a
特点
12位乘法DAC
保证规格与+ 3.3V / + 5 V电源
0.5个LSB INL和DNL
低功耗： 5 W （典型值）
快速接口
40 ns的频闪脉冲宽度（ AD7943 ）
40纳秒写入脉冲宽度（ AD7945 ， AD7948 ）
低干扰： 60 nV-s表示与功放连接
快速建立： 600 ns至0.01 ％，与AD843
应用
电池供电仪器仪表
笔记本电脑
升级所有的754x系列的DAC （ 5 V外观设计）
V
REF
CLR
LD1
LD2
斯里兰卡
+ 3.3V / + 5V电压倍增
12位DAC
AD7943/AD7945/AD7948
功能方框图
V
DD
R
FB
I
OUT1
I
OUT2
AGND
AD7943
12位DAC
DAC寄存器
输入移位寄存器
SRO
STB1 STB2
STB3
STB4
V
DD
R
FB
DGND
概述
在AD7943 ， AD7945和AD7948是快速12位乘法
从+5 V单电源供电的DAC （正常模式）
和单一的+3.3 V至+5 V电源（偏置模式） 。该
AD7943具有一个串行接口，所述AD7945具有12位并行
接口，而AD7948具有一个8位字节的接口。他们将
取代行业标准AD7543 ， AD7545和AD7548
在许多应用中，它们具有卓越的速度和功率
消费的表现。
在AD7943采用16引脚DIP ， 16引脚SOP（小
外形封装）和20引脚SSOP （缩小外形封装
包） 。
在AD7945采用20引脚DIP ， 20引脚SOP和20-可用
引脚SSOP封装。
在AD7948采用20引脚DIP ， 20引脚SOP和20-可用
引脚SSOP封装。
AD7945
V
REF
12位DAC
12
CS
WR
输入锁存
12
DB11–DB0
V
DD
R
FB
DGND
I
OUT1
AGND
V
REF
12位DAC
12
数据改写逻辑
12
DAC寄存器
12
输入寄存器
12
数据控制逻辑
8
DB7–DB0
DGND
控制
逻辑
I
OUT1
AGND
AD7948
DF / DOR
CTRL
LDAC
WR
CSLSB
CSMSB
版本B
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 1998年
AD7943/AD7945/AD7948–SPECIFICATIONS
1
普通模式
参数
准确性
决议
相对精度
微分非线性
增益误差
T
民
给T
最大
增益温度COEF网络cient
4
输出漏电流
I
OUT1
@ +25°C
T
民
给T
最大
参考输入
输入阻抗
数字输入
V
INH
，输入高电压
V
INL
，输入低电压
I
INH
，输入电流
C
IN
，输入电容
4
数字输出（ AD7943 SRO ）
输出低电压（V
OL
)
输出高电压（V
OH
)
电源要求
V
DD
范围
电源灵敏度
4
ΔGain / ΔV
DD
I
DD
(AD7943)
（ AD7943 ： V
DD
= +4.5 V至+5.5 V ; V
IOUT1
= V
IOUT2
= AGND = 0 V ; V
REF
= 10 V ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明。
AD7945 ， AD7948 ： V
DD
= +4.5 V至+5.5 V ; V
IOUT1
= AGND = 0 V ; V
REF
= 10 V ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
除非另有说明）。
B等级
2
T分级
2, 3
12
±
0.5
±
0.5
±
2
2
5
12
±
0.5
±
0.5
±
2
2
5
单位
位
LSB（最大值）
LSB（最大值）
测试条件/评论
1 LSB = V
REF
/2
12
= 2.44时，毫伏V
REF
= 10 V
所有等级保证单调了
温度
LSB（最大值）
FSR PPM /°C的典型值
PPM FSR / ° C最大值
10
100
6
12
2.4
0.8
±
1
10
0.2
V
DD
– 0.2
4.5/5.5
–75
5
10
100
6
12
2.4
0.8
±
1
10
0.2
V
DD
– 0.2
4.5/5.5
–75
5
nA的最大
nA的最大
kΩ的分
kΩ最大值
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
见名词科
通常情况下20 nA的整个温度范围
典型的输入电阻= 9千欧
1 CMOS负载
V最大
V分钟
V MIN / V最大
dB典型值
A
最大
I
DD
（ AD7945 ， AD7948 ）
5
5
A
最大
V
INH
= V
DD
- 0.1 V分钟，V
INL
= 0.1 V最大。
SRO开路。没有机顶盒的信号。通常
1
A.
通常100
A
用1 MHz的机顶盒
频率。在0.8 V和2.4 V输入电平，
I
DD
是通常为2.5毫安。
V
INH
= V
DD
- 0.1 V分钟，V
INL
= 0.1 V最大。
通常情况下1
A.
在0.8 V输入电平，
2.4 V，I
DD
是通常为2.5毫安。
笔记
1
在AD7943 ， AD7945和AD7948在正常电流模式结构和偏置电流模式的单电源应用中指定。
图14和图15是正常模式的操作的例子。
2
温度范围如下： B等级： -40 ° C至+ 85°C ; T分级： -55 ° C至+ 125°C 。
3
经t级仅适用于AD7945 。
4
通过设计保证。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本B
AD7943/AD7945/AD7948
特定网络阳离子
1
BIASED模式
参数
准确性
决议
相对精度
微分非线性
增益误差@ + 25°C
T
民
给T
最大
增益温度COEF网络cient
3
输出漏电流
I
OUT1
@ +25°C
T
民
给T
最大
输入阻抗
@ I
OUT2
引脚（ AD7943 ）
@ AGND引脚（ AD7945 ， AD7948 ）
数字输入
V
INH
，输入高电压@ V
DD
= +5 V
V
INH
，输入高电压@ V
DD
= +3.3 V
V
INL
，输入低电压@ V
DD
= +5 V
V
INL
，输入低电压@ V
DD
= +3.3 V
I
INH
，输入电流
C
IN
，输入电容
3
数字输出（ SRO ）
输出低电压（V
OL
)
输出高电压（V
OH
)
电源要求
V
DD
范围
电源灵敏度
3
ΔGain / ΔV
DD
I
DD
(AD7943)
（ AD7943 ： V
DD
= +3 V至+5.5 V ; V
IOUT1
= V
IOUT2
= AGND = 1.23 V ; V
REF
= 0 V至2.45 V ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
，除非另外
智者说。 AD7945 ， AD7948 ： V
DD
= +3 V至+5.5 V ; V
IOUT1
= AGND = 1.23 V ; V
REF
= 0 V至2.45 V ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
除非另有说明）。
A级
2
单位
12
±
1
±
0.9
±
3
±
4
2
5
位
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
FSR PPM /°C的典型值
PPM FSR / ° C最大值
见名词科
10
100
6
6
2.4
2.1
0.8
0.6
±
1
10
0.2
V
DD
– 0.2
3.0/5.5
–75
5
nA的最大
nA的最大
kΩ的分
kΩ的分
V分钟
V分钟
V最大
V最大
A
最大
pF的最大
1 CMOS负载
V最大
V分钟
V MIN / V最大
dB典型值
A
最大
测试条件/评论
1 LSB = （V
IOUT1
– V
REF ）
/2
12
= 300
V
当
V
IOUT1
= 1.23 V和V
REF
= 0 V
所有等级保证单调性
过温
通常情况下20 nA的整个温度范围
这种随DAC输入代码
I
DD
（ AD7945 ， AD7948 ）
5
A
最大
V
INH
= V
DD
- 0.1 V分钟，V
INL
= 0.1 V最大。
SRO开路;没有机顶盒的信号;通常
1
A.
通常100
A
1兆赫STB
频率。
V
INH
= V
DD
- 0.1 V分钟，V
INL
= 0.1 V最大。
通常情况下1
A.
笔记
1
这些规范适用于与偏见高达1.23 V单电源供电的应用设备。该模型编号由一个“ -B ”后缀的手段反映了这一
（例如： AD7943AN -B）。图16是偏置模式操作的一个例子。
2
温度范围如下：A版本： -40 ° C至+ 85°C 。
3
通过设计保证。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本B
–3–
AD7943/AD7945/AD7948
普通模式
参数
动态性能
输出电压建立时间
AC性能特点
B等级
600
T分级
700
单位
纳秒（典型值）
测试条件/评论
对满量程的0.01％ 。 V
REF
=
+ 10V ; DAC锁存器或者满载
全0和全1
与V测
REF
= 0 V. DAC锁存器
另外满载全0和全1
DAC锁存器加载全0
加载DAC全1
加载DAC全0
穿心的DAC输出与
LD1,
LD2
高和替换加载的所有0
和全1到输入移位寄存器
穿心的DAC输出与
CS
高和替换加载的所有0和
全1到DAC总线
（ AD7943 ： V
DD
= +4.5 V至+5.5 V ; V
IOUT1
= V
IOUT2
= AGND = 0 V AD7945 ， AD7948 ： V
DD
= +4.5 V至+5.5 V ; V
IOUT1
= = AGND
0 V. V
REF
= 6 V RMS， 1 kHz正弦波;牛逼
A
= T
民
给T
最大
; DAC输出运算放大器AD843是;除非另有说明）。这些特性在 -
cluded仅供参考，且不受测试。
数模转换器毛刺脉冲
倍增馈通误差
输出电容
数字馈通（ AD7943 ）
60
–75
60
30
5
60
–75
60
30
5
nV-s表示，典型值
最大分贝
pF的最大
pF的最大
nV-s表示，典型值
数字馈通（ AD7945 ， AD7948 ） 5
5
nV-s表示，典型值
总谐波失真
输出噪声谱密度
@ 1千赫
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–83
35
–83
35
dB典型值
内华达州/ √Hz的典型值全1载入DAC 。 V
REF
= 0 V输出
运算放大器OP07
AC性能特点
（ AD7943 ： V
DD
= +3 V至+5.5 V ; V
IOUT1
= V
IOUT2
= AGND = 1.23 V. AD7945 ， AD7948 ： V
DD
= +3 V至+5.5 V ; V
IOUT1
= = AGND
1.23 V. V
REF
= 1 kHz时， 2.45 V P-P ，偏置在1.23 V的正弦波; DAC输出运算放大器AD820 ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
;除非另有说明）。这些
特性包括了设计参考，并不受考验。
参数
动态性能
输出电压建立时间
数模转换器毛刺脉冲
倍增馈通误差
输出电容
数字馈通
A级
5
60
–75
60
30
5
单位
s
典型值
nV-s表示，典型值
最大分贝
pF的最大
pF的最大
nV-s表示，典型值
测试条件/评论
对满量程的0.01％ 。 V
REF
= 0 V
DAC锁存器或者满载全0和全1
V
REF
= 1.23 V. DAC寄存器或者加载
全0和全1
DAC锁存器加载全0
加载DAC全1
加载DAC全0
穿心的DAC输出与
LD1 ， LD2
高和替换加载的全0和全1
进入输入移位寄存器
穿心的DAC输出在CS为高电平
和备用的全0加载和全1的
DAC巴士
BIASED模式
数字馈通（ AD7945 ， AD7948 ）
5
nV-s表示，典型值
总谐波失真
输出噪声谱密度
@ 1千赫
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–83
25
dB典型值
内华达州/ √Hz的典型值
全1载入DAC 。 V
REF
= 1.23 V
–4–
版本B
AD7943/AD7945/AD7948
AD7943时序规范
1
(T
参数
t
STB2
t
DS
t
DH
t
斯里兰卡
t
LD
t
CLR
t
ASB
t
SV3
限@
V
DD
= +3 V至3.6 V
60
15
35
55
55
55
0
60
40
10
25
35
35
35
0
35
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明）
单位
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最大值）
描述
STB脉宽
数据建立时间
数据保持时间
SRI数据脉宽
负载脉宽
CLR脉宽
闵梯么之间的频闪输入移位
注册并加载DAC寄存器
STB时钟边沿到SRO数据有效延迟
限@
V
DD
= +4.5 V至+5.5 V
笔记
1
所有输入信号均指定与指定tR = tF = 5纳秒（10％至90％的5伏）和定时从1.6V潮流和t f的电压电平不应当超过1
s
在任何数字输入。
2
STB标记/空间比例范围为60/40至40/60 。
3
t
SV
测量用图2的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
t
机顶盒
STB1,
STB2,
STB4
STB3
t
DH
t
DS
t
斯里兰卡
斯里兰卡
DB11(N)
（MSB）
DB10(N)
DB0(N)
t
ASB
LD1,
LD2,
CLR
SRO
t
LD ，
t
CLR
t
SV
DB10(N–1)
DB0(N–1)
图1. AD7943时序图
1.6mA
I
OL
输出
针
+2.1V
C
L
50pF
200 A
I
OH
图2.负载电路的数字输出时序规范
版本B
–5–
QQ：2881677436 复制
