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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第237页 > AD8034ART-REEL7
a
特点
FET输入放大器
1 pA的典型输入偏置电流
非常低的成本
高速
80 MHz的-3 dB带宽（G = 1 ）
80 V / s的压摆率（G = + 2 ）
低噪音
11内华达州/
√
Hz
（ F = 100千赫）
0.6 FA /
√
Hz
（ F = 100千赫）
宽电源电压范围
5 V至24 V
低失调电压， 1 mV的典型
单电源和轨到轨输出
高共模抑制比-100分贝
低功耗
3.3毫安/放大器的典型电源电流
无相位反转
小包装
SOIC - 8 ， SOT- 23-8 ，以及SC70
应用
仪器仪表
过滤器
电平转换
缓冲
24
低成本， 80 MHz的
FastFET
运算放大器
AD8033/AD8034
连接图
SOIC-8 （R）的
AD8033
SC70 （ KS ）
AD8033
NC
1
In
2
+ IN
3
–V
S 4
8
NC
7
+V
S
6
5
V
出1
–V
S 2
+ IN
3
5
+V
S
V
OUT
NC
4
In
SOIC -8和SOT- 23-8 （ RT ）
AD8034
V
OUT1 1
–IN1
2
+IN1
3
–V
S 4
8
7
6
5
+V
S
V
OUT2
–IN2
+IN2
概述
G = +10
21
18
G = +5
15
12
增益 - 分贝
V
O
= 200mV的P-P
在AD8033 / AD8034 FastFET放大器电压反馈
放大器，具有FET输入，提供易用性和出色的中
性能。的AD8033是一个单一的放大器和
AD8034是一款双通道放大器。在AD8033 / AD8034 FastFET
运算放大器ADI公司的专有XFCB工艺提供显著
性能改进和其他低成本的FET放大器，如
低噪音（ 11内华达州/
√
Hz
0.6 FA /
√
赫兹）
和高速（80兆赫
带宽和80 V / μs压摆率） 。
具有宽电源电压范围为5 V至24 V ，充分
操作上单电源供电时， AD8033 / AD8034放大器
将工作在比同等价位的FET更多应用
输入放大器。此外， AD8033 / AD8034具有轨至轨
产出增加了多功能性。
尽管他们的成本低，该放大器可提供出色的整体
性能。他们提供高共模抑制
-100分贝2毫伏最大值，低输入偏置电压，低噪声
11内华达州/
√
赫兹。
在AD8033 / AD8034放大器只能得出3.3毫安/放大器
静态电流，同时具有提供高达的能力
40毫安负载电流。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标是其各自公司的财产。
9
6
3
G = +2
G = +1
0
–3
G = –1
–6
–9
0.01
1.0
10
频率 - 兆赫
100
1000
图1.小信号频率响应
该AD8033是小封装： SOIC -8和SC70封装。
该AD8034还小封装： SOIC -8和
SOT- 23-8 。它们的额定工作在工业级温度
避免过度商业化的溢价范围为-40° C至+ 85°C
级产品。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
2003 ADI公司保留所有权利。
AD8033/AD8034–SPECIFICATIONS
（T = 25℃ ，V =
A
S
5 V ，R
L
= 1千，增益= 2 ，除非另有说明。 ）
典型值
80
30
21
135
135
80
95
225
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
ns
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
-6 V至6 V的输入
-3 V至+3 V输入， G = 2
G = 2 ，V
O
= 4 V步骤
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
G = 2 ，V
O
= 8 V步
f
C
= 1兆赫，V
O
= 2 V P-P
R
L
= 500
R
L
= 1 k
R
L
= 500
R
L
= 1 k
F = 1MHz时， G = 2
F = 100千赫
F = 100千赫
V
CM
= 0 V
T
民
– T
最大
民
65
输入过驱动恢复时间
输出过驱动恢复时间
压摆率（ 25 ％75 ％ ）
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
失真
二次谐波
三次谐波
串扰，输出至输出
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
输入失调电压
输入失调电压匹配
输入失调电压漂移
输入偏置电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
可用的输入范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
55
–82
–85
–70
–81
–86
11
0.7
1
2
3.5
2.5
27
11
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dB
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
mV
mV
mV
V/
o
C
pA
pA
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
V
mA
pF
T
民
– T
最大
V
O
=
±
3 V
89
4
1.5
50
92
1000||2.3
1000||1.7
-5.0到+2.2
-5.0到+5.0
–100
±
4.95
40
35
V
CM
= （ -3 V至+1.5 V）
–89
±
4.75
30％的过冲，G = 1 ，
V
O
= 400毫伏峰 - 峰值
5
V
S
=
±
2 V
–90
3.3
–100
24
3.5
V
mA
dB
–2–
版本B
AD8033/AD8034
特定网络阳离子
（T = 25℃ ，V = 5 V ，R = 1 K
A
S
L
，增益= 2 ，除非另有说明。 ）
民
典型值
80
32
21
180
200
70
100
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
输入过驱动恢复时间
输出过驱动恢复时间
压摆率（ 25 ％75 ％ ）
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
失真
二次谐波
三次谐波
相声，输出到输出
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
输入失调电压
输入失调电压匹配
输入失调电压漂移
输入偏置电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
可用的输入范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P
70
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
-3 V至+3 V输入
-1.5 V至1.5 V输入， G = 2
55
G = 2 ，V
O
= 4 V步骤
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
f
C
= 1兆赫，V
O
= 2 V P-P
R
L
= 500
R
L
= 1 k
R
L
= 500
R
L
= 1 k
F = 1MHz时， G = 2
F = 100千赫
F = 100千赫
V
CM
= 0 V
T
民
– T
最大
–80
–84
–70
–80
–86
11
0.7
1
2.0
3.5
2.5
30
10
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dB
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
mV
mV
mV
V/
o
C
pA
pA
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
V
mA
pF
T
民
– T
最大
V
O
= 0 V至3 V
87
4
1
50
92
1000||2.3
1000||1.7
0-2.0
0-5.0
–100
0.04 4.95
30
25
V
CM
= 1.0 V至2.5伏
R
L
= 1 k
30％的过冲，G = 1 ，
V
O
= 400毫伏峰 - 峰值
–80
0.16至4.83
5
V
S
=
±
1 V
–80
3.3
–100
24
3.5
V
mA
dB
版本B
–3–
AD8033/AD8034
特定网络阳离子
参数
动态性能
-3 dB带宽
输入过驱动恢复时间
输出过驱动恢复时间
压摆率（ 25 ％75 ％ ）
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
失真
二次谐波
三次谐波
相声，输出到输出
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
输入失调电压
输入失调电压匹配
输入失调电压漂移
输入偏置电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
可用的输入范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
(T
A
= 25℃ ，V
S
=
12 V ，R
L
= 1千，增益= 2 ，除非另有说明。 ）
条件
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
-13 V至+13 V的输入
-6.5 V至6.5 V输入， G = 2
G = 2 ，V
O
= 4 V步骤
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
G = 2 ，V
O
= 10 V步骤
f
C
= 1兆赫，V
O
= 2 V P-P
R
L
= 500
R
L
= 1 k
R
L
= 500
R
L
= 1 k
F = 1MHz时， G = 2
F = 100千赫
F = 100千赫
V
CM
= 0 V
T
民
– T
最大
民
65
典型值
80
30
21
100
100
80
90
225
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
ns
55
–80
–82
–70
–82
–86
11
0.7
1
4
2
50
96
1000||2.3
1000||1.7
-12.0至9.0
-12.0至12.0
–100
±
11.84
60
35
24
3.5
2.0
3.5
2.5
24
12
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dB
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
mV
mV
mV
V/
o
C
pA
pA
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
V
mA
pF
V
mA
dB
T
民
– T
最大
V
O
=
±
8 V
88
V
CM
=
±
5 V
–92
±
11.52
30％的过冲; G = 1
5
V
S
=
±
2 V
–85
3.3
–100
绝对最大额定值*
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26.4 V
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图2
共模输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26.4 V
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.4 V
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 125°C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
铅温度范围（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
–4–
版本B
AD8033/AD8034
最大功率耗散
最大功耗 - W
在AD8033 / AD8034的最大安全功耗
包是由结温的升高情况
(T
J
）在模具上。即本地封装模具将塑料
到达结点温度。在约150 ℃，这是
玻璃化转变温度时，塑料会改变其Properties（属性）
关系。即使只是暂时超过这一温度限值可能改变
该封装对芯片施加的应力，从而永久性地转变
在AD8033 / AD8034的参数性能。超过
的175℃下进行延长的时间周期结温度可以
导致的变化的硅器件，因而可能造成故障。
封装和PCB的静止空气的热性能（
JA
),
环境温度（T
A
） ，总功率消耗在
装（P
D
）确定模具的结温。
结温度可以计算如下
T
J
=
T
A
+
(
P
D
× θ
J
A
)
消散在封装的功率（P
D
）是的总和
静态功耗和消耗在包中的功率
由于对所有输出的负载驱动。静态功耗是
电源引脚之间的电压（V
S
）倍的静态电流（I
S
).
假设负载（R
L
）被引用到中间电源电压，则总
驱动电源是
V
S
/2
I
OUT
，其中一些被消耗在
包和一些在负载（Ⅴ
OUT
I
OUT
） 。区别
总的驱动电源和负载之间的电源为驱动器
功率消耗在包装：
2.0
1.5
SOT-23-8
SOIC-8
1.0
SC70-5
0.5
0.0
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
100
环境温度 - C
图2.最大功率耗散主场迎战
下一个四层板
气流会增加散热，有效地降低
JA
.
此外，更多金属直接接触封装从引线
金属迹线，通孔，接地层，电源层将减少
该
JA
。必须小心，以最小化寄生电容
的高速运算放大器的输入引线，在布局的讨论，
接地和旁路考虑部分。
图2示出了在最大安全功耗
包装与环境温度的SOIC - 8 （ 125 ° C / W ） ，
SC70 （ 210 ° C / W）和SOT- 23-8 （ 160 ° C / W）在JEDEC封装
标准的4层电路板。
JA
值是近似值。
输出短路
P
D
=
静态功耗
+
(
总驱动功率
–
负载功率
)
P
D
=
[
V
S
×
I
S
]
+
(
V
S
/ 2
)
×
(
V
OUT
/
R
L
)
–
V
OUT
/
R
L
2
[
]
[
]
RMS输出电压应予以考虑。如果
R
L
被引用
to
V
S–
，在单电源供电，则总驱动功率
is
V
S
I
OUT
.
如果均方根信号电平是不确定的，考虑最坏
情况下，当
V
OUT
=
V
S
/ 4为
R
L
到中间电源电压：
P
D
=
(
V
S
×
I
S
)
+
(
V
S
/ 4
)
/
R
L
2
短路输出到地面或吸收更多的电流为
在AD8033 / AD8034将有可能导致灾难性的失败。
在单电源供电
R
L
参考
V
S–
,
最坏的情况下
is
V
OUT
=
V
S
/2.
订购指南
模型
AD8033AR
AD8033AR-REEL
AD8033AR-REEL7
AD8033AKS-REEL
AD8033AKS-REEL7
AD8034AR
AD8034AR-REEL7
AD8034AR-REEL
AD8034ART-REEL
AD8034ART -REEL7
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
描述
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
5引脚SC70
5引脚SC70
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOT- 23
8引脚SOT- 23
包装外形
R-8
R-8
R-8
KS-5
KS-5
R-8
R-8
R-8
RT-8
RT-8
BRANDING
信息
H3B
H3B
HZA
HZA
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
AD8033 / AD8034具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能发生
设备受到高能静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
版本B
–5–
a
特点
FET输入放大器
1 pA的典型输入偏置电流
非常低的成本
高速
80 MHz的-3 dB带宽（G = 1 ）
80 V / s的压摆率（G = + 2 ）
低噪音
11内华达州/
√
Hz
（ F = 100千赫）
0.6 FA /
√
Hz
（ F = 100千赫）
宽电源电压范围
5 V至24 V
低失调电压， 1 mV的典型
单电源和轨到轨输出
高共模抑制比-100分贝
低功耗
3.3毫安/放大器的典型电源电流
无相位反转
小包装
SOIC - 8 ， SOT- 23-8 ，以及SC70
应用
仪器仪表
过滤器
电平转换
缓冲
24
低成本， 80 MHz的
FastFET
运算放大器
AD8033/AD8034
连接图
SOIC-8 （R）的
AD8033
SC70 （ KS ）
AD8033
NC
1
In
2
+ IN
3
–V
S 4
8
NC
7
+V
S
6
5
V
出1
–V
S 2
+ IN
3
5
+V
S
V
OUT
NC
4
In
SOIC -8和SOT- 23-8 （ RT ）
AD8034
V
OUT1 1
–IN1
2
+IN1
3
–V
S 4
8
7
6
5
+V
S
V
OUT2
–IN2
+IN2
概述
G = +10
21
18
G = +5
15
12
增益 - 分贝
V
O
= 200mV的P-P
在AD8033 / AD8034 FastFET放大器电压反馈
放大器，具有FET输入，提供易用性和出色的中
性能。的AD8033是一个单一的放大器和
AD8034是一款双通道放大器。在AD8033 / AD8034 FastFET
运算放大器ADI公司的专有XFCB工艺提供显著
性能改进和其他低成本的FET放大器，如
低噪音（ 11内华达州/
√
Hz
0.6 FA /
√
赫兹）
和高速（80兆赫
带宽和80 V / μs压摆率） 。
具有宽电源电压范围为5 V至24 V ，充分
操作上单电源供电时， AD8033 / AD8034放大器
将工作在比同等价位的FET更多应用
输入放大器。此外， AD8033 / AD8034具有轨至轨
产出增加了多功能性。
尽管他们的成本低，该放大器可提供出色的整体
性能。他们提供高共模抑制
-100分贝2毫伏最大值，低输入偏置电压，低噪声
11内华达州/
√
赫兹。
在AD8033 / AD8034放大器只能得出3.3毫安/放大器
静态电流，同时具有提供高达的能力
40毫安负载电流。
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯该
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标是其各自公司的财产。
9
6
3
G = +2
G = +1
0
–3
G = –1
–6
–9
0.01
1.0
10
频率 - 兆赫
100
1000
图1.小信号频率响应
该AD8033是小封装： SOIC -8和SC70封装。
该AD8034还小封装： SOIC -8和
SOT- 23-8 。它们的额定工作在工业级温度
避免过度商业化的溢价范围为-40° C至+ 85°C
级产品。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
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2003 ADI公司保留所有权利。
AD8033/AD8034–SPECIFICATIONS
（T = 25℃ ，V =
A
S
5 V ，R
L
= 1千，增益= 2 ，除非另有说明。 ）
典型值
80
30
21
135
135
80
95
225
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
ns
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
-6 V至6 V的输入
-3 V至+3 V输入， G = 2
G = 2 ，V
O
= 4 V步骤
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
G = 2 ，V
O
= 8 V步
f
C
= 1兆赫，V
O
= 2 V P-P
R
L
= 500
R
L
= 1 k
R
L
= 500
R
L
= 1 k
F = 1MHz时， G = 2
F = 100千赫
F = 100千赫
V
CM
= 0 V
T
民
– T
最大
民
65
输入过驱动恢复时间
输出过驱动恢复时间
压摆率（ 25 ％75 ％ ）
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
失真
二次谐波
三次谐波
串扰，输出至输出
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
输入失调电压
输入失调电压匹配
输入失调电压漂移
输入偏置电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
可用的输入范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
55
–82
–85
–70
–81
–86
11
0.7
1
2
3.5
2.5
27
11
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dB
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
mV
mV
mV
V/
o
C
pA
pA
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
V
mA
pF
T
民
– T
最大
V
O
=
±
3 V
89
4
1.5
50
92
1000||2.3
1000||1.7
-5.0到+2.2
-5.0到+5.0
–100
±
4.95
40
35
V
CM
= （ -3 V至+1.5 V）
–89
±
4.75
30％的过冲，G = 1 ，
V
O
= 400毫伏峰 - 峰值
5
V
S
=
±
2 V
–90
3.3
–100
24
3.5
V
mA
dB
–2–
版本B
AD8033/AD8034
特定网络阳离子
（T = 25℃ ，V = 5 V ，R = 1 K
A
S
L
，增益= 2 ，除非另有说明。 ）
民
典型值
80
32
21
180
200
70
100
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
输入过驱动恢复时间
输出过驱动恢复时间
压摆率（ 25 ％75 ％ ）
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
失真
二次谐波
三次谐波
相声，输出到输出
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
输入失调电压
输入失调电压匹配
输入失调电压漂移
输入偏置电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
可用的输入范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P
70
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
-3 V至+3 V输入
-1.5 V至1.5 V输入， G = 2
55
G = 2 ，V
O
= 4 V步骤
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
f
C
= 1兆赫，V
O
= 2 V P-P
R
L
= 500
R
L
= 1 k
R
L
= 500
R
L
= 1 k
F = 1MHz时， G = 2
F = 100千赫
F = 100千赫
V
CM
= 0 V
T
民
– T
最大
–80
–84
–70
–80
–86
11
0.7
1
2.0
3.5
2.5
30
10
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dB
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
mV
mV
mV
V/
o
C
pA
pA
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
V
mA
pF
T
民
– T
最大
V
O
= 0 V至3 V
87
4
1
50
92
1000||2.3
1000||1.7
0-2.0
0-5.0
–100
0.04 4.95
30
25
V
CM
= 1.0 V至2.5伏
R
L
= 1 k
30％的过冲，G = 1 ，
V
O
= 400毫伏峰 - 峰值
–80
0.16至4.83
5
V
S
=
±
1 V
–80
3.3
–100
24
3.5
V
mA
dB
版本B
–3–
AD8033/AD8034
特定网络阳离子
参数
动态性能
-3 dB带宽
输入过驱动恢复时间
输出过驱动恢复时间
压摆率（ 25 ％75 ％ ）
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
失真
二次谐波
三次谐波
相声，输出到输出
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
输入失调电压
输入失调电压匹配
输入失调电压漂移
输入偏置电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
可用的输入范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
(T
A
= 25℃ ，V
S
=
12 V ，R
L
= 1千，增益= 2 ，除非另有说明。 ）
条件
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
-13 V至+13 V的输入
-6.5 V至6.5 V输入， G = 2
G = 2 ，V
O
= 4 V步骤
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
G = 2 ，V
O
= 10 V步骤
f
C
= 1兆赫，V
O
= 2 V P-P
R
L
= 500
R
L
= 1 k
R
L
= 500
R
L
= 1 k
F = 1MHz时， G = 2
F = 100千赫
F = 100千赫
V
CM
= 0 V
T
民
– T
最大
民
65
典型值
80
30
21
100
100
80
90
225
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
ns
55
–80
–82
–70
–82
–86
11
0.7
1
4
2
50
96
1000||2.3
1000||1.7
-12.0至9.0
-12.0至12.0
–100
±
11.84
60
35
24
3.5
2.0
3.5
2.5
24
12
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dB
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
mV
mV
mV
V/
o
C
pA
pA
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
V
dB
V
mA
pF
V
mA
dB
T
民
– T
最大
V
O
=
±
8 V
88
V
CM
=
±
5 V
–92
±
11.52
30％的过冲; G = 1
5
V
S
=
±
2 V
–85
3.3
–100
绝对最大额定值*
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26.4 V
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图2
共模输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26.4 V
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.4 V
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 125°C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
铅温度范围（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
–4–
版本B
AD8033/AD8034
最大功率耗散
最大功耗 - W
在AD8033 / AD8034的最大安全功耗
包是由结温的升高情况
(T
J
）在模具上。即本地封装模具将塑料
到达结点温度。在约150 ℃，这是
玻璃化转变温度时，塑料会改变其Properties（属性）
关系。即使只是暂时超过这一温度限值可能改变
该封装对芯片施加的应力，从而永久性地转变
在AD8033 / AD8034的参数性能。超过
的175℃下进行延长的时间周期结温度可以
导致的变化的硅器件，因而可能造成故障。
封装和PCB的静止空气的热性能（
JA
),
环境温度（T
A
） ，总功率消耗在
装（P
D
）确定模具的结温。
结温度可以计算如下
T
J
=
T
A
+
(
P
D
× θ
J
A
)
消散在封装的功率（P
D
）是的总和
静态功耗和消耗在包中的功率
由于对所有输出的负载驱动。静态功耗是
电源引脚之间的电压（V
S
）倍的静态电流（I
S
).
假设负载（R
L
）被引用到中间电源电压，则总
驱动电源是
V
S
/2
I
OUT
，其中一些被消耗在
包和一些在负载（Ⅴ
OUT
I
OUT
） 。区别
总的驱动电源和负载之间的电源为驱动器
功率消耗在包装：
2.0
1.5
SOT-23-8
SOIC-8
1.0
SC70-5
0.5
0.0
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
100
环境温度 - C
图2.最大功率耗散主场迎战
下一个四层板
气流会增加散热，有效地降低
JA
.
此外，更多金属直接接触封装从引线
金属迹线，通孔，接地层，电源层将减少
该
JA
。必须小心，以最小化寄生电容
的高速运算放大器的输入引线，在布局的讨论，
接地和旁路考虑部分。
图2示出了在最大安全功耗
包装与环境温度的SOIC - 8 （ 125 ° C / W ） ，
SC70 （ 210 ° C / W）和SOT- 23-8 （ 160 ° C / W）在JEDEC封装
标准的4层电路板。
JA
值是近似值。
输出短路
P
D
=
静态功耗
+
(
总驱动功率
–
负载功率
)
P
D
=
[
V
S
×
I
S
]
+
(
V
S
/ 2
)
×
(
V
OUT
/
R
L
)
–
V
OUT
/
R
L
2
[
]
[
]
RMS输出电压应予以考虑。如果
R
L
被引用
to
V
S–
，在单电源供电，则总驱动功率
is
V
S
I
OUT
.
如果均方根信号电平是不确定的，考虑最坏
情况下，当
V
OUT
=
V
S
/ 4为
R
L
到中间电源电压：
P
D
=
(
V
S
×
I
S
)
+
(
V
S
/ 4
)
/
R
L
2
短路输出到地面或吸收更多的电流为
在AD8033 / AD8034将有可能导致灾难性的失败。
在单电源供电
R
L
参考
V
S–
,
最坏的情况下
is
V
OUT
=
V
S
/2.
订购指南
模型
AD8033AR
AD8033AR-REEL
AD8033AR-REEL7
AD8033AKS-REEL
AD8033AKS-REEL7
AD8034AR
AD8034AR-REEL7
AD8034AR-REEL
AD8034ART-REEL
AD8034ART -REEL7
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
描述
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
5引脚SC70
5引脚SC70
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOT- 23
8引脚SOT- 23
包装外形
R-8
R-8
R-8
KS-5
KS-5
R-8
R-8
R-8
RT-8
RT-8
BRANDING
信息
H3B
H3B
HZA
HZA
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
AD8033 / AD8034具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能发生
设备受到高能静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
版本B
–5–
低成本， 80 MHz的
FastFET
运算放大器
AD8033/AD8034
特点
FET输入放大器
1 pA的典型输入偏置电流
非常低的成本
高速
80 MHz的-3 dB带宽（G = 1 ）
80 V / μs压摆率（G = + 2 ）
低噪音
11纳伏/ √Hz的（ F = 100千赫）
0.7 FA / √Hz的（ F = 100千赫）
宽电源电压范围： 5 V至24 V
低失调电压： 1 mV的典型
单电源和轨到轨输出
高共模抑制比： -100分贝
低功耗：3.3毫安/放大器的典型电源电流
无相位反转
小封装： 8引脚SOIC ， 8引脚SOT- 23和5引脚SC70
NC
1
In
2
+ IN
3
–V
S 4
连接图
AD8033
8
7
6
5
NC
+V
S
V
OUT
02924-001
V
出1
–V
S 2
+ IN
3
AD8033
5
+V
S
4
In
NC =无连接
图1. 8引脚SOIC （R ）
V
OUT1 1
–IN1
2
+IN1
3
–V
S 4
图2. 5引脚SC70 （ KS ）
8
7
6
+V
S
V
OUT2
+IN2
02924-003
–IN2
AD8034
5
图3. 8引脚SOIC （ R）和8引脚SOT- 23 （ RJ ）
24
21
18
G = +10
V
OUT
= 200mV的P-P
应用
仪器仪表
过滤器
电平转换
缓冲
增益（dB ）
15
12
9
6
3
0
–3
G = +5
G = +2
G = +1
概述
在AD8033 / AD8034
FastFET
放大器电压反馈
放大器，具有FET输入，提供易用性和出色的中
性能。的AD8033是一个单一的放大器和AD8034
是双放大器。在AD8033 / AD8034
FastFET
运算放大器
ADI公司的专有XFCB工艺提供显著
性能改进和其他低成本FET放大器，例如
低噪音（ 11内华达州/ √Hz的0.7 FA / √Hz的）和高速（ 80 MHz的
带宽和80 V / μs压摆率） 。
具有宽电源电压范围为5 V至24 V ，充分
操作上单电源供电时， AD8033 / AD8034放大器
比同等价位的FET输入更多的应用工作
放大器。此外， AD8033 / AD8034具有轨至轨
产出增加了多功能性。
尽管他们的成本低，该放大器可提供出色的整体
性能。他们提供了一个高共模抑制
-100分贝，低输入偏置2毫伏的最大电压和低
11纳伏/ √Hz的噪声。
–6
–9
0.1
1
G = –1
10
频率（MHz）
100
1000
图4.小信号频率响应
在AD8033 / AD8034放大器只能得出3.3毫安/放大器
静态电流，同时具有提供高达的能力
40毫安负载电流。
该AD8033是采用小型封装8引脚SOIC和
小包装5引脚SC70封装。在AD8034中也有可
小型封装8引脚SOIC和小型封装8引脚SOT- 23 。
它们的额定工作过的工业温度范围
-40 ° C至+ 85°C ，避免过度商业级的溢价
产品。
Rev. D的
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
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02924-004
02924-002
NC
重要链接了
AD8033_8034*
最后内容更新2013年8月19日上午12时56分
文档
AN- 649 ：
采用ADI有源滤波器设计工具
AN- 581 ：
偏置和去耦运算放大器的单电源
应用
AN- 402 ：
取代输出钳位运算放大器，具有输入钳位
安培
AN- 417 ：
快速轨至轨运算放大器简化设计
在低压高速系统的限制
MT- 060 ：
选择之间的电压反馈和电流反馈
运算放大器
MT- 059 ：
补偿输入电容对VFB的影响
和CFB运算放大器用于电流到电压转换器
MT- 058 ：
在VFB和CFB运算放大器的影响反馈电容
MT- 056 ：
高速电压反馈运算放大器
MT- 053 ：
运算放大器失真： HD ， THD ， THD + N ， IMD ， SFDR ， MTPR
MT- 052 ：
运算放大器的噪声系数：不要被误导
MT- 050 ：
运算放大器总输出噪声计算二阶
系统
MT- 049 ：
运算放大器总输出噪声计算单刀
系统
MT- 048 ：
运算放大器噪声关系： 1 / f噪声， RMS噪声，并
等效噪声带宽
MT- 047 ：
运算放大器的噪声
MT- 033 ：
电压反馈运算放大器的增益和带宽
MT- 032 ：
理想的电压反馈（ VFB ）运算放大器
对于选择高速运算放大器无压力的方法
对于AD8033
AN- 357 ：
业务集成
UG- 112 ：
通用评估板单人，高速运算放大器
在提供SC- 70封装
UG- 101 ：
评估板用户指南
对于AD8034
AN- 108 ：
JFET输入放大器是无与伦比的速度和精度
AN- 356 ：
用户指南应用和测量业务
放大器规格
UG- 019 ：
通用评估板的双通道，高速运算放大器
采用8引脚SOT- 23封装
UG -128 ：
通用评估板，用于双高速运算放大器
SOIC封装
参数化选型表
查找类似产品通过操作参数
高速放大器选型表
设计工具，模型， DRIVERS &软件
dBm的/ dBu的/ DBV计算器
模拟滤波器向导2.0
功耗与模具温度
ADIsimOpAmp
运算放大器稳定性
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AD8034 SPICE宏模型
光电二极管前置放大器误差预算教程为AD8034
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AD8033/AD8034
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
连接图................................................ ...................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 6
最大功率耗散............................................... ...... 6
输出短路............................................... ..................... 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
典型性能特征............................................. 7
测试电路................................................ ..................................... 14
工作原理............................................... ....................... 16
输出级驱动器和容性负载驱动器..................... 16
输入过驱动................................................ .......................... 16
输入阻抗................................................ ........................ 16
散热注意事项................................................ ............ 16
布局，接地和旁路注意事项.................. 18
绕过................................................. .................................... 18
接地................................................. .................................. 18
漏电流................................................ ........................ 18
输入电容................................................ ...................... 18
应用信息................................................ .............. 19
高速峰值检波器.............................................. .......... 19
有源滤波器................................................ ............................... 20
宽带光电二极管前置放大器............................................... 21
外形尺寸................................................ ....................... 23
订购指南................................................ .......................... 24
8月2日 - 修订版。 0到版本A
加入AD8033 ................................................ ...................通用
V
OUT
= 2 V峰峰值从默认条件.........通用已删除
新增...................................... SOIC - 8 （ R）和SC70 （ KS ） ............ 1
编辑概述部分............................................. 1
更改规格............................................... .................. 2
新图2 ............................................... ....................................... 5
编辑最大功率耗散部分.............................. 5
更改订购指南.............................................. ............... 5
更改为TPC 3 .............................................. ................................. 6
更改为TPC 6 .............................................. ................................. 6
更改为TPC 9 .............................................. ................................. 7
新的TPC 16 ............................................... ........................................ 8
新的TPC 17 ............................................... ........................................ 8
新的TPC 31 ............................................... ..................................... 11
新的TPC 35 ............................................... ..................................... 11
新的测试电路9 .............................................. ............................ 13
SC70 （ KS ）套餐加............................................ ................ 19
修订历史
9月8日 - 修订版。 C到Rev. D的
删除可用的输入范围参数，如表1 ........................... 3
删除可用的输入范围参数，表2 ........................... 4
删除可用的输入范围参数，表3 ........................... 5
4月8日 - 修订版。 B到C版
更改格式............................................... ..............通用
更改功能和一般说明............................. 1
变化图13标题和图14标题................ 8
图22和图23的变化........................................... 9 ....
图25和图28的变化........................................... .. 10
更改输入电容部分........................................ 18
更改有源滤波器节............................................. .... 21
更改外形尺寸.............................................. ..... 23
更改订购指南.............................................. ............ 24
2月3日 - 修订版。 A到版本B
更改功能............................................... ........................... 1
更改连接图.............................................. 1 ...
更改规格............................................... ................. 2
更改绝对最大额定值....................................... 4
取代TPC 31 ............................................... .............................. 11
更改TPC 35 .............................................. ........................... 11
更改测试电路3 ............................................. .................. 12
更新的外形尺寸............................................... ........ 19
修订版D |页24 2
AD8033/AD8034
特定网络阳离子
T
A
= 25 ° C，V
S
= -5 V ，R
L
= 1千欧，增益= 2 ，除非另有说明。
表1中。
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1 ，V
OUT
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
OUT
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
OUT
= 2 V P-P
-6 V至6 V的输入
-3 V至+3 V输入， G = 2
G = 2 ，V
OUT
= 4 V步骤
G = 2 ，V
OUT
= 2 V步骤
G = 2 ，V
OUT
= 8 V步
f
C
= 1兆赫，V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 500 Ω
R
L
= 1 kΩ
R
L
= 500 Ω
R
L
= 1 kΩ
F = 1MHz时， G = 2
F = 100千赫
F = 100千赫
V
CM
= 0 V
T
民
T
最大
民
65
典型值
80
30
21
135
135
80
95
225
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
ns
输入过驱动恢复时间
输出过驱动恢复时间
压摆率（ 25 ％75 ％ ）
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
失真
二次谐波
三次谐波
串扰，输出至输出
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
输入失调电压
输入失调电压匹配
输入失调电压漂移
输入偏置电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
55
82
85
70
81
86
11
0.7
1
2
3.5
2.5
27
11
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dB
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
mV
mV
mV
μV/°C
pA
pA
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
dB
V
mA
pF
24
3.5
V
mA
dB
T
民
T
最大
V
OUT
= ± 3 V
89
4
1.5
50
92
1000||2.3
1000||1.7
-5.0到+2.2
100
±4.95
40
35
V
CM
= -3 V至+1.5 V
89
±4.75
30％的超调，G = 1 ，V
OUT
= 400毫伏峰 - 峰值
5
V
S
= ±2 V
90
3.3
100
修订版D |第24 3
AD8033/AD8034
T
A
= 25 ° C，V
S
= 5 V ，R
L
= 1千欧，增益= 2 ，除非另有说明。
表2中。
参数
动态性能
-3 dB带宽
条件
G = 1 ，V
OUT
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
OUT
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
OUT
= 2 V P-P
-3 V至+3 V输入
-1.5 V至1.5 V输入， G = 2
G = 2 ，V
OUT
= 4 V步骤
G = 2 ，V
OUT
= 2 V步骤
f
C
= 1兆赫，V
OUT
= 2 V P-P
R
L
= 500 Ω
R
L
= 1 kΩ
R
L
= 500 Ω
R
L
= 1 kΩ
F = 1MHz时， G = 2
F = 100千赫
F = 100千赫
V
CM
= 0 V
T
民
T
最大
民
70
典型值
80
32
21
180
200
70
100
最大
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / μs的
ns
输入过驱动恢复时间
输出过驱动恢复时间
压摆率（ 25 ％75 ％ ）
建立时间至0.1％
噪音/谐波性能
失真
二次谐波
三次谐波
相声，输出到输出
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
输入失调电压
输入失调电压匹配
输入失调电压漂移
输入偏置电流
开环增益
输入特性
共模输入阻抗
差分输入阻抗
输入共模电压范围
FET输入范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
55
80
84
70
80
86
11
0.7
1
2
3.5
2.5
30
10
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dB
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
mV
mV
mV
μV/°C
pA
pA
dB
GΩ || pF的
GΩ || pF的
V
dB
V
mA
pF
24
3.5
V
mA
dB
T
民
T
最大
V
OUT
= 0 V至3 V
87
4
1
50
92
1000||2.3
1000||1.7
0-2.0
100
0.04 4.95
30
25
V
CM
= 1.0 V至2.5伏
R
L
= 1 kΩ
30％的超调，G = 1 ，V
OUT
= 400毫伏峰 - 峰值
80
0.16至4.83
5
V
S
= ±1 V
80
3.3
100
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