【a特点指定VDD3 V至5.5 VAD7859-200 kSPS时; AD7859L -100 kS】,IC型号AD7859LAS,AD7859LAS PDF资料,AD7859LAS经销商,ic,电子元器件-51电子网

a

特点

指定V

DD

3 V至5.5 V

AD7859-200 kSPS时; AD7859L -100 kSPS时

系统和自校准

低功耗

正常工作

AD7859 ： 15毫瓦（V

DD

= 3 V)

AD7859L ： 5.5毫瓦（V

DD

= 3 V)

采用自动断电转换后（ 25 W）

AD7859 ： 1.3毫瓦（V

DD

= 3 V 10 kSPS时）

AD7859L ： 650 W（ V

DD

= 3 V 10 kSPS时）

灵活的并行接口：

16位并行/ 8位并行

44引脚PQFP和PLCC封装

应用

电池供电系统（个人数字助理，

医疗器械，移动通信）

笔计算机

仪表和控制系统

高速调制解调器

概述

3 V至5 V单电源， 200 kSPS时

8通道， 12位采样ADC

AD7859/AD7859L*

功能框图

AV

DD

AGND

AIN1

I / P

MUX

AIN8

2.5V

参考

COMP

REF

IN

/

REF

OUT

BUF

DGND

T / H

DV

DD

AD7859/AD7859L

C

REF1

收费

再分配

DAC

CLKIN

C

REF2

校准存储器

和

调节器

CAL

SAR ADC +

控制

CONVST

忙

睡觉

并行接口/控制寄存器

在AD7859 / AD7859L均为高速，低功耗， 8通道，

这从一个单一的3 V或5 V电源工作的12位ADC

供应， AD7859被用于速度和优化

AD7859L的低功耗。两款ADC都含有自校准

和系统校准选项，以确保操作精度

时间和温度，并具有许多掉电

选择低功耗应用。

的AD7859能够200 kHz，而该

AD7859L能够100kHz的通过速率。输入

跟踪和保持收购了500 ns的信号，并配有伪

差分采样方案。在AD7859和AD7859L输入

电压范围为0至V

REF

（单极）和-V

REF

/ 2到+ V

REF

/2

关于V

REF

/ 2 （双极）与直二进制和2S完井

彪分别输出编码。输入信号范围是至

电源和器件能够转换满功率信号的

为100kHz。

CMOS结构确保了典型的低功耗

5.4毫瓦用于正常操作和3.6

W

在掉电模式。

该器件提供44引脚塑料四方扁平封装

（ PQFP ）和塑料引线芯片载体（ PLCC ）。

*专利

正在申请中。

请参阅数据表的索引第28页。

DB15 - DB0

RD

CS

WR

W / B

产品亮点

1.操作与3 V或5 V电源供电。

2.灵活的电源管理选项，包括自动

转换后掉电。

3.通过使用电源管理选项的卓越动力

可以实现性能的吞吐量较低。

AD7859 ： 1毫瓦（典型值） @ 10 kSPS时

AD7859L ： 1毫瓦（典型值） @ 20 kSPS时

4.进行操作以从1.2伏到电源的参考电压。

5.模拟输入范围为0 V至V

DD

.

6.自我和系统校准。

7.通用并行I / O口。

8.低功耗版本AD7859L 。

REV 。一

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

ADI公司， 1996年

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 617 / 329-4700

传真： 617 / 326-8703

（ AV

=

V,

AD7859/AD7859L–SPECIFICATIONS

1,

1

2

兆赫（ -40 = CDVto + 85 + 3.0 Vf的5.5 200REF / REF = 2.5 VkHz

外部基准，女

= 4兆赫（对于L版本： 1.8兆赫（ 0℃至+ 70℃ ）和

C));

=

千赫（ AD7859 ） 100

DD

IN

OUT

CLKIN

样品

(AD7859L);

睡觉

=逻辑高电平;牛逼

A

= T

民

给T

最大

中，除非另有说明。）规格中（）应用到AD7859L 。

参数

动态性能

信号与噪声+失真比

3

（SNR）的

总谐波失真（ THD ）

峰值谐波或杂散噪声

互调失真（ IMD ）

二阶条款

三阶条款

通道到通道隔离

DC精度

决议

积分非线性

微分非线性

单极性偏移误差

单极性偏移误差匹配

正满量程误差

负满量程误差

满量程误差匹配

双极性零误差

双极性零误差匹配

模拟量输入

输入电压范围

A版

1

B版本

1

单位

测试条件/评论

70

71

分贝分钟

–78

最大分贝

通常，信噪比为72分贝

V

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 200千赫

（对于L版本：F

样品

= 100千赫@频率

CLKIN

= 2兆赫）

V

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 200千赫

（对于L版本：F

样品

= 100千赫@频率

CLKIN

= 2兆赫）

V

IN

= 10 kHz正弦波，女

样品

= 200千赫

（对于L版本：F

样品

= 100千赫@频率

CLKIN

= 2兆赫）

FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫，女

样品

= 200千赫

（对于L版本：F

样品

= 100千赫@频率

CLKIN

= 2兆赫）

FA = 9.983千赫， FB = 10.05千赫，女

样品

= 200千赫

（对于L版本：F

样品

= 100千赫@频率

CLKIN

= 2兆赫）

V

IN

= 25千赫

–78

–80

–78

–80

dB典型值

12

±

1

±

1

±

5

±

2

2(3)

±

5

±

2

±

2

1

±

1

2

12

±

0.5

±

1

±

5

±

2

±

5

±

2

±

2

1

±

1

2

位

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

LSB （典型值）

LSB（最大值）

LSB （典型值）

5 V基准电压V

DD

= 5 V

保证无漏码至12位

0到V

REF

±

V

REF

/2

±

1

20

0到V

REF

±

V

REF

/2

±

1

20

伏

即，AlN （+） - AIN（ - ）= 0至V

REF

， AIN （ - ）可

偏颇了，但AIN （ + ）不能低于AIN （ - ）

即，AlN （+） - AIN（ - ） = -V

REF

/ 2到+ V

REF

/ 2 ，AlN （ - ）

应被偏置到+ V

REF

/ 2和AIN （ + ）可以去

下面AIN （ - ），但不能低于0 V.

漏电流

输入电容

参考输入/输出

REF

IN

输入电压范围

输入阻抗

REF

OUT

输出电压

REF

OUT

温度系数

逻辑输入

输入高电压，V

INH

CAL

针

输入低电压，V

INL

输入电流I

IN

输入电容，C

IN4

逻辑输出

输出高电压，V

OH

输出低电压，V

OL

浮态泄漏电流

浮态输出电容

4

输出编码

A

最大

pF的典型值

2.3/V

DD

150

2.3/2.7

20

2.3/V

DD

150

2.3/2.7

20

V最小/最大

千欧（典型值）

V最小/最大

PPM /°C的典型值

从1.2伏官能

2.4

2.1

3

2.4

0.8

0.6

±

10

2.4

2.1

3

2.4

0.8

0.6

±

10

V分钟

V最大

A

最大

pF的最大

AV

DD

DV

DD

= 4.5 V至5.5 V

AV

DD

DV

DD

= 3.0 V至3.6 V

AV

DD

DV

DD

= 4.5 V至5.5 V

AV

DD

DV

DD

= 3.0 V至3.6 V

AV

DD

DV

DD

= 4.5 V至5.5 V

AV

DD

DV

DD

= 3.0 V至3.6 V

通常情况下10 nA的，V

IN

= 0 V或V

DD

4

2.4

0.4

±

10

4

V分钟

2.4

V分钟

0.4

V最大

±

10

A

最大

10

pF的最大

直（自然科学）二进制

二进制补码

AV

DD

DV

DD

= 4.5 V至5.5 V

AV

DD

DV

DD

= 3.0 V至3.6 V

I

SINK

= 1.6毫安

单极性输入范围

双极性输入范围

–2–

REV 。一

AD7859/AD7859L

参数

转化率

转换时间

采样/保持捕获时间

A版

1

B版本

1

单位

s

最大

s

民

测试条件/评论

t

CLKIN

×

18

（只有L版本， 0 ° C至+ 70 ° C， 1.8 MHz的CLKIN ）

（只有L版本， -40 ° C至+ 85°C ， 1.8 MHz的CLKIN ）

4.5 (10)

0.5 (1)

4.5

0.5

电源要求

AV

DD,

DV

DD

I

DD

普通模式

5

睡眠模式

6

随着外部时钟上

+3.0/+5.5

5.5 (1.95)

10

400

+3.0/+5.5

5.5

10

400

5

200

30 (10)

20 (6.5)

55

36

27.5

18

V最小/最大

最大mA

A

典型值

A

典型值

A

最大

A

典型值

毫瓦MAX

W

典型值

W

典型值

W

最大

W

最大

AV

DD

DV

DD

= 4.5 V至5.5 V.典型4.5毫安

AV

DD

DV

DD

= 3.0 V至3.6 V.典型4.0毫安

完全掉电。电源管理位控制

寄存器设置为PMGT1 = 1， PMGT0 = 0 。

局部断电。电源管理位

控制寄存器设定为PMGT1 = 1， PMGT0 = 1 。

通常情况下1

A.

完全掉电。电源管理

位控制寄存器设为PMGT1 = 1 ， PMGT0 = 0 。

局部断电。电源管理位

控制寄存器设定为PMGT1 = 1， PMGT0 = 1 。

V

DD

= 5.5 V ：通常情况下25毫瓦（ 8 ）

睡觉

= V

DD

V

DD

= 3.6 V ：通常情况下15毫瓦（ 5.4 ） ;

睡觉

= V

DD

V

DD

= 5.5 V;

睡觉

= 0 V

V

DD

= 3.6 V;

睡觉

= 0 V

V

DD

= 5.5 V ：通常5.5

W;

睡觉

= 0 V

V

DD

= 3.6 V ：通常3.6

W;

睡觉

= 0 V

允许的偏移电压量程标定

许满量程电压量程标定

随着外部时钟关闭

5

200

正常模式功耗

休眠模式下功耗

随着外部时钟上

随着外部时钟关闭

30 (10)

20 (6.5)

55

36

27.5

18

系统校准

偏移校准跨度

7

增益校准跨度

7

+0.05

×

V

REF

/–0.05

×

V

REF

V MAX / MIN

+1.025

×

V

REF

/–0.975

×

V

REF

V MAX / MIN

笔记

1

温度范围如下：A ，B版本， -40 ° C至+ 85°C 。

2

校准后的规格适用。

3

SNR计算包含失真和噪声分量。

4

未经过生产测试，以鉴定产品初始发布保障。

5

所有数字输入@ DGND除

CONVST ，睡眠， CAL ，

和

SYNC

@ DV

DD

。在数字输出无负载。模拟输入@ AGND 。

6

CLKIN @ DGND时，外部时钟关闭。所有数字输入@ DGND除

CONVST ，睡眠， CAL ，

和

SYNC

@ DV

DD

。在数字输出无负载。

模拟输入@ AGND 。

7

偏移和增益校准跨度定义为偏移和增益误差的AD7859 / AD7859L可以校准的范围。还认为这些都是电压跨度注

并没有绝对的电压（即允许系统失调电压为系统偏移误差提出了在AIN （ + ），以调整出将AIN （ - ）

±

0.05

×

V

REF

,

和AIN （ + ）和AIN之间施加的允许系统满量程电压（ - ）的系统满量程电压误差进行调整出来将是V

REF

±

0.025

×

V

REF

).

此进行更详细的解释在数据表中的校正部分。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

–3–

AD7859/AD7859L

时序特定网络阳离子

参数

f

CLKIN2

t

1

t

2

t

兑换

t

3

t

4

t

5

t

6

t

7

t

8 4

t

9 5

t

10

t

11

t

12

t

13

t

14

t

15

t

16

t

17

t

184

t

19

t

CAL6

t

CAL16

t

CAL26

3

1

（ AV

DD

DV

DD

= + 3.0V至+ 5.5V ; F

CLKIN

= 4兆赫的AD7859和1.8兆赫的AD7859L ;

T

A

= T

民

给T

最大

中，除非另有说明）

5V

在T限制

民

, T

最大

（ A，B版本）

3V

500

4

1.8

100

90

4.5

10

15

5

0

55

50

5

40

70

0

5

0

70

10

5

1/2 t

CLKIN

2.5 t

CLKIN

31.25

27.78

3.47

单位

千赫分钟

兆赫最大

ns（最小值）

ns（最大值）

s

最大

s

最大

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

毫秒（典型值）

描述

主时钟频率

L型

CONVST

脉冲宽度

CONVST

忙

↑

传播延迟

转换时间= 18吨

CLKIN

L型1.8 MHz的CLKIN 。转换时间= 18吨

CLKIN

HBEN到RD建立时间

HBEN到RD保持时间

CS

to

RD

要建立时间

CS

to

RD

保持时间

RD

脉冲宽度

数据访问时间后，

RD

总线释放时间后，

RD

总线释放时间后，

RD

最小间隔时间读取

HBEN到

WR

建立时间

HBEN到

WR

保持时间

CS

to

WR

建立时间

CS

to

WR

保持时间

WR

脉冲宽度

WR之前的数据建立时间

数据保持时间WR后

新的数据有效之前下降的BUSY边缘

CS

↑

忙

↑

在校准过程

全自校准时间，主时钟依赖（ 125013

t

CLKIN

)

内部DAC Plus系统满量程校准时间，主时钟

依赖（ 111124吨

CLKIN

)

系统失调校准时间，主时钟依赖

(13889 t

CLKIN

)

500

4

1.8

100

50

4.5

10

15

5

0

55

50

5

40

60

0

5

0

55

10

5

1/2 t

CLKIN

2.5 t

CLKIN

31.25

27.78

3.47

笔记

1

在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10％的规定（ 90 ％V的

DD

），并定时从1.6 V的电压电平

2

马克/空间比主时钟输入为40/60至60/40 。

3

该

CONVST

脉冲宽度将在这里仅适用于正常操作。当器件处于关断模式下，不同的

CONVST

脉冲宽度将适用（见电源 -

下节）。

4

测得的与图1的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。

5

t

9

当装载有图1的电路所测得的数，然后外推导出形式采取的数据输出改变0.5 V的测量时间

背面去除的充电或放电的50 pF电容的影响。这意味着该时间t

9

在时序特性所是真正的总线释放

的部分和的时间是独立的总线负载的。

6

为校准时间指定的典型时间为4MHz的主时钟。对于L版的校准时间将长于这里列出因

1.8 MHz的主时钟。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–4–

REV 。一

AD7859/AD7859L

绝对最大额定值

1

1.6mA

I

OL

(T

A

= + 25 ° C除非另有说明）

输出

针

50pF

+2.1V

200A

I

OH

图1.负载电路的数字输出定时

特定网络阳离子

订购指南

模型

线性

错误

（ LSB ）

1

动力

耗散封装

（ mW）的

选项

2

15

5.5

P-44A

S-44

AD7859AP

±

1

AD7859AS

±

1

AD7859BS

±

1/2

3

AD7859LAS

±

1

EVAL-AD7859CB

4

EVAL -CONTROL BOARD

5

笔记

1

线性误差指的是积分线性误差。

2

P = PLCC ; S = PQFP 。

3

L表示低功耗版本。

4

这可以作为一个独立的评估板，或与结合

EVAL-管制局评估/演示。

5

该板是一个完整的单元，允许一台PC来控制和通讯

所有的ADI公司评估板的CB标志后缀。

关于ADI公司的产品和评估板，请访问更多信息

我们的万维网网页， http://www.analog.com 。

AV

DD

到AGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

DV

DD

到DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

AV

DD

以DV

DD

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+0.3 V

模拟输入电压至AGND 。。。。 -0.3 V至AV

DD

+ 0.3 V

数字输入电压至DGND 。。。。 -0.3 V到DV

DD

+ 0.3 V

数字输出电压DGND 。。。 -0.3 V到DV

DD

+ 0.3 V

REF

IN

/ REF

OUT

到AGND 。。。。。。。。。 -0.3 V至AV

DD

+ 0.3 V

输入电流到任何引脚除外用品

2

. . . . . . . .

±

10毫安

工作温度范围

商业（ A，B版本）。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

存储温度范围。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 150°C

PQFP封装，功率耗散。。。。。。。。。。。。。。 450毫瓦

θ

JA

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 95 ° C / W

焊接温度，焊接

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 220℃

PLCC封装，功率耗散。。。。。。。。。。。。。。 500毫瓦

θ

JA

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 55 ° C / W

焊接温度，焊接

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 220℃

ESD 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 >1500千伏

笔记

1

条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会导致

永久损坏设备。这是一个额定值只和功能

该设备在这些或以上的任何其他条件，在上市运作

本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对

最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。

2

高达100 mA的瞬态电流不会造成SCR闭锁。

引脚排列PLCC

CONVST

CLKIN

忙

引脚排列PQFP

CONVST

忙

CLKIN

DB15

DB14

DB13

DB15

DB14

DB13

DB12

WR

DB12

35

RD

CS

WR

CS

RD

44

43

42

39

38

36

41

NC

W / B

REF

IN

/ REF

OUT

7

8

9

39

NC

38

DB11

NC

W / B

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

40

37

34

6

5

4

3

2

1

44

43

42

41 40

NC

33

32

31

30

引脚号1 Identi连接器

NC

DB11

DB10

DB9

DB8/HBEN

DGND

DV

DD

DB7

DB6

DB5

DB4

37

DB10

36

DB9

AV

DD

10

AGND

11

C

REF1

12

C

REF2

13

AIN0

14

AIN1

15

AIN2

16

AIN3

17

18

19

20

21

22 23

24

25

26

27 28

REF

IN

/ REF

OUT

AV

DD

AGND

C

REF1

C

REF2

AIN0

AIN1

AIN2

AIN3

AD7859

顶视图

（不按比例）

35

DB8/HBEN

34

DGND

33

DV

DD

32

DB7

31

DB6

30

DB5

29

DB4

AD7859

顶视图

（不按比例）

29

28

27

26

25

24

23

AIN6

AIN7

DB1

DB2

DB0

DB3

AIN4

AIN5

睡觉

CAL

NC

15

14

16

20

12

17

21

13

18

AIN6

AIN7

DB0

DB1

19

DB2

DB3

AIN4

AIN5

REV 。一

–5–

睡觉

CAL

NC

22