a
特点
两个12位DAC在一个封装中
DAC梯形电阻匹配： 0.5 ％
表面贴装封装
四象限乘法
低增益误差（ 3 LSB（最大值）温度过高）
字节加载结构
快速接口时序
应用
自动测试设备
可编程滤波器
音频应用
同步应用
过程控制
LC MOS
（ 8 + 4 ）加载双通道12位DAC
AD7937
功能框图
V
DD
2
AD7937
DAC A MS
输入REG
4
DAC A LS
输入REG
8
DAC A注册
UPD
12
DAC A
A1
I
OUTA
AGNDA
R
FBA
A0
控制
逻辑
CS
WR
V
REFA
V
REFB
R
FBB
概述
DAC B
12
DAC寄存器B
4
DAC B MS
输入REG
8
DAC B LS
输入REG
I
OUTB
AGNDB
该AD7937包含一个两个12位电流输出DAC
单芯片。单独的基准输入被提供给每个
DAC 。双通道DAC节省了宝贵的电路板空间，并单
岩屑建设，确保出色的散热跟踪。两个DAC
都保证12位单调性在整个温度范围内。
该AD7937有一个2字节（ 8位LSB ，四个MSB ）装载
结构。它是专为右对齐数据格式。控制
对于寄存器加载信号是A0 ， A1 ，
CS ， WR ，
和
UPD 。
数据
被加载到输入寄存器时
CS
和
WR
是低的。对
此数据传送到DAC寄存器，
UPD
必须采取
低配
WR 。
在AD7937增加的功能包括：异步
CLR
线，是在校准例程非常有用的。若这是
低电平时，所有寄存器清零。的双缓冲
数据输入允许两个DAC的同步更新。另外，
每个DAC都有一个独立的AGND线。这增加了设备
通用性;例如，一个DAC可以与AGND操作
施力而另一个则连接在标准配置。
在AD7937采用线性兼容制造
CMOS （ LC
2
MOS）工艺。它是与最速兼容
微处理器和接受TTL ， 74HC和5V CMOS逻辑
电平输入。
CLR
DB7–DB0
DGND
产品亮点
1. DAC至DAC匹配
因为两个DAC被制作在同一个芯片上，精确
匹配和跟踪是与生俱来的。许多应用程序是
不实际使用两个分立的DAC现在可能。
典型的匹配： 0.5 ％ 。
2.小尺寸封装
在AD7937封装在一个小型24引脚SOIC封装。
3.宽电源电压容差
该器件采用5 V V
DD
与
±
10 ％的公差
这个名义上的身影。所有规格均保证在
此范围内。
第0版
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
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ADI公司， 2000
AD7937–SPECIFICATIONS
参数
准确性
决议
相对精度
微分非线性
增益误差
增益温度COEF网络cient
2
;
ΔGain / ΔTemperature
输出漏电流
I
OUTA
I
OUTB
参考输入
输入阻抗
V
REFA
, V
REFB
输入电阻匹配
数字输入
V
IH
（输入高电压）
V
IL
（输入低电压）
I
IN
（输入电流）
+25°C
T
民
给T
最大
C
IN
（输入电容）
2
电源
V
DD
I
DD
A版
12
±
1
±
1
±
6
±
5
5
10
5
10
9
20
±
3
2.4
0.8
±
1
±
10
10
4.5/5.5
2
0.1
12
±
1/2
±
1
±
3
±
5
5
10
5
10
9
20
±
3
2.4
0.8
±
1
±
10
10
4.5/5.5
2
0.1
(V
DD
= 5 V 10%, V
REFA
= V
REFB
= 10 V ;我
OUTA
= AGNDA = 0 V，I
OUTB
= AGNDB = 0 V.所有
规格牛逼
民
给T
最大
除非另有说明）。
单位
位
LSB（最大值）
LSB（最大值）
LSB（最大值）
PPM / ° C最大值
nA的最大
nA的最大
nA的最大
nA的最大
kΩ的分
kΩ最大值
％最大
V分钟
V最大
A
最大
A
最大
pF的最大
V MIN / V最大
最大mA
毫安（典型值）
V
IN
= V
DD
.
测试条件/评论
B版本
所有等级保证单调性在整个温度范围。
测量基于R
FBA
, R
FBB
。两个DAC寄存器加载全1 。
典型数值为1ppm / ℃。
DAC A寄存器加载全0 。
DAC寄存器B装全部为0。
典型的输入电阻= 14 kΩ的。
通常
±
0.5%.
AC性能特点
这些特性包括仅供设计参考，并不受考验。
(V
DD
= 5 V; V
REFA
= V
REFB
= 10 V ;我
OUTA
= AGNDA = 0 V，I
OUTB
= AGNDB = 0 V输出放大器AD644除非另有说明。 ）
参数
输出电流稳定时间
数模转换毛刺lmpulse
AC穿心
V
REFA
到我
OUTA
V
REFB
到我
OUTB
电源抑制
ΔGain / ΔV
DD
输出电容
C
OUTA
C
OUTB
C
OUTA
C
OUTB
通道到通道隔离
V
REFA
到我
OUTB
V
REFB
到我
OUTA
数字串扰
输出噪声电压密度
（10赫兹-100 kHz）的
总谐波失真
T
A
= 25 C
1
2.5
单位
s
最大
nV-s表示，典型值
测试条件/评论
对满量程范围0.01 ％ 。我
OUT
负荷= 100
,
C
EXT
= 13 pF的。 DAC输出
从下降沿测量
WR 。
建立时间的典型值是0.6
s.
与V测
REFA
= V
REFB
= 0 V.我
OUTA
, I
OUTB
负荷= 100
,
C
EXT
= 13 pF的。 DAC
寄存器交替装载了全0和全1 。
V
REFA
, V
REFB
= 20 V P-P 10 kHz的正弦波。
DAC寄存器加载全0 。
V
DD
= V
DD
最大值= V
DD
分钟。
DAC A ， DAC B装全部为0。
DAC A ， B DAC加载全1 。
–70
–70
±
0.01
70
70
140
140
–84
–84
2.5
25
–82
最大分贝
最大分贝
％按％最大
pF的最大
pF的最大
pF的最大
pF的最大
dB典型值
dB典型值
nV-s表示，典型值
内华达州/ √Hz的典型值
dB典型值
V
REFA
= 20 V P-P 10 kHz的正弦波，V
REFB
= 0 V装全1两个DAC 。
V
REFB
= 20 V P-P 10 kHz的正弦波，V
REFA
= 0 V装全1两个DAC 。
测量全0至全1一个代码转换。我
OUTA
, I
OUTB
负荷= 100
,
C
EXT
= 13 pF的。
测量R的
FBA
我
OUTA
或R
FBB
我
OUTB
。测量频率
为10Hz - 100kHz的。
V
IN
= 6 V RMS， 1千赫。两个DAC加载全1 。
笔记
1
温度范围如下：A ，B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
在25℃下的样品进行测试，以确保遵守。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
AD7937
时序特性
参数
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
t
8
在极限
T
A
= 25 C
10
10
20
30
0
0
115
90
(V
DD
= 5 V
10%, V
REFA
= V
REFB
= 10 V ;我
OUTA
= AGNDA = 0 V，I
OUTB
= AGNDB = 0 V ）
在极限
T
A
= –40 C
到+ 85℃
10
10
40
30
0
0
125
100
单位
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
测试条件/评论
地址有效到写建立时间
地址有效到写保持时间
数据建立时间
数据保持时间
片选或更新写建立时间
片选或更新写保持时间
写脉宽
清除脉宽
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
绝对最大额定值*
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
A0–A1
t
1
t
3
数据
t
2
5V
0V
V
DD
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ， 17 V
V
REFA
, V
REFB
到AGNDA ， AGNDB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
25 V
V
RFBA
, V
RFBB
到AGNDA ， AGNDB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
25 V
数字输入电压至DGND 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+0.3 V
I
OUTA
, I
OUTB
到DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+0.3 V
AGNDA ， AGNDB至DGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V ，V
DD
+0.3 V
SOIC封装
θ
JA
，热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 72 ° C / W
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
IR参考低峰值温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 220℃
工作温度范围
工业（ A，B版本） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
*讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
t
4
t
6
5V
0V
t
5
CS ， UPD
5V
0V
t
7
WR
5V
0V
t
8
CLR
笔记
1.所有输入信号的上升时间和下降时间实测
从10％到90％的+ 5V 。吨
r
= t
f
= 20ns的。
V
IH
+ V
IL
2.定时测量参考电平IS
2
5V
0V
图1.时序图
订购指南
模型
AD7937AR
AD7937BR
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
相对精度
±
1 LSB
±
1/2最低位
增益误差
±
6 LSB
±
3 LSB
包装说明
小尺寸
小尺寸
选项
R-24
R-24
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然
在AD7937具有专用ESD保护电路，永久性的损害可能发生
器件经受高能量静电放电。因此，适当的ESD防范措施
建议避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
第0版
–3–
AD7937
引脚功能描述
V
REFA
R
2R
S11
2R
S10
R
2R
S0
R
I
OUTA
AGNDA
2R
R
FBA
针
1
2
3
4
5
6–11
13, 14
12
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
助记符
AGNDA
I
OUTA
R
FBA
V
REFA
CS
DB0–DB7
DGND
A0
A1
CLR
WR
UPD
V
DD
V
REFB
R
FBB
I
OUTB
AGNDB
描述
模拟地的DAC A.
DAC A的电流输出端
反馈电阻DAC A.
参考输入到DAC A.
片选输入，低电平有效。
8个数据输入， DB0 - DB7 。
数字地。
地址线0 。
地址第一行。
清除输入。低电平有效。清除所有
寄存器。
写输入。低电平有效。
从输入更新DAC寄存器
寄存器。
电源输入。名义上5 V至
15 V ，与
±
10 ％的容差。
参考输入到DAC B.
反馈电阻DAC B.
DAC B的电流输出端
模拟地的DAC B.
图2.简化电路图的DAC A
等效电路分析
图3示出了等效电路的D / A CON- 1
变流器（ DAC A ）的AD7937 。类似的等效电路
可以得出的DAC B.
R
V
REFA
R
D.V
REF
R
R
O
I
LKG
C
OUT
AGNDA
R
FBA
I
OUTA
图3.等效模拟电路DAC A
C
OUT
是输出电容由于N-沟道开关
和变化从约50 pF到100pF的与数字输入码。
电流源I
LKG
由表面和结
泄漏和大约增加一倍，每10 ℃。
O
是等价
取值与输入码的装置的出借输出电阻。
数字电路信息
引脚配置
SOIC
AGNDA
1
I
OUTA 2
R
FBA 3
V
REFA 4
CS
DB0
DB1
DB2
5
6
24
AGNDB
23
I
OUTB
22
R
FBB
21
V
REFB
数字输入端被设计为TTL和5 V CMOS
兼容。所有逻辑输入是静态保护MOS闸
小于1 nA的典型输入电流。
表一， AD7937真值表
顶视图
19
UPD
（不按比例）
18
WR
7
8
17
CLR
16
A1
15
A0
14
DB7
13
DB6
AD7937
20
V
DD
CLR UPD CS WR
A1 A0功能
1
1
0
1
1
1
1
1
X
1
1
1
1
0
1
X
X
0
0
0
0
1
X
1
X
0
0
0
0
0
X
X
X
0
0
1
1
X
X
X
X
0
1
0
1
X
没有数据传输
没有数据传输
所有寄存器清零
DAC A LS输入寄存器
装载DB7 - DB0 （ LSB ）
DAC A MS输入寄存器
装载DB3 （ MSB ） -DB0
DAC B LS输入寄存器
装载DB7 - DB0 （ LSB ）
DAC B MS输入寄存器
装载DB3 （ MSB ） -DB0
DAC A ， B DAC寄存器
更新的同时从
输入寄存器
DAC A ， B DAC寄存器是
透明
DB3
9
DB4
10
DB5
11
DGND
12
电路信息 - D / A部分
该AD7937包含两个相同的12位乘法D / A
转换器。每个DAC包括一个高度稳定的R-2R梯形的
和12 N沟道电流控制开关。图2示出
简化的D / A电路， DAC A.在R- 2R梯形，二进制
加权电流是我的转向
OUTA
和AGNDA 。该
流动的电流在每个梯形腿是恒定的，而不论
开关状态。所述反馈电阻R
FBA
用于与一个运算放大器
（参见图4和图5） ，以转换当前流入我
OUTA
to
电压输出。
1
1
1
0
0
0
X
X
注： X =无关
–4–
第0版
AD7937
单极二元运算
（ 2象限乘法）
双极性工作
（四象限乘法）
图4示出的电路图中用于单极二进制操作。
与交流输入端，该电路进行2象限乘法。
码表用于图4中给出了表II中。
运算放大器A1和A2可以是在单一封装
（ AD644 ， AD712 ）或单独的包（ AD544 ， AD711 ，
AD OP27 ） 。电容器C1和C2提供相位补偿
以帮助防止过冲和振铃时，高速运算放大器
被使用。
对于零偏移调整，相应的DAC寄存器加载
所有的0和放大器偏移调整，使V
OUTA
或V
OUTB
是0V。满量程修整通过装载在DAC实现
注册与全1，调节R 1 （R 3）使V
OUTA
(V
OUTB
)
= –V
IN
（四千零九十六分之四千零九十五） 。用于高温操作时，电阻
和电位器应具有低的温度系数。
在许多应用中，因为出色的增益TC的，和增益
在AD7937的误差规范，增益误差微调不
有必要的。在固定的参考应用，满量程也可以
通过省略，R1，R2 ， R3，R4和修整的参考调整
电压幅度。
V
DD
V
INA
R1
100
R
FBA
I
OUTA
DB7
数据
输入
DB0
DAC A
AGNDA
R4
47
C2
33pF
R2
47
C1
33pF
A1
V
OUTA
推荐电路图双极性工作显示
在图5中偏移二进制编码被使用。
加载至1000 0000 0000相应的DAC寄存器，
调整R 1 （R 3）使V
OUTA
(V
OUTB
） = 0 V可选地， R 1，
R 2 （ R 3 ， R 4）可以省略，且R6的比值，R 7 （ R9，R10 ）
多样的V
OUTA
(V
OUTB
） = 0 V满量程微调可以是
通过调整Ⅴ的振幅来实现
IN
或通过改变
R5 （ R8 ）的值。
如果R1，R2 （ R3，R4）没有被使用，则电阻器R5 ，R6，R7 （ R8，
R9，R10 ）应比匹配到0.01％ ，以确保增益误差
性能数据表规范。当在一个操作
宽的温度范围内，该电阻是很重要
同一类型，使得它们的温度系数相匹配。
码表用于图5中给出了表III中。
V
DD
V
INA
R1
100
R2
R
FBA
47
I
OUTA
DB7
数据
输入
DAC A
AGNDA
R4
R
FBB
47
I
OUTB
DAC B
AGNDB
C2
33pF
C1
33pF
A1
R5
20k
R6
20k
V
OUTA
R7
10k
A2
1/2
AD712
AD7937*
1/2
AD712
1/2
AD712
A3
R9
10k
R8
20k
V
OUTB
A4
AD7937*
R
FBB
I
OUTB
DAC B
1/2
AD712
DB0
DGND
AGNDB
A2
V
OUTB
R3
100
V
INB
R10
20k
1/2
AD712
DGND
R3
100
V
INB
*
控制电路
为清楚起见省略
1/2
AD712
*
控制电路
为清楚起见省略
图5.双极性工作（偏移二进制编码）
表Ⅲ。双极性码表为偏移二进制
图5的电路
图4.单极性的二进制运算
表II中。单极性的二进制代码表
电路图4的
二进制数
DAC寄存器
最高位
最低位
1111 1111 1111
二进制数
DAC寄存器
最高位
最低位
1111 1111 1111
模拟输出
V
OUTA
或V
OUTB
模拟输出
V
OUTA
或V
OUTB
4095
V
IN
4096
2048
=
12
V
IN
V
IN
4096
1
V
IN
4096
2047
+V
IN
2048
1
+V
IN
2048
0
V
1000 0000 0001
1000 0000 0000
0111 1111 1111
1000 0000 0000
0000 0000 0001
0000 0000 0000
1
V
IN
2048
2048
V
IN
= V
IN
2048
0
V
0000 0000 0000
第0版
–5–
QQ：2880707522 复制
