【数据表特点xDSL线路驱动器，具有完整的ADSL局端（ CO）在± 12 V电源的性能低功耗工作± 】,IC型号AD8016ARBZ-REEL,AD8016ARBZ-REEL PDF资料,AD8016ARBZ-REEL经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

特点

xDSL线路驱动器，具有完整的ADSL局端（ CO）

在± 12 V电源的性能

低功耗工作

± 5 V至± 12 V电源电压

12.5毫安/放大器（典型值）的总电源电流

降低功耗保持为4.5毫安/安培电流活着

高输出电压和电流驱动

OUT

= 600毫安

40伏特峰 - 峰值的差分输出目标电压r

= 50 Ω, V

= ±12 V

低单音失真

-75 dBc的@ 1MHz的SFDR ，R

= 100 Ω, V

OUT

= 2 V P-P

MTPR = -75 dBc的， 26 kHz至1.1 MHz的，Z

LINE

= 100 Ω,

LINE

= 20.4 dBm的

高速

78 MHz带宽（ -3分贝），G = 5

40 MHz的增益平坦度

1000 V / μs压摆率

低功耗，高输出

目前xDSL线路驱动器

AD8016

销刀豆网络gurations

+V1

OUT

客栈

INP

AGND

PWDN0

DGND

–V1

NC =无连接

– +

+ –

+V2

OUT

客栈

INP

AGND

顶视图

（不按比例）

AGND

AD8016

PWDN1

BIAS

–V2

01019-002

图1. 24引脚SOIC_W_BAT （ RB- 24 ）

–V

OUT

+V2

OUT

PWDN1

BIAS

AD8016ARE

顶视图

（不按比例）

–V2

–V1

DGND

+V1

–V

PWDN0

图2. 28引脚TSSOP_EP （ RE- 28-1 ）

概述

该

AD8016

高输出电流双路放大器是专为

在数字用户线系统，线路驱动器接口

如ADSL ， HDSL2和专有xDSL系统。司机

有能力，在全偏置工作，提供24.4 dBm为

输出功率为低阻负载，足以驱动一个

20.4 dBm的路线，包括混合动力的插入损耗。

该

AD8016

是在低成本的24引脚可用SOIC_W_BAT

和28引脚TSSOP_EP带有裸露引线框架（ EPAD ）。

从± 12 V电源工作时，

AD8016

只需要1.5瓦

总功耗的（参考功率耗散部

了解详情），而驾驶20.4 dBm的功率下游使用

在混合型的xDSL图35和图36两个数字位

（ PWDN0 ， PWDN1 ）允许驾驶员能够满

性能，输出保持活动状态，或两个中间

偏置状态。保持活动状态偏置输出晶体管

足以提供在放大器输出端的低阻抗

对于背向端接。

低功耗，高输出电流，高输出

电压摆幅，灵活的省电和强大的热

包装启用

AD8016

以用作中心局

（CO ）的ADSL ， HDSL2 ， VDSL和专有终端驱动程序

xDSL系统。

版本C

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第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有

获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。

商标和注册商标均为其各自所有者的财产。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781.329.4700

www.analog.com

传真： 781.461.3113

01019-003

笔记

1.裸露焊盘是浮动的，

没有电连接

在内部。

2. NC =无连接。

重要链接了

AD8016*

最后内容更新2013年8月18日下午6时42分

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MT- 057 ：

高速电流反馈运算放大器

MT- 051 ：

电流反馈运算放大器噪声考虑

MT- 034 ：

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和CFB运算放大器用于电流到电压转换器

对于选择高速运算放大器无压力的方法

电流反馈型放大器第1部分：应用工程师问答-22

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AD8016

特点................................................. ............................................. 1

引脚配置................................................ ........................... 1

概述................................................ ......................... 1

修订历史................................................ ............................... 2

规格................................................. .................................... 3

逻辑输入（ CMOS兼容逻辑） ................................. 4

绝对最大额定值............................................... ............. 5

最大功率耗散............................................... ...... 5

ESD注意事项................................................ .................................. 5

引脚配置和功能描述........................... 6

典型性能特征............................................. 7

测试Circuts ................................................ ...................................... 13

工作原理............................................... ....................... 14

电源和去耦.............................................. .... 14

数据表

反馈电阻的选择............................................... ....... 14

BIAS引脚和PWDN特点............................................. ...... 14

热关断................................................ .................... 15

应用信息................................................ .............. 16

多音功率比（ MTPR ） ............................................ ... 16

生成DMT ................................................ ........................ 17

功耗................................................ ....................... 17

热增强和PCB布局............................... 18

热测试................................................ .......................... 18

风量测试条件.............................................. ............ 18

实验结果................................................ ................. 19

外形尺寸................................................ ....................... 20

订购指南................................................ .......................... 20

修订历史

3/12 -REV 。 B到C版

更新格式................................................ ..................通用

删除PSOP包和评估板（整个） 1 ...

加入引脚配置和功能描述第7 ..

更新的外形尺寸............................................... ........ 21

更改订购指南.............................................. ............ 19

11月3日 - 修订版。 A到版本B

更改订购指南.............................................. .............. 4

更改TPC 21 .............................................. ............................. 8

更新的外形尺寸............................................... ... 19-20

版本C | 20页2

数据表

特定网络阳离子

@ 25 ° C，V

= ± 12 V ，R

= 100 Ω ， PWDN0 ， PWDN1 = （1， 1），T

民

= -40 ° C，T

最大

= + 85 ℃，除非另有说明。

表1中。

参数

动态性能

-3 dB带宽

带宽为0.1 dB平坦度

大信号带宽

高峰

压摆率

上升和下降时间

建立时间

输入过驱动恢复时间

噪声/失真性能

失真，单端

二次谐波

三次谐波

多音功率比

IMD

IP3

电压噪声（ RTI）

输入电流噪声

输入特性

RTI失调电压

+输入偏置电流

- 输入偏置电流

输入阻抗

输入电容

输入共模电压范围

共模抑制比

输出特性

输出电压摆幅

线性输出电流

短路电流

容性负载驱动

电源

工作范围

静态电流

测试条件/评论

G = 1 ，R

= 1.5 kΩ的，V

OUT

= 0.2 V P-P

G = 5 ，R

= 499 Ω, V

OUT

< 0.5 V P-P

G = 5 ，R

= 499 Ω, V

OUT

= 0.2 V P-P

OUT

= 4 V P-P

OUT

= 0.2 V P-P < 50兆赫

OUT

= 4 V P-P ，G = 2

OUT

= 2 V P-P

0.1%, V

OUT

= 2 V P-P

OUT

= 12.5 V P-P

OUT

= 2 V P-P ，G = 5 ，R

= 499 Ω

= 1 MHz时，R

= 100 Ω/25 Ω

= 1 MHz时，R

= 100 Ω/25 Ω

26 kHz至1.1 MHz的，Z

LINE

= 100 Ω, P

LINE

= 20.4 dBm的

500千赫， ΔF = 10千赫，R

= 100 Ω/25 Ω

500千赫，R

= 100 Ω/25 Ω

F = 10千赫

民

典型值

380

0.1

1000

350

最大

AD8016

单位

兆赫

V / μs的

75/62

88/74

84/80

42/40

77/64

93/76

–75

88/85

43/41

2.6

1.0

400

4.5

+3.0

+45

+75

dBc的

DBM

纳伏/赫兹÷

pA√Hz

μA

kΩ

毫安/安培

μs

毫安/安培

°C

3.0

单端，R

= 100 Ω

G = 5，R

= 10 Ω, f

= 100千赫， -60 dBc的SFDR

400

+10

+11

600

2000

±13

13.2

4.0

+85

±3

PWDN1 ， PWDN0 = （1， 1）

PWDN1 ， PWDN0 = （1， 0）

PWDN1 ， PWDN0 = （0， 1）

PWDN1 ， PWDN0 = （0 ，0）

至95％的余

250 μA出了偏差销

ΔV

= ±1 V

12.5

1.5

恢复时间

关断电流

电源抑制比

工作温度范围

参见图48 ， R20 ， R21 = 0 Ω ， R1 =开放。

版本C | 20页3

AD8016

@ 25 ° C，V

= -6 V ，R

= 100 Ω ， PWDN0 ， PWDN1 = （1， 1），T

民

= -40 ° C，T

最大

= + 85 ℃，除非另有说明。

表2中。

参数

动态性能

-3 dB带宽

带宽为0.1 dB平坦度

大信号带宽

高峰

压摆率

上升和下降时间

建立时间

输入过驱动恢复时间

噪声/失真性能

失真，单端

二次谐波

三次谐波

多音功率比

IMD

IP3

电压噪声（ RTI）

输入电流噪声

输入特性

RTI失调电压

+输入偏置电流

- 输入偏置电流

输入阻抗

输入电容

输入共模电压范围

共模抑制比

输出特性

输出电压摆幅

线性输出电流

短路电流

容性负载驱动

电源

静态电流

测试条件/评论

G = 1 ，R

= 1.5 kΩ的，V

OUT

= 0.2 V P-P

G = 5 ，R

= 499 Ω, V

OUT

< 0.5 V P-P

G = 5 ，R

= 499 Ω, V

OUT

= 0.2 V P-P

OUT

= 1 V均方根

OUT

= 0.2 V P-P < 50兆赫

OUT

= 4 V P-P ，G = 2

OUT

= 2 V P-P

0.1%, V

OUT

= 2 V P-P

OUT

= 6.5 V P-P

G = 5 ，V

OUT

= 2 V P-P ，R

= 499 Ω

= 1 MHz时，R

= 100 Ω/25 Ω

= 1 MHz时，R

= 100 Ω/25 Ω

26 kHz到138 kHz之间，Z

LINE

= 100 Ω, P

LINE

= 13 dBm的

500千赫， ΔF = 110千赫，R

= 100 Ω/25 Ω

500千赫

F = 10千赫

民

典型值

320

0.7

300

350

数据表

最大

单位

兆赫

V / μs的

1.0

73/61

80/68

87/82

42/39

75/63

82/70

88/83

42/39

0.2

400

+3.0

+25

+30

dBc的

DBM

纳伏/赫兹÷

pA√Hz

μA

kΩ

毫安/安培

μs

毫安/安培

°C

3.0

单端，R

= 100 Ω

G = 5 ，R

= 5 Ω ， F = 100千赫， -60 dBc的SFDR

= 10 Ω

PWDN1 ， PWDN0 = （1， 1）

PWDN1 ， PWDN0 = （1， 0）

PWDN1 ， PWDN0 = （0， 1）

PWDN1 ， PWDN0 = （0 ，0）

至95％的余

250 μA出了偏差销

ΔV

= ±1 V

300

420

830

1.0

9.7

6.9

5.0

4.1

2.0

+85

恢复时间

关断电流

电源抑制比

工作温度范围

参见图48 ， R20 ， R21 = 0 Ω ， R1 =开放。

逻辑输入（ CMOS兼容逻辑）

PWDN0 ， PWDN1 ，V

= ± 12 V或± 6 V ;整个温度范围内。

表3中。

参数

逻辑1电压

逻辑0电压

民

2.2

典型值

最大

0.8

单位

版本C | 20页4