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修订
LTR
A
B
描述
图纸更新,以反映当前的需求。 - RO
进行了更改脚注1 /表I.下进行更改+ V
OUT
TEST
根据表一,添加新的脚注2 /到-V
OUT
表一测试 - RO
添加设备类型02和RHA标志“R ”的要求。
添加的情况下轮廓H.添加段落1.4.1 , 1.5 , 3.2.3 , 4.4.4.1和表IIB 。
修改1.2 , 1.2.2 ,1.3 ,表I中,与图1中。
添加脚注4 /在我
S
如在表一规定的测试
更改CMRR , PSRR测试,脚注1 /器件类型为01
表一,在规定的 - RO
表一,禁用后,在条件栏中加上“模式”
I
S
测试。在表I中,添加“ ”到V
OS
, I
IB
和我
OS
最大限制列。在表I中,
在脚注4 / ,在音符开始增加“残疾人模式” 。
删除烧伤,C组由表IIB终点的限制。 - RO
添加设备类型03在低剂量率进行测试。更改段落
1.2.2 , 1.5 , 4.4.4.1和表I - RO
日期(YR -MO- DA)的
02-04-18
06-12-08
批准
R. MONNIN
R. MONNIN
C
09-12-09
C.塞夫勒
D
10-02-22
C.塞夫勒
E
11-09-08
C.塞夫勒
REV状态
SHEETS作者
PMIC N / A
编制
RICK人员
E
1
E
2
E
3
E
4
E
5
E
6
E
7
E
8
E
9
E
10
E
11
E
12
标准
微型电路
制图
这个图是可用
供所有
DEPARTMENTS
与机构
国防部
检查
拉杰什Pithadia
经批准
迈克尔·弗莱
图纸批准日期
96-03-29
修订级别
E
DLA陆地和海上
美国俄亥俄州哥伦布市43218-3990
http://www.landandmaritime.dla.mil
微型电路,线性, 160兆赫,轨到轨
放大器DISABLE , MONOLITHIC
SIZE
A
CAGE CODE
美国超导公司N / A
67268
1 12
5962-96839
DSCC FORM 2233
APR 97
5962-E415-11
1.范围
1.1适用范围。此图形文件两款产品保证一流的水平,包括高可靠性(设备类Q和
M)和空间应用程序(设备类V) 。案例的选择,外形和引线均可加工,并反映在第一部分
或识别号码(PIN) 。当可用,辐射硬度保证( RHA )水平的选择反映在PIN。
1.2 PIN。 PIN码是作为显示在下面的例子:
5962
R
96839
02
V
H
A
联邦
股票类
代号
\
RHA
代号
(参见1.2.1 )
/
设备
TYPE
(参见1.2.2 )
设备
代号
(参见1.2.3 )
概要
(参见1.2.4 )
领导
(参见1.2.5 )
\/
图号
1.2.1 RHA标志。设备类Q和V RHA标设备符合MIL -PRF- 38535规定的RHA水平,并
标有相应的RHA标志。装置M级RHA标设备符合MIL -PRF- 38535 ,附录A中
指定RHA水平和标有相应的RHA指示符。破折号( - )表示非RHA设备。
1.2.2设备类型( S) 。设备类型(多个)识别电路的功能如下:
设备类型
01
02
03
通用号码
AD8041
AD8041
AD8041
电路功能
160 MHz的轨到轨放大器禁用
抗辐射, 160 MHz的轨到轨
扩增fi er与禁用
抗辐射, 160 MHz的轨到轨
扩增fi er与禁用
1.2.3设备类标志。设备类指示符是一个单字母标识产品保证水平为
如下所示:
设备类
M
设备需求文档
供应商自我认证,为MIL -STD- 883标准,不要求
符合MIL -PRF- 38535 ,附录A中JAN类B级微电路
认证和资格MIL -PRF- 38535
Q或V
1.2.4案例纲要( S) 。外壳轮廓( S)作为被指定的MIL -STD- 1835 ,如下所示:
概要信
P
H
描述性标志
GDIP1 - T8或CDIP2 -T8
GDFP1 - F10或CDFP2 -F10
码头
8
10
包装样式
双列直插式
扁平封装
1.2.5铅完成。在引线末端在MIL -PRF- 38535的设备类Q和V或MIL- PRF- 38535规定的,
附录A设备类M.
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E
2
1.3绝对最大额定值。 1 /
电源电压( + V
S
为±V
S
) ...................................................................................................... +12.6 V
输入共模范围(V
IN
) .................................................................................................
V
S
内部功耗(P
D
) .................................................................................................... 1.3 W 2/
结温(T
J
) ............................................................................................................ +175C
存储温度范围........................................................................................................... -65C至125C +
铅温度范围(焊接, 60秒) ......................................... ............................... + 300C
热阻,结到外壳(
JC
) :
方案H ..................................................................................................................................... 45C / W
案例P ...................................................................................................................................... 37C / W
热阻,结到环境(
JA
) :
方案H ..................................................................................................................................... 190C / W
案例P ...................................................................................................................................... 88C / W 3 /
1.4推荐工作条件。
电源电压( ±V
S
) ....................................................................................................................
2.5
V( +5 V / 0 V )至
5
V
工作环境温度范围(T
A
) ................................................. ................................ -55C至125C +
1.4.1运行性能。
输入/输出特性: (T
A
= +25C,
V
S
=
2.5
V ,R
L
= 2 k为0 V )
输出电流( V
O
= -2 V至+2 V) ......................................... .................................................. 50毫安
输入共模电压范围............................................. ............................................. -2.5 V至+ 1.5 V
动力性能: (T
A
= +25C,
V
S
=
2.5
V ,R
L
= 2 k为0 V )
的-3 dB小信号带宽(V
O
0.5 V
PP
,G = 1 ) ............................................. .................... 160兆赫
带宽为0.1 dB平坦度(G = + 2 ,R
L
= 150
)
.................................................. ............... 30兆赫
压摆率(G = -1 ,V
O
= 2 V步骤) ............................................. ................................................ 160 V / s
全功率响应(V
O
= 2 V
PP
) ................................................. .......................................... 24兆赫
噪声/失真性能: (T
A
= +25C,
V
S
=
2.5
V ,R
L
= 2 k为0 V )
总谐波失真(F
C
= 5兆赫,V
O
= 2 V
PP
,G = 2 ,R
L
= 1 k ) ................................. -72分贝
输入电压噪声( F = 10 kHz)的......................................... .................................................. ..... 16纳伏/赫兹
禁用特性: (T
A
= +25C,
V
S
=
2.5
V ,R
L
= 2 k为0 V ,V
O
= 2 V
PP
在10 MHz ,G = + 2 )
关闭时间(R
F
= R
L
= 2 k ) ............................................. .................................................. .. 120纳秒
开启时间(R
F
= R
L
= 2 k ) ............................................. .................................................. .. 230纳秒
截止隔离(禁用引脚连接到-V
S
, R
L
= 100
,
F = 5MHz时, G = 2 ,R
F
= 1 k ) .............. 70分贝
关闭电压(设备禁用) ............................................ .................................................. ......
+V
S
– 2.5 V
电压(设备启用) .....................................................................................................打开或+ V
S
_____
1 /应力超过绝对最大额定值可能会导致器件的永久性损坏。在扩展操作
最高级别可能会降低性能并影响可靠性。
2 /最大内部功耗被指定,以使结温不超过+ 175C 。在产品
应用程序,通过输出负载电流而产生的额外功耗一定不会让内部功耗的绝对
被超过最大限制。
3 /减额在9毫瓦/ C对于T
A
32C.
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微电路图纸
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E
3
1.5辐射功能。
设备类型02 :
最大总剂量使用(剂量率= 50 - 300拉德(SI ) /秒) ................................ .............. 100 krads (SI ) 4 /
设备类型03 :
最大总剂量使用(剂量率
10兆拉德(SI ) /秒) .......................................... ........... 50 krads (SI ) 5 /
2.适用文件
2.1政府规范,标准和手册。下面的说明书,标准,和手册形成部
此图在此规定的范围内。除非另有说明,这些文件的问题的那些引用的
招标或合同。
防御规格:DEPARTMENT
MIL -PRF- 38535 - 集成电路,制造,一般规格。
作者防御标准部
MIL -STD- 883 -
MIL -STD- 1835 -
测试方法标准为电路。
接口标准电子元器件案纲要。
防御的手册DEPARTMENT
MIL -HDBK- 103 -
MIL -HDBK -780 -
标准微电路图纸清单。
标准微电路图纸。
(提供这些文件的副本在网上
https://assist.daps.dla.mil/quicksearch/
或从标准化
文档订购中心, 700罗宾斯大道,大厦4D ,费城,宾夕法尼亚州19111-5094 。 )
2.2优先顺序。在该图的文本和本文引用的参考文献中,文本之间的冲突的情况下
此图的优先。本文件的内容,但是,取代除非适用的法律和法规
特定豁免已获得。
3.要求
3.1项目的要求。个别项目要求设备类Q和V应按照
MIL -PRF- 38535和本文或修改设备制造商的质量管理( QM)计划中指定。该
本文所述的修改,在质量管理计划不得影响外形,装配或功能。个别项目要求
装置M级应符合MIL -PRF- 38535 ,附录A非JAN级B级的设备并按规定
在本文中。
3.2设计,建设和物理尺寸。设计,施工,物理尺寸应符合规定
在MIL -PRF- 38535 ,并在此设备类Q和V或MIL- PRF- 38535 ,附录A和这里的设备类M.
3.2.1案例概述。案件轮廓应符合1.2.4于此。
3.2.2端子连接和框图。该终端的连接和程序框图应为在图1中指定。
3.2.3辐射暴露的电路。辐射暴露电路,由下文件制造商保持
修订级别控制和要求应提供给准备和收购活动。
_____
4 /对于设备类型02 ,这部分可以是在空间环境剂量率敏感,并且可以表现出增强的低
剂量率的影响。对于所提到的参数辐射终点限定仅适用于特定的条件下保
在MIL -STD -883方法1019 ,条件A.
5 /对于设备类型03 ,为表示参数的辐射端点限制,保证在规定的条件
MIL -STD -883方法1019 ,条件D.
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4
3.3电气性能和照射后的参数限制。除非在本文中,特别说明
电性能特性和照射后的参数范围是如在表I中规定并应适用于整个
环境工作温度范围。
3.4电气试验的要求。电气试验要求应在表IIA指定的子组。电
测试每个子组都在表I中定义
3.5标记。该部分应标有1.2本文列出的PIN 。此外,制造商的PIN码也可以是
标记。对于包所在的完整SMD PIN码的标识是不可行的,由于空间的限制,制造商有
未标记设备上的"5962-"的选项。对于RHA产品使用该选项时, RHA标志仍应进行标记。
对于设备类Q和V标志应符合MIL -PRF- 38535 。对于设备M级标记应在
按照MIL- PRF- 38535 ,附录A.
3.5.1认证/符合性标志。根据需要在认证标志的设备类Q和V应为"QML"或"Q"
MIL -PRF- 38535 。按要求MIL -PRF- 38535 ,附录A中的合规性标志的设备M级应为"C"
3.6合格证书。对于设备类Q和V,均须由QML -38535合格证明书
为了供给到该图的要求中列出的制造商(见6.6.1本文) 。对于设备类男,证书
合规应要求从制造商才能被列为供应MIL -HDBK- 103的合法来源(见
6.6.2在此) 。遵守上市前提交DLA陆地和海上-VA作为合法来源的证明
供应此图应确认,制造商的产品符合,对于设备类Q和V的要求
MIL-PRF- 38535和本文中或为设备类男, MIL-PRF- 38535 ,附录A和本文中的要求。
3.7证书的一致性。按要求设备类MIL -PRF- 38535或Q和V一致性证书
在MIL -PRF- 38535设备类男,附录A中应提供每批交付给该图的微电路的。
3.8变更通知为设备类M的对于设备类男,通知DLA土地和变化海上-VA
产品(见本文6.2 )涉及收购本图的设备需要影响此图的任何变化。
3.9检验和审查设备类M.对于设备类男, DLA陆地和海洋, DLA陆地和海上的经纪人,
与收购活动的保留选项,以查看制造商的设备和应用要求的文件。离岸
文件应在审稿的选项来提供岸上。
对于设备类M.设备类M器件包括在本图中3.10微电路组分配应
微电路组号49 (见MIL -PRF- 38535 ,附录A) 。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
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    -
    -
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    终端采购配单精选

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