a
特点
AC性能
增益带宽积： 80兆赫（增益= 2 ）
快速建立： 100 ns至0.01 ％，为10 V步骤
压摆率： 375 V / S
稳定在2或更大的收获
全功率带宽： 6.0 MHz的20 V P-P
直流性能
输入失调电压： 1 mV的最大
输入失调漂移： 14 V / C
输入电压噪声： 9内华达州/ √Hz的典型值
开环增益： 90 V /毫伏到500载
输出电流：100 mA最小
静态电源电流：最大14毫安
应用
线路驱动器
DAC和ADC缓冲器
视频和脉冲放大器
提供塑料DIP ，密封金属罐，
全封闭陶瓷浸渍， SOIC和LCC封装，并在
芯片形式
MIL- STD- 883B零件可用
可在磁带和卷轴在按照
EIA- 481A标准
产品说明
宽带，高输出电流，
快速稳定运算放大器
AD842*
连接图
塑料DIP （N ）封装
和
CERDIP （Q ）封装
NC
1
NC
2
平衡
3
- 输入
4
+输入
5
V–
6
+
14
13
12
11
10
9
LCC （E ）封装
2
平衡
20
平衡
3
NC
1
NC
AD842
NC
平衡
NC
V+
产量
NC
NC
NC
4
In
5
NC
6
+ IN
7
NC
8
+
19
NC
18
17
16
NC
+V
S
AD842
NC
9
–V
S 10
NC
11
NC
12
NC
13
NC
15
产量
14
NC
NC
7
顶视图
8
NC =无连接
NC =无连接
TO- 8 （H ）封装
平衡
平衡
NC
NC
SOIC （ R- 16 ）封装
NC
1
16
NC
平衡
+V
S
NC
产量
NC
NC
NC
V+
平衡
2
- 输入
3
AD842
15
14
13
12
AD842
- 输入
+
产量
NC
4
+
+输入
5
+输入
V–
NC
NC
NC
6
–V
S 7
NC
8
11
10
该AD842是ADI公司的广泛的一员
带宽运算放大器。这个装置是用制造
ADI公司的结隔离互补双极性（ CB ）
流程。这个过程允许直流精度的组合和
宽带交流性能以前在单用不上
岩屑运放。除了它的80 MHz的增益带宽，所述
AD842提供了非常快速建立特性，通常
稳定到最终值0.01 ％ ，在不到100 ns的一
10伏的一步。
该AD842还提供13 mA的低静态电流，高
输出电流驱动能力（百毫安最小值） ，一个低输入
9 nV√Hz电压噪声和低输入偏置电压（1毫伏
最大值）。
在375 V / μs的的AD842的压摆率，以及它的80兆赫
增益带宽，保证了出色的视频性能和
脉冲放大器应用。该放大器非常适合于
在高频信号调理电路和广泛使用
带宽有源滤波器。的极其迅速的建立时间
在AD842使得该放大器用于数据的首选
采集应用程序需要12位精度。该
*覆盖
由美国专利号4969823和5141898 。
NC
顶视图
9
顶视图
注：可连接到V +
NC =无连接
NC =无连接
AD842也适用于其他应用，如高
高速DAC和ADC缓冲放大器等宽频带 -
宽度电路。
应用要点
1. AD842的高压摆率和快速建立时间使
它非常适用于DAC和ADC缓冲器放大器，线路驱动器
和所有类型的视频仪器的电路。
2. AD842是一款精密放大器。它提供了精度
0.01 ％或更好的和宽的带宽;此前表现
只适用于混合动力汽车。
3.激光晶片微调减小的输入偏移电压
1毫伏最大值，从而省去了外部偏置
零陷在许多应用中。
4.全差分输入提供出色的性能
所有标准的高频运算放大器应用中，
电路的增益为2或更大。
5. AD842是一种增强替代HA2542 。
英文内容
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2000
AD842–SPECIFICATIONS
（ @ 25 ℃，
模型
条件
输入失调电压
3
T
民
–T
最大
失调漂移
输入偏置电流
T
民
–T
最大
输入失调电流
T
民
–T
最大
输入特性
输入阻抗
输入电容
输入电压范围
共模
共模抑制
输入电压噪声
宽带噪声
开环增益
差模
100
2.0
10
86
80
0.1
14
4.2
民
0.5
15伏直流电，除非另有说明）
AD842K
最小典型最大
0.3
14
8
10
0.4
0.5
3.5
0.05
5
6
0.2
0.3
1.0
1.5
民
AD842S
2
典型值
0.5
14
4.2
0.1
8
12
0.4
0.6
最大
1.5
3.5
单位
mV
mV
μV/°C
A
A
A
A
k
pF
V
dB
dB
纳伏/赫兹÷
V
RMS
V / MV
V / MV
V
mA
兆赫
兆赫
ns
%
V / μs的
ns
ns
%
度
V
V
mA
mA
dB
dB
°C
AD842J/JR
1
典型值
最大
1.5
2.5/3
100
2.0
10
90
86
10
86
80
100
2.0
V
CM
=
±
10 V
T
民
–T
最大
F = 1千赫
10赫兹到10兆赫
V
O
=
±
10 V
R
负载
≥
500
T
民
–T
最大
R
负载
≥
500
V
OUT
=
±
10 V
开环
V
OUT
= 90毫伏
V
O
= 20 V P-P
R
负载
≥
500
A
VCL
= –2
A
VCL
= –2
A
VCL
= –2
10 V步骤
到0.1％
至0.01％
F = 4.4 MHz的
F = 4.4 MHz的
115
9
28
115
9
28
115
9
28
40/30
20/15
10
100
90
50
25
10
100
90
40
20
10
100
90
输出特性
电压
当前
频率响应
增益带宽积
全功率带宽
4
上升时间
5
冲
5
压摆率
5
建立时间
5
5
80
4.7
6
10
20
375
80
100
0.015
0.035
±
15
5
13/14
18
14/16
16/19.5
5
4.7
5
80
6
10
20
375
80
100
0.015
0.035
±
15
13
90
86
+75
0
AD842KN
AD842KQ
105
18
14
16
5
4.7
5
80
6
10
20
375
80
100
0.015
0.035
±
15
13
86
80
+75
–55
100
18
14
19
300
300
300
微分增益
微分相位
电源
额定性能
工作范围
静态电流
电源抑制比
温度范围
额定性能
6
封装选项
塑料（ N-14 ）
CERDIP （ Q- 14 ）
SOIC （R- 16）的
磁带和卷轴
的TO- 8 （H- 12A）
LCC （ E- 20A ）
芯片
T
民
–T
最大
V
S
=
±
5 V至
±
18 V
T
民
–T
最大
86
80
0
100
+125
AD842JN
AD842JQ
AD842JR-16
AD842JR-16-REEL
AD842JR-16-REEL7
AD842JH
AD842JCHIPS
AD842SQ ， AD842SQ / 883B
AD842KH
AD842SH
AD842SE/883B
AD842SCHIPS
笔记
1
AD842JR规格不同于所述AD842JN ， JQ和JH的由于SOIC封装的热特性。
2
标准军用图纸提供5962-8964201xx
2A - （ SE / 883B ） ; XA - （ SH / 883B ） ;加利福尼亚州 - （ SQ / 883B ） 。
3
输入失调电压规格在T 5分钟后保证
A
= +25°C.
4
全功率带宽=转换速率/ 2
π
V
PEAK
.
5
参阅图22和23 。
6
“S”高档T
民
–T
最大
规格与自动测试设备在T测试
A
= -55°C和T
A
= +125°C.
所有的最小和最大规格有保证。如图规格
粗体
所有生产经营单位进行了测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
英文内容
AD842
绝对最大额定值
1
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
18 V
内部功耗
2
塑料（ N） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3 W
CERDIP （Q）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.1 W
的TO- 8 （H）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3 W
SOIC （R） - 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3 W
LCC （ E） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为1.0W
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
S
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
6 V
存储温度范围
Q， H，E 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
N，R 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 125°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 175℃
铅温度范围（焊接60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
2
最大的内部功耗指定，则T
J
不超过
温度+ 150 ℃，在+ 25 ℃的环境温度下进行。
热特性：
θ
JC
θ
JA
θ
SA
塑料包装
30°C/W
100°C/W
CERDIP套餐
30°C/W
110°C/W
38°C/W
TO- 8封装
30°C/W
100°C/W
27°C/W
16引脚SOIC封装30 °C / W
100°C/W
20引脚LCC封装35 ° C / W
150°C/W
推荐散热器：爱美达工程 ＃ 602B
金属化PHOTOGRAPH
联系工厂最新的尺寸。
尺寸以英寸（毫米）所示。
英文内容
–3–
AD842 -典型特征
（在+ 25 ℃， V =
S
20
20
15V，除非另有说明）
30
输出电压摆幅 - 伏P-P
输入共模范围 - 伏
输出电压摆幅 - 伏
25
15V电源
20
15
15
V
IN
10
15
V
OUT
10
10
5
5
5
0
0
0
5
10
电源电压 -
15
伏
20
0
0
5
10
电源电压 -
15
伏
20
10
100
1k
负载电阻 -
10k
图1.输入共模
范围与电源电压
图2.输出电压摆幅
- 电源电压
图3.输出电压摆幅
和负载电阻
18
–5
100
静态电流 - 毫安
输入偏置电流 - 一个
–4
输出阻抗 -
16
10
14
1
–3
12
0.1
10
0
5
10
电源电压 -
15
伏
20
–2
–60 –40 –20
0 20 40 60 80 100 120 140
温度 - C
0.01
10k
1M
10M
100k
频率 - 赫兹
100M
图4.静态电流 -
电源电压
图5.输入偏置电流 -
温度
图6.输出阻抗 -
频率
18
短路电流限制 - 毫安
300
275
增益带宽 - MHz的
85
17
静态电流 - 毫安
16
15
14
13
12
11
10
–60 –40 –20
250
+输出电流
225
200
175
-OUTPUT CURRENT
150
125
100
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
环境温度 - C
80
75
70
0 20 40 60 80 100 120 140
温度 - C
65
–60 –40 –20
0 20 40 60 80 100 120 140
温度 - C
图7.静态电流 -
温度
图8.短路电流
极限与温度的关系
图9.增益带宽积
与温度的关系
–4–
英文内容
AD842
120
100
100
80
110
120
电源抑制 - 分贝
100
+电源
80
相位裕度 - 度
开环增益 - 分贝
80
60
60
40
开环增益 - 分贝
105
100
500
95
负载
60
- 供应
40
40
500
20
0
100
负载
20
0
20
0
100
1k
10k
100k
1M
频率 - 赫兹
10M
100M
90
0
5
10
15
电源电压 - V
20
1k
10k
100k
1M
频率 - 赫兹
10M 100M
图10.开环增益和
相位裕度与频率的关系
图11.开环增益与
电源电压
图12.电源抑制
与频率的关系
120
30
10
R
L
=千伏
+25 C
V
S
= 15V
输出电压 - 伏P -P
输出摆幅为0 TO
100
V
S
= 15V
V
CM
= 1V P-P
+ 25 C
25
V
8
6
4
2
0.1% 0.01%
0
0.1% 0.01%
–2
–4
–6
–8
20
CMR - 分贝
80
15
60
10
40
5
0
1M
20
–10
10M
频率 - 赫兹
100M
1k
10k
100k
1M
10M
频率 - 赫兹
100M
30
40
50
60
70
80
90
稳定时间 - NS
100 110
图13.共模
抑制与频率的关系
图14.大信号频率
响应
图15.输出摆幅与
误差与建立时间
–80
3V RMS
R
L
= 1k
50
550
谐波失真 - 分贝
–90
输入电压 - 纳伏赫
40
500
–100
二阶谐波
压摆率 - νs的
450
400
30
–110
20
–120
第三谐波
350
–130
–140
100
10
300
250
–60 –40 –20
1k
10k
频率 - 赫兹
100k
0
10
100
1k
10k
100k
频率 - 赫兹
1M
10M
0 20 40 60 80 100 120 140
温度 - C
图16.谐波失真与
频率
图17.输入电压与
频率
图18.压摆率与
温度
英文内容
–5–
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