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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第377页 > AD8065
高性能， 145 MHz的
FastFET
运算放大器
AD8065/AD8066
特点
FET输入放大器
1 pA的输入偏置电流
低成本
高速： 145 MHz的-3 dB带宽（G = 1 ）
180 V / μs压摆率（G = + 2 ）
低噪音
7内华达州/ √Hz的（ F = 10 kHz时）
0.6 FA / √Hz的（ F = 10千赫）
宽电源电压范围： 5 V至24 V
单电源和轨到轨输出
低失调电压1.5 mV的最大
高共模抑制比： -100分贝
出色的失真规格
SFDR -88分贝@ 1 MHz的
低功耗6.4毫安/放大器的典型电源电流
无相位反转
小封装： SOIC - 8 ， SOT- 23-5 ，和MSOP
应用
仪器仪表
光电二极管前置放大器
过滤器
A / D驱动程序
电平转换
缓冲
连接图
V
出1
–V
S 2
+ IN
3
4
AD8065
5
+V
S
NC
1
In
2
AD8065
8
7
6
NC
+V
S
V
OUT
顶视图
（不按比例）
In
+ IN
3
–V
S 4
顶视图
5
NC
（不按比例）
AD8066
V
OUT1 1
–IN1
2
+IN1
3
–V
S 4
顶视图
（不按比例）
8
7
6
5
+V
S
V
OUT2
–IN2
+IN2
02916-E-001
图1 。
概述
在AD8065 / AD8066
1
FastFET放大器电压反馈
放大器，具有FET输入，提供高性能和易用性
的用途。的AD8065是一个单一的放大器和AD8066是一个
双放大器。这些放大器的模拟
Devices，Inc.公司的专有XFCB工艺，并允许例外
低噪音运行（ 7.0纳伏/ √Hz的0.6 FA / √Hz的），以及
非常高的输入阻抗。
具有宽电源电压范围为5 V至24 V ，能够
操作上单电源供电，以及145 MHz的带宽中，
AD8065 / AD8066是设计中的各种工作
应用程序。为了增加通用性，该放大器还含有
轨到轨输出。
尽管成本低，放大器提供出色的整体
性能。为0.02％的微分增益和相位误差
和0.02 ° ，分别沿0.1 dB平坦度为7 MHz的，
使这些放大器非常适合视频应用。另外，
他们提供180 V / μs的高压摆率，出色的失真
（ -88分贝@ 1MHz的SFDR ） ，极高的共模
排斥-100分贝， 1.5 mV的低输入偏移电压
最大温热条件下进行。在AD8065 / AD8066
1
操作只用6.4毫安/放大器的典型电源电流
并能够提供高达负载电流为30毫安。
在AD8065 / AD8066是高性能，高速度，
FET输入放大器在小型封装： SOIC - 8 ，
MSOP -8和SOT- 23-5 。它们的额定工作过
工业温度范围-40℃至+ 85℃ 。
24
21
18
15
增益（dB ）
G = +10
V
O
= 200mV的P-P
G = +5
12
9
G = +2
6
3
G = +1
0
–3
02916-E-002
–6
0.1
1
10
频率（MHz）
100
1000
图2.小信号频率响应
由美国专利号6262633保护。
英文内容
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是，没有责任承担由Analog Devices供其使用，也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利，可能导致其使用的。
规格如有变更，恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.326.8703
2004 ADI公司保留所有权利。
AD8065/AD8066
目录
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
最大功率耗散............................................... ...... 7
输出短路............................................... ..................... 7
典型性能特征............................................. 8
测试电路................................................ ..................................... 15
工作原理............................................... ....................... 18
闭环频率响应........................................... 18
同相闭环频率响应.................. 18
反向闭环频率响应......................... 18
宽带运营................................................ ................. 19
输入保护................................................ .......................... 19
散热注意事项................................................ ............ 20
输入和输出过载行为...................................... 20
布局，接地和旁路注意事项................... 21
电源旁路............................................... ............. 21
接地................................................. .................................. 21
漏电流................................................ ........................ 22
输入电容................................................ ....................... 22
输出电容................................................ ................... 22
输入 - 输出耦合............................................ ............ 23
宽带光电二极管前置放大器............................................... 23
高速JFET输入仪表放大器.............. 24
视频缓冲................................................ ................................ 24
外形尺寸................................................ ....................... 25
订购指南................................................ ........................... 26
修订历史
2月4日，数据表自Rev. D的更改为牧师E.
更新格式................................................ .................通用
更新图56 ............................................... .......................... 21
更新的外形尺寸............................................... ....... 25
更新订购指南............................................... ............... 26
从版本C 11月3日，数据表改为启D.
更改功能............................................... ......................... 1
更改连接图.............................................. 1 ..
更新订购指南............................................... ................. 5
更新的外形尺寸............................................... ....... 22
从REV 4月3日，数据表发生变化。 B到REV 。 C.
对于AD8065 ........................................新增SOIC - 8 （ R） 4 .......
从版本A 2/ 03-数据表改为版本B.
更改绝对最大额定值...................................... 4
更改测试电路............................................. 10 .............. 14
更改测试电路............................................. 11 .............. 15
更改同相闭环频率响应16
更改反相闭环频率响应....... 16
更新了图6 ............................................... ........................... 18
图7 ..............................................变化......................... 19
变化图10 .............................................. ..................... 21
图11 ..............................................变化....................... 22
切换到高速JFET仪表放大器....... 22
更改视频缓冲.............................................. ................. 22
从REV 8月2日，数据表发生变化。 0到REV 。 A.
加入AD8066 ................................................ ..................通用
新增SOIC - 8 （ R）和MSOP - 8 （ RM ） .................................... 1 ....
编辑概述.............................................. 1 ...........
编辑规格............................................... ...................... 2
新图2 ............................................... ..................................... 5
更改订购指南.............................................. ............. 5
编辑TPC的18 ， 25 ，和28 ......................................... .................. 8
新的TPC 36 ............................................... .................................... 11
增加了测试电路10和11 ............................................ ......... 14
MSOP （ RM - 8 ）加入........................................... ......................... 23
修订版E |页28 2
AD8065/AD8066
特定网络阳离子
@ T
A
= 25 ° C，V
S
= -5 V ，R
L
= 1千欧，除非另有说明。
表1中。
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P （ AD8065 ）
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P （ AD8066 ）
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 1 ， -5.5 V至+5.5 V
G = -1 ， -5.5 V至+5.5 V
G = 2 ，V
O
= 4 V步骤
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
G = 2 ，V
O
= 8 V步
f
C
=为1 MHz ，G = + 2 ，V
O
= 2 V P-P
f
C
= 5兆赫，G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
f
C
=为1 MHz ，G = + 2 ，V
O
= 8 V P-P
f
C
= 10兆赫，R
L
= 100
F = 10千赫
F = 10千赫
NTSC ，G = 2 ，R
L
= 150
NTSC ，G = 2 ，R
L
= 150
V
CM
= 0 V ， SOIC封装
SOIC封装
T
民
给T
最大
T
民
给T
最大
V
O
= -3 V ，R
L
= 1 k
民
100
100
典型值
145
120
50
42
7
175
170
180
55
205
88
67
73
24
7
0.6
0.02
0.02
0.4
1
2
25
1
1
113
1000 || 2.1
1000 || 4.5
-5至+1.7
见工作原理部分
V
CM
= -1 V至+1 V
V
CM
= -1 V至+1 V（ SOT- 23 ）
R
L
= 1 k
R
L
= 150
V
O
= 9 V P-P ， SFDR ≥ -60 dBc的， F = 500千赫
30 ％的过冲G = 1
5
-PSRR
85
6.4
100
85
82
-4.88至4.90
-5.0到+2.4
-5.0到+5.0
100
91
-4.94至4.95
-4.8到4.7
35
90
20
24
7.2
1.5
17
6
10
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
ns
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
%
度
mV
μV/°C
pA
pA
pA
pA
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
dB
V
V
mA
mA
pF
V
mA
dB
带宽为0.1 dB平坦度
输入过驱动恢复时间
输出恢复时间
压摆率
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
SFDR
130
三阶交调截
输入电压噪声
输入电流噪声
微分增益误差
差分相位误差
直流性能
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
使用范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
100
修订版E |第28 3
AD8065/AD8066
@ T
A
= 25 ° C，V
S
= ± 12 V ，R
L
= 1千欧，除非另有说明。
表2中。
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P （ AD8065 ）
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P （ AD8066 ）
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 1 ， -12.5 V至12.5 V
G = -1 ， -12.5 V至12.5 V
G = 2 ，V
O
= 4 V步骤
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
G = 2 ，V
O
= 10 V步骤
f
C
=为1 MHz ，G = + 2 ，V
O
= 2 V P-P
f
C
= 5兆赫，G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
f
C
=为1 MHz ，G = + 2 ，V
O
= 10 V P-P
f
C
= 10兆赫，R
L
= 100
F = 10千赫
F = 10千赫
NTSC ，G = 2 ，R
L
= 150
NTSC ，G = 2 ，R
L
= 150
V
CM
= 0 V ， SOIC封装
SOIC封装
T
民
给T
最大
T
民
给T
最大
V
O
= -10 V ，R
L
= 1 k
民
100
100
典型值
145
115
50
40
7
175
170
180
55
250
100
67
85
24
7
1
0.04
0.03
0.4
1
3
25
2
2
114
1000 || 2.1
1000 || 4.5
-12至+8.5
见工作原理部分
V
CM
= -1 V至+1 V
V
CM
= -1 V至+1 V（ SOT- 23 ）
R
L
= 1 k
R
L
= 350
V
O
= 22 V P-P ， SFDR ≥ -60 dBc的， F = 500千赫
30 ％的过冲G = 1
5
-PSRR
84
6.6
93
85
82
-11.8至11.8
-12.0至9.5
-12.0至12.0
100
91
-11.9至11.9
-11.25至11.5
30
120
25
24
7.4
1.5
17
7
10
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
ns
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
%
度
mV
μV/°C
pA
pA
pA
pA
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
dB
V
V
mA
mA
pF
V
mA
dB
带宽为0.1 dB平坦度
输入过驱动恢复
输出过驱动恢复
压摆率
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
SFDR
130
三阶交调截
输入电压噪声
输入电流噪声
微分增益误差
差分相位误差
直流性能
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
使用范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
103
修订版E |第28 4
AD8065/AD8066
@ T
A
= 25 ° C，V
S
= 5 V ，R
L
= 1千欧，除非另有说明。
表3中。
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P （ AD8065 ）
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P （ AD8066 ）
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 1 ， -0.5 V至+5.5 V
G = -1 ， -0.5 V至+5.5 V
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
f
C
=为1 MHz ，G = + 2 ，V
O
= 2 V P-P
f
C
= 5兆赫，G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
f
C
= 10兆赫，R
L
= 100
F = 10千赫
F = 10千赫
NTSC ，G = 2 ，R
L
= 150
NTSC ，G = 2 ，R
L
= 150
V
CM
= 1.0 V， SOIC封装
SOIC封装
T
民
给T
最大
T
民
给T
最大
V
O
= 1 V 4 V（ AD8065 ）
V
O
= 1 V 4 V（ AD8066 ）
民
125
110
典型值
155
130
50
43
6
175
170
160
60
65
50
22
7
0.6
0.13
0.16
0.4
1
1
25
1
1
113
103
1000 || 2.1
1000 || 4.5
0至1.7
见工作原理部分
V
CM
= 1 V至24 V
V
CM
= 1 V 2 V（ SOT -23 ）
R
L
= 1 k
R
L
= 150
V
O
= 4 V P-P ， SFDR ≥ -60 dBc的， F = 500千赫
30 ％的过冲G = 1
5
5.8
78
74
78
0.1 4.85
0至2.4
0-5.0
100
91
0.03 4.95
0.07 4.83
35
75
5
24
7.0
1.5
17
5
5
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
dBc的
dBc的
DBM
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
%
度
mV
μV/°C
pA
pA
pA
pA
dB
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
dB
V
V
mA
mA
pF
V
mA
dB
带宽为0.1 dB平坦度
输入过驱动恢复时间
输出恢复时间
压摆率
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
SFDR
三阶交调截
输入电压噪声
输入电流噪声
微分增益误差
差分相位误差
直流性能
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
使用范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
105
100
90
-PSRR
6.4
100
修订版E |第28 5
高性能， 145 MHz的
FastFET
运算放大器
AD8065/AD8066
特点
FET输入放大器
1 pA的输入偏置电流
低成本
高速： 145 MHz的-3 dB带宽（G = 1 ）
180 V / μs压摆率（G = + 2 ）
低噪音
7内华达州/ √Hz的（ F = 10 kHz时）
0.6 FA / √Hz的（ F = 10千赫）
宽电源电压范围： 5 V至24 V
单电源和轨到轨输出
低失调电压1.5 mV的最大
高共模抑制比： -100分贝
出色的失真规格
SFDR -88分贝@ 1 MHz的
低功耗6.4毫安/放大器的典型电源电流
无相位反转
小封装： SOIC - 8 ， SOT- 23-5 ，和MSOP
应用
仪器仪表
光电二极管前置放大器
过滤器
A / D驱动程序
电平转换
缓冲
连接图
V
出1
–V
S 2
+ IN
3
4
AD8065
5
+V
S
NC
1
In
2
AD8065
8
7
6
NC
+V
S
V
OUT
顶视图
（不按比例）
In
+ IN
3
–V
S 4
顶视图
5
NC
（不按比例）
AD8066
V
OUT1 1
–IN1
2
+IN1
3
–V
S 4
顶视图
（不按比例）
8
7
6
5
+V
S
V
OUT2
–IN2
+IN2
02916-E-001
图1 。
概述
在AD8065 / AD8066
1
FastFET放大器电压反馈
放大器，具有FET输入，提供高性能和易用性
的用途。的AD8065是一个单一的放大器和AD8066是一个
双放大器。这些放大器的模拟
Devices，Inc.公司的专有XFCB工艺，并允许例外
低噪音运行（ 7.0纳伏/ √Hz的0.6 FA / √Hz的），以及
非常高的输入阻抗。
具有宽电源电压范围为5 V至24 V ，能够
操作上单电源供电，以及145 MHz的带宽中，
AD8065 / AD8066是设计中的各种工作
应用程序。为了增加通用性，该放大器还含有
轨到轨输出。
尽管成本低，放大器提供出色的整体
性能。为0.02％的微分增益和相位误差
和0.02 ° ，分别沿0.1 dB平坦度为7 MHz的，
使这些放大器非常适合视频应用。另外，
他们提供180 V / μs的高压摆率，出色的失真
（ -88分贝@ 1MHz的SFDR ） ，极高的共模
排斥-100分贝， 1.5 mV的低输入偏移电压
最大温热条件下进行。在AD8065 / AD8066
1
操作只用6.4毫安/放大器的典型电源电流
并能够提供高达负载电流为30毫安。
在AD8065 / AD8066是高性能，高速度，
FET输入放大器在小型封装： SOIC - 8 ，
MSOP -8和SOT- 23-5 。它们的额定工作过
工业温度范围-40℃至+ 85℃ 。
24
21
18
15
增益（dB ）
G = +10
V
O
= 200mV的P-P
G = +5
12
9
G = +2
6
3
G = +1
0
–3
02916-E-002
–6
0.1
1
10
频率（MHz）
100
1000
图2.小信号频率响应
由美国专利号6262633保护。
英文内容
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是，没有责任承担由Analog Devices供其使用，也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利，可能导致其使用的。
规格如有变更，恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.326.8703
2004 ADI公司保留所有权利。
AD8065/AD8066
目录
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
最大功率耗散............................................... ...... 7
输出短路............................................... ..................... 7
典型性能特征............................................. 8
测试电路................................................ ..................................... 15
工作原理............................................... ....................... 18
闭环频率响应........................................... 18
同相闭环频率响应.................. 18
反向闭环频率响应......................... 18
宽带运营................................................ ................. 19
输入保护................................................ .......................... 19
散热注意事项................................................ ............ 20
输入和输出过载行为...................................... 20
布局，接地和旁路注意事项................... 21
电源旁路............................................... ............. 21
接地................................................. .................................. 21
漏电流................................................ ........................ 22
输入电容................................................ ....................... 22
输出电容................................................ ................... 22
输入 - 输出耦合............................................ ............ 23
宽带光电二极管前置放大器............................................... 23
高速JFET输入仪表放大器.............. 24
视频缓冲................................................ ................................ 24
外形尺寸................................................ ....................... 25
订购指南................................................ ........................... 26
修订历史
2月4日，数据表自Rev. D的更改为牧师E.
更新格式................................................ .................通用
更新图56 ............................................... .......................... 21
更新的外形尺寸............................................... ....... 25
更新订购指南............................................... ............... 26
从版本C 11月3日，数据表改为启D.
更改功能............................................... ......................... 1
更改连接图.............................................. 1 ..
更新订购指南............................................... ................. 5
更新的外形尺寸............................................... ....... 22
从REV 4月3日，数据表发生变化。 B到REV 。 C.
对于AD8065 ........................................新增SOIC - 8 （ R） 4 .......
从版本A 2/ 03-数据表改为版本B.
更改绝对最大额定值...................................... 4
更改测试电路............................................. 10 .............. 14
更改测试电路............................................. 11 .............. 15
更改同相闭环频率响应16
更改反相闭环频率响应....... 16
更新了图6 ............................................... ........................... 18
图7 ..............................................变化......................... 19
变化图10 .............................................. ..................... 21
图11 ..............................................变化....................... 22
切换到高速JFET仪表放大器....... 22
更改视频缓冲.............................................. ................. 22
从REV 8月2日，数据表发生变化。 0到REV 。 A.
加入AD8066 ................................................ ..................通用
新增SOIC - 8 （ R）和MSOP - 8 （ RM ） .................................... 1 ....
编辑概述.............................................. 1 ...........
编辑规格............................................... ...................... 2
新图2 ............................................... ..................................... 5
更改订购指南.............................................. ............. 5
编辑TPC的18 ， 25 ，和28 ......................................... .................. 8
新的TPC 36 ............................................... .................................... 11
增加了测试电路10和11 ............................................ ......... 14
MSOP （ RM - 8 ）加入........................................... ......................... 23
修订版E |页28 2
AD8065/AD8066
特定网络阳离子
@ T
A
= 25 ° C，V
S
= -5 V ，R
L
= 1千欧，除非另有说明。
表1中。
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P （ AD8065 ）
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P （ AD8066 ）
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 1 ， -5.5 V至+5.5 V
G = -1 ， -5.5 V至+5.5 V
G = 2 ，V
O
= 4 V步骤
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
G = 2 ，V
O
= 8 V步
f
C
=为1 MHz ，G = + 2 ，V
O
= 2 V P-P
f
C
= 5兆赫，G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
f
C
=为1 MHz ，G = + 2 ，V
O
= 8 V P-P
f
C
= 10兆赫，R
L
= 100
F = 10千赫
F = 10千赫
NTSC ，G = 2 ，R
L
= 150
NTSC ，G = 2 ，R
L
= 150
V
CM
= 0 V ， SOIC封装
SOIC封装
T
民
给T
最大
T
民
给T
最大
V
O
= -3 V ，R
L
= 1 k
民
100
100
典型值
145
120
50
42
7
175
170
180
55
205
88
67
73
24
7
0.6
0.02
0.02
0.4
1
2
25
1
1
113
1000 || 2.1
1000 || 4.5
-5至+1.7
见工作原理部分
V
CM
= -1 V至+1 V
V
CM
= -1 V至+1 V（ SOT- 23 ）
R
L
= 1 k
R
L
= 150
V
O
= 9 V P-P ， SFDR ≥ -60 dBc的， F = 500千赫
30 ％的过冲G = 1
5
-PSRR
85
6.4
100
85
82
-4.88至4.90
-5.0到+2.4
-5.0到+5.0
100
91
-4.94至4.95
-4.8到4.7
35
90
20
24
7.2
1.5
17
6
10
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
ns
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
%
度
mV
μV/°C
pA
pA
pA
pA
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
dB
V
V
mA
mA
pF
V
mA
dB
带宽为0.1 dB平坦度
输入过驱动恢复时间
输出恢复时间
压摆率
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
SFDR
130
三阶交调截
输入电压噪声
输入电流噪声
微分增益误差
差分相位误差
直流性能
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
使用范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
100
修订版E |第28 3
AD8065/AD8066
@ T
A
= 25 ° C，V
S
= ± 12 V ，R
L
= 1千欧，除非另有说明。
表2中。
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P （ AD8065 ）
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P （ AD8066 ）
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 1 ， -12.5 V至12.5 V
G = -1 ， -12.5 V至12.5 V
G = 2 ，V
O
= 4 V步骤
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
G = 2 ，V
O
= 10 V步骤
f
C
=为1 MHz ，G = + 2 ，V
O
= 2 V P-P
f
C
= 5兆赫，G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
f
C
=为1 MHz ，G = + 2 ，V
O
= 10 V P-P
f
C
= 10兆赫，R
L
= 100
F = 10千赫
F = 10千赫
NTSC ，G = 2 ，R
L
= 150
NTSC ，G = 2 ，R
L
= 150
V
CM
= 0 V ， SOIC封装
SOIC封装
T
民
给T
最大
T
民
给T
最大
V
O
= -10 V ，R
L
= 1 k
民
100
100
典型值
145
115
50
40
7
175
170
180
55
250
100
67
85
24
7
1
0.04
0.03
0.4
1
3
25
2
2
114
1000 || 2.1
1000 || 4.5
-12至+8.5
见工作原理部分
V
CM
= -1 V至+1 V
V
CM
= -1 V至+1 V（ SOT- 23 ）
R
L
= 1 k
R
L
= 350
V
O
= 22 V P-P ， SFDR ≥ -60 dBc的， F = 500千赫
30 ％的过冲G = 1
5
-PSRR
84
6.6
93
85
82
-11.8至11.8
-12.0至9.5
-12.0至12.0
100
91
-11.9至11.9
-11.25至11.5
30
120
25
24
7.4
1.5
17
7
10
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
ns
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
%
度
mV
μV/°C
pA
pA
pA
pA
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
dB
V
V
mA
mA
pF
V
mA
dB
带宽为0.1 dB平坦度
输入过驱动恢复
输出过驱动恢复
压摆率
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
SFDR
130
三阶交调截
输入电压噪声
输入电流噪声
微分增益误差
差分相位误差
直流性能
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
使用范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
103
修订版E |第28 4
AD8065/AD8066
@ T
A
= 25 ° C，V
S
= 5 V ，R
L
= 1千欧，除非另有说明。
表3中。
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P （ AD8065 ）
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P （ AD8066 ）
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 1 ， -0.5 V至+5.5 V
G = -1 ， -0.5 V至+5.5 V
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
f
C
=为1 MHz ，G = + 2 ，V
O
= 2 V P-P
f
C
= 5兆赫，G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
f
C
= 10兆赫，R
L
= 100
F = 10千赫
F = 10千赫
NTSC ，G = 2 ，R
L
= 150
NTSC ，G = 2 ，R
L
= 150
V
CM
= 1.0 V， SOIC封装
SOIC封装
T
民
给T
最大
T
民
给T
最大
V
O
= 1 V 4 V（ AD8065 ）
V
O
= 1 V 4 V（ AD8066 ）
民
125
110
典型值
155
130
50
43
6
175
170
160
60
65
50
22
7
0.6
0.13
0.16
0.4
1
1
25
1
1
113
103
1000 || 2.1
1000 || 4.5
0至1.7
见工作原理部分
V
CM
= 1 V至24 V
V
CM
= 1 V 2 V（ SOT -23 ）
R
L
= 1 k
R
L
= 150
V
O
= 4 V P-P ， SFDR ≥ -60 dBc的， F = 500千赫
30 ％的过冲G = 1
5
5.8
78
74
78
0.1 4.85
0至2.4
0-5.0
100
91
0.03 4.95
0.07 4.83
35
75
5
24
7.0
1.5
17
5
5
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
dBc的
dBc的
DBM
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
%
度
mV
μV/°C
pA
pA
pA
pA
dB
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
dB
V
V
mA
mA
pF
V
mA
dB
带宽为0.1 dB平坦度
输入过驱动恢复时间
输出恢复时间
压摆率
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
SFDR
三阶交调截
输入电压噪声
输入电流噪声
微分增益误差
差分相位误差
直流性能
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
使用范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
105
100
90
-PSRR
6.4
100
修订版E |第28 5
高性能， 145 MHz的
FastFET
运算放大器
AD8065/AD8066
特点
FET输入放大器
1 pA的输入偏置电流
低成本
高速： 145 MHz的-3 dB带宽（G = 1 ）
180 V / μs压摆率（G = + 2 ）
低噪音
7内华达州/ √Hz的（ F = 10 kHz时）
0.6 FA / √Hz的（ F = 10千赫）
宽电源电压范围： 5 V至24 V
单电源和轨到轨输出
低失调电压1.5 mV（最大值）
高共模抑制比： -100分贝
出色的失真规格
SFDR -88 dBc的@ 1兆赫
低功耗6.4毫安/放大器的典型电源电流
无相位反转
小封装： SOIC - 8 ， SOT- 23-5 ，和MSOP - 8
应用
仪器仪表
光电二极管前置放大器
过滤器
A / D驱动程序
电平转换
缓冲
连接图
V
出1
–V
S 2
+ IN
3
4
AD8065
5
+V
S
NC
1
In
2
AD8065
8
7
6
NC
+V
S
V
OUT
顶视图
（不按比例）
In
+ IN
3
–V
S 4
顶视图
5
NC
（不按比例）
AD8066
V
OUT1 1
–IN1
2
+IN1
3
–V
S 4
顶视图
（不按比例）
8
7
6
5
+V
S
V
OUT2
–IN2
+IN2
02916-E-001
图1 。
概述
在AD8065 / AD8066
1
FastFET
放大器电压反馈
放大器，具有FET输入，提供高性能和易用性
的用途。的AD8065是一个单一的放大器和AD8066是一个
双放大器。这些放大器的模拟
Devices，Inc.公司的专有XFCB工艺，并允许例外
低噪音运行（ 7.0纳伏/ √Hz的0.6 FA / √Hz的），以及
非常高的输入阻抗。
具有宽电源电压范围为5 V至24 V ，能够
操作上单电源供电，以及145 MHz的带宽中，
AD8065 / AD8066是设计中的各种工作
应用程序。为了增加通用性，该放大器还含有
轨到轨输出。
尽管成本低，放大器提供出色的整体
性能。为0.02％的微分增益和相位误差
和0.02 ° ，分别沿0.1 dB平坦度为7 MHz的，
使这些放大器非常适合视频应用。另外，
他们提供180 V / μs的高压摆率，出色的失真
（ -88 dBc的@ 1MHz的SFDR ） ，极高的共模
排斥-100分贝， 1.5 mV的低输入偏移电压
最大温热条件下进行。在AD8065 / AD8066
1
操作只用6.4毫安/放大器的典型电源电流
并能够提供高达负载电流为30毫安。
在AD8065 / AD8066是高性能，高速， FET
输入放大器在小型封装： SOIC - 8 ， MSOP - 8 ，
和SOT -23-5 。它们的额定工作在工业
温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。
24
21
18
15
增益（dB ）
G = +10
V
O
= 200mV的P-P
G = +5
12
9
G = +2
6
3
G = +1
0
–3
02916-E-002
–6
0.1
1
10
频率（MHz）
100
1000
图2.小信号频率响应
由美国专利号6262633保护。
启摹
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
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AD8065/AD8066
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
最大功率耗散............................................... ...... 7
输出短路............................................... ..................... 7
典型性能特征............................................. 8
测试电路................................................ ................................. 15
工作原理............................................... ....................... 18
闭环频率响应........................................... 18
同相闭环频率响应.................. 18
反向闭环频率响应......................... 18
宽带运营................................................ ................. 19
输入保护................................................ ......................... 19
散热注意事项................................................ ............ 20
输入和输出过载行为..................................... 20
布局，接地和旁路注意事项.................. 21
电源旁路............................................... ............. 21
接地................................................. .................................. 21
漏电流................................................ ........................ 22
输入电容................................................ ...................... 22
输出电容................................................ ................... 22
输入 - 输出耦合............................................ ............ 23
宽带光电二极管前置放大器............................................... 23
高速JFET输入仪表放大器.............. 24
视频缓冲................................................ ................................ 24
外形尺寸................................................ ....................... 25
订购指南................................................ .......................... 26
从版本A 2/ 03-数据表改为版本B.
更改绝对最大额定值...................................... 4
更改测试电路............................................. 10 .............. 14
更改测试电路............................................. 11 .............. 15
更改同相闭环频率响应16
更改反相闭环频率响应....... 16
更新了图6 ............................................... ........................... 18
图7 ..............................................变化......................... 19
图10 ..............................................变化....................... 21
图11 ..............................................变化....................... 22
切换到高速JFET仪表放大器....... 22
更改视频缓冲.............................................. ................. 22
从REV 8月2日，数据表发生变化。 0到REV 。 A.
加入AD8066 ................................................ ..................通用
新增SOIC - 8 （ R）和MSOP - 8 （ RM ） .................................... 1 ....
编辑概述.............................................. 1 ...........
编辑规格............................................... ...................... 2
新图2 ............................................... ..................................... 5
更改订购指南.............................................. ............. 5
编辑TPC的18 ， 25 ，和28 ......................................... ................. 8
新的TPC 36 ............................................... .................................... 11
增加了测试电路10和11 ............................................ ......... 14
MSOP （ RM - 8 ）加入........................................... ......................... 23
修订历史
1/06 -REV 。 F到牧师摹
更改订购指南.............................................. ............ 26
12月5日 - 修订版。 E至版本F
更新格式................................................ ..................通用
更改功能............................................... ........................... 1
更改概述.............................................. ...... 1
变化图22 图27 ..................................... 11
更新的外形尺寸............................................... ........ 25
更改订购指南.............................................. ............ 26
2月4日，数据表自Rev. D的更改为牧师E.
更新格式................................................ ................通用
更新图56 ............................................... .......................... 21
更新的外形尺寸............................................... ....... 25
更新订购指南............................................... ............... 26
从版本C 11月3日，数据表改为启D.
更改功能............................................... .......................... 1
更改连接图.............................................. 1 ..
更新订购指南............................................... ................. 5
更新的外形尺寸............................................... ....... 22
从REV 4月3日，数据表发生变化。 B到REV 。 C.
对于AD8065 ........................................新增SOIC - 8 （ R） 4 .......
修订版G |页28 2
AD8065/AD8066
特定网络阳离子
@ T
A
= 25 ° C，V
S
= -5 V ，R
L
= 1千欧，除非另有说明。
表1中。
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P （ AD8065 ）
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P （ AD8066 ）
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 1 ， -5.5 V至+5.5 V
G = -1 ， -5.5 V至+5.5 V
G = 2 ，V
O
= 4 V步骤
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
G = 2 ，V
O
= 8 V步
f
C
=为1 MHz ，G = + 2 ，V
O
= 2 V P-P
f
C
= 5兆赫，G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
f
C
=为1 MHz ，G = + 2 ，V
O
= 8 V P-P
f
C
= 10兆赫，R
L
= 100 Ω
F = 10千赫
F = 10千赫
NTSC ，G = 2 ，R
L
= 150 Ω
NTSC ，G = 2 ，R
L
= 150 Ω
V
CM
= 0 V ， SOIC封装
SOIC封装
T
民
给T
最大
T
民
给T
最大
V
O
= -3 V ，R
L
= 1 kΩ
民
100
100
典型值
145
120
50
42
7
175
170
180
55
205
88
67
73
24
7
0.6
0.02
0.02
0.4
1
2
25
1
1
113
1000 || 2.1
1000 || 4.5
-5至+1.7
见工作原理部分
V
CM
= -1 V至+1 V
V
CM
= -1 V至+1 V（ SOT- 23 ）
R
L
= 1 kΩ
R
L
= 150 Ω
V
O
= 9 V P-P ， SFDR ≥ -60 dBc的， F = 500千赫
30 ％的过冲G = 1
5
-PSRR
85
6.4
100
85
82
-4.88至4.90
-5.0到+2.4
-5.0到+5.0
100
91
-4.94至4.95
-4.8到4.7
35
90
20
24
7.2
1.5
17
6
10
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
ns
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
%
度
mV
μV/°C
pA
pA
pA
pA
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
dB
V
V
mA
mA
pF
V
mA
dB
带宽为0.1 dB平坦度
输入过驱动恢复时间
输出恢复时间
压摆率
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
SFDR
130
三阶交调截
输入电压噪声
输入电流噪声
微分增益误差
差分相位误差
直流性能
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
使用范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
100
修订版G |第28 3
AD8065/AD8066
@ T
A
= 25 ° C，V
S
= ± 12 V ，R
L
= 1千欧，除非另有说明。
表2中。
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P （ AD8065 ）
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P （ AD8066 ）
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 1 ， -12.5 V至12.5 V
G = -1 ， -12.5 V至12.5 V
G = 2 ，V
O
= 4 V步骤
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
G = 2 ，V
O
= 10 V步骤
f
C
=为1 MHz ，G = + 2 ，V
O
= 2 V P-P
f
C
= 5兆赫，G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
f
C
=为1 MHz ，G = + 2 ，V
O
= 10 V P-P
f
C
= 10兆赫，R
L
= 100 Ω
F = 10千赫
F = 10千赫
NTSC ，G = 2 ，R
L
= 150 Ω
NTSC ，G = 2 ，R
L
= 150 Ω
V
CM
= 0 V ， SOIC封装
SOIC封装
T
民
给T
最大
T
民
给T
最大
V
O
= -10 V ，R
L
= 1 kΩ
民
100
100
典型值
145
115
50
40
7
175
170
180
55
250
100
67
85
24
7
1
0.04
0.03
0.4
1
3
25
2
2
114
1000 || 2.1
1000 || 4.5
-12至+8.5
见工作原理部分
V
CM
= -1 V至+1 V
V
CM
= -1 V至+1 V（ SOT- 23 ）
R
L
= 1 kΩ
R
L
= 350 Ω
V
O
= 22 V P-P ， SFDR ≥ -60 dBc的， F = 500千赫
30 ％的过冲G = 1
5
-PSRR
84
6.6
93
85
82
-11.8至11.8
-12.0至9.5
-12.0至12.0
100
91
-11.9至11.9
-11.25至11.5
30
120
25
24
7.4
1.5
17
7
10
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
ns
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
%
度
mV
μV/°C
pA
pA
pA
pA
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
dB
V
V
mA
mA
pF
V
mA
dB
带宽为0.1 dB平坦度
输入过驱动恢复
输出过驱动恢复
压摆率
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
SFDR
130
三阶交调截
输入电压噪声
输入电流噪声
微分增益误差
差分相位误差
直流性能
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
使用范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
103
修订版G |第28 4
AD8065/AD8066
@ T
A
= 25 ° C，V
S
= 5 V ，R
L
= 1千欧，除非另有说明。
表3中。
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P （ AD8065 ）
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P （ AD8066 ）
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 1 ， -0.5 V至+5.5 V
G = -1 ， -0.5 V至+5.5 V
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
f
C
=为1 MHz ，G = + 2 ，V
O
= 2 V P-P
f
C
= 5兆赫，G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
f
C
= 10兆赫，R
L
= 100 Ω
F = 10千赫
F = 10千赫
NTSC ，G = 2 ，R
L
= 150 Ω
NTSC ，G = 2 ，R
L
= 150 Ω
V
CM
= 1.0 V， SOIC封装
SOIC封装
T
民
给T
最大
T
民
给T
最大
V
O
= 1 V 4 V（ AD8065 ）
V
O
= 1 V 4 V（ AD8066 ）
民
125
110
典型值
155
130
50
43
6
175
170
160
60
65
50
22
7
0.6
0.13
0.16
0.4
1
1
25
1
1
113
103
1000 || 2.1
1000 || 4.5
0至1.7
见工作原理部分
V
CM
= 0.5 V至1.5 V
V
CM
= 1 V 2 V（ SOT -23 ）
R
L
= 1 kΩ
R
L
= 150 Ω
V
O
= 4 V P-P ， SFDR ≥ -60 dBc的， F = 500千赫
30 ％的过冲G = 1
5
5.8
78
74
78
0.1 4.85
0至2.4
0-5.0
100
91
0.03 4.95
0.07 4.83
35
75
5
24
7.0
1.5
17
5
5
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
dBc的
dBc的
DBM
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
%
度
mV
μV/°C
pA
pA
pA
pA
dB
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
dB
V
V
mA
mA
pF
V
mA
dB
带宽为0.1 dB平坦度
输入过驱动恢复时间
输出恢复时间
压摆率
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
SFDR
三阶交调截
输入电压噪声
输入电流噪声
微分增益误差
差分相位误差
直流性能
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
使用范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
105
100
90
-PSRR
6.4
100
修订版G |第28 5
双8位， 10位， 12位，高带宽
乘法数模转换器，串行接口
AD5429/AD5439/AD5449
特点
10 MHz的乘法带宽
50MHz的串行接口
2.5 V至5.5 V电源供电
± 10 V基准电压输入
引脚兼容的8位，10位和12位数模转换器
扩展级温度范围： -40 ° C至+ 125°C
16引脚TSSOP封装
保证单调性
上电复位
菊花链模式
回读功能
0.5 μA典型电流消耗
功能框图
V
REF
A
AD5429/AD5439/AD5449
V
DD
SYNC
SCLK
SDIN
SDO
CLR
输入
注册
LDAC
DAC
注册
移
注册
输入
注册
DAC
注册
8-/10-/12-BIT
R- 2R DAC A
RFB
R
R
FB
A
I
OUT
1A
I
OUT
2A
POWER- ON
RESET
8-/10-/12-BIT
R-2R DAC B
I
OUT
1B
I
OUT
2B
R
FB
B
04464-0-001
RFB
R
LDAC
V
REF
B
图1 。
应用
便携式电池供电应用
波形发生器
模拟处理
仪器仪表应用
可编程放大器和衰减器
数字控制校准
可编程滤波器和振荡器
复合视频
超声
增益，偏移和电压微调
概述
在AD5429 / AD5439 / AD5449
1
是CMOS 8位，10位和12位
双通道的电流输出的数字 - 模拟转换器，
分别。这些器件采用2.5 V至5.5 V电源工作
供电，因此适合电池供电和其他
应用程序。
所施加的外部基准输入电压（V
REF
）决定
满量程输出电流。集成的反馈电阻
(R
FB
）可提供温度跟踪和满量程电压
输出时，与外部的电流 - 电压组合
精密放大器。
这些DAC采用双缓冲三线式串行接口
这是SPI ， QSPI ， MICROWIRE 和兼容大多数
DSP接口标准。此外，串行数据输出引脚（SDO ）
可以菊链多个封装时使用。数据
回读允许用户读取DAC的内容
通过SDO引脚注册。上电时，内部移位
寄存器和锁存以零填充，DAC输出
处于零电平。
作为制造上的CMOS亚微米工艺的结果，
这些器件提供出色的四象限乘法character-
istics ，具有10 MHz的大信号乘法带宽。
在AD5429 / AD5439 / AD5449 DAC是16引脚
TSSOP封装。
1
美国专利号5689257 。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是，没有责任承担由Analog Devices供其使用，也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利，可能导致其使用的。
规格如有变更，恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.326.8703
2004 ADI公司保留所有权利。
AD5429/AD5439/AD5449
目录
规格................................................. .................................... 3
时序特性................................................ ..................... 5
绝对最大额定值............................................... ............. 7
ESD注意事项................................................ .................................. 7
引脚配置和功能说明............................. 8
术语................................................. ..................................... 9
典型性能特征........................................... 10
概述................................................ ....................... 15
单极性模式................................................ ............................ 15
双极性工作................................................ ....................... 16
稳定................................................. ....................................... 16
单电源应用.............................................. .......... 17
正输出电压............................................... .............. 17
添加增益................................................ ................................ 18
分频器或可编程增益元件................................ 18
参考选择................................................ .................... 19
功放的选择................................................ .................... 19
串行接口................................................ ................................ 20
微处理器接口................................................ ....... 22
PCB布局和电源去耦................................ 24
电源供应器的评估板................................ 24
评估板用于DAC的............................................. ... 24
AD54xx设备概述.............................................. ......... 28
外形尺寸................................................ ....................... 29
订购指南................................................ .......................... 29
修订历史
7月4日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第32 2
AD5429/AD5439/AD5449
特定网络阳离子
V
DD
= 2.5 V至5.5 V ，V
REF
= 10 V，I
OUT
2A ，我
OUT
2B = 0 V.所有规格牛逼
民
给T
最大，
除非另有说明。测量DC性能
与OP1177 ，与AD9631的交流性能，除非另有说明。温度范围Y的版本为-40 ° C至+ 125°C 。
表1中。
参数
静态性能
AD5429
决议
相对精度
微分非线性
AD5439
决议
相对精度
微分非线性
AD5449
决议
相对精度
微分非线性
增益误差
增益误差温度系数
1
输出漏电流
参考输入
1
基准电压输入范围
V
REF
A，V
REF
B输入电阻
V
REF
A / B输入阻抗不匹配
数字量输入/输出
1
输入高电压，V
IH
输入低电压，V
IL
输入漏电流，I
IL
输入电容
V
DD
= 4.5 V至5.5 V
输出低电压，V
OL
输出高电压，V
OH
V
DD
= 2.5 V至3.6 V
输出低电压，V
OL
输出高电压，V
OH
动态性能
1
参考乘法带宽
输出电压建立时间
AD5429
AD5439
AD5449
DIGITAL DELAY
数模转换毛刺脉冲
倍增馈通误差
民
典型值
最大
单位
条件
8
±0.5
±1
10
±0.5
±1
12
±1
1/+2
±10
±5
±5
±10
±10
10
1.6
位
最低位
最低位
位
最低位
最低位
位
最低位
最低位
mV
FSR PPM /°C的
nA
nA
V
k
%
V
DD
= 2.5 V至5.5 V
V
DD
= 2.7 V至5.5 V
V
DD
= 2.5 V至2.7 V
保证单调性
保证单调性
保证单调性
数据= 0000
H
, T
A
= 25 ° C，I
OUT
1
数据= 0000
H
, I
OUT
1
典型的电阻器TC = -50 PPM /°C的
DAC的输入电阻
典型值= 25°C ，最大值= 125°C
8
12
2.5
V
V
V
A
pF
V
V
V
V
10
1.7
0.8
0.7
1
10
0.4
V
DD
1
0.4
V
DD
0.5
I
SINK
= 200 A
I
来源
= 200 A
I
SINK
= 200 A
I
来源
= 200 A
兆赫
V
REF
= 5 V P-P ， DAC加载全1
测量到FS ± 4毫伏，R
负载
= 100 ,
C
负载
= 0s
DAC锁存器交替装载0
和1
R
负载
= 100 , C
负载
= 15 pF的
1 LSB主进位发生变化，
V
REF
= 0 V
DAC锁存器加载全0 ，
基准= 10千赫
50
55
90
20
3
100
110
160
40
ns
ns
ns
ns
nV-s表示
dB
75
第0版|第32 3
AD5429/AD5439/AD5449
参数
输出电容
数字馈通
总谐波失真
民
典型值
最大
2
4
单位
pF
pF
nV-s表示
dB
dB
纳伏/赫兹÷
条件
DAC锁存器加载全0
DAC锁存器加载全1
穿心到DAC输出在CS为高电平
和全0和全1的替换加载
V
REF
= 5 V P-P ，全1装， F = 1千赫
V
REF
= 5 V ，正弦波的产生
数字码
@ 1千赫
AD5449 ， 65 K个代码，V
REF
= 3.5 V
5
75
75
25
输出噪声谱密度
SFDR性能（宽带）
时钟= 10 MHz的
500千赫FOUT
100千赫FOUT
50千赫FOUT
时钟= 25 MHz的
500千赫FOUT
100千赫FOUT
50千赫FOUT
SFDR性能（窄带）
时钟= 10 MHz的
500千赫FOUT
100千赫FOUT
50千赫FOUT
时钟= 25 MHz的
500千赫FOUT
100千赫FOUT
50千赫FOUT
互调失真
时钟= 10 MHz的
f
1
= 400千赫，女
2
= 500千赫
f
1
= 40千赫，女
2
= 50千赫
时钟= 25 MHz的
f
1
= 400千赫，女
2
= 500千赫
f
1
= 40千赫，女
2
= 50千赫
电源要求
电源电压范围
I
DD
电源灵敏度
1
1
55
63
65
50
60
62
dB
dB
dB
dB
dB
dB
AD5449 ， 65 K个代码，V
REF
= 3.5 V
73
80
87
70
75
80
dB
dB
dB
dB
dB
dB
AD5449 ， 65 K个代码，V
REF
= 3.5 V
65
72
51
65
2.5
5.5
10
0.001
dB
dB
dB
dB
V
A
%/%
逻辑输入= 0 V或V
DD
V
DD
= ±5%
通过设计和特性保证，未经生产测试。
第0版|第32 4
AD5429/AD5439/AD5449
时序特性
V
DD
= 2.5 V至5.5 V ，V
REF
= 5 V，I
OUT
2 = 0 V.所有规格牛逼
民
给T
最大
中，除非另有说明。
参见图2和图3。温度范围Y的版本为-40 ° C至+ 125°C 。通过设计和特性，不受保障
生产测试。所有输入信号均指定tR = tF = ns的（10％ 90 ％的V指定
DD
）和定时从一个电压电平（V
IL
+ V
IH
)/2.
表2中。
参数
f
SCLK
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
t
9
t
10
t
11
t
122
在T限制
民
, T
最大
50
20
8
8
13
5
4
5
30
0
12
10
25
60
单位
兆赫最大
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
条件/评论
1
最大时钟频率
SCLK周期时间
SCLK高电平时间
SCLK低电平时间
SYNC下降沿到SCLK下降沿建立时间
数据建立时间
数据保持时间
SYNC上升沿到SCLK下降沿
最小SYNC高电平时间
SCLK的下降沿到LDAC下降沿
LDAC脉冲宽度
SCLK下降沿到LDAC上升沿
SCLK有效沿到SDO有效的，强大的驱动SDO
SCLK有效沿到SDO有效，弱SDO驱动程序
1
2
下降沿或上升沿由串行字的控制位来确定。通过控制寄存器选择强弱SDO驱动程序。
菊花链和回读模式不能在最大时钟频率运行。 SDO的时序规范与一个负载电路测定，如图4所示。
第0版|第32 5
数据表
特点
16位分辨率AD5545
14位分辨率AD5555
± 1 LSB DNL单调
± 1 LSB INL
2毫安满量程电流± 20 ％ ，与V
REF
= 10 V
0.5 μs的建立时间
2Q乘法参考输入6.9 MHz带宽
零或中间刻度电预设
零或中间刻度重置动态
3线接口
紧凑型16引脚TSSOP封装
双通道，电流输出，
串行输入， 16位/ 14位DAC
AD5545/AD5555
功能框图
V
REF
A
V
REF
B
16或14
D0..DX
SDI
输入
注册
R
DAC A
寄存器R
DAC A
R
FB
A
I
OUT
A
A
GND
A
R
FB
B
CS
EN
CLK
DAC A
B
ADDR
解码
电源 -
ON
RESET
输入
注册
DAC B
寄存器R
DAC B
I
OUT
B
A
GND
B
V
DD
R
AD5545/
AD5555
DGND
RS MSB
LDAC
02918- 0- 001
应用
自动测试设备
仪器仪表
数字控制校准
工业控制的PLC
可编程衰减器
图1 。
产品概述
在AD5545 / AD5555是16位/ 14位，电流输出式数字
模拟转换器设计用于从4.5 V至5.5 V
电源电压范围。
外部基准时，建立满量程
输出电流。内部反馈电阻（R
FB
）增强
电阻和温度跟踪相结合时，
与外部运算放大器来完成I至V转换。
串行数据接口，提供高速，三线微控制器
在（SDI） ，时钟（CLK） ，使用串行数据兼容的输入和
片选（ CS ） 。其他LDAC功能可以让
同时更新操作。内部复位逻辑允许
上电预设和动态复位，在零或中间值，
根据MSB引脚的状态。
在AD5545 / AD5555封装在紧凑型TSSOP- 16
封装，可在-40 ° C至+ 85°C操作。
启摹
文档反馈
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
电话： 781.329.4700 2003-2013 ADI公司保留所有权利。
技术支援
www.analog.com
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
AD5545/AD5555
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
产品概述................................................ ............................. 1
功能框图............................................... ............... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
电气特性................................................ ............. 3
时序图................................................ .......................... 4
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能说明............................. 6
典型性能特征............................................. 7
工作原理............................................... ......................... 9
数位类比转换器............................................ .......... 9
串行数据接口............................................... .................... 10
上电排序.............................................. ..................... 11
布局和电源旁路....................................... 11
数据表
接地................................................. .................................. 11
应用信息................................................ .............. 12
稳定................................................. ....................................... 12
正电压输出............................................... .............. 12
双极性输出................................................ ............................ 12
可编程电流源............................................... 13
DAC，具有可编程的输入参考范围................ 14
参考选择................................................ .................... 15
功放的选择................................................ .................... 15
评估板用于AD5545 ............................................. ... 17
系统演示平台.............................................. 17
操作评估板.............................................. 17
评估板电路图............................................... .... 18
评估板布局............................................... ............ 21
外形尺寸................................................ ....................... 23
订购指南................................................ .......................... 23
修订历史
4月13日 - 修订版。 F到牧师摹
更改产品概述部分.......................................... 1
更改订购指南.............................................. ............ 23
2/13 -REV 。 E至版本F
更改为V
DD
引脚说明，表3 ........................................ 6
改变的ADA4899到ADA4899-1 ，表12 ............................. 16
更改订购指南.............................................. ............ 23
12月11日 - 修订版。 D钮英文内容
加入图13 ;重新编号，按顺序................................ 8
5月11日 - 修订版。 C到Rev. D的
新增评估板用于AD5545科系统
示范平台部分，和操作的评价
董事会第................................................ .................................. 17
加入图25和图26 ;重新编号，按顺序..... 17
新增评估板原理图科，图27 .......... 18
补充图28 ............................................... ............................... 19
补充图29 ............................................... ............................... 20
新增评估板布局部分，如图30和
图31 ， ............................................... .......................................... 21
补充图32 ............................................... ............................... 22
更改订购指南.............................................. ............ 23
3月11日 - 修订版。 B到C版
改变公式4 ，双极性输出部分.......................... 12
4月10日 - 修订版。 A到版本B
更改2Q乘法参考输入................................. 1
表变为交流特性和尾注3 1 4 ...........
图13和图15的变化........................................... 8 ....
增加参考选择部分，放大器选择部分，
和表10 ............................................... ..................................... 15
添加表11和表12 ............................................ ............ 16
更改订购指南.............................................. ............ 17
9月9日 - 修订版。 0到版本A
更改功能部分.............................................. .............. 1
更改静态性能，相对精度， AD5545C
参数表1 .............................................. ............................... 3
移动ESD注意事项............................................... ........................... 5
更改订购指南.............................................. ............ 16
7月3日 - 修订版0 ：初始版
修订版G |页24 2
数据表
特定网络阳离子
电气特性
AD5545/AD5555
V
DD
= 5伏±10％ ，余
OUT
=虚拟GND ， GND = 0 V ，V
REF
= 10 V ，T
A
=整个工作温度范围内，除非另有说明。
表1中。
参数
静态性能
1
决议
相对精度
符号
N
INL
条件
AD5545 ， 1 LSB = V
REF
/2
16
= 153 μV当V
REF
= 10 V
AD5555 ， 1 LSB = V
REF
/2
14
= 610 μV当V
REF
= 10 V
AD5545B
AD5555C
AD5545C
单调
数据= 0×0000 ，T
A
= 25°C
数据= 0×0000 ，T
A
= T
A
最大
数据=满量程
民
典型值
最大
16
14
±2
±1
±1
±1
10
20
±4
单位
位
位
最低位
最低位
最低位
最低位
nA
nA
mV
PPM /°C的
V
k
3
pF
mA
pF
0.8
2.4
10
10
50
10
10
0
10
5
10
5
10
10
50
4.5
逻辑输入= 0 V
逻辑输入= 0 V
V
DD
= ±5%
5.5
10
0.055
0.006
V
V
A
pF
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
V
A
mW
%/%
微分非线性
输出漏电流
满量程增益误差
满量程温度系数
2
参考输入
V
REF
范围
输入阻抗
输入电容
2
模拟输出
输出电流
输出电容
2
逻辑输入和输出
逻辑输入低电压
逻辑输入高电压
输入漏电流
输入电容
2
DNL
I
OUT
G
FSE
TCV
FS
V
REF
R
REF
C
REF
I
OUT
C
OUT
V
IL
V
IH
I
IL
C
IL
±1
1
–12
5
5
+12
数据=满量程
代码依赖
2
200
接口时序
2, 4
时钟输入频率
时钟宽高
时钟宽度低
CS到时钟设置
时钟到CS保持
数据设置
数据保持
LDAC设置
HOLD
LDAC宽度
电源特性
电源电压范围
正电源电流
功耗
电源灵敏度
f
CLK
t
CH
t
CL
t
CSS
t
CSH
t
DS
t
DH
t
LDS
t
LDH
t
LDAC
V
DD
范围
I
DD
P
DISS
PSS
修订版G |第24 3
AD5545/AD5555
参数
AC特性
输出电压设定时间
参考乘法带宽
DAC毛刺脉冲
穿心错误
数字馈通
总谐波失真
模拟串扰
现货输出噪声电压
1
数据表
符号
t
S
BW
Q
V
OUT
/V
REF
Q
THD
C
TA
e
N
条件
±0.1 ％满量程，数据=零刻度
满刻度至零标度
V
REF
= 100 mV的有效值，数据=满量程， C1 = 5.6 pF的
V
REF
= 0 V ，数据=中间值减1 ，以中间值
数据=零刻度，V
REF
= 100 mV的有效值，
F = 1千赫，相同的信道
CS =逻辑高电平和f
CLK
= 1兆赫
V
REF
= 5 V P-P ，数据=满量程， F = 1 kHz至10 kHz的
V
REFB
= 0 V ，测量V
OUTB
随着V
REFA
= 5 V P-P
正弦波，数据=满量程， F = 1 kHz至10 kHz的
F = 1 kHz时， BW = 1赫兹
民
典型值
0.5
6.9
–2
–81
7
–104
–95
12
最大
单位
μs
兆赫
nV-s表示
dB
nV-s表示
dB
dB
纳伏/赫兹÷
所有静态性能测试（除了我
OUT
）都是在闭环系统中使用的外部精度进行
OP1177
I至V转换器放大器。在AD5545
FB
终奌站
是依赖于所述放大器的输出。典型值表示在25℃下测得的平均读数。
2
这些参数由设计保证，不受生产测试。
3
所有的交流特性测试是在一个闭环系统中使用的是进行
AD8038
I至V转换器放大器和
AD8065
为THD规范。
4
所有的输入控制信号与T指定
R
= t
F
= 2.5纳秒（10％至90％的3 V）和从1.5 V的电压电平的定时
时序图
SDI
A1
A0
D15
D14
D13
D12
D11
D10
D1
D0
CLK
输入REG LD
t
DS
CS
t
DH
t
CH
t
CL
t
CSH
t
CSS
LDAC
t
LDS
t
LDAC
t
LDH
02918- 0- 003
图2： AD5545 18位数据字时序图
SDI
A1
A0
D13
D12
D11
D10
D09
D08
D1
D0
CLK
输入REG LD
t
DS
CS
t
DH
t
CH
t
CL
t
CSH
t
CSS
LDAC
t
LDS
t
LDAC
t
LDH
02918- 0- 004
图3. AD5555 16位数据字时序图
修订版G |第24 4
数据表
绝对最大额定值
表2中。
参数
V
DD
到GND
V
REF
到GND
逻辑输入到GND
V（I
OUT
）和GND
输入电流到任何引脚除外
耗材
封装功耗
热电阻 -
JA
16引脚TSSOP
最高结温
(T
J
MAX ）
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
RU- 16 （气相， 60秒）
RU- 16 （红外，15秒）
等级
-0.3 V至+8 V
-18 V至+18 V
-0.3 V至+8 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
-50毫安
(T
J
马克斯 - T的
A
)/θ
JA
150°C/W
150°C
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
215°C
220°C
AD5545/AD5555
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
等级只与所述设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
ESD警告
修订版G |第24 5
双电流输出，并行输入， 16位/ 14位
乘法数模转换器与4象限电阻
数据表
特点
双通道
16位分辨率：
AD5547
14位分辨率：
AD5557
2或4象限， 6.8 MHz带宽乘法DAC
± 1 LSB DNL
± 1 LSB INL
工作电源电压： 2.7 V至5.5 V
低噪音： 12纳伏/ √Hz的
低功耗：我
DD
= 10 μA（最大值）
0.5 μs的建立时间
内置R中
FB
促进电流 - 电压转换
内置的四象限电阻允许0 V至-10 V ， 0 V至+10 V ，
或±10 V输出
2毫安满量程电流± 20 ％ ，与V
REF
= 10 V
扩展汽车工作温度范围
-40 ° C至+ 125°C
可选的零刻度/中间刻度上电预置
紧凑型38引脚TSSOP封装
R
1A
AD5547/AD5557
功能框图
R
COMA
V
REFA
R
OFSA
R
FBA
V
DD
D0到D15
(AD5547)
D0到D13
(AD5557)
D0..D15
OR
D0..D13
输入
注册
RS
DAC A
注册
RS
DAC A
I
OUTA
AGNDA
AGNDB
输入
注册
RS
DAC B
注册
RS
DAC B
I
OUTB
R
FBB
R
OFSB
WR
A0, A1
DAC A
DAC B
ADDR
解码
DGND
RS MSB
LDAC
R
1B
R
梳子
V
REFB
图1 。
概述
该
AD5547/AD5557
是双精度， 16位/ 14位，乘法，
低功耗，电流输出，并行输入，数字 - 模拟
转换器（DAC ） 。他们的目的是从单一经营
+5 V电源为± 10 V乘法文献4象限
与6.8 MHz带宽输出。
内置，四象限电阻有利于电阻匹配
和温度跟踪，这最小化的数量
象限应用所需的元件。此外，
所述反馈电阻器（R
FB
）简化了I至V转换后
外部缓冲器。
该
AD5547/AD5557
可在一个紧凑的38引脚TSSOP
包，并在扩展汽车温度操作
范围为-40 ° C至+ 125°C 。
应用
自动测试设备
仪器仪表
数字控制校准
数字波形生成
VREF
U1
△ Vref的
C1
R
1A
R1
16/14数据
R
COMA
R2
V
REFA
R
OFSA
ROFS
16-/14-BIT
DAC A
R
FBA
RFB
IOUTA
AGNDA
C2
U2
VOUTA
-VREF至+ VREF
AD5547/AD5557
POWER- ON
RESET
WR LDAC RS
最高位A0，A1
WR
LDAC
RS
最高位
A0, A1
图2. 16位/ 14位四象限乘法DAC的外部元件最少（只有一个通道显示）
Rev. D的
文档反馈
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
电话： 781.329.4700 2004-2012 ADI公司保留所有权利。
技术支援
www.analog.com
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
04452-002
2
（一个通道只显示）
04452-013
动力
ON
RESET
AD5547/AD5557
AD5547/AD5557
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
功能框图............................................... ............... 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
电气特性................................................ ............. 3
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能描述........................... 6
典型性能特征........................................... 10
电路工作原理................................................ ........................... 12
数据表
DAC部分................................................ ................................ 12
数字部分................................................ ............................ 13
PCB布线，电源旁路和接地
连接................................................. ............................... 13
应用信息................................................ .............. 14
单极性模式................................................ ........................... 14
双极模式................................................ .............................. 16
参考选择................................................ .................... 18
功放的选择................................................ .................... 18
外形尺寸................................................ ....................... 20
订购指南................................................ .......................... 20
修订历史
11/12 -REV 。 C到Rev. D的
图22 ..............................................变化........................ 15
11月11日 - 修订版。 B到C版
加入图14 ;重新编号按顺序.............................. 11
4月10日 - 修订版。 A到版本B
更改功能科和概述部分。 1
更改表1 .............................................. .............................. 3
删除的图17和图18;重新编号，按顺序... 10
图15和图16的变化........................................... .. 11
图20 ..............................................变化........................ 14
增加参考选择部分，放大器选择部分，
表10和表11;重新编号，按顺序..................... 18
添加表12 ............................................... ................................ 19
9月9日 - 修订版。 0到版本A
更改功能部分.............................................. .............. 1
更改静态性能，相对精度，
等级： AD5547C参数，如表1 ........................................... ... 3
更改订购指南.............................................. ............ 19
1月4日 - 修订版0 ：初始版
修订版D |第20页2
数据表
特定网络阳离子
电气特性
AD5547/AD5557
V
DD
= 2.7 V至5.5 V，I
OUT
=虚拟GND ， GND = 0 V ，V
REF
= -10 V至+10 V，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。
表1中。
参数
静态性能
1
决议
相对精度
符号
N
INL
测试条件/评论
AD5547,
1 LSB = V
REF
/2
16
= 153 μV在V
REF
= 10 V
AD5557,
1 LSB = V
REF
/2
14
= 610 μV在V
REF
= 10 V
等级：
AD5557C
等级：
AD5547B
等级：
AD5547C
单调
数据=零刻度，T
A
= 25°C
数据=零刻度，T
A
= T
A
最大
数据=满量程
数据=满量程
数据=满量程
民
典型值
16
14
±1
±2
±1
±1
10
20
±4
±4
±3
最大
单位
位
位
最低位
最低位
最低位
最低位
nA
nA
mV
mV
mV
PPM /°C的
V
k
k
k
pF
mA
pF
0.8
0.4
2.4
2.1
10
10
见图3
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
20
35
0
0
20
35
20
35
20
35
0
0
V
V
V
V
A
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
微分非线性
输出漏电流
满量程增益误差
双极模式增益误差
双极模式的零刻度误差
满量程温度系数
2
参考输入
V
REF
范围
参考输入电阻
R1和R2的电阻
R 1至R 2不匹配
反馈与补偿电阻
输入电容
2
模拟输出
输出电流
输出电容
2
逻辑输入和输出
逻辑输入低电压
逻辑输入高电压
输入漏电流
输入电容
2
接口时序
2, 3
数据WR建立时间
数据WR保持时间
WR脉冲宽度
LDAC脉冲宽度
RS脉冲宽度
WR到LDAC延迟时间
DNL
I
OUT
G
FSE
G
E
G
ZSE
TCV
FS
V
REF
REF
R1和R2的
Δ （ R1到R2 ）
R
FB
, R
OFS
C
REF
I
OUT
C
OUT
V
IL
V
IH
I
IL
C
IL
t
DS
t
DH
t
WR
t
LDAC
t
RS
t
LWD
±1
±1
±1
1
18
4
4
8
5
5
±0.5
10
5
2
200
+18
6
6
±1.5
12
数据=满量程
代码依赖
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
修订版D |第20页3
AD5547/AD5557
参数
电源特性
电源电压范围
正电源电流
功耗
电源灵敏度
AC特性
4
输出电压建立时间
参考乘法带宽
DAC毛刺脉冲
倍增馈通误差
数字馈通
总谐波失真
输出噪声密度
模拟串扰
1
数据表
符号
V
DD范围
I
DD
P
DISS
P
SS
t
S
BW
Q
V
OUT
/V
REF
Q
D
THD
e
N
C
AT
测试条件/评论
民
2.7
逻辑输入= 0 V
逻辑输入= 0 V
V
DD
= ±5%
为了满量程的± 0.1 ％ ，数据周期从零刻度
到满刻度至零标度
V
REF
= 100 mV的有效值，数据=满量程
V
REF
= 0 V ，中间电平 - 1至中间电平
V
REF
= 100 mV的有效值， F = 10千赫
WR = 1 ， LDAC切换频率为1MHz
V
REF
= 5 V P-P ，数据=满量程， F = 1千赫
F = 1 kHz时， BW = 1赫兹
信号输入的通道A和措施
在通道B输出， F = 1千赫
0.5
6.8
3.5
78
7
104
12
95
典型值
最大
5.5
10
0.055
0.003
单位
V
μA
mW
%/%
μs
兆赫
nV-s表示
dB
nV-s表示
dB
纳伏/赫兹÷
dB
所有静态性能测试（除了我
OUT
）都是在闭环系统中使用的外部精度进行
OP97
I至V转换器放大器。该器械研发
FB
终端
绑到放大器输出端。的的+ IN引脚
OP97
被接地，并且我
OUT
的DAC是联系在一起的
OP97’s
-IN引脚。典型值平均读数
在25 ℃下测定。
2
通过设计保证;不受生产测试。
3
所有的输入控制信号与T指定
R
= t
F
= 2.5纳秒（10％至90％的3 V）和从1.5 V的电压电平被设定时间
4
所有的交流特性测试是在一个闭环系统中使用的是进行
AD8038
除了THD I至V转换放大器，其中
AD8065
被使用。
时序图
t
WR
WR
数据
t
DS
LDAC
t
DH
t
LWD
t
LDAC
t
RS
RS
04452-018
网络连接gure 3 。
AD5547/AD5557
时序图
修订版D |第20页4
数据表
绝对最大额定值
表2中。
参数
V
DD
到GND
R
FB
, R
OFS
, R1, R
COM
和VREF到GND
逻辑输入到GND
V（I
OUT
）和GND
输入电流到任何引脚除外用品
热阻（ θ
JA
)
1
最高结温（T
j max的情况
)
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
气相， 60秒
红外线，持续15秒
1
AD5547/AD5557
等级
-0.3 V至+8 V
-18 V至+18 V
-0.3 V至+8 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
-50毫安
150°C
-40 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
215°C
220°C
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
ESD警告
封装功耗= （T
j max的情况
T
A
)/θ
JA
.
修订版D |第20页5
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