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50分贝GSM PA控制器
AD8311
特点
完整的RF检测器/控制器功能
>50分贝范围在0.9千兆赫( -48 dBm至+3 dBm的重50 Ω )
准确定标为0.1千兆赫至2.5千兆赫
温度稳定的线性dB响应
登录23毫伏/分贝,拦截坡面在-60 dBm的0.9 GHz的
在控制回路真正的集成功能
低功耗: 20毫瓦,在2.7 V
它的高灵敏度可控制在低信号电平,从而
还原能力的需要被耦合到所述的量
探测器。为方便起见,该信号是内部交流耦合。
此高通耦合,使一个角在约
0.016 GHz时,确定最低的工作频率。因此,
源可以是直流接地。
的AD8311提供电压输出, VAPC ,它具有
电压范围和当前驱动器直接连接到所述增益
大多数手机功率放大器控制引脚。 VAPC可以摆动
从300毫伏以上地面内200毫伏低于供电
电压。高达600 mA的负载电流,可以得到支持。
设定值控制输入被施加到引脚VSET和具有
0.25 V至1.4 V的相关电路工作范围
确定线性dB关系的斜率和截距
测量系统;这些都是名义上的23.6毫伏/ dB和
-59.7 dBm的0.9 GHz的。进一步简化的应用
的AD8311 ,设定点接口的输入电阻是通过
35兆欧,并且偏置电流通常为0.26微安。
的AD8311可在一个6个球的晶圆级芯片规模
封装(WLCSP )为1.0mm × 1.5mm,且消耗7.6毫安
从2.7 V至5.5 V电源。
应用
单,双和三频手机( GSM , DCS ,
边)
发射机功率控制
概述
该AD8311是一款完整的低成本子系统的精确
RF功率放大器控制的频率范围内操作
0.1到2.5GHz和在50dB的典型动态范围。
它适用于蜂窝手机和其他电池 - 使用
操作的无线设备。对数放大器技术提供了一种
更宽的测量范围和优于精度
使用二极管检波器的控制器。特别是,它的温度
稳定是优秀的在-40 ° C至+ 85°C在指定范围内。
功能框图
VPOS
低噪音
GAIN BIAS
低噪音
带隙
参考
1.35
DET
RFIN
10dB
10dB
10dB
10dB
V
OFFSET
赔偿金
COMM
截距
定位
I
DET
DET
DET
DET
高阻
低噪音
轨到轨缓冲
FLTR
VSET
23mV/dB
250mV至
1.4V = 50分贝
VAPC
图1 。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是,没有责任承担由Analog Devices供其使用,也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利,可能导致其使用的。
规格如有变更,恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
www.analog.com
传真: 781.461.3113
2005 ADI公司保留所有权利。
05545-001
AD8311
目录
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能说明............................. 6
典型性能特征............................................. 7
工作原理............................................... ....................... 11
基本理论................................................ ................................ 11
控制器模式对数放大器............................................. ........ 12
控制回路动态............................................... ............. 12
基本连接................................................ ...................... 14
范围内对VSET和RFIN ............................................. ............ 14
瞬态响应................................................ ..................... 15
手机电源控制示例............................... 15
开机和关机........................................... .............. 16
输入耦合选项............................................... ............. 16
温度漂移................................................ ...................... 17
设备的校准和误差计算.............................. 17
选择校准点提高了一个精度
缩小范围................................................ ........................... 18
设备处理................................................ ......................... 19
评估板................................................ ............................ 20
外形尺寸................................................ ....................... 22
订购指南................................................ .......................... 22
修订历史
6月5日 - 修订版0 :初始版
第0版|第24 2
AD8311
特定网络阳离子
VPOS = 2.7 V ,频率为0.1千兆赫,T
A
= 25 ° C, 52.3 Ω终端上RFIN ,光照条件= 600勒克斯,除非另有说明。
表1中。
参数
规定的频率范围
测量模式
1
中(f = 0.1 GHz)的
输入阻抗
±1
dB动态范围
最大输入电平
最小输入电平
2
截距
2
VSET电压大功率中
VSET电压,低功耗
温度灵敏度
条件
RFIN (引脚6 )
没有RFIN上端接电阻
T
A
= +25°C
-40°C <牛逼
A
& LT ; + 85°C
±1
DB错误
±1
DB错误
0.1
典型值
最大
2.5
单位
GHz的
Ω|| pF的
dB
dB
DBM
DBM
毫伏/分贝
DBM
V
V
分贝/°C的
分贝/°C的
Ω|| pF的
dB
dB
DBM
DBM
毫伏/分贝
DBM
V
V
分贝/°C的
分贝/°C的
Ω|| pF的
dB
dB
DBM
DBM
毫伏/分贝
DBM
V
V
分贝/°C的
分贝/°C的
+2
21.5
66
P
IN
= -10 dBm的
P
IN
= -40 dBm的
P
IN
= -10 dBm的
25°C
T
A
+85°C
40°C
T
A
+25°C
没有RFIN上端接电阻
T
A
= +25°C
-40°C <牛逼
A
& LT ; + 85°C
±1
DB错误
±1
DB错误
2140 || 1.97
47
46
+2.6
44.5
23.8
58.9
1.16
0.45
0.0020
+0.0121
370 || 1.58
51
50
+2.8
47.9
23.6
59.7
1.17
0.46
0.0015
0.0094
180 || 1.67
42
41
5.6
48.0
22.7
60.8
1.15
0.47
0.0056
0.0077
44
25.5
51
测量模式( F = 0.9千兆赫)
输入阻抗
±1
dB动态范围
最大输入电平
最小输入电平
2
截距
2
VSET电压大功率中
VSET电压,低功耗
温度灵敏度
P
IN
= -10 dBm的
P
IN
= -40 dBm的
P
IN
= -10 dBm的
25°C
T
A
+85°C
40°C
T
A
+25°C
没有RFIN上端接电阻
T
A
= +25°C
-40°C <牛逼
A
& LT ; + 85°C
±1
DB错误
±1
DB错误
测量模式( F = 1.9千兆赫)
输入阻抗
±1
dB动态范围
最大输入电平
最小输入电平
2
截距
2
VSET电压大功率中
VSET电压,低功耗
温度灵敏度
P
IN
= -10 dBm的
P
IN
= -40 dBm的
P
IN
= -10 dBm的
25°C
T
A
+85°C
40°C
T
A
+25°C
第0版|第24 3
AD8311
参数
测量模式( F = 2.5千兆赫)
输入阻抗
±1
dB动态范围
最大输入电平
最小输入电平
2
截距
2
VSET电压大功率中
VSET电压,低功耗
温度灵敏度
条件
没有RFIN上端接电阻
T
A
= +25°C
-40°C <牛逼
A
& LT ; + 85°C
±1
DB错误
±1
DB错误
典型值
164 || 1.55
42
41
6.2
47.7
22.5
60.6
1.14
0.46
0.0004
+0.0090
0.2
2.3
2.4
2.54
0.3
0.4
2.55
2.65
最大
单位
Ω|| pF的
dB
dB
DBM
DBM
毫伏/分贝
DBM
V
V
分贝/°C的
分贝/°C的
V
V
V
V
V
毫安/ μA
纳伏/赫兹÷
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
V
V
分贝/ MV
A
M
V / μs的
5.5
10.7
12.9
10
2000
V
mA
mA
s
ns
输出接口
最小输出电压
最大输出电压
与温度的关系
一般限制
输出电流驱动
输出噪声
小信号带宽
下降时间
上升时间
压摆率
响应时间
VSET接口
额定输入范围
对数标度因数
偏置电流源
输入阻抗
压摆率
电源接口
电源电压
静态电流
与温度的关系
上电时间
断电时间
1
2
P
IN
= -10 dBm的
P
IN
= -40 dBm的
P
IN
= -10 dBm的
25°C
T
A
85°C
40°C
T
A
+25°C
VAPC (引脚2 )
V
SET
= 150mV的
I
OUT
= 3毫安
R
L
= ∞
85°C ,V
POS
= 3 V,I
OUT
= 6毫安
2.7 V≤ VPOS ≤ 5.5 V ,R
L
= ∞
V
SET
= 1.5 V, RFIN = -50 dBm时,源/汇
RF输入= 2 GHz时,为0 dBm ,女
噪音
= 100千赫,C
FLT
= 220 pF的
RFIN = -10 dBm的;从FLTR到VAPC
输入电平=关设置为0 dBm ,90%至10%的
输入电平= 0 dBm至关,10%至90%的
90% – 10%, V
SET
= 0.3 V ,开环
FLTR =打开
VSET (引脚3 )
RFIN = 0 dBm的;测量模式
RFIN = -50 dBm的;测量模式
RFIN = -10 dBm的; V
SET
= 1.4 V
VPOS - 0.1
5/200
170
30
120
270
15
130
1.4
0.27
0.04
0.26
36
14
2.7
5
VPOS (引脚1 )
7.6
8.2
3
100
–40°C
T
A
+85°C
从VPOS时间高到V
APC
内的最终值的1% ,
V
SET
- 200毫伏
从VPOS时间低到V
APC
内的最终值的1% ,
V
SET
- 200毫伏
VAPC (引脚2) VSET (引脚3 )与反转阶段,正弦输入信号。
平均值和标准偏差的规格示于表4中。
第0版|第24 4
AD8311
绝对最大额定值
表2中。
参数
电源电压VPOS
VAPC , VSET
RFIN
等效电压
内部功耗
θ
JA
( WLCSP )
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
评级
5.5 V
0 V , VPOS
17 dBm的
1.6 V均方根值
60毫瓦
200°C/W
125°C
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
ESD警告
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备,可排出而不被发现。虽然这款产品的特点
专用ESD保护电路,永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此,适当的ESD防范措施建议,以避免性能
下降或功能丧失。
第0版|第24 5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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