符合MIL -STD- 883 B类。
Rev. D的
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
万维网网站: http://www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司, 1999
AD9002–SPECIFICATIONS
电气特性
参数
决议
DC精度
差分线性
积分线性度
无失码
初始偏移误差
参考上面的梯子
参考阶梯底部
偏移漂移COEF网络cient
模拟量输入
输入偏置电流
1
输入阻抗
输入电容
大信号带宽
2
输入转换率
3
参考输入
参考梯形电阻
阶梯温度系数
参考输入带宽
动态性能
转化率
孔径延迟
孔径不确定性(抖动)
输出延迟(T
PD
)
4, 5
瞬态响应
6
过电压恢复时间
7
输出上升时间
4
输出下降时间
4
输出时间偏移
4, 8
编码输入
逻辑“1”的电压
4
逻辑“0”电压
4
逻辑“1”的当前
逻辑“0”的当前
输入电容
编码脉冲宽度(低)
9
编码脉冲宽度(高)
9
OVERFLOW禁止输入
0 V输入电流
AC线性
10
有效位数
11
在带内谐波
DC至1.23兆赫
直流到9.3兆赫
直流到19.3兆赫
信噪比
12
双音互调抑制
13
数字输出
4
逻辑“1”的电压
逻辑“0”电压
电源
14
电源电流( -5.2 V)
额定功耗
参考梯形耗散
电源抑制比
15
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
+25°C
48
46
125
2.5
温度
8
0.75
1.0
0.6
1.0
1.2
保证
8
4
20
60
25
200
17
160
440
80
0.25
10
150
1.3
15
3.7
6
6
0.6
–1.1
–1.5
150
120
3
1.5
1.5
144
7.6
55
50
44
47.6
60
48
46
300
1.5
1.5
144
7.6
55
50
44
47.6
60
48
46
300
3
1.5
1.5
144
7.6
55
50
44
47.6
60
48
46
300
–1.1
–1.5
150
120
3
1.5
1.5
144
7.6
55
50
44
47.6
60
300
200
200
25
22
14
17
10
12
0.6
(–V
S
= -5.2 V ;差分基准电压= 2.0 V ;除非另有说明)
AD9002BD/BJ
典型值
最大
8
0.5
0.75
0.4
0.5
1.2
保证
8
4
20
60
200
17
160
440
80
0.25
10
150
1.3
15
3.7
6
6
0.6
–1.1
–1.5
150
120
3
200
200
25
22
14
17
10
12
0.4
AD9002SD/SE
典型值
最大
8
0.75
1.0
0.6
1.0
1.2
保证
8
4
20
60
200
17
160
440
80
0.25
10
150
1.3
15
3.7
6
6
0.6
–1.1
–1.5
150
120
200
200
25
22
14
17
10
12
0.6
AD9002TD/TE
典型值
最大
8
0.5
0.75
0.4
0.5
1.2
保证
8
4
20
60
200
17
160
440
80
0.25
10
150
1.3
15
3.7
6
6
0.6
200
200
22
14
17
10
12
0.4
单位
最低位
最低位
最低位
最低位
AD9002AD/AJ
典型值
最大
mV
mV
mV
mV
μV/°C
A
A
k
pF
兆赫
V / μs的
/°C
兆赫
MSPS
ns
ps
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
V
A
A
pF
ns
ns
A
dB
dB
dB
dB
dB
V
V
mA
mA
mW
mW
mV / V的
40
110
40
110
40
110
40
110
125
5.5
3.0
2.5
2.5
125
5.5
3.0
2.5
2.5
125
5.5
3.0
2.5
2.5
5.5
3.0
2.5
–1.1
–1.5
145
750
50
0.8
175
200
1.5
–1.1
–1.5
145
750
50
0.8
9
–1.1
–1.5
145
750
50
0.8
175
200
1.5
–1.1
–1.5
145
750
50
0.8
175
200
1.5
175
200
1.5
笔记
1
测量AIN = 0 V.
2
通过测量FFT分析,其中根本的是-3 dBc的。
3
从满量程输入的上升时间(10至90%)来自输入转换速率。
4
0utputs到100终止
至-2 V.
5
从测量ENCODE的数据出来LSB只。
6
对于满量程阶跃输入, 8位精度达到在规定的时间。
7
恢复到8位精度在规定的时间后, 150 %的满量程输入过压。
8
输出时间偏移包括高到低,低到高的转变,以及
比特到比特时间偏移的差别。
ENCODE信号的上升/下降时间应小于10纳秒以进行正常操作。
10
测量在125 MSPS编码速率。
11
模拟输入频率= 1.23 MHz的。
12
RMS信号有效值噪声,具有1.23 MHz模拟输入信号。
13
输入信号1 V PP @ 1.23 MHz和1 V PP @ 2.30兆赫。
14
供应应保持在稳定
±
对于正常操作5%。
15
测得-5.2 V
±
5%.
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
–2–
Rev. D的
AD9002
绝对最大额定值
1
推荐工作条件
电源电压( ±V
S
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –6 V
模拟到数字电源电压差。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5 V
模拟输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -V
S
到+0.5 V
数字输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -V
S
到0V
基准输入电压( + V
REF
– V
REF
)
2
。 。 。 。 -3.5 V至0.1 V
差分基准电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2.1 V
参考中点电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
4毫安
编码为
ENCODE
差分电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4 V
数字输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
工作温度范围
AD9002AD / BD / AJ / BJ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 ° C至+ 85°C
AD9002SE / SD / TD / TE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
结温
3
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+175°C
引线焊接温度( 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
笔记
1
绝对最大额定值的限制值,可以单独应用,
超出该电路的适用性可能受到损害。实用
在任何这些条件的可操作性不一定暗示。接触
绝对最大额定值条件下,时间会影响器件的长期
可靠性。
2
+V
REF
–V
REF
在任何情况下。
3
最高结温(T
J
最大值)不应超过+ 175 ℃的陶瓷
包和+ 150 ℃,塑料包装:
t
J
= PD ( θ
JA
) + t
A
PD ( λ
JC
) + t
C
哪里
PD =功耗
θ
JA
=从结点的热阻抗环境温度( ° C / W)
θ
JC
=从结点的热阻抗的情况下(
° C / W)
t
A
=环境温度(℃)
t
C
- 外壳温度( ℃)
典型的热阻抗:
陶瓷DIP
θ
JA
= 56℃ / W ;
θ
JC
= 20℃ / W的
陶瓷LCC
θ
JA
= 69℃ / W ;
θ
JC
= 23 ° C / W
PLCC
θ
JA
= 60℃ / W ;
θ
JC
= 19 ° C / W 。
输入电压
参数
–V
S
+V
REF
–V
REF
模拟量输入
–5.46
–V
REF
–2.1
–V
REF
公称
–5.20
0.0 V
–2.0
最大
–4.94
+0.1
+V
REF
+V
REF
说明测试级别
- 100 %生产测试。
- 100 %的产品在+ 25°C测试,
样品在规定的温度下进行测试。
试验III级 - 只样品进行测试。
测试IV级 - 参数由设计保证,
特性测试。
测试等级V - 此参数只在一个典型值。
测试等级VI - 所有设备都100 %的产品在测试
+ 25°C 。在温度100 %生产测试
TURE极端的扩展级温度
设备;在温度测试样品EX-
极限作商业/工业设备。
订购指南
测试I级
考试二级
模型
AD9002AD
AD9002BD
AD9002AJ
AD9002BJ
AD9002SD/883B
AD9002SE/883B
AD9002TD/883B
AD9002TE/883B
线性温度范围选项*
0.75 LSB
0.50 LSB
0.75 LSB
0.50 LSB
0.75 LSB
0.75 LSB
0.50 LSB
0.50 LSB
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-25 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
D-28
D-28
J-28
J-28
D-28
E-28A
D-28
E-28A
*D
=陶瓷DIP ; E =无引线陶瓷芯片载体; J =陶瓷芯片
运营商,J -形成信息。
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然AD9002具有专用ESD保护电路,可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此,适当的ESD
预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
Rev. D的
–3–
AD9002
功能说明
针#
1
2
名字
数字地
溢出INH
描述
其中四个数字接地引脚。所有的数字接地引脚应连接在一起。
OVERFLOW INHIBIT控制数据输出极性过压输入。
溢出启用
(浮动或-5.2 V)
D1D8的
1 0 0 0 0 0 0 0 0
0 X X X X X X X X
模拟量输入
V
IN
> + V
REF
V
IN
+V
REF
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16–19
20
21, 22
23
24, 25
26
27
迟滞
+V
REF
模拟量输入
模拟地
ENCODE
ENCODE
模拟地
模拟量输入
–V
REF
REF
MID
数字地
数字-V
S
D1( LSB)的
D2–D5
数字地
模拟-V
S
数字地
D6, D7
D8 (MSB)
溢流
OVERFLOW禁止( GND )
D1D8的
0 1 1 1 1 1 1
1 1
0 X X X X X X X X
滞环控制电压变化比较滞后,从0 mV至10 mV时,换一换
从-5.2 V至-2.2 V的迟滞控制引脚。通常转化为-5.2 V.
最积极的参考电压,内部电阻阶梯。
其中两个模拟输入引脚。两个模拟输入引脚应连接在一起。
其中两个模拟接地引脚。模拟接地引脚应连接在一起。
差分编码输入的非反相输入端。该引脚被驱动结合
ENCODE 。
数据被锁存的信号进行编码的上升沿。
差分编码输入的反相输入。该引脚驱动与ENCODE结合。
其中两个模拟接地引脚。模拟接地引脚应连接在一起。
其中两个模拟输入引脚。两个模拟输入端应连接在一起。
最负的参考电压为内部电阻梯。
中点水龙头的内部电阻梯形。
其中四个数字接地引脚。所有的数字接地引脚应连接在一起。
其中两个负的数字电源引脚(名义上-5.2 V) 。这两个数字电源引脚都应
已连接在一起。
数字数据输出。
数字数据输出。
其中四个数字接地引脚。所有的数字接地引脚应连接在一起。
一两负模拟电源引脚(名义上-5.2 V) 。这两种模拟电源引脚都应
已连接在一起。
其中四个数字接地引脚。所有的数字接地引脚应连接在一起。
数字数据输出。
数字数据输出。
溢出数据输出。逻辑高电平表示输入过压(V
IN
> + V
REF
)如果OVERFLOW
禁止被启用(启用溢出, -5.2 V) 。见OVERFLOW INHIBIT 。
28
数字-V
S
其中两个负的数字电源引脚(名义上-5.2 V) 。这两个数字电源引脚应
连接在一起。
PIN代号
LCC
数字地
DIP
数字
1
溢出INH
2
迟滞
3
+V
REF 4
模拟量输入
5
类似物
6
ENCODE
7
28
数字-V
S
JLCC
数字地
数字地
溢出INH
溢流
27
溢流
26
D8(MSB)
25
D7
24
D6
模拟-V
S
+V
REF
迟滞
模拟-V
S
数字-V
S
D8(MSB)
D7
4
3
2
1 28 27 26
25 24 23 22 21 20 19
AD9002
顶视图
(不按比例)
21
模拟-V
S
ENCODE
8
数字
类似物
9
20
模拟量输入
10
19
D5
–V
REF 11
REF
MID 12
数字
13
数字-V
S 14
18
D4
17
D3
16
D2
15
D1(LSB)
23
数字
22
模拟-V
S
D6
D5
18
D4
17
D3
16
D2
15
D1(LSB)
14
数字-V
S
13
数字
12
REF
MID
模拟量输入
5
类似物
6
ENCODE
7
ENCODE
8
类似物
9
模拟量输入
10
–V
REF 11
25
D7
24
D6
D8(MSB)
26
溢流
27
数字-V
S 28
数字
1
溢出INH
2
迟滞
3
+V
REF 4
5
6
7
8
9
10
11
AD9002
顶视图
(不按比例)
数字
22
模拟-V
S
23
21
模拟-V
S
20
数字
AD9002
顶视图
顶视图
(不按比例)
(不按比例)
19
D 5
12 13 14 15 16 17 18
模拟地
模拟量输入
ENCODE
ENCODE
模拟量输入
REF
MID
数字地
模拟地
数字-V
S
D1(LSB)
–V
REF
D4
D2
D3
–4–
Rev. D的
AD9002
N+1
类似物
输入
N
孔径
延迟
ENCODE
N+2
t
PD
产量
数据
N–1
N
N+1
图1.时序图
AD9002
AD9002
R
+V
REF
AD9002
R/2
ENCODE
类似物
输入
ENCODE
R/2
–5.2V
–5.2V
REF
MID
数字
产量
R
–V
REF
–5.2V
–5.2V
–5.2V
比较器细胞
图2.输入/输出电路
溢流
抑制
迟滞
数字
0.1 F
–5.2V
–V
S
迟滞
溢出INH
AD1
AD2
AD3
–2V
0.1 F
1k
100
1k
ANALOG IN
ENCODE
ENCODE
–V
REF
溢流
D8
D7
D6
1k
D5
1k
D4
1k
1k
1k
ENCODE
类似物
类似物
输入
D5
D4
在静态燃烧
AD1 = 0V
AD2 = ECL高
动态烧伤
AD1
ENCODE
+V
REF
D8 (MSB)
数字-V
S
溢流
1k
1k
1k
1k
类似物
输入
类似物
D7
D6
数字
模拟-V
S
数字
AD9002
+V
REF
D3
D2
D1
AD3 = ECL低
0V
–2V
ECL高
ECL低
ECL高
–V
REF
D1( LSB)的
数字
地面数字
REF
MID
–V
S
D2
D3
AD2
图4.模具布局和机械资讯
AD3
所有电阻
所有电容
所有耗材
5%
5%,
20%, F
ECL低
图3.烧机图
模具尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 106
×
114
×
15 ( ± 2 )密
垫尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
×
4密耳
金属化。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。金
后盾。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无
衬底电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -V
S
钝化。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。氮化
芯片粘接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。金共晶(陶瓷)
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