a
特点
16独立寻址电压输出
满量程设定由外部参考
2
s
建立时间
双缓冲8位并行输入
高速数据加载速率
数据回读
从+5 V单操作
可选
±6
V电源扩展输出范围
应用
相控阵超声&声纳
功率电平设置
接收机增益设置
自动测试设备
LCD时钟电平设置
读/写
CS
EN
A3
A2
A1
A0
DB7
DB6
DB5
DB4
DB3
DB2
DB1
DB0
RS
V
DD1
控制
逻辑
地址
解码
16通道， 8位
乘法DAC
AD8600*
功能框图
LD
V
DD2
V
REF
V
CC
O0
O1
O2
O3
O4
O5
O6
O7
O8
O9
O10
O11
O12
O13
O14
O15
V
EE
16 x 8
DAC
注册
16
8-BIT
DAC
S
16 x 8
输入
注册
AD8600
D
GND1
D
GND2
DACGND
概述
该AD8600包含16个独立的电压输出数字 -
共享一个共同的外部基准输入模拟转换器
电压。每个DAC均有各自的DAC寄存器和输入寄存器
允许双缓冲。一个8位并行数据输入时， 4 AD-
装扮针，一
CS
选择一个
LD ， EN ，
R / W，并且
RS
提供
数字接口。
该AD8600是一款单芯片采用CBCMOS工艺建造
它优化了使用CMOS的逻辑和双极速度
和精度。数字 - 模拟转换器设计使用电压
年龄的运作模式非常适用于单电源操作。
内部DAC电压范围被固定在DACGND到V
REF
.
电压缓冲器提供了AP-的输出电压范围
proaches地面，并延伸至1.0V，低于V
CC
。变化
基准电压值和数字输入将在定居
±
LSB 2 1
s.
数据被预加载到输入寄存器1在之后的一个时间
内部地址译码器选择输入寄存器。在写
在方式（R / W的低）的数据被锁存到输入寄存器
的正边沿
EN
脉搏。脉冲短至40毫微秒即可
用于加载数据。更改已提交给后
输入寄存器， DAC寄存器同时上调
由一个共同的负荷日
EN
×
LD
频闪。新的模拟输出
把电压同时出现在所有16个输出。
*专利
正在申请中。
在系统上电或故障恢复过程复位（ RS ）引脚
强制所有DAC寄存器进入零状态，使零
伏在所有DAC输出。
在AD8600中的PLCC -44封装。该装置是
设计，在扩展的工业测试运行
温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。
R / W CS ADDR EN
V
DD1
V
DD2
LD EN
V
REF
V
CC
DB7...DB0
输入
注册
DAC
注册
R-2R
DAC
O
X
RS
D
GND2
RS
DACGND
V
EE
D
GND1
R / W CS 地址
图1.等效DAC通道
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德。 MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 617 / 329-4700
传真： 617 / 326-8703
AD8600–SPECIFICATIONS
单电源
(@ V
参数
静态性能
1
决议
相对精度
2
微分非线性
2
满量程电压
满量程温度系数
零刻度误差
参考输入电阻
模拟输出
输出电压范围
2
输出电流
容性负载
逻辑输入
逻辑输入低电压
逻辑输入高电压
逻辑输入电流
逻辑输入电容
3
逻辑输出
逻辑输出高电压
逻辑输出低电压
DD1
= V
DD2
= V
CC
= +5 V
±
5%, V
EE
= 0 V, V
REF
= 2.500 V， -40°C
≤
T
A
≤
+ 85 ℃，除非另有说明）
符号
N
INL
DNL
V
FS
TCV
FS
V
ZSE
V
ZSE
R
REF
OVR
SS
I
OUT
C
L
V
IL
V
IH
I
IL
C
IL
V
OH
V
OL
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 1.6毫安
为
V
REF
或FS代码更改
±
1 LSB终值，满刻度数据变化
±
1 LSB终值，
V
REF
= 1 V ，数据= FF
H
V
IH
= 5 V, V
IL
= 0 V ，无负载
V
IH
= 5 V, V
IL
= 0 V ，无负载
V
IH
= 5 V, V
IL
= 0 V ，无负载
V
CC
=
±
5%
4.75
V
DD
条件
民
8
–1
–1
2.480
典型值
最大
单位
位
最低位
最低位
V
PPM /°C的
最低位
最低位
k
V
mA
pF
V
V
A
pF
V
V
V / μs的
s
s
保证单调性
数据= FF
H
数据= FF
H
数据= 00
H
,
RS
= “0,” T
A
= +25°C
数据= 00
H
,
RS
= “0”
数据= AB
H
V
REF
= +2.5 V
数据= 80
H
无振荡
1.2
0.000
±
1/2 +1
±
1/4 +1
2.490 2.500
±
20
+3.5
+5
2
2.500
±
2
50
0.8
2.4
10
10
3.5
0.4
4
7
2
2
24
120
35
0.1
175
0.007
5.25
7.0
AC特性
3
压摆率
SR
2
电压输出沉降时间t
S1
输出电压建立时间
2
t
S2
电源
正电源电流
逻辑电源电流
功耗
电源灵敏度
逻辑电源电压范围
正电源电压范围
3
I
CC
I
DD1&2
P
DISS
PSS
V
DDR
V
CCR
mA
mA
mW
%/%
V
V
笔记
1
当V
REF
= 2.500 V， 1 LSB = 9.76毫伏。
2
单电源工作不包括最后2个LSB接近模拟地。如果性能是至关重要的，使用一个负电源（V
EE
至少-0.7 V ）引脚
-5.25五，注意事项，对于INL测量零电平电压使用代码7推断
10
80
10
.
3
设计不受生产测试保证。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
AD8600
双电源
(@ V
参数
静态性能
1
决议
总非调整误差
相对精度
微分非线性
满量程电压
满量程电压误差
满量程温度系数
零刻度误差
零刻度误差
零刻度误差
零刻度温度系数
参考输入电阻
参考输入电容
2
模拟输出
输出电压范围
输出电压范围
2
输出电流
容性负载
2
逻辑输入
逻辑输入低电压
逻辑输入高电压
逻辑输入电流
逻辑输入电容
2
逻辑输出
逻辑输出高电压
逻辑输出低电压
AC特性
2
参考带宽
压摆率
电压噪声密度
数字馈通
输出电压建立时间
3
输出电压建立时间
3
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
功耗
4
电源灵敏度
逻辑电源电压范围
POS电源电压范围
2
负电源电压范围
2
DD1
= V
DD2
= V
CC
= +5 V
±
5%, V
EE
= –5 V
±
5%, V
REF
= 3.500 V， -40°C
≤
T
A
≤
+ 85 ℃，除非另有说明）
符号
N
TUE
INL
DNL
V
FS
V
FSE
TCV
FS
V
ZSE
V
ZSE
V
ZSE
TCV
ZS
R
REF
C
REF
OVR
1
OVR
2
I
OUT
C
L
V
IL
V
IH
I
IL
C
IL
V
OH
V
OL
BW
SR
e
N
FT
t
S1
t
S2
I
CC
I
EE
I
DD1&2
P
DISS
PSS
V
DDR
V
CCR
V
EER
I
OH
= -0.4毫安
I
OL
= 1.6毫安
-3dB频率，V
REF
= 2.5 V
DC
+ 0.1 V
AC
为
V
REF
或FS代码更改
F = 1千赫，V
REF
= 0 V
数字输入到DAC输出
±
最终值的1 LSB ， FS数据更改
±
1 LSB终值，
V
REF
= 1 V ，数据= FF
H
V
IH
= 5 V, V
IL
= 0 V, V
EE
= -5 V ，空载
V
IH
= 5 V, V
IL
= 0 V, V
EE
= -5 V ，空载
V
IH
= 5 V, V
IL
= 0 V, V
EE
= -5 V ，空载
V
IH
= 5 V, V
IL
= 0 V, V
EE
= -5 V ，空载
V
CC
＆放大器;
V
EE
=
±
5%
4.75
V
DD
–5.25
条件
民
8
–1
–1
–1
3.473
–1
–2
–1
典型值
最大
单位
位
最低位
最低位
最低位
V
最低位
PPM /°C的
mV
最低位
最低位
μV/°C
k
pF
V
V
mA
pF
V
V
A
pF
V
V
千赫
V / μs的
纳伏/赫兹÷
NVS
s
s
mA
mA
mA
mW
%/%
V
V
V
加载数据的所有其它DAC = 55
H
保证单调性
数据= FF
H
, V
REF
= +3.5 V
数据= FF
H
, V
REF
= +3.5 V
数据= FF
H
, V
REF
= +3.5 V
数据= 00
H
,
RS
= “0,” T
A
= +25°C
数据= 00
H
，其他的DAC数据= 00
H
数据= 00
H
，其他的DAC数据= 55
H
数据= 00
H
, V
CC
= +5 V, V
EE
= –5 V
数据= AB
H
数据= AB
H
V
REF
= +3.5 V
V
CC
= V
DD2
= +7 V, V
EE
= –0.7 V, V
REF
= 5 V
数据= 80
H
无振荡
±
3/4
±
1/2
±
1/4
3.486
±
20
±
1
±
1/2
±
10
2
+1
+1
+1
3.500
+1
+2
+1
1.2
240
0.000
0.000
±
2
50
0.8
2.4
10
10
3.5
0.4
500
4
3.500
5.000
7
46
10
1
1
22
22
225
2
2
35
35
0.1
350
0.007
5.25
7.0
0.0
笔记
1
当V
REF
= 3.500 V， 1 LSB = 13.67毫伏。
2
设计不受生产测试保证。
3
使用R被执行稳定时间测试
L
= 50 kΩ的和C
L
= 35 pF的。
4
功耗是使用5 V计算
×
(I
DD
+ |I
SS
| + I
DD1
+ I
DD2
).
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
第0版
–3–
AD8600
电气特性
参数
接口时序
1, 2
时钟（ EN ）频率
时钟（ EN ）高脉冲宽度
时钟（ EN ） LowPulse宽度
数据建立时间
数据保持时间
地址建立时间
地址保持时间
有效的地址到数据有效
负载启用设置时间
启用负载保持时间
读/写时钟（ EN ）
读/写数据总线高阻
读/写数据总线活动
时钟（ EN）读/写
时钟（ EN） ，片选
芯片选择时钟（ EN ）
片选到数据有效
片选到数据总线高阻
复位脉冲宽度
f
CLK
t
CH
t
CL
t
DS
t
DH
t
AS
t
AH
t
AD
t
LS
t
LH
t
RWC
t
RWZ
t
RWD
t
亿千瓦时
t
总胆固醇
t
中信建投
t
惩教署
t
CSZ
t
RS
(@ V
DD1
= V
DD2
= V
CC
= +5 V
±
5%, V
EE
= –5 V, V
REF
= 3.500 V， -40°C
≤
T
A
≤
+85°C,
除非另有说明）
条件
数据加载中
40
40
40
10
0
0
160
0
0
30
120
120
0
0
30
120
150
25
民
典型值
最大
12.5
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
笔记
1
设计不受生产测试保证。
2
所有的逻辑输入信号为2 ns（最大值）的上升和下降时间。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
读/写
t
RWZ
数据
t
AS
ADDR
t
CH
t
AH
t
DS
t
DH
高-Z
读/写
t
亿千瓦时
t
RWD
数据
高-Z
t
AD
ADDR
EN
EN
t
RWC
CS
t
中信建投
t
CL
t
总胆固醇
t
惩教署
t
CSZ
CS
图2.写时序
图3.回读时序
LD
t
LS
EN
t
LH
t
RS
RS
OUT
t
S1
t
S1
图4.写入DAC寄存器&电压输出稳定
时序（ CS =高，防止输入寄存器的变化）
–4–
第0版
AD8600
绝对最大额定值
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
引脚说明
V
DD1
（数字电源）和GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V， + 7V
V
DD2
（ DAC缓冲器/驱动器供应） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V， + 7V
V
CC
（模拟电源）和GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V， + 7V
V
EE
（模拟电源）和GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V， -7 V
V
REF
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
CC
+ 0.3 V
V
DD2
到V
REF
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V
V
OUT
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC
短路持续时间
V
OUT
到GND或电源
1 . . . . . . . . . . . . . . .
连续
数字输入/输出电压GND 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+ 0.3 V
热阻-θ结到环境（ θ
JA
)
PLCC -44 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47 ° C / W
封装功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （T
J
– T
A
)/θ
JA
最高结温T
J
最大。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 150∞C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
记
1
不超过四个输出端可以同时短路到电源或GND 。
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
名字
NC
V
REF
DACGND
V
CC
V
EE
O7
O6
O5
O4
O3
O2
O1
O0
V
DD1
RS
DB0
DB1
DB2
DB3
DB4
DB5
DB6
DB7
A0
A1
A2
A3
读/写
EN
CS
LD
DGND1
O15
O14
O13
O12
O11
O10
O9
O8
V
EE
V
CC
DGND2
V
DD2
描述
无连接
参考输入电压常见
所有的DAC 。
DAC模拟地。套
模拟零电平电压。
输出放大器正电源
输出放大器负电源
DAC输出通道7号
DAC通道输出第6号
DAC输出通道5号
DAC通道输出第4号
DAC输出通道3号
DAC输出通道2号
DAC输出通道1号
DAC通道输出0号
数字逻辑电源
低有效复位输入管脚
数据零位I / O（ LSB ）
数据位I / O
数据位I / O
数据位I / O
数据位I / O
数据位I / O
数据位I / O
最重要的数据位I / O（ MSB ）
地址零位（ LSB ）
地址位
地址位
最高有效地址位（ MSB ）
读/写选择控制输入
低电平有效使能时钟选通
片选输入
DAC寄存器加载频闪
数字地输入第1号
DAC通道输出第15号
DAC通道输出第14号
DAC通道输出第13号
DAC通道输出第12号
DAC通道输出第11号
DAC通道输出第10号
DAC通道输出9号
DAC通道输出8号
输出放大器负电源
输出放大器正电源
数字地输入第2号
DAC的模拟电源电压
引脚配置
DACGND
DGND2
V
REF
V
DD2
V
CC
V
EE
V
CC
O7
NC
V
EE
6
O6
O5
O4
7
8
9
5
4
3
2
1
44 43 42 41 40
39 O9
38 O10
37 O11
36 O12
O3 10
O2 11
O1 12
O0 13
V
DD1
14
RS
15
DB0 16
DB1 17
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
DB3
DB5
DB2
DB4
DB6
DB7
A0
A2
读/写
A1
A3
O8
AD8600
顶视图
（不按比例）
35 O13
34 O14
33 O15
32 DGND1
31
LD
30
CS
29
EN
NC =无连接
订购指南
模型
AD8600AP
AD8600Chips
温度
包
描述
包
选项
P-44A
-40 ° C至+ 85°C 44引脚PLCC
+25°C
死*
*对于
模具规格请联系您当地的ADI销售办事处。
该AD8600包含5782个晶体管。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然AD8600具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
第0版
–5–
QQ：2880707522 复制
