a
特点
超低功耗
400 A电源电流（ 4毫瓦的5 V
S
)
指定用于单电源供电
高速
270 MHz的-3 dB带宽（G = 1 ）
170 MHz的-3 dB带宽（G = + 2 ）
280 V / s的压摆率（G = + 2 ）
28 ns的建立时间为0.1 ％ ， 2 V步骤（G = + 2 ）
低失真/噪声
-63 dBc的@ 1 MHz时，V
O
= 2 V P-P
-50 dBc的@ 10兆赫，V
O
= 2 V P-P
4.0纳伏/ √Hz的输入电压噪声@ 10MHz的
良好的视频特性（R
L
= 1千，G = 2 ）
增益平坦度0.1分贝到30 MHz
0.11 ％微分增益误差
0.4差分相位误差
应用
信号调理
A / D缓冲区
功耗敏感的，高速系统
电池供电设备
循环/远程电源系统
通信或视频测试系统
便携式医疗仪器
产品说明
270兆赫， 400 A
电流反馈放大器器
AD8005
功能框图
8引脚塑料DIP和SOIC
NC 1
-IN 2
+ IN 3
–V
S
4
AD8005
8 NC
7 +V
S
6 OUT
5 NC
NC =无连接
5引脚SOT- 23
出1
–V
S
2
+ IN
3
4 -IN
5 +V
S
AD8005
该AD8005是一款超低功耗，高速放大器，
170 MHz的宽信号带宽和280 V / μs的压摆率。
这种性能的同时仅消耗400实现
A
of
静态电源电流。这些特点增加了操作
高速电池供电的系统时间不降低
动态性能。
3
2
归一化增益 - 分贝
电流反馈设计结果为0.1 dB增益平坦度
到30 MHz，同时差分增益和相位误差
0.11％和0.4° 。谐波失真是低在宽
带宽的-63 dBc的的THD为1 MHz和-50 dBc的在
10兆赫。理想的特征为一个信号调节放大器或
缓冲到一个高速A至D转换器在便携式视频
医疗或通信系统。
在AD8005的特点是+5 V和
±
5 V电源，
将工作在-40°C至工业级温度范围
+ 85°C 。该放大器采用8引脚塑料DIP ， 8引脚提供
SOIC和5引脚SOT -23封装。
–40
G = +2
V
OUT
= 200mV的P-P
R
L
= 1k
失真 - dBc的
–50
1
0
–1
–2
–3
–4
–5
–6
0.1
G = +2
V
OUT
= 2V峰 - 峰值
R
L
= 1k
3RD
2ND
–60
3RD
V
S
= ±5V
–70
2ND
–80
V
S
= +5V
–90
1
10
频率 - 兆赫
100
500
–100
1
频率 - 兆赫
10
20
图1.频率响应; G = 2 ，V
S
= + 5V或
±
5 V
图2.失真与频率的关系; V
S
=
±
5 V
REV 。一
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ADI公司， 1999
AD8005
+5 V电源
（ @ T = 25 ℃， V = 5 V， R = 1千
A
S
L
至2.5V ，除非另有说明）
民
AD8005A
典型值
最大
单位
参数
动态性能
条件
R
F
= 3.01千欧的“ N”型或
R
F
= 2.49千欧的“R”或包
R
F
= 2.10千欧的“RT”套餐
G = 1 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 2 ，V
O
= 0.2 V P-P
G = 10 ，V
O
= 2 V P-P ，R
F
= 499
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
G = -1 ，V
O
= 2 V步骤，R
F
= 1.5 k
G = 2 ，V
O
= 2 V步骤
R
F
= 3.01千欧的“ N”型或
R
F
= 2.49千欧的“R”或包
R
F
= 2.10千欧的“RT”套餐
f
C
= 1兆赫，V
O
= 2 V P-P ，G = 2
f
C
= 10 MHz时，V
O
= 2 V P-P ，G = 2
NTSC ，G = 2 ，R
L
1.5 V
NTSC ，G = 2 ，R
L
1.5 V
F = 10MHz的
F = 10MHz时， + I
IN
–I
IN
-3 dB的小信号带宽
带宽为0.1 dB平坦度
大信号带宽
压摆率（上升沿）
建立时间至0.1％
失真/噪声性能
190
110
10
225
130
30
45
260
775
30
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
V / μs的
ns
总谐波失真
微分增益
微分相位
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
输入失调电压
–60
–50
0.14
0.70
4.0
1.1
9.1
5
35
50
1
2
10
11
dBc的
dBc的
%
度
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
±
mV
±
mV
μV/°C
±A
±A
±A
±A
NA / ℃，
k
M
pF
V
dB
V
mA
mA
425
475
+85
A
A
dB
°C
T
民
给T
最大
失调漂移
+输入偏置电流
T
民
给T
最大
- 输入偏置电流
T
民
给T
最大
输入偏置电流漂移（ ± ）
开环阻
输入特性
输入阻抗
输入电容
输入共模电压范围
共模抑制比
输出特性
输出电压摆幅
输出电流
短路电流
电源
静态电流
电源抑制比
工作温度范围
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
40
0.5
5
8
500
120
300
1.6
为1.5 3.5
54
0.95 4.05
10
30
350
T
民
给T
最大
V
S
= 4 V至6 V
56
–40
66
50
+输入
- 输入
+输入
V
CM
= 1.5 V至3.5 V
48
1.1 3.9
R
L
= 50
REV 。一
–3–
AD8005
绝对最大额定值
1
最大功率耗散
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12.6 V
内部功耗
2
塑料DIP封装（N ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.3瓦
小外形封装（ R） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.75瓦
SOT- 23-5封装（ RT） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5瓦
输入电压（普通模式） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
S
±
1 V
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
3.5 V
输出短路持续时间
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。观察功率降额曲线
存储温度范围
N，R & RT包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 125°C
工作温度范围（ A级） 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
铅温度范围（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
2
特定网络阳离子的设备在自由空气中：
8引脚塑料DIP封装形式：
θ
JA
= 90C / W
8引脚SOIC封装：
θ
JA
= 155 ° C / W
5引脚SOT- 23封装：
θ
JA
= 240 ° C / W
这可以安全地耗散由最大功率
AD8005是由结相关的崛起温度限制
真实存在。最大安全结温为塑料
封装的器件是由玻璃化转变温测定
perature塑料的，约+ 150°C 。超过这个
暂时限制可能会导致在参数性能的转变
由于在应力的变化施加在管芯的封装。
为延长超过+ 175 ℃的结温
期间可能会导致器件失效。
而AD8005内部短路保护，这可能
不足以保证的最大结温
perature （ + 150 ° C）是不是所有的条件下超标。对
确保正确的操作，需要观察的最大
在图3所示的功率降额曲线。
2.0
最大功耗 - 沃茨
T
J
= +150°C
8引脚塑料DIP封装
1.5
8引脚SOIC封装
1.0
0.5
5引脚SOT- 23封装
0
–50 –40 –30 –20 –10 0 10 20 30 40 50 60
环境温度 - °C
70 80 90
图3.最大功率耗散与温度的关系
订购指南
模型
AD8005AN
AD8005AR
AD8005AR-REEL
AD8005ART-REEL
AD8005AR-REEL7
AD8005ART-REEL7
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
描述
8引脚塑料DIP
8引脚塑料SOIC
13"磁带和卷轴
13"磁带和卷轴
7"磁带和卷轴
7"磁带和卷轴
包
选项
N-8
SO-8
SO-8
RT-5
SO-8
RT-5
BRAND
CODE
H1A
H1A
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然AD8005具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在经受高能量静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
REV 。一
典型特征 - AD8005
5
4
3
V
S
= 5V
V
OUT
= 200mV的P-P
R
L
= 1k
G = +1
5
4
3
V
S
= 5V
V
OUT
= 200mV的P-P
R
L
= 1k
归一化增益 - 分贝
2
1
0
–1
–2
–3
–4
–5
1
归一化增益 - 分贝
2
1
0
–1
–2
–3
–4
G = –10
R
F
= 1k
G = –1
R
F
= 1.5k
G = +2
G = +10
R
F
= 499
10
频率 - 兆赫
100
500
–5
1
10
频率 - 兆赫
100
500
图4.频率响应; G = 1 ， 2 ， 10 ; V
S
=
±
5 V
图7.频率响应; G = -1 ，-10 ; V
S
=
±
5 V
6.2
6.1
6.0
140
120
100
增益 - 分贝
80
收益
60
相
0
–40
–80
–120
–160
–200
–240
–280
1G
第一阶段 - 度
5.9
增益 - 分贝
5.8
5.7
5.6
5.5
5.4
G = +2
V
OUT
= 200mV的P-P
R
L
= 1k
40
20
5.3
5.2
0.1
1
10
频率 - 兆赫
100
500
0
1k
10k
100k
1M
10M
频率 - 赫兹
100M
图5.增益平坦度; G = 2 ; V
S
=
±
5 V或5 V
图8.跨导增益和相位与频率的关系
7
6
峰 - 峰值输出电压
（ 1 ％ THD ） - 伏
5
4
V
S
= 5V
V
OUT
= 2V峰 - 峰值
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
1
10
100
频率 - 兆赫
500
增益 - 分贝
3
2
1
0
V
S
= 5V
V
OUT
= 4V P-P
V
S
= +5V
G = +2
R
L
= 1k
–1
–2
0
0.5
1
10
频率 - 兆赫
100
图6.大信号频率响应;
G = 2 ，R
L
= 1 k
图9.输出摆幅与频率的关系; V
S
=
±
5 V
REV 。一
–5–
QQ：2881677436 复制
