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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第218页 > AD8032A
a
特点
低功耗
电源电流800 A /放大器
完全指定为+2.7 V, + 5 V和5 V电源
高速和+5 V快速建立
80 MHz的-3 dB带宽(G = 1 )
30 V / s的压摆率
125 ns的建立时间至0.1%
轨至轨输入和输出
无反相输入与0.5 V超越用品
输入CMVR超出了Rails的200毫伏
输出摆幅在任一供电轨的20 mV的
低失真
-62分贝@ 1 MHz时,V
O
= 2 V P-P
-86分贝@ 100千赫,V
O
= 4.6 V P-P
输出电流: 15毫安
高品位选项
V
OS
(最大)= 1.5毫伏
应用
高速电池供电系统
组件的高密度系统
便携式测试仪器
A / D缓冲区
主动滤池
高速设置与需求放大器
NC 1
-IN 2
+ IN 3
–V
S
4
2.7 V , 800 A, 80 MHz的
轨到轨输入/输出放大器
AD8031/AD8032
连接图
8引脚塑料DIP (N )
和SOIC (R )封装
8引脚塑料DIP (N ) ,
SOIC ( R)和SOIC ( RM )
套餐
OUT1 1
-IN1 2
IN1 + 3
–V
S
4
8 +V
S
7 OUT2
6 -in2
AD8031
8 NC
7 +V
S
6 OUT
5 NC
AD8032
5 + IN2
NC =无连接
5引脚塑料表面贴装封装
SOT- 23-5 ( RT - 5 )
V
出1
–V
S 2
+ IN
3
(不按比例)
4
AD8031
5
+V
S
In
到高速系统中,其中的元件密度要求较低
功耗。在AD8031 / AD8032采用8引脚可用
塑料DIP和SOIC封装,并工作于行业
试验温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。该AD8031A还
在节省空间的5引脚SOT- 23-5封装,可用
AD8032A是采用8引脚
μSOIC
封装。
概述
在AD8031 (单通道)和AD8032 (双通道)单电源电压
反馈放大器具有高速性能与80兆赫
小信号带宽, 30 V / μs压摆率和125 ns建立
时间。这样的表现是可以同时功耗小于
从+5 V单电源4.0毫瓦的功率。这些功能
增加的运行时间高速电池供电
系统不会影响动态性能。
该产品具有真正的单电源供电能力具有轨至轨
输入和输出特性,并为2.7 V的指定,
+ 5V和+
±5
V电源。输入电压范围可延伸到
500 mV的超越每个轨道。输出电压摆幅内
每个轨道提供最大的输出动态范围为20毫伏。
在AD8031 / AD8032还提供了只有出色的信号质量
800
A
每个放大器的电源电流; THD为-62 dBc的带
为100 kHz时, 4.6 V峰峰值2 V峰峰值, 1 MHz的输出信号和-86 dBc的
信号在+5 V电源。低失真和快速建立时间
使它们非常适合作为缓冲区,以单电源供电, A至D转换器。
操作上,从供应+2.7 V至+12 V和双电源高达
±6
V时, AD8031 / AD8032非常适合于广泛的应用,
从大的带宽要求的电池供电系统
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是,没有责任承担由Analog Devices其
使用,也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则,在ADI公司的任何专利或专利权。
1V/Div
1V/Div
2秒/格
2秒/格
输入V
IN
+5V
输出电压V
OUT
V
OUT
V
IN
1k
1.7pF
+2.5V
电路图
图1.轨到轨在100 kHz的性能
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781 / 329-4700
万维网网站: http://www.analog.com
传真: 781 / 326-8703
ADI公司, 1999
AD8031/AD8032–SPECIFICATIONS
+2.7 V电源
参数
动态性能
-3 dB的小信号带宽
压摆率
建立时间至0.1%
(@ T
A
= +25 C,V
S
= +2.7 V ,R
L
= 1 k
条件
至1.35 V ,R
F
= 2.5 k
除非另有说明)
AD8031B/AD8032B
典型值
最大
54
25
80
30
125
–62
–86
15
2.4
5
–60
单位
兆赫
V / μs的
ns
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
dB
AD8031A/AD8032A
典型值
最大
54
25
80
30
125
–62
–86
15
2.4
5
–60
G = 1 ,V
O
< 0.4 V P-P
G = -1 ,V
O
= 2 V步骤
G = -1 ,V
O
= 2 V步骤,C
L
= 10 pF的
失真/噪声性能
总谐波失真
f
C
= 1兆赫,V
O
= 2 V P-P ,G = 2
f
C
= 100千赫,V
O
= 2 V P-P ,G = 2
输入电压噪声
F = 1千赫
输入电流噪声
F = 100千赫
F = 1千赫
串扰( AD8032只)
F = 5兆赫
直流性能
输入失调电压
V
CM
=
V
CC
2
;
V
OUT
= 1.35 V
±
1
±
6
10
0.45
50
±
6
±
10
±
0.5
±
1.6
10
±
1.5
±
2.5
mV
mV
μV/°C
T
给T
最大
失调漂移
输入偏置电流
输入失调电流
开环增益
V
CM
=
V
CC
2
;
V
OUT
= 0.35 V至2.35 V
V
CM
=
V
CM
=
V
CC
2
V
CC
2
;
V
OUT
= 1.35 V
;
V
OUT
= 1.35 V
2
2.2
500
76
74
0.45
50
80
2
2.2
500
A
A
nA
dB
dB
T
给T
最大
76
74
80
T
给T
最大
输入特性
共模输入电阻
差分输入电阻
输入电容
输入电压范围
输入共模电压范围
共模抑制比
差分输入电压
输出特性
输出电压摆幅低
输出电压摆幅高
输出电压摆幅低
输出电压摆幅高
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
V
CM
= 0 V至2.7 V
V
CM
= 0 V至1.55 V
46
58
40
280
1.6
-0.5到
+3.2
-0.2
+2.9
64
74
3.4
46
58
40
280
1.6
-0.5到
+3.2
-0.2
+2.9
64
74
3.4
M
k
pF
V
V
dB
dB
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
pF
+12
1250
V
A
dB
R
L
= 10 k
R
L
= 1 k
+0.05
+2.6
+0.15
+2.55
采购
下沉
G = 2 (见图41 )
+2.7
+0.02
+2.68
+0.08
+2.6
15
21
–34
15
+12
1250
+0.05
+2.6
+0.15
+2.55
+0.02
+2.68
+0.08
+2.6
15
21
–34
15
+2.7
750
75
86
750
V
S
- = 0 V至-1 V或
V
S
+ = +2.7 V至3.7 V
75
86
–2–
版本B
特定网络阳离子
+5 V电源
参数
动态性能
-3 dB的小信号带宽
压摆率
建立时间至0.1%
AD8031/AD8032
至+2.5 V ,R
F
= 2.5 k
除非另有说明)
AD8031B/AD8032B
典型值
最大
54
27
80
32
125
–62
–86
15
2.4
5
0.17
0.11
–60
单位
兆赫
V / μs的
ns
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
%
dB
(@ T
A
= +25 C,V
S
= 5 V ,R
L
= 1 k
条件
AD8031A/AD8032A
典型值
最大
54
27
80
32
125
–62
–86
15
2.4
5
0.17
0.11
–60
G = 1 ,V
O
< 0.4 V P-P
G = -1 ,V
O
= 2 V步骤
G = -1 ,V
O
= 2 V步骤,C
L
= 10 pF的
失真/噪声性能
总谐波失真
f
C
= 1兆赫,V
O
= 2 V P-P ,G = 2
f
C
= 100千赫,V
O
= 2 V P-P ,G = 2
输入电压噪声
F = 1千赫
输入电流噪声
F = 100千赫
F = 1千赫
微分增益
R
L
= 1 k
微分相位
R
L
= 1 k
串扰( AD8032只)
F = 5兆赫
直流性能
输入失调电压
V
CM
=
V
CC
2
;
V
OUT
= 2.5 V
±
1
±
6
5
0.45
50
±
6
±
10
±
0.5
±
1.6
5
±
1.5
±
2.5
mV
mV
μV/°C
T
给T
最大
失调漂移
输入偏置电流
输入失调电流
开环增益
V
CM
=
V
CC
2
;
V
OUT
= 1.5 V至3.5 V
V
CM
=
V
CM
=
V
CC
2
V
CC
2
;
V
OUT
= 2.5 V
;
V
OUT
= 2.5 V
1.2
2.0
350
76
74
0.45
50
82
1.2
2.0
250
A
A
nA
dB
dB
T
给T
最大
76
74
82
T
给T
最大
输入特性
共模输入电阻
差分输入电阻
输入电容
输入电压范围
输入共模电压范围
共模抑制比
差分输入电压
输出特性
输出电压摆幅低
输出电压摆幅高
输出电压摆幅低
输出电压摆幅高
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
V
CM
= 0 V至5 V
V
CM
= 0 V至3.8 V
56
66
40
280
1.6
-0.5到
+5.5
-0.2
+5.2
70
80
3.4
56
66
40
280
1.6
-0.5到
+5.5
-0.2
+5.2
70
80
3.4
M
k
pF
V
V
dB
dB
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
pF
+12
1400
V
A
dB
R
L
= 10 k
R
L
= 1 k
+0.05
+4.95
+0.2
+4.8
采购
下沉
G = 2 (见图41 )
+2.7
+0.02
+4.98
+0.1
+4.9
15
28
–46
15
+12
1400
+0.05
+4.95
+0.2
+4.8
+0.02
+4.98
+0.1
+4.9
15
28
–46
15
+2.7
800
75
86
800
V
S
- = 0 V至-1 V或
V
S
+ = 5 V至6 V
75
86
版本B
–3–
AD8031/AD8032–SPECIFICATIONS
5 V电源
( @ T = 25 ℃, V =
A
S
5 V ,R
L
= 1 k
为0 V,R 1
F
= 2.5 k
除非另有说明)
AD8031A/AD8032A
典型值
最大
54
30
80
35
125
–62
–86
15
2.4
5
0.15
0.15
–60
±
1
±
6
5
0.45
50
80
±
6
±
10
1.2
2.0
350
76
74
AD8031B/AD8032B
典型值
最大
54
30
80
35
125
–62
–86
15
2.4
5
0.15
0.15
–60
±
0.5
±
1.6
5
0.45
50
80
±
1.5
±
2.5
1.2
2.0
250
单位
兆赫
V / μs的
ns
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
%
dB
mV
mV
μV/°C
A
A
nA
dB
dB
M
k
pF
V
V
dB
dB
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
pF
±
6
1600
V
A
dB
参数
动态性能
-3 dB的小信号带宽
压摆率
建立时间至0.1%
条件
G = 1 ,V
O
< 0.4 V P-P
G = -1 ,V
O
= 2 V步骤
G = -1 ,V
O
= 2 V步骤,C
L
= 10 pF的
失真/噪声性能
总谐波失真
f
C
= 1兆赫,V
O
= 2 V P-P ,G = 2
f
C
= 100千赫,V
O
= 2 V P-P ,G = 2
输入电压噪声
F = 1千赫
输入电流噪声
F = 100千赫
F = 1千赫
微分增益
R
L
= 1 k
微分相位
R
L
= 1 k
串扰( AD8032只)
F = 5兆赫
直流性能
输入失调电压
失调漂移
输入偏置电流
输入失调电流
开环增益
输入特性
共模输入电阻
差分输入电阻
输入电容
输入电压范围
输入共模电压范围
共模抑制比
差分/输入电压
输出特性
输出电压摆幅低
输出电压摆幅高
输出电压摆幅低
输出电压摆幅高
输出电流
短路电流
容性负载驱动
电源
工作范围
每个放大器器静态电流
电源抑制比
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
V
CM
= 0 V; V
OUT
= 0 V
T
给T
最大
V
CM
= 0 V; V
OUT
= 0 V
V
CM
= 0 V; V
OUT
= 0 V
T
给T
最大
V
CM
= 0 V; V
OUT
=
±
2 V
T
给T
最大
76
74
V
CM
= -5 V至+5 V
V
CM
= -5 V至3.5 V
60
66
40
280
1.6
-5.5到
+5.5
-5.2到
+5.2
80
90
3.4
60
66
40
280
1.6
-5.5到
+5.5
-5.2到
+5.2
80
90
3.4
R
L
= 10 k
R
L
= 1 k
–4.94
+4.94
–4.7
+4.7
采购
下沉
G = 2 (见图41 )
±
1.35
–4.98
+4.98
–4.85
+4.75
15
35
–50
15
±
6
1600
–4.94
+4.94
–4.7
+4.7
–4.98
+4.98
–4.85
+4.75
15
35
–50
15
±
1.35
900
76
86
900
V
S
- = -5V至-6 V或
V
S
+ = 5 V至6 V
76
86
–4–
版本B
AD8031/AD8032
绝对最大额定值
1
笔记
1
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件,在操作说明
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
2
特定网络阳离子是设备在自由空气中:
8引脚塑料DIP封装形式:
θ
JA
= 90 ° C / W 。
8引脚SOIC封装:
θ
JA
= 155 ° C / W 。
8-Lead
μSOIC
包装:
θ
JA
= 200 ° C / W 。
5引脚SOT- 23-5封装:
θ
JA
= 240 ° C / W 。
最大功耗 - 沃茨
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12.6 V
内部功耗
2
塑料DIP封装(N ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3瓦
小外形封装( R) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8瓦
μSOIC
( RM ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.6瓦
SOT- 23-5 ( RT ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5瓦
输入电压(共模) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±V
S
±
0.5 V
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
3.4 V
输出短路持续时间
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。观察功率降额曲线
存储温度范围( N,R , RM , RT)
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 125°C
铅温度范围(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
温度的塑料制成,大约+ 150℃。超额
此限制暂时可能导致参数perfor-变速
曼斯由于在应力的变化通过施加在模具
该程序包。超过+ 175 ℃的结温
长时间可导致器件失效。
虽然AD8031 / AD8032的内部短路亲
tected ,这可能不足以保证该马克西
妈妈结温( + 150 ° C)下不超过
所有条件。为确保正确的操作,有必要
观察图2中示出的最大功率降额曲线。
2.0
8引脚塑料
DIP封装
T
J
= +150 C
1.5
8引脚SOIC封装
1.0
8引脚SOIC
0.5
SOT-23-5
最大功率耗散
这可以安全地耗散由最大功率
AD8031 / AD8032是由交界处的升高情况
温度。最大安全结温为塑料
抽动包封的器件是由玻璃化转变确定
0
–50 –40 –30 –20 –10 0 10 20 30 40 50 60
环境温度 - C
70
80
90
图2.最大功耗与温度的关系
订购指南
模型
AD8031AN
AD8031AR
AD8031AR-REEL
AD8031AR-REEL7
AD8031ART-REEL
AD8031ART-REEL7
AD8031BN
AD8031BR
AD8031BR-REEL
AD8031BR-REEL7
AD8032AN
AD8032AR
AD8032AR-REEL
AD8032AR-REEL7
AD8032ARM
AD8032ARM-REEL
AD8032ARM-REEL7
AD8032BN
AD8032BR
AD8032BR-REEL
AD8032BR-REEL7
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
说明
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
13"磁带和卷轴
7"磁带和卷轴
13"磁带和卷轴
7"磁带和卷轴
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
13"磁带和卷轴
7"磁带和卷轴
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
13"磁带和卷轴
7"磁带和卷轴
8-Lead
μSOIC
13"磁带和卷轴
7"磁带和卷轴
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
13"磁带和卷轴
7"磁带和卷轴
选项
N-8
SO-8
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CODE
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小心
ESD (静电放电)敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备,可排出而不被发现。
虽然AD8031 / AD8032配备了专用ESD保护电路,造成永久性损坏
可能会发生在受到高能静电放电设备。因此,适当的ESD
预防措施建议,以避免性能下降或功能丧失。
警告!
ESD敏感器件
版本B
–5–
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