低功耗350 MHz的
电压反馈放大器器
AD8038/AD8039
特点
低功耗
1毫安电源电流/放大器
高速
350 MHz的-3 dB带宽（G = 1 ）
425 V / s的压摆率
低成本
低噪音
8内华达州/ √Hz的@ 100千赫
600 FA / √Hz的@ 100千赫
低输入偏置电流： 750 nA的最大
低失真
-90 dB的SFDR @ 1兆赫
-65 dB的SFDR @ 5 MHz的
宽电源电压范围： 3 V至12 V
小封装： SOT - 23-8 ， SC70-5和SOIC- 8
应用
电池供电仪器仪表
过滤器
A / D驱动程序
电平转换
缓冲
高密度PC板
照片乘法器
连接图
SOIC-8 （R）的
NC
1
In
2
+ IN
3
–V
S 4
SC70-5 （ KS ）
V
出1
–V
S 2
+ IN
3
AD8038
8
7
6
5
关闭
+V
S
V
OUT
NC
AD8038
5
+V
S
+ –
4
In
NC =无连接
SOIC-8 （R） - 和SOT- 23-8 （RT）下
AD8039
V
OUT1 1
–IN1
2
+IN1
3
–V
S 4
8
+V
S
7
V
OUT2
6
–IN2
5
+IN2
容性负载高达15 pF的。如果驱动较大的容性负载，
串联一个小电阻是必要的，以避免峰值过高或
过冲。
在AD8039放大器是唯一的双通道，低功耗，高速
放大器可在一个小型SOT - 23-8封装，单
AD8038是既采用SOIC - 8和SC70-5封装。
这些放大器的额定工作在工业级温度
范围为-40 ° C至+ 85°C 。
24
21
18
15
增益 - 分贝
产品说明
在AD8038 （单通道）和AD8039 （双通道）放大器高
速度（ 350 MHz）的电压反馈放大器具有与异常
1.0毫安/放大器的典型（最大1.5 mA）的盟友，低静态电流。
在SOIC -8封装的AD8038单放大器具有显示
能功能。尽管是低功耗和低成本，放大器
提供了出色的整体性能。此外，它提供了
425 V / μs的和低输入失调电压的高压摆率
3毫伏最大。
ADI公司的专有XFCB工艺实现了低噪音运行
（ 8内华达州/ √Hz的600和FA / √Hz的）以极低的静态电流。
给定一个宽电源电压范围（ 3 V至12 V ） ，宽频带 -
宽度和小包装的AD8038和AD8039放大器
设计中的各种应用程序一起工作，其中功率和
空间是非常宝贵的。
在AD8038和AD8039放大器具有宽输入共
从任一供电轨1 V模式范围和将在1伏摇摆
每个轨道上的输出。这些放大器用于驱动优化
G = +10
G = +5
12
9
G = +2
6
3
G = +1
0
–3
–6
0.1
1
10
频率 - 兆赫
100
1000
图1.小信号频率响应
各种增益，V
OUT
= 500 mV的P-P ，V
S
=
±
5 V
牧师F
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
2004 ADI公司保留所有权利。
AD8038/AD8039–SPECIFICATIONS
（T = 25℃ ，V =
A
S
5 V ，R
L
= 2 K，增益= 1 ，除非另有说明。 ）
民
300
典型值
350
175
100
45
425
50
18
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
ns
ns
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1 ，V
O
= 0.5 V P-P
G = 2 ，V
O
= 0.5 V P-P
G = 1 ，V
O
= 2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 1 ，V
O
= 2 V步骤，R
L
= 2 k
G = + 2， 1 V超速
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
带宽为0.1 dB平坦度
压摆率
过驱动恢复时间
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
SFDR
二次谐波
三次谐波
二次谐波
三次谐波
相声，输出至输出（ AD8039 ）
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入偏置电流漂移
输入失调电流
开环增益
输入特性
输入阻抗
输入电容
输入共模电压范围
共模抑制比
输出特性
直流输出电压摆幅
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
POWER- DOWN禁用*
开启时间
打开-O FF时间
关闭电压部分是关
关闭电压部分是
残疾人静态电流
残疾人输入/输出隔离
*仅
可在AD8038采用SOIC - 8封装。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
400
f
C
= 1兆赫，V
O
= 2 V P-P ，R
L
= 2 k
f
C
= 1兆赫，V
O
= 2 V P-P ，R
L
= 2 k
f
C
= 5兆赫，V
O
= 2 V P-P ，R
L
= 2 k
f
C
= 5兆赫，V
O
= 2 V P-P ，R
L
= 2 k
F = 5兆赫，G = 2
F = 100千赫
F = 100千赫
–90
–92
–65
–70
–70
8
600
0.5
4.5
400
3
25
70
10
2
±
4
67
±
4
20
3.0
12
1.5
3
750
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dB
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
mV
μV/°C
nA
NA / ℃，
±
nA
dB
M
pF
V
dB
V
pF
V
mA
dB
dB
ns
ns
V
V
mA
dB
V
O
=
±
2.5 V
R
L
= 1 k
V
CM
=
±
2.5 V
R
L
= 2 kΩ的，饱和输出
30％的过冲， G = 2
61
- 供应
+电源
–71
–64
1.0
–77
–70
180
700
+V
S
– 4.5
+V
S
– 2.5
0.2
–60
F = 1 MHz的
–2–
牧师F
AD8038/AD8039
特定网络阳离子
（T = 25℃ ，V = 5 V ， R = 2 k
A
S
L
到V
S
/ 2时，增益= 1 ，除非另有说明。 ）
民
275
典型值
300
150
30
45
365
50
18
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
ns
ns
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 1 ，V
O
= 2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 1 ，V
O
= 2 V步骤，R
L
= 2 k
G = + 2， 1 V超速
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
带宽为0.1 dB平坦度
压摆率
过驱动恢复时间
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
SFDR
二次谐波
三次谐波
二次谐波
三次谐波
串扰，输出至输出
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入偏置电流漂移
输入失调电流
开环增益
输入特性
输入阻抗
输入电容
输入共模电压范围
共模抑制比
输出特性
直流输出电压摆幅
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
POWER- DOWN禁用*
开启时间
打开-O FF时间
关闭电压部分是关
关闭电压部分是
残疾人静态电流
残疾人输入/输出隔离
*仅
可在AD8038采用SOIC - 8封装。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
340
f
C
= 1兆赫，V
O
= 2 V P-P ，R
L
= 2 k
f
C
= 1兆赫，V
O
= 2 V P-P ，R
L
= 2 k
f
C
= 5兆赫，V
O
= 2 V P-P ，R
L
= 2 k
f
C
= 5兆赫，V
O
= 2 V P-P ，R
L
= 2 k
F = 5兆赫，G = 2
F = 100千赫
F = 100千赫
–82
–79
–60
–67
–70
8
600
0.8
3
400
3
30
70
10
2
1.0–4.0
65
0.9–4.1
20
3
–65
0.9
–71
210
700
+V
S
– 4.5
+V
S
– 2.5
0.2
–60
12
1.5
3
750
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dB
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
mV
μV/°C
nA
NA / ℃，
±
nA
dB
M
pF
V
dB
V
pF
V
mA
dB
ns
ns
V
V
mA
dB
V
O
=
±
2.5 V
R
L
= 1 k
V
CM
=
±
1 V
R
L
= 2 kΩ的，饱和输出
30％的过冲
59
F = 1 MHz的
牧师F
–3–
AD8038/AD8039
最大功耗 - W
绝对最大额定值*
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12.6 V
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图2
共模输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
S
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
4 V
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65C至+ 125C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40C至+ 85C
铅温度范围（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
2.0
1.5
SOIC-8
SOT-23-8
1.0
SC70-5
0.5
最大功率耗散
在AD8038 / AD8039的最大安全功耗
包是由结温的升高情况
(T
J
）在模具上。塑料封装模将达到当地
结温度。在约150℃ ，这是
玻璃化转变温度时，塑料会改变其特性。
即使只是暂时超过这一温度限值可能改变
强调，包施加在模具上，从而永久性地转变
在AD8038 / AD8039的参数性能。超过
的175℃下进行延长的时间周期结温度可以
导致的变化的硅器件，因而可能造成故障。
封装和PCB的静止空气的热性能（
JA
),
环境温度（T
A
）和总功率消耗在包
(P
D
）确定模具的结温。结
温度可以计算如下：
0
–55
–25
5
35
65
95
环境温度 - C
125
图2.最大功率耗散主场迎战
温度为4层板
RMS输出电压应予以考虑。若R
L
是参考V
S–
作为
在单电源供电，则总驱动功率为V
S
I
OUT
.
如果均方根信号电平是不确定的，考虑最坏的情况下，
当
V
OUT
=
V
S
/ 4为
R
L
到中间电源电压：
P
D
=
(
S
×
I
S
)
+
(
S
/ 4
)
/ R
L
V
V
2
在单电源供电
R
L
参考
V
S–
最坏的情况是
V
OUT
=
V
S
/2.
气流会增加散热，有效地降低
JA
。另外，
更多金属直接与封装接触引线从金属
迹线，通孔，接地和电源平面将减少
JA
.
必须小心，以在输入端最小化寄生电容
高速运算放大器作为线索，在电路板布局部分中讨论。
图2示出了在包中的最大安全功耗
相对于环境温度的SOIC-8 （125 ℃/ W） ， SC70-5
（ 210 ° C / W）和SOT- 23-8 （ 160 ° C / W ）封装在一个标准的JEDEC
4层板。
JA
值是近似值。
输出短路
短路输出到地面或绘制过大的电流
在AD8038 / AD8039将可能导致灾难性的失败。
T
J
=
T
A
+
(
P
D
× θ
J
A
)
消散在封装的功率（P
D
）是静止的总和
的功耗，并且由于消耗在包中的功率
负载驱动所有输出。静态功耗之间的电压
电源引脚（V
S
）乘以静态电流（我
S
） 。 Assum-
荷兰国际集团的负载（R
L
）被引用到中间电源电压，则总驱动功率
is
V
S
/2
I
OUT ，
其中一些被耗散在封装和一些
在负载（Ⅴ
OUT
I
OUT
） 。总的驱动器之间的差异
功率与负载功率的驱动功率耗散在包中。
P
D
=静态功耗+ （总驱动功率 - 负载功率）
P
D
=
[
V
S
×
I
S
]
+
(
S
/
2
)
×
(
OUT
/R
L
)
– V
OUT
/R
L
V
V
2
[
]
[
]
订购指南
模型
AD8038AR
AD8038AR-REEL
AD8038AR-REEL7
AD8038AKS-R2
AD8038AKS-REEL
AD8038AKS-REEL7
AD8039AR
AD8039AR-REEL
AD8039AR-REEL7
AD8039ART-R2
AD8039ART-REEL
AD8039ART-REEL7
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
5引脚SC70
5引脚SC70
5引脚SC70
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOT- 23
8引脚SOT- 23
8引脚SOT- 23
包装外形
R-8
R-8
R-8
KS-5
KS-5
KS-5
R-8
R-8
R-8
RT-8
RT-8
RT-8
品牌信息
华
华
华
HYA
HYA
HYA
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然AD8038 / AD8039具有专用ESD保护电路，造成永久性损坏
可能会发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
–4–
牧师F
a
特点
低功耗
1毫安电源电流/放大器
高速
350 MHz的-3 dB带宽（G = 1 ）
425 V / s的压摆率
低成本
低噪音
8内华达州/ √Hz的@ 100千赫
600 FA / √Hz的@ 100千赫
低输入偏置电流： 750 nA的最大
低失真
-90 dB的SFDR @ 1兆赫
-65 dB的SFDR @ 5 MHz的
宽电源电压范围： 3 V至12 V
小封装： SOT23-8 ， SC70-5和SOIC- 8
应用
电池供电仪器仪表
过滤器
A / D驱动器
电平转换
缓冲
高密度PC板
光电倍增管
低功耗350 MHz的
电压反馈放大器器
AD8038/AD8039
连接图
SOIC-8 （R）的
AD8038
SC70-5 （ KS ）
AD8038
NC
1
In
2
+ IN
3
–V
S 4
8
7
6
5
关闭
+V
S
V
OUT
NC
V
OUT
1
–V
S
2
+ IN 3
5 +V
S
+ –
4 -IN
NC =无连接
SOIC-8 （R）和SOT23-8 （RT） *
AD8039
V
OUT1 1
–IN1
2
+IN1
3
–V
S 4
8
+V
S
7
V
OUT2
6
–IN2
5
+IN2
产品说明
在AD8038 （单通道）和AD8039 （双通道）放大器高
速度（ 350 MHz）的电压反馈型放大器，具有异常
为1.0mA /放大器典型（最大1.5毫安）低静态电流。
在SOIC -8封装的AD8038单放大器具有
禁用功能。尽管是低功率和低成本的
放大器可提供出色的整体性能。另外，
它还具有425 V / μs的高压摆率和低输入失调电压
年龄3毫伏最大。
ADI公司的专有XFCB工艺实现了低噪音运行
（ 8内华达州/
√
Hz
600 FA /
√
赫兹）
在极低的静态电流。
给定一个宽电源电压范围（ 3 V至12 V ） ，宽带宽，
和小包装的AD8038和AD8039放大器
设计在各种应用中的功率和空间工作
有溢价。
在AD8038和AD8039放大器具有宽输入共
从任一供电轨1 V模式范围和将在1伏摇摆
每个轨道上的输出。这些放大器的优化
驱动容性负载高达15 pF的。如果驾驶大电容
略去负载，一个小的串联电阻是必要的，以避免过度的
调峰或过冲。
*不
暂未公布
在AD8039放大器是唯一的双低功耗，高速
放大器提供微型SOT23-8封装，单
AD8038是既采用SOIC - 8和SC70-5封装。
这些放大器的额定工作在工业级温度
范围为-40 ° C至+ 85°C 。
24
21
18
15
增益 - 分贝
G = +10
G = +5
12
9
G = +2
6
3
G = +1
0
–3
–6
0.1
1
10
频率 - 兆赫
100
1000
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。
图1.小信号频率响应
各种增益，V
OUT
= 500 mV的P-P ，V
S
=
±
5 V
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2002年
AD8038/AD8039–SPECIFICATIONS
（T = 25℃ ，V =
A
S
5 V ，R
L
= 2 K，增益= 1 ，除非另有说明。 ）
民
300
典型值
350
175
100
45
425
50
18
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
ns
ns
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1，V
O
= 0.5 V P-P
G = 2，V
O
= 0.5 V P-P
G = 1，V
O
= 2 V P-P
G = 2，V
O
= 0.2 V P-P
G = 1，V
O
= 2 V步骤，R
L
= 2 k
G = 2 ， 1 V超载
G = 2，V
O
= 2 V步骤
带宽为0.1 dB平坦度
压摆率
过驱动恢复时间
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
SFDR
二次谐波
三次谐波
二次谐波
三次谐波
相声，输出至输出（ AD8039 ）
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入偏置电流漂移
输入失调电流
开环增益
输入特性
输入阻抗
输入电容
输入共模电压范围
共模抑制比
输出特性
直流输出电压摆幅
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
POWER- DOWN禁用*
开启时间
打开-O FF时间
关闭电压 - 部分关闭
关闭电压 - 部分是
残疾人静态电流
残疾人输入/输出隔离
*仅
可在AD8038采用SOIC - 8封装。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
400
f
C
= 1兆赫，V
O
= 2 V P-P ，R
L
= 2 k
f
C
= 1兆赫，V
O
= 2 V P-P ，R
L
= 2 k
f
C
= 5兆赫，V
O
= 2 V P-P ，R
L
= 2 k
f
C
= 5兆赫，V
O
= 2 V P-P ，R
L
= 2 k
F = 5MHz时， G = 2
F = 100千赫
F = 100千赫
–90
–92
–65
–70
–70
8
600
0.5
4.5
400
3
25
70
10
2
±
4
67
±
4
20
3.0
12
1.5
3
750
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dB
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
mV
μV/°C
nA
NA / ℃，
±
nA
dB
M
pF
V
dB
V
pF
V
mA
dB
dB
ns
ns
V
V
mA
dB
V
O
=
±
2.5 V
R
L
= 1 k
V
CM
=
±
2.5 V
R
L
= 2 kΩ的，饱和输出
30％的过冲， G = 2
61
- 供应
+电源
–71
–64
1.0
–77
–70
180
700
+V
S
– 4.5
+V
S
– 2.5
0.2
–60
F = 1 MHz的
–2–
版本B
AD8038/AD8039
特定网络阳离子
（T = 25℃ ，V = 5 V ， R = 2 k
A
S
L
到V
S
/ 2时，增益= 1 ，除非另有说明。 ）
民
275
典型值
300
150
30
45
365
50
18
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
ns
ns
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2，V
O
= 0.2 V P-P
G = 1，V
O
= 2 V P-P
G = 2，V
O
= 0.2 V P-P
G = 1，V
O
= 2 V步骤，R
L
= 2 k
G = 2 ， 1 V超载
G = 2，V
O
= 2 V步骤
带宽为0.1 dB平坦度
压摆率
过驱动恢复时间
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
SFDR
二次谐波
三次谐波
二次谐波
三次谐波
串扰，输出至输出
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入偏置电流漂移
输入失调电流
开环增益
输入特性
输入阻抗
输入电容
输入共模电压范围
共模抑制比
输出特性
直流输出电压摆幅
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
POWER- DOWN禁用*
开启时间
打开-O FF时间
关闭电压 - 部分关闭
关闭电压 - 部分是
残疾人静态电流
残疾人输入/输出隔离
*仅
可在AD8038采用SOIC - 8封装。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
340
f
C
= 1兆赫，V
O
= 2 V P-P ，R
L
= 2 k
f
C
= 1兆赫，V
O
= 2 V P-P ，R
L
= 2 k
f
C
= 5兆赫，V
O
= 2 V P-P ，R
L
= 2 k
f
C
= 5兆赫，V
O
= 2 V P-P ，R
L
= 2 k
F = 5MHz时， G = 2
F = 100千赫
F = 100千赫
–82
–79
–60
–67
–70
8
600
0.8
3
400
3
30
70
10
2
1.0–4.0
65
0.9–4.1
20
3
–65
0.9
–71
210
700
+V
S
– 4.5
+V
S
– 2.5
0.2
–60
12
1.5
3
750
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dB
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
mV
μV/°C
nA
NA / ℃，
±
nA
dB
M
pF
V
dB
V
pF
V
mA
dB
ns
ns
V
V
mA
dB
V
O
=
±
2.5 V
R
L
= 1 k
V
CM
=
±
1 V
R
L
= 2 kΩ的，饱和输出
30％的过冲
59
F = 1 MHz的
版本B
–3–
AD8038/AD8039
绝对最大额定值*
最大功耗 - W
2.0
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12.6 V
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图2
共模输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
S
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
4 V
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 125°C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
铅温度范围（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
1.5
SOIC-8
SOT23-8
1.0
SC70-5
0.5
最大功率耗散
0
–55
–25
在AD8038 / AD8039的最大安全功耗
包是由结温的升高相关（仅限牛逼
J
)
在模具上。塑料封装模具将在本地到达
结温。在约150 ℃，这是在玻璃
化转变温度时，塑料会改变其特性。连
暂时超过这一温度限值可能改变压力
该封装对芯片发挥，从而永久性地转变参
在AD8038 / AD8039的性能。超过结温
而对之175℃下进行的时间可导致变化长时间
中的硅器件，因而可能造成故障。
封装和PCB的静止空气的热性能（
JA
），环境
温度（T
A
）和总功率消耗在包（P
D
)
确定芯片的结温。结
温度可以计算如下：
5
35
65
95
环境温度 - C
125
图2.最大功率耗散主场迎战
下一个四层板
RMS输出电压应予以考虑。若R
L
被引用到
V
S–
，在单电源供电，则总驱动功率为
V
S
I
OUT
.
如果RMS信号电平是不确定的，然后再考虑
最坏的情况下，当V
OUT
= V
S
/ 4对于R
L
到中间电源电压：
P
D
=
(
V
S
×
I
S
)
+
(
V
S
/ 4
)
/
R
L
2
在单电源供电
R
L
参考
V
S–
,
最坏的情况是
V
OUT
= V
S
/ 2.
气流会增加散热有效降低
JA
。另外，
更多金属直接与封装接触引线从金属痕迹，
通孔，接地层，电源层，会降低
JA
。关怀
必须注意，以减少寄生电容在输入引线
高速运算放大器在电路板布局部分中讨论。
图2示出了在包中的最大安全功耗
相对于环境温度的SOIC-8 （125 ℃/ W） ， SC70-5
（210 ℃/ W），以及SOT23-8 （160 ℃/ W）的封装上的JEDEC标准
四层板。
JA
值是近似值。
输出短路
T
J
=
T
A
+
(
P
D
× θ
J
A
)
消散在封装的功率（P
D
）是静止的总和
的功耗，并且由于消耗在包中的功率
负载驱动所有输出。静态功耗之间的电压
电源引脚（V
S
）乘以静态电流（我
S
） 。假设
负载（R
L
）被引用到中间电源电压，则总驱动功率为
V
S
/ 2
×
I
OUT ，
其中一些被耗散在封装和一些
在负载（Ⅴ
OUT
×
I
OUT
） 。总的驱动器之间的差异
功率与负载功率的驱动功率耗散在包中。
P
D
=静态功耗+ （总驱动功率 - 负载功率）
P
D
=
V
S
×
I
S
+
(
V
S
/ 2
)
×
(
V
OUT
/
R
L
)
–
V
OUT
/
R
L
2
[
]
[
]
[
]
短路输出到地面或绘制过大的电流
在AD8038 / AD8039将可能导致灾难性的失败。
订购指南
模型
AD8038AR
AD8038AR-REEL
AD8038AR-REEL7
AD8038AKS-REEL
AD8038AKS-REEL7
AD8039AR
AD8039AR-REEL
AD8039AR-REEL7
AD8039ART-REEL*
AD8039ART-REEL7*
*根据
发展。
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包装说明
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
5引脚SC70
5引脚SC70
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOT23
8引脚SOT23
包装外形
SO-8
SO-8
SO-8
KS-5
KS-5
SO-8
SO-8
SO-8
RT-8
RT-8
品牌信息
华
华
HYA
HYA
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然AD8038 / AD8039具有专用ESD保护电路，造成永久性损坏
可能会发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
版本B
QQ：2881677436 复制
