45分贝数字控制VGA
LF 600兆赫
AD8369
特点
数字控制可变增益3 dB的步
-5 dB到40分贝(R
L
= 1 k )
-10 dB到35分贝(R
L
= 200 )
小于0.2 dB平坦度少过20 MHz带宽
高达380 MHz的
4位并行或3线串行接口
200差分输入和输出阻抗
单3.0 V- 5.5 V电源
绘制37毫安在5 V
掉电<1毫安最大
应用
蜂窝/ PCS基站
IF采样接收器
固定无线接入
有线调制解调器
仪器仪表
功能框图
BIT3 BIT2
位1位0
VPOS
PWUP
FILT
OPHI
GM细胞
OPLO
DENB
SENB
增益码DECODE
3分贝步
BIAS
INHI
CMDC
INLO
COMM
COMM
产品说明
的AD8369是一个高性能的数字控制可变
增益放大器(VGA ),用于从低频使用到的-3 dB
600 MHz的频率在所有增益码。在AD8369提供
出色的失真性能:双音,三阶
互调失真为-69 dBc的70兆赫为1 V峰峰值
复合输出到1千瓦负荷。的AD8369具有标称
7个分贝的噪音身影时,在最大增益,然后用增加
降低增益。输出IP3为19.5 dBm的70兆赫到
1千瓦负荷,并保持相当恒定的增益范围。
的信号输入被施加到引脚INHI和INLO 。可变增益
通过两种方法实现。 6 dB增益步实施
使用离散的X-AMP
结构,其中,所述输入信号是
由200逐渐减弱
W
R-2R梯形网络
还设置了输入阻抗;在3 dB的步实施
该放大器的输出端。这种组合提供了非常
精确测量3 dB增益步过45 dB的范围。输出阻抗
ANCE由片上横过所述差分输出管脚电阻设置,
OPHI和OPLO 。总增益取决于源
并且,由于输入的电阻性质的负载阻抗和
输出端口。
在AD8369的数字控制实现使用任意串行或
并行接口。数字控制的模式选择
连接一个引脚( SENB )到地面或正支持
层。数字控制引脚可被驱动与标准CMOS
逻辑电平。
的AD8369可通过施加一个逻辑电平来打开或关闭的
到PWUP引脚。为逻辑高时,该芯片加电时迅速
到37毫安,在25℃的额定静态电流。当低,
的总损耗降低到小于几毫瓦。
该AD8369是制造上的ADI公司专有的,高
性能25 GHz的硅双极集成电路工艺,并且可以
采用16引脚TSSOP封装的工业级温度范围
对-40∞C至+ 85∞C 。一个人口评估板可用。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
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AD8369–SPECIFICATIONS
参数
整体功能
频带
增益控制接口
电压增益跨度
最大增益
最小增益
增益步长
增益步进精度
增益阶跃响应时间
输入级
输入阻抗
输入电容
条件
(V
S
= 5 V , T = 25℃ ,R
S
= 200
除非另有说明)。
, R
L
= 1000
,频率为70 MHz时,在最大增益,
民
LF *
典型值
最大
600
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
ns
W
W
pF
pF
纳伏/赫兹÷
V
V
W
W
pF
pF
V
V / ms的
3 dB带宽
所有位为高电平( 1 1 1 1 )
所有位为低电平( 0 0 0 0 )
在整个增益范围内,相对于3 dB步进
步= 3分贝,稳定到最终值的10 %
从INHI到INLO
从INHI到COMM ,从INLO到COMM
从INHI到INLO
从INHI到COMM ,从INLO到COMM
45
40
–5
3
±
0.05
30
200
100
0.1
1.1
2
1.7
2.2
200
100
0.25
1.5
V
S
/2
1200
3.0
5.5
42
52
750
1
1.0
2.2
输入噪声谱密度
输入共模直流电压测量引脚CMDC
最大线性输入
|V
INHI
– V
INLO
|在最小增益
输出级
输出电阻
输出电容
共模电压DC
压摆率
电源接口
电源电压
静态电流
与温度的关系
禁用当前
与温度的关系
POWER UP接口
启用阈值
关断阈值
响应时间
从OPHI到OPLO
从OPHI到COMM ,从OPLO到COMM
从OPHI到OPLO
从OPHI到COMM ,从OPLO到COMM
无输入信号
输出步= 1 V
PWUP高
–40∞C
T
A
85∞C
PWUP低
–40∞C
T
A
85∞C
销PWUP
37
400
V
mA
mA
mA
mA
V
V
ms
mA
输入偏置电流
数字接口
时间延迟之后从低到高的转变
在PWUP直到输出稳定到10%以内
终值
PWUP = 5 V
销SENB , BIT0 , BIT1 , BIT2 , BIT3 ,
和DENB
7
160
低条件
高条件
输入偏置电流
频率= 10 MHz的
电压增益
增益平坦度
噪声系数
输出IP3
IMD
3
谐波失真
P1dB
2.0
3.0
低输入
150
40.5
+0.05*
7.0
+22
+22
–74
–72
–71
+3
+3
V
V
mA
dB
dB
dB
的dBV RMS
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
的dBV RMS
DBM
内
±
10兆赫10兆赫
F1 = 9.945兆赫, F2 = 10.550兆赫
F1 = 9.945兆赫, F2 = 10.550兆赫
V
OPHI
– V
OPLO
= 1伏峰 - 峰值的复合
二阶,V
OPHI
– V
OPLO
= 1V峰 - 峰值
三阶,V
OPHI
– V
OPLO
= 1V峰 - 峰值
为
±
从线性增益1分贝偏差
*本
低主频的高通角落里的针FILT ,C的电容决定
FILT
。请参阅有关详细信息,工作原理部分。
–2–
第0版
特定网络阳离子
(续)
参数
频率= 70 MHz的
电压增益
增益平坦度
噪声系数
输出IP3
IMD
3
谐波失真
P1dB
频率= 140 MHz的
电压增益
增益平坦度
噪声系数
输出IP3
IMD
3
谐波失真
P1dB
频率= 190 MHz的
电压增益
增益平坦度
噪声系数
输出IP3
IMD
3
谐波失真
P1dB
频率= 240 MHz的
电压增益
增益平坦度
噪声系数
输出IP3
IMD
3
谐波失真
P1dB
频率= 320 MHz的
电压增益
增益平坦度
噪声系数
输出IP3
IMD
3
谐波失真
P1dB
第0版
条件
民
典型值
40.5
±
0.1
7.0
+19.5
+19.5
–69
–68
–64
+3
+3
40.0
±
0.10
7.0
+17
+17
–64
–63
–55
+3
+3
39.7
±
0.1
7.2
+15.5
+15.5
–61
–57
–51
+2
+2
39.3
±
0.1
7.2
+14
+14
–58
–50
–49
+1.5
+1.5
39.0
±
0.15
7.4
+11.5
+11.5
–53
–47
–49
+1.0
+1.0
最大
内
±
70 MHz的20 MHz的
F1 = 69.3兆赫, F2 = 70.7兆赫
F1 = 69.3兆赫, F2 = 70.7兆赫
V
OPHI
– V
OPLO
= 1伏峰 - 峰值的复合
二阶,V
OPHI
– V
OPLO
= 1V峰 - 峰值
三阶,V
OPHI
– V
OPLO
= 1V峰 - 峰值
为
±
从线性增益1分贝偏差
AD8369
单位
dB
dB
dB
的dBV RMS
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
的dBV RMS
DBM
dB
dB
dB
的dBV RMS
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
的dBV RMS
DBM
dB
dB
dB
的dBV RMS
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
的dBV RMS
DBM
dB
dB
dB
的dBV RMS
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
的dBV RMS
DBM
dB
dB
dB
的dBV RMS
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
的dBV RMS
DBM
内
±
的140兆赫20兆赫
F1 = 139.55兆赫, F2 = 140.45兆赫
F1 = 139.55兆赫, F2 = 140.45兆赫
V
OPHI
– V
OPLO
= 1伏峰 - 峰值的复合
二阶,V
OPHI
– V
OPLO
= 1V峰 - 峰值
三阶,V
OPHI
– V
OPLO
= 1V峰 - 峰值
为
±1
从线性增益dB的偏差
内
±
190 MHz的20 MHz的
F1 = 189.55兆赫, F2 = 190.45兆赫
F1 = 189.55兆赫, F2 = 190.45兆赫
V
OPHI
– V
OPLO
= 1伏峰 - 峰值的复合
二阶,V
OPHI
– V
OPLO
= 1V峰 - 峰值
三阶,V
OPHI
– V
OPLO
= 1V峰 - 峰值
为
±
从线性增益1分贝偏差
内
±
240 MHz的20 MHz的
F1 = 239.55兆赫, F2 = 240.45兆赫
F1 = 239.55兆赫, F2 = 240.45兆赫
V
OPHI
– V
OPLO
= 1伏峰 - 峰值的复合
二阶,V
OPHI
– V
OPLO
= 1V峰 - 峰值
三阶,V
OPHI
– V
OPLO
= 1V峰 - 峰值
为
±
从线性增益1分贝偏差
内
±
320 MHz的20 MHz的
F1 = 319.55兆赫, F2 = 320.45兆赫
F1 = 319.55兆赫, F2 = 320.45兆赫
V
OPHI
– V
OPLO
= 1伏峰 - 峰值的复合
二阶,V
OPHI
– V
OPLO
= 1V峰 - 峰值
三阶,V
OPHI
– V
OPLO
= 1V峰 - 峰值
为
±
从线性增益1分贝偏差
–3–
AD8369
特定网络阳离子
(续)
参数
频率= 380 MHz的
电压增益
增益平坦度
噪声系数
输出IP3
IMD
3
谐波失真
P1dB
条件
民
典型值
38.5
±
0.15
7.8
+8.5
+8.5
–47
–45
–49
+0.5
+0.5
最大
单位
dB
dB
dB
的dBV RMS
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
的dBV RMS
DBM
内
±
380 MHz的20 MHz的
F1 = 379.55兆赫, F2 = 380.45兆赫
F1 = 379.55兆赫, F2 = 380.45兆赫,
V
OPHI
– V
OPLO
= 1伏峰 - 峰值的复合
二阶,V
OPHI
– V
OPLO
= 1V峰 - 峰值
三阶,V
OPHI
– V
OPLO
= 1V峰 - 峰值
为
±
从线性增益1分贝偏差
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
时序特定网络阳离子
串行编程时序要求
(V
S
= 5 V ,T = 25
∞
C)
参数
最小时钟脉冲宽度(T
PW
)
最小时钟周期(T
CK
)
最小建立时间数据与时钟(T
DS
)
最小建立时间数据使能主场迎战时钟(T
ES
)
最小保持时间时钟与数据使能(T
EH
)
最小保持时间数据与时钟(T
DH
)
典型值
10
20
2
2
2
4
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
并行编程时序要求
(V
S
= 5 V ,T = 25
∞
C)
参数
最小建立时间数据使能数据对比(T
ES
)
最小保持时间数据使能数据对比(T
EH
)
最小数据允许宽度(T
PW
)
典型值
2
2
4
单位
ns
ns
ns
最高位
(BIT3)
T
DS
T
DH
MSB–1
(BIT2)
数据
(位0 )
最高位
MSB–1
MSB–2
最低位
MSB–2
(BIT1)
T
PW
T
CK
时钟
(第1位)
最低位
(BIT0)
T
ES
T
ES
数据
启用
( DENB )
时钟
残
时钟
启用
数据锁定在DENB低到高的转变
(不按比例)
T
EH
时钟
残
T
EH
T
PW
DENB
数据被锁存于高至低
过渡DENB的
(不按比例)
串行编程时序
并行编程时序
–4–
第0版
AD8369
绝对最大额定值*
表一,典型电压增益与增益码(V
S
= 5 V , F = 70兆赫)
电源电压V
S
, VPOS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5 V
PWUP 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
S
+ 200毫伏
BIT0 , BIT1 , BIT2 , BIT3 , DENB , SENB 。 。 。 。 。 。 V
S
+ 200毫伏
输入电压V
INHI
– V
INLO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 V
输入电压V
INHI
或V
INLO
相对于COMM 。 。 4.5 V
输入电压V
INHI
– V
INLO
相对于COMM
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 COMM - 200毫伏
内部功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265毫瓦
JA
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150 ° C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
铅温度范围(焊接60秒) 。 。 。 。 。 。 。到300∞C
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或任何其他条件s以上那些在操作说明
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
收益
CODE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
典型
增益(dB )
BIT3 BIT2 BIT1位读
L
= 1 k
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
–5
–2
1
4
7
10
13
16
19
22
25
28
31
34
37
40
典型
增益(dB )
R
L
= 200
–10
–7
–4
–1
2
5
8
11
14
17
20
23
26
29
32
35
订购指南
模型
温度范围
包装说明
管, 16引脚TSSOP
7"磁带和卷轴
评估板
封装选项
RU-16
AD8369ARU
-40 ° C至+ 85°C
AD8369ARU - REEL7 -40C至+ 85C
AD8369EVAL
小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然
AD8369具有专用ESD保护电路,永久性的损害可能对设备产生
受到高能量静电放电。因此,适当的ESD防范措施建议
以避免性能下降或功能丧失。
第0版
–5–