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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1390页 > AD823AR-REEL
双通道， 16 MHz的轨到轨
FET输入放大器
AD823
特点
单电源供电
输出摆幅轨至轨
输入电压范围可低于地
从3 V至36 V单电源供电能力
高负载驱动
500 pF的电容负载驱动器， G = 1
15毫安， 0.5 V ，从供应输出电流
2.6毫安/功放出色的AC性能
-3 dB带宽为16 MHz ，G = + 1
350 ns的建立时间为0.01 ％ （ 2 V步进）
22 V / μs的压摆率
良好的直流性能
800 μV最大输入失调电压
2 μV /°C的失调电压漂移
25 pA的最大输入偏置电流
低失真： -108 dBc的最差的谐波@ 20 kHz的
低噪音： 16纳伏/ √Hz的@ 10 kHz的
无相转化与输入电源轨
接线图
OUT1
1
–IN1
2
+IN1
3
–V
S 4
8
7
6
+V
S
OUT2
+IN2
00901-001
–IN2
AD823
5
图1. 8引脚PDIP和SOIC
3V
R
L
= 100k
C
L
= 50pF的
+V
S
= +3V
G = +1
GND
500mV
200s
00901-002
应用
电池供电的精密仪器
光电二极管前置放大器
主动滤池
12位到16位的数据采集系统
医疗器械
OUTPUT （分贝）
图2.输出摆幅， + V
S
= 3 V， G = 1
2
1
0
–1
+V
S
= +5V
G = +1
概述
该AD823是一款双精度， 16兆赫， JFET输入运算放大器
这可以从3.0 V单电源供电，以36 V或
±1.5 V双电源至±18 V.它具有单电源供电
的输入电压范围延伸在地面以下能力
在单电源模式。输出电压摆幅可以扩展至内
50 mV的每个轨道，因为我的
OUT
≤ 100 μA ，提供出色的
输出动态范围。
800 μV的最大偏移电压，的偏移电压漂移
2 μV / ° C，低于25 pA的输入偏置电流，低输入电压
噪音提供直流精度与源阻抗高达一
千兆欧姆。它提供了16 MHz的-3 dB带宽， -108 dB的总谐波失真
@ 20 kHz和22 V / μs压摆率与低电源电流
每个放大器2.6毫安。该AD823驱动高达500 pF的直接的
容性负载作为跟随者，并提供一个输出电流
15毫安， 0.5 V的电源电压。这使得放大器
处理大范围的负载条件。
–2
–3
–4
–5
–6
–7
10k
100k
1M
频率（Hz）
10M
00901-003
–8
1k
图3.小信号带宽， G = 1
交流和直流性能，再加上优秀的组合
负载驱动能力，结果是一个非常多才多艺的扩增
费里的应用，如A / D驱动器，高速有源
过滤器和其它低电压，高动态范围的系统。
该AD823可超过工业温度范围
-40 ° C至+ 85°C ，并提供两个8引脚PDIP和8引脚
SOIC封装。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113 1995-2007 ADI公司保留所有权利。
AD823
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
连接图................................................ ....................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 6
热阻................................................ ...................... 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
典型性能特征.............................................. 7
工作原理............................................... ....................... 13
输出阻抗................................................ ..................... 14
应用说明................................................ ........................... 15
输入特性................................................ .................. 15
输出特性................................................ ............... 15
外形尺寸................................................ ....................... 18
订购指南................................................ .......................... 19
修订历史
2/07 -REV 。 A到版本B
更新格式................................................ ..................通用
更改DC性能.............................................. ............ 5
更新的外形尺寸............................................... ........ 18
更改订购指南.............................................. ........... 19
5月4日 - 修订版。 0到版本A
更改规格............................................... ................. 2
更改订购指南.............................................. ........... 17
更新的外形尺寸............................................... ........ 17
95分之5 -版本0 ：初始版
版本B |第20页2
AD823
特定网络阳离子
在T
A
= 25 ° C， + V
S
= 5 V ，R
L
= 2 kΩ到2.5 V时，除非另有说明。
表1中。
参数
动态性能
-3 dB带宽，V
O
= 0.2 V P-P
全功率响应
压摆率
建立时间
到0.1％
至0.01％
噪声/失真性能
输入电压噪声
输入电流噪声
谐波失真
相声
F = 1千赫
F = 1 MHz的
直流性能
初始偏移
最大偏移温度超过
失调漂移
输入偏置电流
在T
最大
输入失调电流
在T
最大
开环增益
T
民
给T
最大
输入特性
输入共模电压范围
输入阻抗
输入电容
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
I
L
= ±100 μA
I
L
= -2毫安
I
L
= -10毫安
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
静态电流
电源抑制比
条件
G = +1
V
O
= 2 V P-P
G = -1 ，V
O
= 4 V步骤
G = -1 ，V
O
= 2 V步骤
G = -1 ，V
O
= 2 V步骤
F = 10千赫
F = 1千赫
R
L
= 600 Ω至2.5 V ，V
O
= 2 V P-P ， F = 20千赫
R
L
= 5 kΩ
R
L
= 5 kΩ
民
12
14
典型值
16
3.5
22
320
350
16
1
108
105
63
0.2
0.3
2
3
0.5
2
0.5
45
0.8
2.0
25
5
20
最大
单位
兆赫
兆赫
V / μs的
ns
ns
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
dBc的
dB
dB
mV
mV
μV/°C
pA
nA
pA
nA
V / MV
V / MV
V
Ω
pF
dB
V
CM
= 0 V至24 V
V
CM
= 0 V至24 V
V
O
= 0.2 V至24 V ，R
L
= 2 kΩ
20
20
-0.2至+3
V
CM
= 0 V至3 V
60
-0.2到+3.8
10
13
1.8
76
V
OUT
= 0.5 V至4.5 V
采购至2.5 V
下沉至2.5 V
G = +1
3
T
民
给T
最大
，总
V
S
= 5 V至15 V ，T
民
给T
最大
70
0.025到4.975
0.08 4.92
0.25 4.75
16
40
30
500
36
5.6
V
V
V
mA
mA
mA
pF
V
mA
dB
5.2
80
版本B |第20页3
AD823
在T
A
= 25 ° C， + V
S
= + 3.3V ，R
L
= 2 kΩ至1.65伏，除非另有说明。
表2中。
参数
动态性能
-3 dB带宽，V
O
= 0.2 V P-P
全功率响应
压摆率
建立时间
到0.1％
至0.01％
噪声/失真性能
输入电压噪声
输入电流噪声
谐波失真
相声
F = 1千赫
F = 1 MHz的
直流性能
初始偏移
最大偏移温度超过
失调漂移
输入偏置电流
在T
最大
输入失调电流
在T
最大
开环增益
T
民
给T
最大
输入特性
输入共模电压范围
输入阻抗
输入电容
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
I
L
= ±100 μA
I
L
= -2毫安
I
L
= -10毫安
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
静态电流
电源抑制比
条件
G = +1
V
O
= 2 V P-P
G = -1 ，V
O
= 2 V步骤
G = -1 ，V
O
= 2 V步骤
G = -1 ，V
O
= 2 V步骤
F = 10千赫
F = 1千赫
R
L
= 100 Ω, V
O
= 2 V P-P ， F = 20千赫
R
L
= 5 kΩ
R
L
= 5 kΩ
民
12
13
典型值
15
3.2
20
250
300
16
1
93
105
63
0.2
0.5
2
3
0.5
2
0.5
30
1.5
2.5
25
5
20
最大
单位
兆赫
兆赫
V / μs的
ns
ns
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
dBc的
dB
dB
mV
mV
μV/°C
pA
nA
pA
nA
V / MV
V / MV
V
Ω
pF
dB
V
CM
= 0 V至2 V
V
CM
= 0 V至2 V
V
O
= 0.2 V至2 V ，R
L
= 2 kΩ
15
12
-0.2至+1
V
CM
= 0 V至1 V
54
-0.2到+1.8
10
13
1.8
70
V
OUT
= 0.5 V至2.5 V
采购至1.5 V
下沉至1.5 V
G = +1
3
T
民
给T
最大
，总
V
S
= 3.3 V至15 V ，T
民
给T
最大
70
0.025到3.275
0.08 3.22
0.25 3.05
15
40
30
500
36
5.7
V
V
V
mA
mA
mA
pF
V
mA
dB
5.0
80
版本B |第20页4
AD823
在T
A
= 25 ° C，V
S
= ± 15 V ，R
L
= 2 kΩ至0V，除非另有说明。
表3中。
参数
动态性能
-3 dB带宽，V
O
= 0.2 V P-P
全功率响应
压摆率
建立时间
到0.1％
至0.01％
噪声/失真性能
输入电压噪声
输入电流噪声
谐波失真
相声
F = 1千赫
F = 1 MHz的
直流性能
初始偏移
最大偏移温度超过
失调漂移
输入偏置电流
在T
最大
输入失调电流
在T
最大
开环增益
T
民
给T
最大
输入特性
输入共模电压范围
输入阻抗
输入电容
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
I
L
= ±100 μA
I
L
= -2毫安
I
L
= -10毫安
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
静态电流
电源抑制比
条件
G = +1
V
O
= 2 V P-P
G = -1 ，V
O
= 10 V步骤
G = -1 ，V
O
= 10 V步骤
G = -1 ，V
O
= 10 V步骤
F = 10千赫
F = 1千赫
R
L
= 600 Ω, V
O
= 10 V P-P ， F = 20千赫
R
L
= 5 kΩ
R
L
= 5 kΩ
民
12
17
典型值
16
4
25
550
650
16
1
90
105
63
0.7
1.0
2
5
60
0.5
2
0.5
60
3.5
7
30
5
20
最大
单位
兆赫
兆赫
V / μs的
ns
ns
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
dBc的
dB
dB
mV
mV
μV/°C
pA
pA
nA
pA
nA
V / MV
V / MV
V
Ω
pF
dB
V
CM
= 0 V
V
CM
= 10 V
V
CM
= 0 V
V
O
= 10 V至-10 V ，R
L
= 2 kΩ
30
30
-15.2至+13
V
CM
= -15 V至+13 V
66
-15.2至13.8
10
13
1.8
82
V
OUT
= -14.5 V至14.5 V
采购到0V
下沉至0 V
G = +1
3
T
民
给T
最大
，总
V
S
= 5 V至15 V ，T
民
给T
最大
70
-14.95至14.95
-14.92至14.92
-14.75至14.75
17
80
60
500
36
8.4
V
V
V
mA
mA
mA
pF
V
mA
dB
7.0
80
版本B |第20页5
a
特点
单电源供电
输出摆幅轨至轨
输入电压范围可低于地
单电源供电能力从+3 V至+36 V
高负载驱动
500 pF的电容负载驱动器， G = 1
15毫安， 0.5 V ，从供应输出电流
2.6毫安/功放出色的AC性能
-3 dB带宽为16 MHz ，G = + 1
350 ns的建立时间为0.01 ％ （ 2 V步进）
22 V / s的压摆率
良好的直流性能
800 V最大输入失调电压
2 V / C失调电压漂移
25 pA的最大输入偏置电流
低失真
-108 dBc的最坏谐波@ 20 kHz的
低噪音
16纳伏/ √Hz的@ 10 kHz的
无相转化与输入电源轨
应用
电池供电的精密仪器
光电二极管前置放大器
主动滤池
12至16位数据采集系统
医疗器械
双通道， 16 MHz的轨到轨
FET输入放大器
AD823
接线图
8引脚小型塑封DIP
和
8引脚SOIC
OUT1
–IN1
+IN1
–V
S
1
2
3
4
8 +V
S
7 OUT2
6 -in2
AD823
5 + IN2
该AD823可超过工业温度范围
-40 ° C至+ 85°C ，并提供两个8引脚塑料DIP和
SOIC封装。
3V
R
L
= 100k
C
L
= 50pF的
V
S
= +3V
GND
产品说明
500mV
200s
该AD823是一款双精度， 16兆赫， JFET输入运算放大器
可从+ 3.0V的单电源下工作至+36 V，或
的双电源供电
±
1.5 V至
±
18五，它有单电源
的输入电压范围延伸在地面以下能力
在单电源模式。输出电压摆幅可以扩展至内
50 mV的每个轨道，因为我的
OUT
≤
100
A
提供出色的输出
放的动态范围。
800偏移电压
V
最大，抵消了2电压漂移
μV / ° C，
低于25 pA的输入偏置电流和低输入电压噪声
提供与源阻抗高达一千兆欧直流精度。
16 MHz的-3 dB带宽， -108 dB的总谐波失真@ 20 kHz和
22 V / μs压摆率，提供具有低电源电流
每个放大器2.6毫安。该AD823驱动高达500 pF的直接的
容性负载作为跟随者，并提供一个输出电流
15毫安， 0.5 V的电源电压。这使得放大器
处理大范围的负载条件。
交流和直流性能，加上未偿的组合
荷兰国际集团的负载驱动能力会导致一个非常多才多艺的上午
plifier的应用，如A / D驱动器，高速活跃
过滤器和其它低电压，高动态范围的系统。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
输出 - 分贝
图1.输出摆幅，V
S
= 3 V， G = 1
2
1
0
–1
–2
–3
–4
–5
–6
–7
–8
1k
10k
100k
1M
频率 - 赫兹
10M
V
S
= +5V
G = +1
图2.小信号带宽， G = 1
ADI公司， 1995年
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德。 MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 617 / 329-4700
传真： 617 / 326-8703
AD823–SPECIFICATIONS
（ @ T = + 25 ° C，V = 5 V， R = 2 kΩ至+ 2.5V ，除非另有说明）
A
S
L
参数
动态性能
-3 dB带宽，V
O
≤
0.2 V P-P
全功率响应
压摆率
建立时间
到0.1％
至0.01％
噪声/失真性能
输入电压噪声
输入电流噪声
谐波失真
相声
F = 1千赫
F = 1 MHz的
直流性能
初始偏移
最大失调温度超过
失调漂移
输入偏置电流
在T
最大
输入失调电流
在T
最大
开环增益
T
民
给T
最大
输入特性
输入共模电压范围
输入阻抗
输入电容
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
I
L
=
±
100
A
I
L
=
±
2毫安
I
L
=
±
10毫安
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
静态电流
电源抑制比
改变特定网络阳离子恕不另行通知。
条件
G = +1
V
O
= 2 V P-P
G = -1 ，V
O
= 4 V步骤
G = -1 ，V
O
= 2 V步骤
民
12
14
AD823A
典型值
16
3.5
22
320
350
最大
单位
兆赫
兆赫
V / μs的
ns
ns
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
dBc的
F = 10千赫
F = 1千赫
R
L
= 600
以2.5 V ，V
O
= 2 V P-P ，
F = 20千赫
R
L
= 5 k
R
L
= 5 k
16
1
–108
–130
–93
0.2
0.3
2
3
0.5
2
0.5
20
20
45
0.8
2.0
25
5
20
dB
dB
mV
mV
μV/°C
pA
nA
pA
nA
V / MV
V / MV
V
pF
dB
V
CM
= 0 V至+4 V
V
O
= 0.2 V至24 V
R
L
= 2 k
V
CM
= 0 V至3 V
-0.2 -0.2 3至3.8
10
13
1.8
60
76
V
OUT
= 0.5 V至4.5 V
采购至2.5 V
下沉至2.5 V
G = +1
+3
T
民
给T
最大
，总
V
S
= +5 V至+15 V，T
民
给T
最大
70
0.025到4.975
0.08 4.92
0.25 4.75
16
40
30
500
+36
5.6
V
V
V
mA
mA
mA
pF
V
mA
dB
5.2
80
–2–
第0版
AD823
特定网络阳离子
参数
动态性能
-3 dB带宽，V
O
≤
0.2 V P-P
全功率响应
压摆率
建立时间
到0.1％
至0.01％
噪声/失真性能
输入电压噪声
输入电流噪声
谐波失真
相声
F = 1千赫
F = 1 MHz的
直流性能
初始偏移
最大失调温度超过
失调漂移
输入偏置电流
在T
最大
输入失调电流
在T
最大
开环增益
T
民
给T
最大
输入特性
输入共模电压范围
输入阻抗
输入电容
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
I
L
=
±
100
A
I
L
=
±
2毫安
I
L
=
±
10毫安
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
静态电流
电源抑制比
改变特定网络阳离子恕不另行通知。
(@ T
A
= + 25 ° C，V
S
= + 3.3V ，R
L
= 2 kΩ至1.65伏，除非另有说明）
条件
G = +1
V
O
= 2 V P-P
G = -1 ，V
O
= 2 V步骤
G = -1 ，V
O
= 2 V步骤
民
12
13
AD823A
典型值
15
3.2
20
250
300
F = 10千赫
F = 1千赫
R
L
= 100
,
V
O
= 2 V P-P ， F = 20千赫
R
L
= 5 k
R
L
= 5 k
16
1
–93
–130
–93
0.2
0.5
2
3
0.5
2
0.5
15
12
30
1.5
2.5
25
5
20
最大
单位
兆赫
兆赫
V / μs的
ns
ns
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
dBc的
dB
dB
mV
mV
μV/°C
pA
nA
pA
nA
V / MV
V / MV
V
pF
dB
V
CM
= 0 V至2 V
V
O
= 0.2 V至2 V
R
L
= 2 k
V
CM
= 0 V至1 V
-0.2 -0.2 1至1.8
10
13
1.8
54
70
V
OUT
= 0.5 V至2.5 V
采购至1.5 V
下沉至1.5 V
G = +1
+3
T
民
给T
最大
，总
V
S
= +3.3 V至+15 V，T
民
给T
最大
70
0.025到3.275
0.08 3.22
0.25 3.05
15
40
30
500
+36
5.7
V
V
V
mA
mA
mA
pF
V
mA
dB
5.0
80
第0版
–3–
AD823–SPECIFICATIONS
参数
动态性能
-3 dB带宽，V
O
≤
0.2 V P-P
全功率响应
压摆率
建立时间
到0.1％
至0.01％
噪声/失真性能
输入电压噪声
输入电流噪声
谐波失真
相声
F = 1千赫
F = 1 MHz的
直流性能
初始偏移
最大失调温度超过
失调漂移
输入偏置电流
在T
最大
输入失调电流
在T
最大
开环增益
T
民
给T
最大
输入特性
输入共模电压范围
输入阻抗
输入电容
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
I
L
=
±
100
A
I
L
=
±
2毫安
I
L
=
±
10毫安
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
静态电流
电源抑制比
改变特定网络阳离子恕不另行通知。
(@ T
A
= + 25 ° C，V
S
=
±15
V ，R
L
= 2 kΩ至0V，除非另有说明）
民
12
17
AD823A
典型值
16
4
25
550
650
最大
单位
兆赫
兆赫
V / μs的
ns
ns
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
dBc的
条件
G = +1
V
O
= 2 V P-P
G = -1 ，V
O
= 10 V步骤
G = -1 ，V
O
= 10 V步骤
F = 10千赫
F = 1千赫
R
L
= 600
,
V
O
= 10 V P-P ，
F = 20千赫
R
L
= 5 k
R
L
= 5 k
16
1
–90
–130
–93
0.7
1.0
2
5
60
0.5
2
0.5
30
30
60
3.5
7
30
5
20
dB
dB
mV
mV
μV/°C
pA
pA
nA
pA
nA
V / MV
V / MV
V
pF
dB
V
CM
= 0 V
V
CM
= –10 V
V
CM
= 0 V
V
O
= 10 V至-10 V
R
L
= 2 k
V
CM
= -15 V至+13 V
-15.2至13 -15.2至13.8
10
13
1.8
66
82
V
OUT
= -14.5 V至14.5 V
采购到0V
下沉至0 V
G = +1
+3
T
民
给T
最大
，总
V
S
= +5 V至+15 V，T
民
给T
最大
70
-14.95至14.95
-14.92至14.92
-14.75至14.75
17
80
60
500
+36
8.4
V
V
V
mA
mA
mA
pF
V
mA
dB
7.0
80
–4–
第0版
AD823
绝对最大额定值
1
2.0
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +36 V
内部功耗
2
塑料包装（N ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3瓦
小外形封装（ R） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9瓦
输入电压（普通模式） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
S
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
1.2 V
输出短路持续时间
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。观察功率降额曲线
存储温度范围N，R 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 125°C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
铅温度范围（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
笔记
1
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的操作部分是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
2
特定网络阳离子的设备在自由空气中：
8引脚塑料包装：
θ
JA
= 90 ℃/瓦特
8引脚SOIC封装：
θ
JA
= 160 ° C /瓦
最大功耗 - 沃茨
8针Mini - DIP封装
T
J
= +150
°
C
1.5
1.0
8引脚SOIC封装
0.5
0
–50 –40 –30 –20 –10 0 10 20 30 40 50 60
环境温度 -
°
C
70
80 90
图3.最大功率耗散与温度的关系
订购指南
模型
AD823AN
AD823AR
AD823AR-REEL
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
8引脚塑料DIP
8引脚塑料SOIC
SOIC卷上
封装选项
N-8
SO-8
SO-8
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然AD823具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
第0版
–5–
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ATMEGA406
A170R
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