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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1615页 > AD7938BCPZ-6
8通道, 625 kSPS时, 12位
并行ADC具有序
AD7938-6
特点
高吞吐速率: 625 kSPS时
指定V
DD
2.7 V至5.25 V
低功耗
在625 kSPS的3.6兆瓦最多采用3 V电源
在625 kSPS的7.5毫瓦最大采用5 V电源
8个模拟输入通道,音序器
软件可配置的模拟输入
8通道单端输入
4通道全差分输入
4通道伪差分输入
7通道伪差分输入
精确的片上2.5 V基准电压源
± 0.2 %最大25°C , 25 PPM / ° C最大值
70分贝SINAD在50 kHz的输入频率
无流水线延迟
高速并行接口 - 字/字节模式
全关断模式: 2 μA(最大值)
32引脚LFCSP和TQFP封装
功能框图
V
DD
AGND
V
REFIN /
V
REFOUT
V
IN
0
I / P
MUX
V
IN
7
T / H
2.5V
VREF
AD7938-6
12-BIT
SAR ADC
控制
CLKIN
CONVST
SEQUENCER
并行接口/控制寄存器
V
DRIVE
DB11 DB0
CS RD WR W / B
DGND
图1 。
概述
该AD7938-6是一款12位高速,低功耗,逐次
逼近型( SAR ) ADC 。该部分从单一经营
2.7 V至5.25 V电源供电,最高吞吐量可达
以625 kSPS的。该器件内置一个低噪声,宽带宽,
差分采样保持放大器,可处理的输入
频率高达50 MHz 。
该AD7938-6有八个模拟输入通道与
通道序列器,它允许一个预先设置的选择
信道被顺序地转换。该器件可以工作
与单端,全差分或伪
差分模拟输入。
转换过程和数据采集控制
通过标准控制输入,可方便地与接口
微处理器和DSP 。所述输入信号进行采样的
也开始在CONVST和转换的下降沿
这一点。
该AD7938-6有一个准确的片上2.5 V基准电压源的
可以用作参考源的模拟 - 数字
转换。另外,该引脚可过驱动提供
外部参考。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。
但是,没有责任承担由Analog Devices供其使用,也不对任何
侵犯第三方专利或其他权利,可能导致其使用的。
规格如有变更,恕不另行通知。没有获发牌照以暗示
或者以其他方式在ADI公司的任何专利或专利权。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
该AD7938-6采用先进的设计技术,以达到非常
低功耗在高吞吐量。该器件还
具有灵活的电源管理选项。片上
控制寄存器允许设立不同的操作的用户
条件,包括模拟输入范围和配置,
输出编码,功耗管理及通道序列。
产品亮点
1.
2.
3.
4.
高吞吐量,低功耗。
八个模拟输入通道序列器。
精确的片上2.5 V基准电压源。
软件可配置的模拟输入。单端,伪
差分或全差分模拟输入是
软件选择。
与V单电源供电
DRIVE
功能。在V
DRIVE
功能允许并行接口直接连接到
3 V或5 V处理器系统独立的V
DD
.
无流水线延迟。
的采样时刻通过CONVST精确控制
输入和一次性转换控制。
5.
6.
7.
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
联系电话: 781.329.4700
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2004 ADI公司保留所有权利。
04751-001
AD7938-6
目录
AD7938-6 ,规格............................................. ................. 3
时序规格................................................ ....................... 5
绝对最大额定值............................................... ............. 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚功能说明............................................... ................. 7
术语................................................. ..................................... 9
典型性能特征........................................... 11
片内寄存器.............................................. ............................ 13
控制寄存器................................................ .......................... 13
序列器操作................................................ ................. 14
影子寄存器................................................ .......................... 14
电路信息................................................ ........................ 15
转换器操作................................................ .................. 15
ADC传递函数............................................... .............. 15
典型的连接图............................................... .... 16
模拟输入结构............................................... ............... 16
模拟输入................................................ .............................. 17
模拟输入选择............................................... ............... 19
参考部分................................................ ....................... 20
并行接口................................................ ......................... 22
操作电源模式.............................................. ......... 25
功率与吞吐量............................................. .......... 26
微处理器接口................................................ ....... 26
应用提示................................................ ........................... 28
接地和布局............................................... ............... 28
对于芯片级封装PCB设计指南.................... 28
评估AD7938-6性能................................... 28
外形尺寸................................................ ....................... 29
订购指南................................................ .......................... 30
修订历史
10月4日 - 修订版0 :初始版
第0版|第32 2
AD7938-6
特定网络阳离子
V
DD
= V
DRIVE
= 2.7 V至5.25 V ,内部/外部V
REF
= 2.5 V时,除非另有说明,女
CLKIN
= 10 MHz时,女
样品
= 625 kSPS时;牛逼
A
= T
to
T
最大
中,除非另有说明。
表1中。
参数
动态性能
信号 - 噪声+失真(SINAD )
2
信号 - 噪声比( SNR)的
2
总谐波失真( THD )
2
峰值谐波或杂散噪声( SFDR )
2
互调失真( IMD )
2
二阶项
三阶项
通道到通道隔离
孔径延迟
2
孔径抖动
2
全功率带宽
2
DC精度
决议
积分非线性
2
微分非线性
2
差模
单端模式
单端和伪差分输入
偏移误差
2
偏移误差匹配
2
增益误差
2
增益误差匹配
2
全差分输入
正增益误差
2
正增益误差匹配
2
零代码错误
2
零代码误差匹配
2
负增益误差
2
负增益误差匹配
2
模拟量输入
单端输入范围
伪差分输入范围: V
IN +
V
IN-
全差分输入范围: V
IN +
和V
IN-
V
IN +
和V
IN-
4
直流漏电流
输入电容
B版本
1
70
68
71
69
73
70
73
86
90
85
5
72
50
10
12
±1
±1.5
±0.95
0.95/+1.5
±6
±1
±3
±1
±3
±1
±6
±1
±3
±1
0到V
REF
或0至2 ×V
REF
0到V
REF
或2 ×V
REF
-0.3到+0.7
-0.3到+1.8
V
CM
± V
REF
/2
V
CM
± V
REF
±1
45
10
单位
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
分贝分钟
最大分贝
最大分贝
最大分贝
dB典型值
dB典型值
dB典型值
纳秒(典型值)
ps的典型值
兆赫(典型值)
兆赫(典型值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
二进制补码输出编码
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
LSB(最大值)
V
V
V典型值
V典型值
V
V
μA(最大值)
pF的典型值
pF的典型值
RANGE位= 0 ,或RANGE位= 1 ,分别
RANGE位= 0 ,或RANGE位= 1 ,分别
V
DD
= 3 V
V
DD
= 3 V
V
CM
=共模电压
3
= V
REF
/2
V
CM
= V
REF
, V
IN +
或V
IN-
必须保持在GND / V
DD
当轨道
当保持
测试条件/评论
F
IN
= 50kHz的正弦波
差模
单端模式
差模
单端模式
-85 dB典型值,差模
-80 dB典型值,单端模式
-82 dB典型值
FA = 30 kHz时, FB = 50千赫
F
IN
= 50千赫,女
噪音
= 300千赫
@ 3分贝
@ 0.1分贝
差模
单端模式
保证无漏码至12位
保证无漏码至12位
直接二进制输出编码
第0版|第32 3
AD7938-6
参数
参考输入/输出
V
REF
输入电压
5
直流漏电流
V
REFOUT
输出电压
V
REFOUT
温度COEF网络cient
V
REF
噪音
V
REF
输出阻抗
V
REF
输入电容
逻辑输入
输入高电压,V
INH
输入低电压,V
INL
输入电流I
IN
输入电容,C
IN4
逻辑输出
输出高电压,V
OH
输出低电压,V
OL
浮态泄漏电流
浮态输出电容
4
输出编码
转化率
转换时间
跟踪和保持捕获时间
吞吐率
电源要求
V
DD
V
DRIVE
I
DD6
正常模式(静态)
正常模式(工作)
Autostandby模式
全/自动关机模式(静态)
功耗
正常模式(工作)
Autostandby模式(静态)
全/自动关机模式(静态)
B版本
1
2.5
±1
2.5
25
10
130
10
15
25
2.4
0.8
±5
10
2.4
0.4
±3
10
单位
V
μA(最大值)
V
PPM / ° C最大值
μV (典型值)
μV (典型值)
= (典型值)
pF的典型值
pF的典型值
V分钟
V最大
μA(最大值)
pF的最大
V分钟
V最大
μA(最大值)
pF的最大
直(自然科学)二进制
二进制补码
ns
ns(最大值)
kSPS的最大
V最小/最大
V最小/最大
毫安(典型值)
最大mA
最大mA
毫安(典型值)
μA (典型值)
μA(最大值)
毫瓦MAX
毫瓦MAX
μW (典型值)
μW (典型值)
μW最大
数字I / P
S
= 0 V或V
DRIVE
V
DD
= 2.7 V至5.25 V , SCLK开启或关闭
V
DD
= 4.75 V至5.25 V
V
DD
= 2.7 V至3.6 V
F
样品
= 100 kSPS时,V
DD
= 5 V
(静态)
SCLK开启或关闭
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V/3 V
测试条件/评论
对于指定的性能的±1%
± 0.2 %最大25°C
5 PPM / ° (典型值)
0.1赫兹到10赫兹带宽
0.1 Hz至1 MHz带宽
当轨道
当保持
通常情况下10 nA的,V
IN
= 0 V或V
DRIVE
I
来源
= 200 A
I
SINK
= 200 A
编码比特= 0
编码比特= 1
t
2
+ 13 t
CLK
125
625
2.7/5.25
2.7/5.25
0.8
1.5
1.2
0.3
160
2
7.5
3.6
800
480
10/6
满量程阶跃输入
1
2
温度范围如下: B版本: -40 ° C至+ 85°C 。
参见术语部分。
3
对于全共模范围,参见图25和图26 。
4
在初次发布期间样品测试,以确保合规性。
5
此装置是可操作的以在0.1 V至V外部基准
DD
。请参阅参考一节以获取更多信息。
6
衡量一个中间电平直流模拟量输入。
第0版|第32 4
AD7938-6
时序特定网络阳离子
1
V
DD
= V
DRIVE
= 2.7 V至5.25 V ,内部/外部V
REF
= 2.5 V时,除非另有说明; F
CLKIN
= 10MHz时,女
样品
= 625 kSPS时;牛逼
A
= T
to
T
最大
中,除非另有说明。
表2中。
参数
f
CLKIN
t
安静
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
t
9
t
10
t
11
t
12
t
132
t
143
t
15
t
16
t
17
t
18
t
19
t
20
t
21
t
22
在T限制
, T
最大
AD7938-6
单位
50
千赫分钟
10
兆赫最大
30
ns(最小值)
10
15
50
0
0
10
10
10
10
0
0
30
30
3
50
0
0
10
0
10
40
15.7
7.8
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最小值)
ns(最大值)
ns(最小值)
ns(最小值)
描述
读年底和明年的转换,即从时间的开始之间的最小时间
当数据总线进入三态,直到CONVST的下一个下降沿。
CONVST脉冲宽度。
CONVST下降沿到CLKIN下降沿建立时间。
CLKIN下降沿到BUSY上升沿。
CS到WR建立时间。
CS到WR保持时间。
WR脉冲宽度。
WR之前的数据建立时间。
WR后数据保持。
新的数据有效的降边忙前。
CS到RD建立时间。
CS到RD保持时间。
RD脉冲宽度。
RD后的数据访问时间。
RD后的总线释放时间。
RD后的总线释放时间。
HBEN到RD建立时间。
HBEN到RD保持时间。
之间的最短时间读/写。
HBEN到WR建立时间。
HBEN到WR保持时间。
CLKIN下降沿到BUSY下降沿。
CLKIN的低脉冲宽度。
CLKIN的高脉冲宽度。
1
在初次发布期间样品测试,以确保合规性。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10%的规定( 90 %V的
DD
),并定时从1.6 V的电压电平
上面给出的所有的时序规范是用25 pF负载电容(参见图35 ,图36 ,图37和图38)。
2
所需的输出时间跨越0.4 V或2.4 V.
3
t
14
从采取的数据输出端所测量的时间而得来改变0.5 V的测量数目,然后外推至移除的充电的影响或
排在25 pF电容。这意味着该时间t
14
在时序特性所是该部分的真正的总线释放时间和独立于
总线负载。
第0版|第32 5
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