a
特点
超高速
5500 V / s的压摆率， 4 V步骤， G = 2
545 ps的上升时间， 2 V步骤，G = 2
大信号带宽
440兆赫，G = 2
320兆赫，G = 10
小信号带宽（ -3 dB）的
1 GHz时， G = 1
700兆赫，G = 2
建立时间： 10 ns至0.1 ％ ， 2 V步骤，G = 2
低失真随着宽带
SFDR
-44 dBc的@ 150 MHz时， G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
-41 dBc的@ 150 MHz时， G = 10 ，V
O
= 2 V P-P
3阶截取（ 3IP ）
26 dBm的@ 70兆赫， G = 10
18 dBm的@ 150 MHz时， G = 10
良好的视频特性
增益平坦度0.1分贝至75MHz
0.01 ％差分增益误差，R
L
= 150
0.01差分相位误差，R
L
= 150
高输出驱动
175毫安输出负载驱动
10 dBm的与-38 dBc的SFDR @ 70兆赫， G = 10
电源供电
5 V电源电压
14毫安（典型值）电源电流
应用
脉冲放大器
IF / RF增益级/放大器
高分辨率视频图形
高速检测控制仪表
CCD成像放大器
2
1
0
G = +2
R
F
= 301
R
L
= 150
1千兆赫， 5500 V / S
低失真放大器
AD8009
功能框图
8引脚塑封SOIC （ SO - 8 ）
NC 1
-IN 2
+ IN 3
–V
S
4
NC =无连接
5引脚SOT- 23 （ RT - 5 ）
AD8009
V
出1
–V
S 2
+ IN
3
4
5
AD8009
8
NC
7 +V
S
6
5
OUT
NC
+V
S
In
产品说明
该AD8009是一种超高速电流反馈放大器
有一个惊人的5500 V / μs压摆率，结果在一个上升
时间545 ps的，使其成为一种理想的脉冲放大器。
高转换率降低压摆率限制和效果
结果在440兆赫所需的大信号带宽
高分辨率的视频图形系统。信号质量就会维持
tained在很宽的带宽的最坏情况下的失真
-40 dBc的@ 250兆赫（G = 10 ， 1 V P-P ） 。对于应用程序
用多音信号，如IF信号链，三阶
12 dBm的截距（ 3IP ）被以相同的频率来实现的。
这种失真性能再加上目前反馈
体系结构使AD8009灵活的组件增益
级放大器中的IF / RF信号链。
在AD8009能够提供超过175 mA负载的
目前，并将带动四回端接视频负载，同时
保持低差分增益和0.02％相位误差和
0.04 °分别。高驱动能力还体现在
提供10 dBm的输出功率@ 70 MHz的能力
-38 dBc的SFDR 。
该AD8009是采用小型SOIC封装和意志
工作在工业温度范围-40 ° C至+ 85°C 。
–30
G=2
R
F
= 301
V
O
= 2V峰 - 峰值
100
2ND,
负载
3RD,
100 LOAD
–80
3RD,
150 LOAD
–90
2ND,
负载
–40
归一化增益 - 分贝
V
O
= 2VP -P
–2
–3
–4
–5
–6
–7
–8
G = +10
R
F
= 200
R
L
= 100
失真 - dBc的
–1
–50
–60
150
–70
–100
1
100
10
频率响应 - 兆赫
1000
1
10
频率响应 - 兆赫
100
200
图1.大信号频率响应; G = 2 & 10
图2.失真与频率的关系; G = 2
版本B
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ADI公司， 2000
=
V
=
R
r 301和为G =
AD8009–SPECIFICATIONS
为（ @ = T + 1 ， + 25 = C， 226 = for5 V， = R 2 100 R t = for191Package ： + 10 ， =除非另有+ 1 ，+ 2，
R = 200， G = 10 ，对于RT包装： R = 332
G
R
G
和
对于G =
注意）。
A
S
L
F
F
F
F
F
模型
动态性能
-3 dB的小信号带宽，V
O
= 0.2 V P-P
了R封装
RT套餐
条件
民
AD8009AR
典型值
最大
单位
大信号带宽，V
O
= 2 V P-P
增益平坦度0.1分贝，V
O
= 0.2 V P-P
压摆率
建立时间至0.1％
上升和下降时间
谐波/噪声性能
SFDR G = 2 ，V
O
= 2 V P-P
SFDR
G = 10 ，V
O
= 2 V P-P
三阶截取（ 3IP ）
W.R.T.输出，G = 10
输入电压噪声
输入电流噪声
微分增益误差
差分相位误差
直流性能
输入失调电压
G = 1 ，R
F
= 301
G = 1 ，R
F
= 332
G = +2
G = +10
G = +2
G = +10
G = 2 ，R
L
= 150
G = 2 ，R
L
= 150
,
4 V步骤
G = 2 ，R
L
= 150
,
2 V步骤
G = 10 ， 2 V步骤
G = 2 ，R
L
= 150
,
4 V步骤
5兆赫
70兆赫
150兆赫
5兆赫
70兆赫
150兆赫
70兆赫
150兆赫
250兆赫
F = 10MHz的
F = 10MHz时， +在
F = 10MHz时，
In
NTSC ，G = 2 ，R
L
= 150
NTSC ，G = 2 ，
R
L
= 37.5
NTSC ，G = 2 ，R
L
= 150
NTSC ，G = 2 ，
R
L
= 37.5
480
300
390
235
45
4500
1000
845
700
350
440
320
75
5500
10
25
0.725
–74
–53
–44
–58
–41
–41
26
18
12
1.9
46
41
0.01
0.02
0.01
0.04
2
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
ns
ns
ns
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
DBM
DBM
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
%
%
度
度
mV
mV
μV/°C
±A
±A
±A
±A
k
k
k
pF
±
V
dB
V
mA
mA
±
6
16
18
V
mA
mA
dB
0.03
0.05
0.03
0.08
5
7
150
150
T
民
–T
最大
失调电压漂移
- 输入偏置电流
T
民
–T
最大
+输入偏置电压
T
民
–T
最大
开环互阻
T
民
–T
最大
输入特性
输入阻抗
输入电容
输入共模电压范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出电流
短路电流
电源
工作范围
静态电流
电源抑制比
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
90
4
50
75
50
75
250
170
110
8
2.6
3.8
52
±
3.8
175
330
+输入
- 输入
+输入
V
CM
=
±
2.5
50
±
3.7
R
L
= 10
,
P
D
套餐= 0.7 W 150
±
4
14
T
民
–T
最大
V
S
=
±
4 V至
±
6 V
64
70
–2–
版本B
AD8009
绝对最大额定值
1
最大功率耗散
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .12.6 V
内部功耗
2
小外形封装（ R） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.75瓦
输入电压（普通模式） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
S
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
3.5 V
输出短路持续时间
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。观察功率降额曲线
存储温度范围R包。 。 。 。 -65 ° C至+ 125°C
工作温度范围（ A级） 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
铅温度范围（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
2
特定网络阳离子的设备在自由空气中：
8引脚SOIC封装：
θ
JA
= 155 ° C / W 。
这可以安全地耗散由最大功率
AD8009是由结相关的崛起温度限制
真实存在。最大安全结温为塑料
封装的器件是由玻璃化转变确定
温度的塑料制成，大约+ 150℃。超额
此限制暂时可能导致参数perfor-变速
曼斯由于在应力的变化在模具上的施加
封装。超过+ 175 ℃下的结温
长时间可导致器件失效。
而AD8009内部短路保护，这
可能不足以保证的最大结
温度（ + 150℃）是不是所有的条件下，超过。
以确保正确的操作，需要观察
最大功率降额曲线。
2.0
最大功耗 - 沃茨
T
J
= +150°C
1.5
8引脚SOIC封装
1.0
0.5
5引脚SOT- 23封装
0
–50 –40 –30 –20 –10 0 10 20 30 40 50 60
环境温度 - °C
70 80 90
图3.绘制的最大功率耗散主场迎战
温度
订购指南
模型
AD8009AR
AD8009AR-REEL
AD8009ART
AD8009ART-REEL
AD8009ART-REEL7
AD8009-EB
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
描述
8引脚SOIC
13"磁带和卷轴
5引脚SOT- 23
13"磁带和卷轴
7"磁带和卷轴
评估板
包
选项
SO-8
SO-8
RT-5
RT-5
RT-5
SO-8
BRANDING
信息
HKJ
HKJ
HKJ
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然AD8009具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
版本B
–3–
AD8009 -典型性能特征
3
2
G = 1 ， RT
1
归一化增益 - 分贝
6.2
G = 1 ，R
6.1
6.0
增益平坦度 - 分贝
0
–1
–2
–3
–4
–5
–6
–7
1
10
100
频率 - 兆赫
1000
了R封装：
R
L
= 100
V
O
= 200mV的P-P
G = 1 ， 2 ，R
F
= 301
G = 10 ，R
F
= 200
RT包装：
G = 1 ，R
F
= 332
G = 2 ，R
F
= 226
G = 10 ，R
F
= 191
5.9
5.8
5.7
5.6
5.5
5.4
5.3
5.2
1
10
100
1000
频率 - 兆赫
G = +2
R
F
= 301
R
L
= 150
V
O
= 200mV的P-P
G = 2 ，R & RT
G = 10 ，R & RT
图4.频率响应; G = 1 ， 2 ， 10 ，R和RT
套餐
图7.增益平坦度; G = 2
8
7
6
5
22
21
20
19
增益 - 分贝
G = +2
R
F
= 301
R
L
= 150
V
O
如图所示
4
3
2
1
0
–1
–2
1
18
17
16
15
14
13
12
4V P-P
2V P-P
G = +10
R
F
= 200
R
L
= 100
V
O
如图所示
增益 - 分贝
2V P-P
4V P-P
10
100
频率 - 兆赫
1000
1
10
100
频率 - 兆赫
1000
图5.大信号频率响应; G = 2
图8.大信号频率响应; G = 10
8
7
6
–40 C
5
增益 - 分贝
4
3
2
1
0
–1
–2
1
10
100
频率 - 兆赫
1000
G = +2
R
F
= 301
R
L
= 150
V
O
= 2V峰 - 峰值
–40 C
+85 C
22
21
20
19
–40 C
+85 C
增益 - 分贝
18
17
16
15
14
13
12
1
G = +10
R
F
= 200
R
L
= 100
V
O
= 2V峰 - 峰值
+85 C
10
100
频率 - 兆赫
1000
图6.大信号频率响应与
温度; G = 2
图9.大信号频率响应与
温度; G = 10
–4–
版本B
QQ：2880707522 复制
